| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 301 | 对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片抛光的方法 | CN201110072206.1 | 2011-03-16 | CN102201338B | 2013-10-02 | 郭毅; 刘振东; K-A·K·雷迪; G·张 |
| 本发明提供了一种用来对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，其中，所述基片包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种；提供一种化学机械抛光组合物，其包含以下组分作为初始组分：水；磨料；烷基芳基聚醚磺酸盐化合物，其中，所述烷基芳基聚醚磺酸盐化合物包含具有与芳环连接的烷基的疏水性部分，以及包含4-100个碳原子的非离子型无环亲水性部分；提供具有抛光表面的化学机械抛光垫；使得抛光表面相对于基片运动；将所述化学机械抛光组合物分配在所述抛光表面上；磨去所述基片的至少一部分，从而对所述基片进行抛光；其中，从基片上除去至少一部分多晶硅；从基片上除去氧化硅和氮化硅中的至少一种的至少一部分。 | ||||||
| 302 | 防污地板清洁剂 | CN201180065090.7 | 2011-11-28 | CN103328623A | 2013-09-25 | 李敏瑜; C·汉森; K·R·史密斯; R·D·海; R·克罗雷; T·吉奥伊诺; A·S·沃尔德; M·D·勒韦特 |
| 清洁组合物包含：占组合物最多约50wt%的脂肪酸盐；占组合物最多约20wt%的防滑剂；占组合物最多约20wt%的防污剂；和水。还提供清洁涂布和未涂布表面，尤其石头表面的方法。 | ||||||
| 303 | 包括氧化锆颗粒的抛光浆料以及使用这种抛光浆料的方法 | CN201180060787.5 | 2011-12-28 | CN103328598A | 2013-09-25 | A·G·黑尔; J·王; F·韦斯 |
| 一种抛光浆料可以包括氧化锆颗粒。该抛光浆料可以被用来抛光导电的以及绝缘的材料，并且特别良好地适合于抛光氧化物材料连同金属。这些氧化锆颗粒的特征可以影响工件的抛光。通过选择适当的特征，该抛光浆料可以具有一个良好的材料去除率同时仍然提供一个可接受的表面光洁度。这些氧化锆颗粒可以用作氧化铈或其他磨料颗粒的代替物或者与其结合。该抛光浆料中氧化锆颗粒的含量可以是小于一种具有氧化硅或氧化铝颗粒的、可比的抛光浆料。 | ||||||
| 304 | 合成石英玻璃衬底的制造 | CN201310088370.0 | 2013-02-01 | CN103240665A | 2013-08-14 | 长谷川良平; 松井晴信; 原田大实; 竹内正树 |
| 本发明涉及一种合成石英玻璃衬底的制造方法。使用含有四方或立方氧化锆的抛光浆料将起始合成石英玻璃衬底的粗糙表面抛光至镜面光洁度。 | ||||||
| 305 | 磁盘用玻璃基板及磁盘 | CN200980138347.X | 2009-09-29 | CN102171756B | 2013-08-07 | 江田伸二; 矶野英树; 前田高志; 土屋弘; 丸茂吉典 |
| 本发明的课题在于提供一种在算术平均粗糙度(Ra)为0.1nm附近的水平、表面存在的缺陷非常少、适合作为高记录密度磁盘用的基板的磁盘用基板及其制造方法。本发明的磁盘用玻璃基板的特征在于，使用原子力显微镜以2μm×2μm见方、256×256像素的分辨率测定的玻璃基板的主表面的算术平均粗糙度(Ra)为0.12nm以下，使用一边向所述玻璃基板的主表面照射波长632nm的氦氖激光，一边扫描时的入射光和反射光之间的波长差检测出的、以俯视为0.1μm～0.6μm的大小，且0.5nm～2nm的深度检测出的缺陷每24cm2不足10个。 | ||||||
| 306 | 一种多晶硅化学机械抛光液 | CN200880117646.0 | 2008-11-07 | CN101868511B | 2013-07-31 | 荆建芬; 杨春晓; 王晨 |
| 本发明公开了一种多晶硅化学机械抛光液，其含有：研磨颗粒、水和至少一种具有两个以上基团的化合物。本发明的抛光液可提高多晶硅去除速率以及多晶硅对介电材料的抛光选择比。在半导体等晶片制造领域具有较好的应用前景。 | ||||||
| 307 | 含N取代的二氮烯*二氧化物和/或N’-羟基-二氮烯*氧化物盐的含水抛光组合物 | CN201180053707.3 | 2011-09-06 | CN103210047A | 2013-07-17 | B·诺勒; D·弗朗茨; Y·李; S·A·奥斯曼易卜拉欣; H·W·平德尔; S·S·文卡塔拉曼 |
