| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 非福斯特电路 | CN201280021449.5 | 2012-04-06 | CN103636122B | 2016-06-15 | 唐纳德·A·希特克; 卡森·R·怀特; 迈克尔·W·扬; 戴维·S·马修斯; 苏珊·L·莫顿; 杰森·W·梅; 约瑟夫·科伯恩 |
| 一种差分电路拓扑结构，其用于产生可调浮动负电感、负电容、负电阻/电导、或者三者的组合。这些电路通常被称为“非福斯特电路”。所公开的这些电路的实施例包括两对交叉耦接的差分晶体管、负载导抗、多个电流源、两个共模反馈（CMFB）网络、至少一个可调（可变）电阻、以及两个呈现期望导抗的端子。所公开的这些电路的实施例可被配置为负阻抗变换器（NII）或负阻抗转换器（NIC）并为开路稳定（OCS）或短路稳定（SCS）的。 | ||||||
| 22 | 具有失配容忍度的RF功率放大器电路 | CN201180035525.3 | 2011-05-12 | CN103210582B | 2016-06-08 | S·F·德罗吉; M·托马兹 |
| 一种射频(RF)功率放大器系统响应于功率放大器(PA)的RF输出信号的测量或估计功率，自适应地调整向该PA提供的供应电压。该RF PA系统包括功率放大器(PA)，其接收并且放大RF输入信号以在适合于天线传输的水平生成RF输出信号。PA供应电压控制器生成供应电压控制信号，该供应电压控制信号用于控制到该PA的最后一级的供应电压。响应于该RF PA输出信号的测量或估计功率，并且还可以响应于用于指示在该PA输出处经历的阻抗失配的参数，生成该供应电压控制信号。通过控制该RF PA的供应电压，提高该PA的效率。 | ||||||
| 23 | 一种具有最优匹配的堆叠的射频功率放大器 | CN201610056718.1 | 2016-01-26 | CN105515543A | 2016-04-20 | 林俊明; 章国豪; 张志浩; 余凯 |
| 本发明公开了一种具有最优匹配的堆叠的射频功率放大器，包括输入匹配电路，输出宽带匹配电路，偏置电路A，偏置电路B，以及至少由两个晶体管漏极源极通过电感相连堆叠起来的功率放大电路；信号源通过输入匹配电路连接功率放大电路的最底层的晶体管的栅极，偏置电路B也连接此栅极；偏置电路A连接功率放大电路的其余晶体管的栅极，这些栅极通过连接栅极电容接地；最上层的晶体管的漏极通过输出宽带匹配电路连接负载。该电路不仅提高了射频功率放大器的输出级的耐压能力和电流驱动能力，提高了功率放大器的输出阻抗，而且提高了功率放大器整体的线性度。 | ||||||
| 24 | 一种两级堆叠结构的射频功率放大器 | CN201610053834.8 | 2016-01-26 | CN105515541A | 2016-04-20 | 林俊明; 章国豪; 张志浩; 余凯; 黄敬馨; 区力翔 |
| 本发明公开了一种两级堆叠结构的射频功率放大器，包括输入匹配电路，输出宽带匹配电路，以及通过级间匹配电路级联组成的两级放大器电路，两级放大器电路的前级为驱动级，后级为功率级；射频信号源通过输入匹配电路连接驱动级最底层晶体管的栅极，驱动级最上层的晶体管的漏极连接所述级间匹配电路的一端，级间匹配电路的另一端连接功率级最底层晶体管的栅极，功率级最上层的晶体管的漏极通过输出宽带匹配电路连接负载。本电路能提高功率放大器的耐压能力、输出电压摆幅、工作带宽、功率效率、功率增益和最大输出功率，并有着较好的谐波抑制效果。 | ||||||
| 25 | 信号收发器 | CN201510682810.4 | 2012-05-17 | CN105245193A | 2016-01-13 | 简敦正; 吴家欣; 陈宗明; 李翼安 |
| 本发明提供一种信号收发器。该信号收发器包含有：一第一放大器耦接于一芯片的一芯片输出端；一阻抗转换电路；一开关电路用来选择性地将该芯片输出端耦接于该阻抗转换电路的一第一端；以及一第二放大器耦接于该阻抗转换电路的一第二端。本发明的信号收发器可以改善该芯片内的功率放大器的线性度以及减小该芯片内的低噪声放大器的噪声指数。 | ||||||
