| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 電磁アクチュエータにおける誘導ベースの位置感知 | JP2017546187 | 2016-03-18 | JP2018511939A | 2018-04-26 | クリーチ、マイケル、ジー.; デイヴィス、ジャスティン、エス. |
| 本発明は、電流感知パルスを使用する追加センサと、コイルが消磁された後に残留磁気に起因して係合し続けることができるソレノイドとを必要とせずに、ソレノイドの温度を決定し、アーマチャの位置を間接的に決定するようにコントローラを使用してソレノイドのアーマチャの位置を決定するための方法およびシステムに関する。 | ||||||
| 82 | 半導体装置 | JP2013143562 | 2013-07-09 | JP6234090B2 | 2017-11-22 | 鹿口 直斗; 樽井 陽一郎 |
| 83 | インバータスイッチング素子の温度推定のためのパラメータ決定装置 | JP2016235324 | 2016-12-02 | JP2017195758A | 2017-10-26 | ジン−キュー・ヤン |
| 【課題】インバータスイッチング素子の温度推定のためのパラメータ決定装置が開示される。 【解決手段】本発明の装置は、少なくとも一つ以上のスイッチング素子で構成される電力半導体モジュールを含むインバータ部と、任意の温度での前記スイッチング素子のコレクタ−エミッタ電圧を線形化し、前記スイッチング素子の初期コレクタ−エミッタ電圧及びコレクタ−エミッタ抵抗を決定する制御部を含む。 【選択図】図4 |
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| 84 | パワー半導体の温度を決定するための方法 | JP2011092051 | 2011-04-18 | JP5736226B2 | 2015-06-17 | シュテファン シューラー |
| 85 | ＩＧＢＴデバイスの動作状態を実時間で監視するシステムと方法 | JP2013003541 | 2013-01-11 | JP5675855B2 | 2015-02-25 | ビノトー・スンダラムーアシー; アレクサンダー・ハイネマン; エネア・ビアンダ; フランツ・ツルフル; ゲロルト・クナップ; ルリアン・ニストル; リカルド・ブロホ |
| 86 | Packaging materials for pharmaceuticals | JP2011536833 | 2009-11-13 | JP5593326B2 | 2014-09-24 | マシャブルーニ ロベルト |
| 87 | 蓄電システム | JP2012523759 | 2011-01-24 | JPWO2012101667A1 | 2014-06-30 | 公一 市川 |
| 【課題】蓄電装置の劣化状態は、蓄電装置の使用環境によっても変化してしまうことがある。【解決手段】負荷と接続され、充放電を行う蓄電装置(10)と、蓄電装置が負荷と接続されることに応じて、蓄電装置の温度を検出する温度センサ(12)と、蓄電装置の使用環境における温度情報に基づいて、蓄電装置の劣化状態を推定するコントローラ(30)と、を有する。コントローラは、蓄電装置および負荷を接続したときの温度センサの出力に基づいて蓄電装置の温度分布を取得し、取得した温度分布に対応した蓄電装置の使用環境を特定する。【選択図】図3 | ||||||
| 88 | Estimation of resistance in electrical machine | JP2013256158 | 2013-12-11 | JP2014117153A | 2014-06-26 | MICHAEL JAMES TURNER |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reliable and economical method of estimating a phase winding resistance of an electrical machine which can operate over all conditions of load and a wide range of ambient temperatures.SOLUTION: In the electrical machine having unidirectional excitation applied to a winding 16, mean values of voltage and current can be computed from instantaneous phase current 38 and instantaneous phase voltage 37 by the use of, for example, low pass filters 39, 40 (in either the analogue or digital domain). A value of winding resistance 42 can then be calculated by dividing the mean voltage by the mean current. This avoids the cost, fragility and potential inaccuracy of conventional temperature sensors, and provides a controller with an ongoing estimate of average winding temperature. | ||||||
| 89 | Imaging device and a cutting machine provided with the imaging device | JP2009109909 | 2009-04-28 | JP5452973B2 | 2014-03-26 | 東輔 河田; 正樹 加藤; 慎次 市野 |
