专利检索_ .反铁磁薄膜即薄膜表现出 Néel 转变温度专利检索_ .反铁磁薄膜即薄膜表现出 Néel 转变温度专利检索查询

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
61	周波数可変磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた発振器・検波器・フィルタ	JP2017183114	2017-09-25	JP2018061025A	2018-04-12	柴田竜雄
【課題】周波数特性が安定で動作エネルギーを大幅に低減した、周波数可変の磁気抵抗効果素子、およびこれを利用したデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】周波数可変磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子に磁場を印加するための磁場印加機構と、前記磁気抵抗効果素子に電場を印加するための電場印加機構と、前記電場印加機構に接続され、前記電場印加機構に大きさおよび/または極性の異なる電圧を供給するための制御端子とを備える。前記磁気抵抗効果素子は、電気磁気効果を有する反強磁性体、またはフェリ磁性体を含む。前記磁気抵抗効果素子は、前記制御端子より供給される電圧の大きさおよび/または極性を変化させることによって、前記磁気抵抗効果素子のスピントルク発振周波数もしくはスピントルク共鳴周波数が制御される。【選択図】図1
62	Sputtering target	JP2001254635	2001-08-24	JP4936613B2	2012-05-23	辺高志渡; 邊光一渡; 上隆石; 岡直美藤; 木幸伸鈴; 阪泰郎高

63	The method of manufacturing an information storage medium and the medium comprising transverse magnetization dot array	JP2003511235	2002-07-02	JP2004534345A	2004-11-11	デニー，ベルナルド; ランディ，ステファン; ロドマック，ベルナルド
横方向磁化ドットのアレイを備える情報記憶媒体と、この媒体を生産するための製造方法。各ドット（２）は、平坦な材料を横方向から被覆するとともに、アレイの平面（６）への垂線（ｚ）に対する斜入射角で付着する少なくとも一つの磁性材料の薄層（４）によって形成される、少なくとも一つの磁区を含む。本発明は特に、コンピュータハードドライブに適用される。〔表紙の要約〕本発明は、横方向磁化パッドを備えるデータ記憶媒体と、その製造方法に関連する。パッドを横方向から被覆するとともに、アレイの平面（６）への垂線（ｚ）に対する斜入射角で付着した少なくとも一つの磁性材料の薄膜（４）で構成される少なくとも一つの磁界を、各パッド（２）が含む。本発明は特に、コンピュータハードディスクに適用可能である。【選択図】図１
64	Magnetic laminate and the magneto-resistance effect element	JP33760891	1991-11-27	JP3100714B2	2000-10-23	大助宮内; 義和成宮; 悟荒木

65	Antiferromagnetic film and a magnetic head using the same	JP3983991	1991-03-06	JP3089674B2	2000-09-18	亮一中谷; 正弘北田; 直樹小山; 昇清水; 英男田辺; 勇由比藤

66	Magnetic device	JP2025397	1997-02-03	JPH09237412A	1997-09-09	RIIHAN CHIEN; SHIYUNGO JIN; ROBAATO BURUUSU BUAN DOOBAA; UEI JIYU
PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high saturation magnetization level and low coercive force characteristic by incorporating an Fe-Cr-Ta-N alloy into the soft magnetic film of a magnetic device consisting of a nonmagnetic substrate and the soft magnetic film. SOLUTION: A sputtering target 210 for film deposition is prepd. Next, the substrate 220 for magnetic film deposition is prepd. Next, the deposition of the Fe-Cr-Ta-N base film 250 on the substrate 220 by reactive sputtering is executed. This magnetic film is then incorporated into the magnetic device. The Fe-Cr-Ta-N alloy preferably contains Cr in a range of 0.5 to 20% by atomic %, Ta 0.1 to 10%, N 1 to 30% and the balance Fe. The elements exclusive of the Fe-Cr-Ta-N may be incorporated in the alloy at max.1%.
67	Magnetic laminated body and magnetoresistance-effect element	JP33760891	1991-11-27	JPH05152128A	1993-06-18	ARAKI SATORU; MIYAUCHI DAISUKE; NARUMIYA YOSHIKAZU
PURPOSE:To obtain a high magnetoresistance change rate by a method wherein Ni-Fe alloy magnetic thin films having a spedific composition and Cu thin films are laminated alternately. CONSTITUTION:In the magnetic laminated body, magnetic thin films whose composition is NixFe1-x (where 0.5<=x<1) and Cu thin films are laminated. It is provided with an axis of easy magnetization inside a face, and it displays an antiferromagnetism whose squareness ratio Br/Bs inside a face is 0.5 or lower. The NixFe1-x magnetic thin films whose thickness is 4 to 20Angstrom and the Cu thin films whose thickness is 2 to 60Angstrom are laminated by a molecular epitaxial method. Thereby, a large magnetoresistance change can be obtained in a low magnetic field.
68	OMR SENSOR AND ARRANGEMENT OF SAID SENSORS	PCT/EP2007055801	2007-06-13	WO2007147760A3	2008-02-21	RUEHRIG MANFRED
Magnetic sensors formed from layer systems with at least one polymer layer are known. In such layer systems the electrical resistance changes depending on the magnetic field. Non-linear characteristic curves are generally provided which can have a bell-shaped curve. According to the invention, an additional magnetic layer system is arranged on or below the at least one polymer layer which influences a magnetic bias to the characteristic curve of the polymer magnetic sensor as a result of the stray field thereof. A bridge circuit for application to a practical measurement can be formed from an arrangement of a number of such magnetic sensors.

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