| 26 | 具有失配容忍度的RF功率放大器电路 | CN201510591950.0 | 2011-05-12 | CN105227140A | 2016-01-06 | S·F·德罗吉; M·托马兹 |
| 本发明涉及具有失配容忍度的RF功率放大器电路。一种射频(RF)功率放大器系统包括：功率放大器，其被配置为放大RF输入信号以生成RF输出信号；包络块，其被配置为基于所述RF输入信号的包络生成包络信号，所述包络信号指示所述RF输出信号的估计包络；功率放大器VCC控制器，其被配置为响应于指示所述RF输出信号的估计包络的所述包络信号和指示所述功率放大器的输出处的阻抗失配的参数，生成用于控制所述功率放大器的包络跟踪供应电压的供应电压控制信号。 | ||||||
| 27 | 信号收发器 | CN201210154429.7 | 2012-05-17 | CN102790626B | 2015-11-25 | 简敦正; 吴家欣; 陈宗明; 李翼安 |
| 本发明提供一种信号收发器。该信号收发器包含有：一第一放大器耦接于一芯片的一芯片输出端；一阻抗转换电路；一开关电路用来选择性地将该芯片输出端耦接于该阻抗转换电路的一第一端；以及一第二放大器耦接于该阻抗转换电路的一第二端。本发明的信号收发器可以改善该芯片内的功率放大器的线性度以及减小该芯片内的低噪声放大器的噪声指数。 | ||||||
| 28 | 具有改进的线性度的分路式放大器 | CN201480014582.7 | 2014-03-11 | CN105075114A | 2015-11-18 | A·A·约瑟夫; L-C·常 |
| 公开了具有可配置增益和线性化电路系统的分路式放大器。一种装置包括第一(430)和第二(440)放大器电路以及可以是放大器的一部分的线性化电路(420)。第一(430)和第二(440)放大器电路并联地耦合至放大器输入端(X)。线性化电路(420)也耦合至放大器输入端(X)。第一(430)和第二(440)放大器电路在高增益模式中被启用。第一(430)和第二(440)放大器电路之一在低增益模式中被启用。线性化电路(420)在第二模式中被启用并在第一模式中被禁用。放大器被拆分成多个部分。每一部分包括放大器电路以及该放大器的一部分。可以在低增益模式中使用一个放大器电路和线性化电路来获得高线性度。 | ||||||
| 29 | 具有电感衰退和可配置增益和输入匹配的放大器 | CN201480012396.X | 2014-03-06 | CN105009447A | 2015-10-28 | A·A·约瑟夫; S·阿伯德尔海姆; E·A·A·加尼; L-C·常 |
| 公开了具有电感衰退和可配置增益和输入匹配的放大器。在示例性设计中，一种装置包括用于放大器的增益晶体管、电感器、和输入匹配电路。该增益晶体管具有基于其偏置电流所确定的可变增益。电感器耦合在增益晶体管与电路接地之间。输入匹配电路基于增益晶体管的可变增益而被选择性地耦合至该增益晶体管。例如，输入匹配电路可在低增益模式中被耦合至增益晶体管，而在高增益模式中可从该增益晶体管解耦。在示例性设计中，输入匹配电路包括串联耦合的电阻器、电容器、和第二晶体管。该电阻器被用于放大器的输入匹配。第二晶体管将该电阻器耦合至增益晶体管或从其解耦。 | ||||||
| 30 | 功率放大模块 | CN201510121357.X | 2015-03-19 | CN104935268A | 2015-09-23 | 嶋本健一; 田中聪; 松冈正 |
| 本发明提供了能以低电压驱动、能改善温度特性的功率放大模块。功率放大模块包括：第一双极晶体管，该第一双极晶体管将输入至基极的无线频率信号放大并输出；电流源，该电流源输出控制电流；第二双极晶体管，该第二双极晶体管与电流源的输出端连接，将控制电流中的第一电流输入集电极；控制电压生成电路，该控制电压生成电路与输出端连接，生成与控制电流中的第二电流相对应的控制电压；第一FET，该第一FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第一双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极；以及第二FET，该第二FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第二双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极。 | ||||||