| 90 | Transfer chamber metric for device yield improvement | JP2013528397 | 2011-09-14 | JP2013543651A | 2013-12-05 | デーヴィッド ピー． ブール，; アラン デュボ，; アレクセイ ゴーダー， |
| Apparatus and method for control of epitaxial growth parameters, for example during manufacture of light emitting diodes (LEDs). Embodiments include PL measurement of a group III-V film following growth while a substrate at an elevated temperature is in a transfer chamber of a multi-chamber cluster tool. In other embodiments, a film thickness measurement, a contactless resistivity measurement, and a particle and/or roughness measure is performed while the substrate is disposed in the transfer chamber. One or more of the measurements performed in the transfer chamber are temperature corrected to room temperature by estimating the elevated temperature based on emission from a GaN base layer disposed below the group III-V film. In other embodiments, temperature correction is based on an absorbance band edge of the GaN base layer determined from collected white light reflectance spectra. Temperature corrected metrology is then used to control growth processes. | ||||||
| 91 | System and method for monitoring operation state of igbt device in real time | JP2013003541 | 2013-01-11 | JP2013142704A | 2013-07-22 | VINOTH SUNDARAMOORTHY; ALEXANDER HEINEMANN; ENEA BIANDA; FRANZ ZURFLUH; KNAPP GEROLD; IULIAN NISTOR; RICHARD BLOCH |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system for monitoring an operation state of an IGBT device in real time, especially a system for determining a joint part temperature of the IGBT device.SOLUTION: A system is equipped with: a differential unit 21 which receives characteristics of gate-emitter voltage of an IGBT device to be measured to distinguish the characteristics of the gate-emitter voltage in order to acquire pulses correlating to an edge formed by a mirror plateau stage in a switch off stage of the IGBT device; a timer unit 23 which measures a time delay between the acquired pulses showing the start and the end of the mirror plateau stage in the switch off stages of the IGBT device; and a joint part temperature calculation unit 25 which determines joint part temperature of the IGBT device on the basis of the measured time delay. | ||||||
| 92 | Plastic hottie | JP2013506574 | 2011-04-13 | JP2013526917A | 2013-06-27 | アレクサンダー クラウス |
| 湯たんぽ本体（１１）と、充填用漏斗を形成する湯たんぽネック部（１２）と、湯たんぽネック部（１２）のねじ山インサート（１３）へ密閉式にねじ込むための閉止部（１５）と、充填されるべき液体媒体ないしは充填されている液体媒体、特に水についての温度インジケータとを有するプラスチック製の湯たんぽ（１０）は、温度インジケータが過熱インジケータ（２５）であり、湯たんぽ本体（１１）の液体媒体の中で浮遊性のある少なくとも１つの挿入部品によって形成されるように構成されている。 このようにして、プラスチック材料に直接的に作用する液体媒体の温度が視覚的に表示され、視覚的に認知可能な過熱の警告がもたらされる。 | ||||||
