| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 依据庞加莱反射系数圆确定匹配网络的方法 | CN201180009992.9 | 2011-04-24 | CN103141024A | 2013-06-05 | C·布隆贝格尔 |
| 本发明涉及一种电子电路和一种用于设计电子电路的方法，所述电子电路具有第一源元件（Q1）、第二源元件（Q2）、第一匹配网络（M1）和第二匹配网络（M2），其中，所述第一匹配网络（M1）和所述第二匹配网络（M2）通过使用庞加莱距离的方法设计，其中，所述第二源元件（Q2）被构造用于输出具有中心频率（f）的信号（S），其中，所述负载（L）具有负载阻抗（ZL），其中，所述第二匹配网络（M2）具有传输所述信号（S）的线状串联元件（LS1...LS20），其中，所述线状串联元件（LS1...LS20）仅仅具有小于所述负载阻抗（ZL）的线路阻抗（ZS1...ZS20），或者，其中，分别具有大于所述负载阻抗（ZL）的线路阻抗（ZS1...ZS20）的那些线状串联元件（LS1...LS20）的电长度的和小于属于所述信号（S）的波长（λ）的四分之一。 | ||||||
| 182 | 用于低失真电容式信号源放大器的系统和方法 | CN201210304584.2 | 2012-08-24 | CN102957388A | 2013-03-06 | J.L.塞巴洛斯; M.克罗普菲奇 |
| 本发明涉及用于低失真电容式信号源放大器的系统和方法。根据一个实施例，一种方法包括：放大由电容式信号源提供的信号以形成放大信号，检测放大信号的峰值电压，并且响应于检测到峰值电压而调节被耦合到电容式信号源的输出的可控阻抗。可控阻抗被调节为与检测的峰值电压成反比的值。 | ||||||
| 183 | 用于控制电子设备中的射频发射的系统及方法 | CN200810008915.1 | 2008-01-25 | CN101257316B | 2013-02-27 | 朱里中; 乔治·曼科鲁斯; 麦克尔·科里根; 徐俊; 肯特·尼科尔森 |
| 本发明涉及一种用于削弱输出信号中的谐波的系统及方法。在该系统中，提供了一种用于减少来自无线通信设备的发射电路中的功率放大器的输出信号的谐波的电子电路。该电路包括：印刷电路板(PCB)；功率放大器，用于产生输出信号；以及与功率放大器用于该输出信号的输出端子相连的、在PCB上实现的电路。该电路包括第一滤波级、延迟元件、以及谐波滤波器。延迟元件位于谐波滤波器与输出端子之间，并且该延迟元件通过至少一个额定0Ω的组件，来提供输出信号中的定时延迟。此外，谐波滤波器是具有频率截止点的低通滤波器，该低通滤波器削弱输出信号的一次谐波。 | ||||||
| 184 | 用于将天线阻抗匹配到通信波段中的分波段的系统和方法 | CN200580025362.5 | 2005-07-21 | CN101002360B | 2013-02-20 | 乔治·法夫雷加-桑什; 格雷戈里·普瓦拉斯内; 斯坦利·S·通西赫; 艾伦·德兰 |
| 已经提供了用于选择性地匹配通信带宽分段阻抗的分波段天线匹配方法和天线匹配系统。所述方法包括：从天线接受频变阻抗；以及在第一通信波段的分波段为天线选择性地提供共轭阻抗匹配。在某些方面中，所述方法在第二通信波段的分波段为天线选择性地提供共轭阻抗匹配。更具体地，所述方法包括：将第一调谐电路调谐到第一频率；同时将第二调谐电路调谐到第二频率，以便在所述第一通信波段的低端对天线进行匹配。同样地，所述第一调谐电路被调谐到第三频率以及所述第二调谐电路被调谐到第四频率，以便响应于所述第三和第四频率而在所述第一通信波段的高端对天线进行匹配。 | ||||||
| 185 | 具有厚氧化物输入级晶体管的深亚微米MOS前置放大器 | CN200710185794.3 | 2007-12-17 | CN101287304B | 2013-02-06 | P·F·霍福斯坦; L·J·斯坦博格 |