| 31 | 一种可调增益功率放大器、增益调节方法及移动终端 | CN201510081063.9 | 2015-02-15 | CN104917475A | 2015-09-16 | 陈吉 |
| 本发明公开了一种可调增益功率放大器、增益调节方法及移动终端。该可调增益功率放大器包括输入匹配电路、增益调节电路、偏置电路、主体放大电路、输出匹配电路；输入匹配电路连接于输入端与增益调节电路之间；增益调节电路连接于输入匹配电路与主体放大电路的输入端之间；主体放大电路的输出端连接输出匹配电路，正电源端连接供电电源,负电源端连接偏置电路；偏置电路为主体放大电路提供不同的偏置电压；增益调节电路和偏置电路分别连接增益调节控制电压。本发明的电路结构简单且便于集成，无需采用功率切换开关，可以满足多功率模式下的增益调整需求，实现更大的动态范围输出。 | ||||||
| 32 | 用于找到全局最优值的频率调谐系统和方法 | CN201380069333.3 | 2013-12-03 | CN104904323A | 2015-09-09 | G·范齐尔 |
| 本发明公开了一种发生器和用于调谐所述发生器的方法。所述方法包括将由所述发生器施加的功率的频率设定为当前最佳频率并且感测由所述发生器施加的所述功率的特性。基于所述功率的特性来确定当前最佳误差，并且在主要时间段内将所述功率的频率保持在所述当前最佳频率。然后将所述功率的频率改变为探测频率，并且在小于所述主要时间段的探测时间段内将所述频率保持在所述探测频率。如果所述探测频率下的误差小于所述当前最佳频率下的误差，则将所述当前最佳频率设定为所述探测频率。 | ||||||
| 33 | 高频放大电路 | CN201380068007.0 | 2013-10-28 | CN104904117A | 2015-09-09 | 广冈博之 |
| 本发明涉及一种高频放大电路(10)，其包括高频用放大器(101)、偏置电路(20)。偏置电路(20)包括偏置控制元件(102、103)。偏置控制元件(102)的发射极经由电阻(201)连接于放大器(101)的基极。偏置控制元件(103)的发射极经由电阻(203)连接于开关元件(104)的集电极。开关元件(104)的发射极接地。在偏置控制元件(102)的发射极和偏置控制元件(103)的发射极之间连接有电阻(204)。向偏置控制元件(102、103)的基极施加控制电压(VCTL)。向开关元件(104)的基极施加与动作模式相应的偏置电流调整用电压(VLIN)。 | ||||||
| 34 | 电路 | CN201510032456.0 | 2015-01-22 | CN104811150A | 2015-07-29 | 杰瓦德·侯赛因·库雷希 |
| 本发明涉及电路(100)，包括平衡-不平衡变换器部分(102)，平衡侧阻抗变换元件(104)和不平衡侧阻抗变换元件(106)。平衡-不平衡变换器部分(102)至少部分地变换在平衡信号输入/输出端(108，110)和不平衡信号输入/输出端(112)之间的信号。阻抗变换元件(104，106)至少部分地改变在平衡-不平衡变换器德平衡和不平衡侧处的阻抗。通过将阻抗变换的任务从平衡-不平衡变换器信号转换分离出来，与提供信号转换和阻抗变换功能的平衡-不平衡变换器相比，电路(100)的有用带宽可以得到改善。 | ||||||
| 35 | 一种射频功率放大器、基站及阻抗调整方法 | CN201310690527.7 | 2013-12-13 | CN104716911A | 2015-06-17 | 石尚杰; 王小平; 张晓毅 |
| 本发明实施例公开了一种射频功率放大器、基站及阻抗调整方法，通过设置于射频功率放大器的输出传输线和输出负载之间的传输线，来调整所述射频功率放大器在所述预设频点处的负载阻抗，或者通过设置于射频功率放大器的输出传输线和输出负载连接点处的第一元件、第二元件、第一电容器以及第二电容器，来调整所述射频功率放大器在所述预设频点处的负载阻抗。 | ||||||
| 36 | 依据庞加莱反射系数圆确定匹配网络的方法 | CN201180009992.9 | 2011-04-24 | CN103141024B | 2015-06-17 | C·布隆贝格尔 |