| 93 | Temperature sensor for temperature measurement | JP2012504110 | 2010-04-01 | JP2012523003A | 2012-09-27 | クレウェル，ヤスペル; オー エム チャン，エイミー; ペー アー エム バッケルス，エリク; ピーテルソン，リースベート ファン |
| 本発明は、体温測定のための温度センサに関する。 温度センサはいくつかの層で作られ、第１の層は、当該第１の層の中に組み込まれた第１のヒータを有し、前記第１の層に取り付けられる第２の層は、第１の温度値を測定するために、当該第２の層の中に組み込まれた少なくとも１つの第１のサーミスタを有し、第３の層は、少なくとも１つの第２の温度値を測定するために、前記第１のサーミスタから隔てられて当該第３の層に組み込まれた少なくとも１つの第２のサーミスタを有する。 しかし、この前記第３の層は、体から層を通じて逃げる熱を伝導するために、前記体の表面の皮膚に接触して適合される。 前記第１の温度値と前記第２の温度値との間の差は、前記体からの熱流束を示す。 前記第１のヒータから発せられる熱は、前記熱流束がゼロに達するまで、前記熱流束に対して反対に向けられ、前記少なくとも１つの第２のサーミスタでの、前記熱流束がゼロでの、温度は、体温を示す。 これらの層は、織物層である。 | ||||||
| 94 | Sensing the current and temperature of the standard field-effect transistor | JP2011520191 | 2009-07-23 | JP2011529188A | 2011-12-01 | グレン，ジャック・エル; ゴース，マーク・ダブリュー; ザラバディ，セイード; ローベンスタイン，ピーター・エイ |
| An apparatus and method of determining the junction temperature (Tj) and drain-source current (Ids) of a standard FET within a multi-FET module includes a control IC managing one or more 3 terminal standard FETs within the same package, calculating Tj and Tds for one or more FETs in one or more packages, and protecting each FET against short circuit faults while allowing high current transients, such as inrush currents from a lamp load. | ||||||
| 95 | Thin film semiconductor device and a driving circuit and device using thereof | JP2004257897 | 2004-09-06 | JP4771043B2 | 2011-09-14 | 憲一 高取 |
| 96 | 音響信号変換器のための温度測定装置及び保護装置 | JP2014526912 | 2013-07-22 | JP6308130B2 | 2018-04-11 | 石井 潤; 大西 健太 |
| 97 | 温度センサ | JP2017527909 | 2015-11-24 | JP2017535781A | 2017-11-30 | ニコラ、ジュレ; ピョートル、ザクルゼブスキー; パスカル、カストロ |
| 熱電対を有する温度センサの製造方法は、a)セラミック材料により作製された支持管に、2つの熱電対素線を、前記支持管から外にはみ出るまで差し込む工程と、b)前記支持管から外にはみ出た前記2つの熱電対素線の端部をそれぞれ溶接し、熱電対の高温点を形成する工程と、c)前記支持管を少なくとも部分的に、ステンレス鋼製の補強管に差し込む工程と、d)前記補強管にキャップを取り付け、前記高温点を保護する工程と、の一連の工程を含む。 | ||||||
| 98 | 泌尿器科用器具 | JP2016553425 | 2015-03-04 | JP2017513540A | 2017-06-01 | ヴォルター，ミヒャエル; ラングホルツ，ヤンナ・ブリット |
| 液体で満たされた膀胱の中で高周波が印加される作業電極(5)と、前記作業電極に対して固定的な間隔で配置された温度センサ(14,15)とを備えた泌尿器科用器具において、前記温度センサ(14,15)は、抵抗測定器(18)に接続され、かつ、固定的な相互間隔をおいて配置されて液体接触させることが可能な2つの測定電極(14,15)を有することを特徴とする。 | ||||||
| 99 | 音響信号変換器のための温度測定装置及び保護装置 | JP2014526912 | 2013-07-22 | JPWO2014017444A1 | 2016-07-11 | 石井 潤; 潤 石井; 健太 大西 |
| 音源回路14から出力されたオーディオ信号が、響板を振動させるトランスデューサ内のコイル16に流されて、響板の振動により音響信号が発生する。マイクロコンピュータ30は、室温センサ21によって検出された雰囲気温度Taと、コイル16に印加される電圧Vを入力し、入力した電圧を用いたコイル16で消費される電力量の計算を含み、入力した雰囲気温度及び電圧を用いた音響信号変換器の熱等価回路に基づく演算の実行により、コイル16の温度を精度よく計算する。 | ||||||
| 100 | 温度算出装置 | JP2012197762 | 2012-09-07 | JP5825233B2 | 2015-12-02 | 古戸 健 |
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