| 本发明涉及一种电容式话筒装置，包括：电容式话筒换能器，具有被相邻近地放置的振动片和背板部件，在振动片和背板部件之间具有气隙。此外，该装置还具有深亚微米MOS集成电路管芯，包括前置放大器，该前置放大器包括用于接收由电容式话筒换能器所产生的电信号的第一信号输入端。所述第一信号输入端可操作地耦合至前置放大器的输入级，所述输入级包括厚氧化物晶体管。本发明还涉及一种深亚微米MOS集成电路管芯，包括基于厚氧化物晶体管的前置放大器。 | ||||||
| 186 | 带有接收路径过载保护的收发机及其方法 | CN200680009400.2 | 2006-03-31 | CN101147329B | 2012-11-14 | J·珀萨门蒂尔 |
| 一种收发机包括响应于由环路控制电路提供的控制信号在接收信号路径内生成阻抗失配的失谐电路。该环路控制电路通过接收信号路径内检测到的峰值信号电平的比较来生成该控制信号。由此，接收信号路径内的高功率输入信号电平由于阻抗失配而被反射回接收机的输入。 | ||||||
| 187 | 具有多合体扩展的高频功率放大器 | CN201180005312.6 | 2011-08-03 | CN102696172A | 2012-09-26 | 洛塔尔·申克 |
| 一种高频功率放大器，包括宽带放大器(30)、DOHERTY扩展(31)和耦合设备(33)。所述宽带放大器(30)具有功率分配器(34)、主放大器路径(64)和辅助放大器路径(65)。所述DOHERTY扩展(32)具有第一偏置线(60)、第二偏置线(61)和阻抗转换器(62)。所述宽带放大器(30)放大输入信号并把放大后的信号提供给所述DOHERTY扩展(31)或所述耦合设备(33)。 | ||||||
| 188 | 具有用于多模式操作的经切换输出匹配的功率放大器 | CN201080032108.9 | 2010-07-23 | CN102474275A | 2012-05-23 | 内森·M·普莱彻; 阿里斯托泰莱·哈奇克里斯托斯; 赵瑜; 巴巴克·内贾蒂 |
| 示范性实施例针对一种发射器，其具有功率放大器和经切换输出匹配电路，所述经切换输出匹配电路实施用于多个操作模式的多条输出路径。所述功率放大器接收输入RF信号并提供放大的RF信号。输出匹配网络执行阻抗变换，将所述功率放大器的输出处的低阻抗变换为所述匹配网络的输出处的较高阻抗。所述多条输出路径耦合到所述输出匹配网络。每一输出路径为所述功率放大器提供不同的目标输出阻抗且在所述输出路径被选择时将所述放大的RF信号从所述功率放大器投送到天线。每一输出路径可包括匹配网络，所述匹配网络与开关串联耦合。当所述输出路径被选择时，所述匹配网络为所述功率放大器提供所述目标输出阻抗。所述开关将所述输出路径耦合到所述功率放大器或将所述输出路径与所述功率放大器解耦。 | ||||||
| 189 | 高频功率放大器 | CN201080027856.8 | 2010-07-09 | CN102474228A | 2012-05-23 | 夘野高史; 八幡和宏; 石崎俊雄 |
| 高频功率放大器具有：对第一频率的高频信号进行放大的晶体管(104)；与晶体管(104)的输入端侧连接的输入匹配电路(102)；与晶体管(104)的输出端侧连接的输出匹配电路(105)；一端侧与晶体管(104)的输出端连接且另一端侧与输出匹配电路(105)的输入端及偏置端子(103)连接的电抗控制电路(107)。电抗控制电路(107)具有与晶体管(104)的输出端中的该晶体管(104)的寄生电容分量之间以第二频率发生谐振的电抗。第二频率是与第一频率相同的频率或第一频率附近的频率。 | ||||||
| 190 | 具有主动输出阻抗匹配的缓冲器 | CN201080022349.5 | 2010-05-21 | CN102439849A | 2012-05-02 | 沙欣·梅海丁扎德·塔莱依; 简·保罗·范德瓦格特 |