| 本发明涉及一种电子电路和一种用于设计电子电路的方法，所述电子电路具有第一源元件(Q1)、第二源元件(Q2)、第一匹配网络(M1)和第二匹配网络(M2)，其中，所述第一匹配网络(M1)和所述第二匹配网络(M2)通过使用庞加莱距离的方法设计，其中，所述第二源元件(Q2)被构造用于输出具有中心频率(f)的信号(S)，其中，所述负载(L)具有负载阻抗(ZL)，其中，所述第二匹配网络(M2)具有传输所述信号(S)的线状串联元件(LS1...LS20)，其中，所述线状串联元件(LS1...LS20)仅仅具有小于所述负载阻抗(ZL)的线路阻抗(ZS1...ZS20)，或者，其中，分别具有大于所述负载阻抗(ZL)的线路阻抗(ZS1...ZS20)的那些线状串联元件(LS1...LS20)的电长度的和小于属于所述信号(S)的波长(λ)的四分之一。 | ||||||
| 37 | 多赫尔蒂功率放大器 | CN201380053793.7 | 2013-10-17 | CN104704740A | 2015-06-10 | N.雅尼 |
| 提供一种多赫尔蒂(Doherty)功率放大器，包括主放大器、辅助放大器以及管理辅助放大器的操作的控制器，该控制器进行操作以根据提供给功率放大器的输入信号电压而在操作状态与非操作状态之间切换辅助放大器的操作状态，使得辅助放大器在输入电压低于输入电压阈值时不操作以及在输入电压高于输入电压阈值时进行操作。 | ||||||
| 38 | 封装RF功率晶体管器件和RF功率放大器 | CN201410693875.4 | 2014-11-26 | CN104681552A | 2015-06-03 | 诸毅; 约瑟夫斯·H·B·范德赞登 |
| 描述了一种封装射频功率晶体管器件，包括：(a)组件载体(254、256)；(b)管芯(110、210a)；(c)接地连接(232a)；(d)输出端引线(136、236a)，该输出端引线电连接到漏极(112d)；(e)谐振电路(122)，该谐振电路电插入到输出端引线与接地连接(232a)之间；以及(f)视频引线(134、234)，该视频引线电连接到谐振电路(122)。视频引线连接到解耦电容器(144、244)的第一接触点。接地连接到解耦电容器的第二接触点。相对于由组件载体(254、256)的底面横跨的基准平面，输出端引线和视频引线(234)被至少近似地布置在相同的高度水平。还描述了一种RF功率放大器，包括所述封装射频功率晶体管器件。 | ||||||
| 39 | 动态误差向量幅度占空比校正 | CN201410479794.4 | 2014-09-18 | CN104467745A | 2015-03-25 | 林磊; M.M.多尔蒂 |
| 本公开的各方面涉及动态误差向量幅度(DEVM)补偿。在一个实施例中，一种装置包括放大器、低通滤波器和偏置电路。诸如功率放大器的所述放大器可以放大输入信号。诸如积分器的低通滤波器可以至少部分基于所述放大器的占空比的指示产生校正信号。所述放大器的占空比的指示例如可以是用于放大器的使能信号。所述偏置电路可以至少部分基于所述校正信号产生偏置信号，并且将所述偏置信号提供给放大器以对该放大器进行偏置。 | ||||||
| 40 | 宽带放大器 | CN201410392260.8 | 2014-08-11 | CN104426483A | 2015-03-18 | 杰瓦德·侯赛因·库雷希 |
| 本发明披露了一种多赫蒂放大器，每个包括：第一放大器和第二放大器，每个放大器具有各自的输入端和各自的输出端，第一放大器和第二放大器适于放大来自射频输入信号和在各自的输入端接收的各自的输入信号和分别发送第一输出信号和第二输出信号；分别耦合到第一放大器的输出端和第二放大器的输出端的第一移相器和第二移相器；第三移相器和第四移相器；其中多赫蒂放大器还包括第一组合节点和第二组合节点，其中每个第三移相器被耦合在各自的第一移相器和第一组合节点之间；每个第四移相器被殴和在各自的第二移相器和第二组合节点之间，和每个主放大器和峰值放大器的第三移相器适于耦合到各自的第四移相器。本发明还披露了一种相关联的印刷电路板。 | ||||||
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