| 本发明提供用于设计缓冲器(310)的技术，所述缓冲器(310)能够以低供应电压进行工作，且具有主动输出阻抗匹配能力以优化去往广泛范围的负载的电力传递。在示范性实施例中，在缓冲器架构中提供共源共栅晶体管(333、334)，所述缓冲器架构使用具有不等宽长比W/L的共源极晶体管(331、332)及与负载(120)具有对应固定比率的电阻(340、350)。可动态地偏置所述共源共栅晶体管中的至少一者(333)以使所述共源极晶体管(331、332)的漏极电压之间的差最小化。在另一示范性实施例中，可通过选择性地启用一组调谐晶体管来主动地调谐所述缓冲器的输出阻抗，所述调谐晶体管与所述负载并联耦合。本发明描述用于提供校准模式及操作模式的其它技术。 | ||||||
| 191 | 放大器以及信号放大方法 | CN201110141698.5 | 2008-03-18 | CN102299685A | 2011-12-28 | 詹景宏 |
| 本发明涉及一种放大器，用以放大输入信号以产生输出电流，包含第一跨导电路，具有第一跨导系数，耦接至第一晶体管，接收第一噪声电压以产生第一噪声电流；第二跨导电路，具有第二跨导系数，与该第一跨导电路并联耦接，接收第二噪声电压以产生第二噪声电流，使得该第一噪声电流以及该第二噪声电流相互抵消以降低该输出电流中的噪声成分；以及其中，该第一跨导电路和该第二跨导电路运作于电流模式。与现有技术相比，本发明可以有效的减少输出电流中的噪声成分。 | ||||||
| 192 | 负阻抗生成电路及其集成电路 | CN200810090172.7 | 2008-04-07 | CN101309090B | 2011-11-09 | 费得黎各·亚历山卓·菲布里奥·贝佛 |
| 本发明是关于一种负阻抗生成电路及其集成电路，所述的负阻抗生成电路用以生成一负阻抗，所述的电路包括，一第一晶体管以及一第二晶体管，第一晶体管具有一控制端，所述的控制端连接一第一节点；第二晶体管具有一电流端，所述的电流端连接所述的第一节点，第一及第二晶体管相互影响，用以产生所述的负阻抗。本发明可节省空间，特别是当可变电容由切换电容阵列所构成时，另外，本发明用来产生负阻抗的偏压电路小于一般的偏压电路。 | ||||||
| 193 | 放大器 | CN200710170377.1 | 2007-11-15 | CN101183854B | 2011-11-09 | 村尾洋二 |
| 本发明提供了一种放大器，其目的在于，在使用半导体器件作为放大器件的高频放大器中，当控制施加到该半导体器件的偏置电压以对应于信号的包络时，通过控制输入/输出匹配电路来使它们总是优化的，从而实现高效率。使用偏置控制电路改变施加到用于放大的半导体器件的偏置电压以对应于信号包络，从偏置电压生成用于控制输入/输出匹配电路的阻抗的控制电压，并且彼此同步地供应偏置电压和用来控制半导体器件(7)的输入/输出匹配电路的阻抗的控制电压。因此，可变地控制输入/输出匹配电路的阻抗，使得该电路总是处于优化的方式，从而可实现高效的放大。 | ||||||
| 194 | 高频功率放大器及其工作方法 | CN201110048769.7 | 2011-02-25 | CN102170270A | 2011-08-31 | 太田生马; 林范雄; 筒井孝幸; 森泽文雅; 长谷昌俊 |
| 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。 | ||||||
| 195 | 混合类放大器 | CN200880130947.7 | 2008-09-01 | CN102138281A | 2011-07-27 | 里卡德·赫尔贝里 |
| 本发明提供了一种功率放大器(10)，配置用于在谐波频率产生阻抗，以使得功率放大器(10)在低输出幅度范围内操作于C类模式，而在高输出幅度范围内操作于F类或反相F类模式。 | ||||||
| 196 | 放大器以及信号放大方法 | CN200810084326.1 | 2008-03-18 | CN101471625B | 2011-07-27 | 詹景宏 |
| 本发明涉及一种放大器，用以放大输入信号以产生输出电流，包含阻抗匹配网络，用以接收输入信号以执行阻抗匹配，包含第一电阻，用以接收输入信号以产生匹配后的信号；第一晶体管，具有信道热噪声以建立第一噪声电压；以及第二电阻，用以接收信道热噪声以建立第二噪声电压；以及跨导电路，包含第一跨导电路，具有第一跨导系数，接收第一噪声电压以产生第一噪声电流；第二跨导电路，具有第二跨导系数，接收第二噪声电压以产生第二噪声电流，使得第一噪声电流以及第二噪声电流相互抵消以降低该输出电流中的噪声成分。与现有技术相比，本发明可以有效的减少输出电流中的噪声成分。 | ||||||
| 197 | N路DOHERTY分布式功率放大器 | CN200880021149.0 | 2008-04-23 | CN102089966A | 2011-06-08 | 金完锺; 赵庚浚; S·p·斯塔普莱顿 |
| 公开了一种功率放大器，该功率放大器使用N-路Doherty结构，用于延伸在诸如宽带码分多址接入和正交频分复用之类的复用调制信号的高峰均功率比上的效率区域。在一个实施例中，本发明将双馈分布式结构使用到N-路Doherty放大器，用以改善在至少一个主放大器和至少一个峰化放大器之间的隔离，并且还用以同时改善高输出回退功率处的增益和效率性能。混合耦合器可以用在输入和输出中的任意一个处或者可以同时用在输入和输出处。在至少某些实现中，由于将放大、功率分路与合并都集成在一起，所以还节省了电路空间。 | ||||||
| 198 | 输出匹配晶体管 | CN200610136399.1 | 2006-07-25 | CN1976023B | 2011-03-09 | C·布莱尔; N·V·迪克西特; T·W·莫勒; T·法姆 |
| 一种功率晶体管，具有形成在其上的电极的半导体，其中电极包括至少一个具有输入和输出端的晶体管；第一输出阻塞电容器，具有电耦合到半导体交指型晶体管输出端子的第一端子和电耦合到地的第二端子；及第二输出阻塞电容器，包括电耦合到第一输出阻塞电容器第一端子的第一端子和电耦合到地的第二端子。一种用于放大信号的方法，该方法具有：在半导体上形成功率晶体管，其中功率晶体管包括多个交指型晶体管；分流来自多个交指型晶体管的输出信号；以及双分流来自多个交指型晶体管的输出信号，其中分流和双分流在功率晶体管的管芯平面上产生第一和第二谐波终结。 | ||||||
| 199 | 电源电路 | CN200610167890.0 | 2006-12-20 | CN1987711B | 2011-02-16 | 小岛友和; 本田稔 |
| 运算放大器从参考电势产生电源电势。阻抗调节器根据控制信号调节所述运算放大器的输出阻抗。电荷储蓄器积聚所述运算放大器的输出电荷，所述运算放大器的阻抗受所述阻抗调节器调节。比较器对在所述阻抗调节器进行阻抗调节之前所述运算放大器的输出电压和所述阻抗调节器进行阻抗调节之后所述运算放大器的输出电压进行相互比较，所述比较器进而根据比较结果产生所述控制信号，并且向所述阻抗调节器输出所产生的控制信号。 | ||||||
| 200 | 匹配电路、多频带放大器 | CN200710184907.8 | 2007-10-29 | CN101174820B | 2010-12-29 | 福田敦史; 冈崎浩司; 楢桥祥一 |
| 一种匹配电路，包括：分波电路，将从放大元件输出的信号分波为每个频带的信号；以及两个以上的匹配块，其连接到该分波电路，被分别输入上述每个频带的信号，在其所输入的信号的频带中分别进行阻抗匹配。通过对所分波的各个频带的信号进行阻抗匹配，能够构成在各个频带中可以高效率地进行阻抗匹配的匹配电路。此外，通过使用这种匹配电路，可以构成能够高效率同时低噪声放大多个频带的信号的多频带放大器。 | ||||||
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