| 本发明涉及一种含水抛光组合物，其包含：(A)至少一种水溶性或水分散性化合物，其选自N-取代的二氮烯二氧化物和N′-羟基-二氮烯氧化物盐；和(B)至少一种类型的磨料颗粒；化合物(A)在制造电子、机械和光学器件中的用途以及利用所述含水抛光组合物抛光电子、机械和光学器件用基底材料的方法。 | ||||||
| 308 | 铜/钌/钽基材的化学机械抛光 | CN200780040805.7 | 2007-11-01 | CN101535442B | 2013-07-03 | 弗拉斯塔·布鲁西克; 周仁杰; 克里斯托弗·汤普森; 保罗·菲尼 |
| 本发明提供一种用于抛光基材的化学机械抛光组合物。该抛光组合物包含研磨剂、氧化剂、两亲性非离子型表面活性剂、钙离子或镁离子、铜腐蚀抑制剂及水，其中该抛光组合物的pH值为6至12。本发明进一步提供用上述抛光组合物对基材进行化学机械抛光的方法。 | ||||||
| 309 | 研磨用组合物 | CN201180041128.7 | 2011-08-25 | CN103180931A | 2013-06-26 | 芦高圭史; 森永均; 田原宗明 |
| 本发明的研磨用组合物含有胶体二氧化硅。设胶体二氧化硅的平均长径比为A(无量纲)、胶体二氧化硅的平均粒径为D(单位：nm)、胶体二氧化硅的粒径的标准偏差为E(单位：nm)、胶体二氧化硅中粒径为1～300nm的颗粒所占的体积比例为F(单位：%)时，由式：A×D×E×F求出的值为350,000以上。并且，胶体二氧化硅中粒径为1～300nm的颗粒所占的体积比例为90%以上。 | ||||||
| 310 | 合成石英玻璃基板抛光浆液及采用该抛光浆液制造合成石英玻璃基板 | CN201210599019.3 | 2012-11-16 | CN103173128A | 2013-06-26 | 松井晴信; 原田大实; 竹内正树 |
| 在合成石英玻璃基板的抛光中，采用一种抛光浆液，该抛光浆液包括(i)包括五肽的重复单元：-[缬氨酸-脯氨酸-甘氨酸-缬氨酸-甘氨酸]-、并且具有800-150,000分子量的低聚肽，或者该五肽与另-单体的共聚物，和(ii)胶体溶液。 | ||||||
| 311 | 抛光垫以及抛光半导体晶片的方法 | CN201010158651.5 | 2010-04-07 | CN101927455B | 2013-06-19 | J·施万德纳; R·柯普尔特 |
| 本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，其中，在第一步中，通过包含粒径为0.1-1.0μm的固着磨料的抛光垫并在供应不含固体材料的pH值为至少11.8的抛光剂的情况下抛光所述半导体晶片的背面，以及，在第二步中，抛光该半导体晶片的正面，其中供应pH值小于11.8的抛光剂。还涉及一种用于抛光半导体晶片的设备中的抛光垫，其包含含磨料层、由硬塑料构成层以及顺应无纺层，其中通过压敏粘合剂层将上述这些层彼此粘合。 | ||||||
| 312 | 研磨用组合物及研磨方法 | CN201180038885.9 | 2011-08-02 | CN103154168A | 2013-06-12 | 玉田修一; 平野达彦; 梅田刚宏; 角田和也; 井泽由裕 |
| 本发明的研磨用组合物含有水溶性聚合物、研磨促进剂及氧化剂。水溶性聚合物为具有150mgKOH/1g·固体以上的胺值的聚酰胺多胺聚合物。 | ||||||
| 313 | 一种用于阻挡层抛光的化学机械抛光液 | CN200710172713.6 | 2007-12-21 | CN101463227B | 2013-06-12 | 宋伟红; 姚颖; 陈国栋; 包建鑫 |
| 本发明公开了一种用于阻挡层抛光的化学机械抛光浆料，其含有：研磨颗粒、氧化剂、成膜剂、有机螯合剂、稳定剂和水。本发明的抛光液具有较高的Ta/TaN去除速率，可适应不同抛光步骤中对封盖材料(如TEOS)、绝缘层材料(如BD)和金属Cu的去除速率选择比要求，且可保证抛光后晶圆表面缺陷和污染物少，稳定性高。 | ||||||
| 314 | 用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法 | CN200780003331.9 | 2007-01-19 | CN101374922B | 2013-06-12 | 曹升范; 金种珌; 鲁埈硕; 吴明焕; 金长烈 |
| 本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。 | ||||||
| 315 | 可除去的聚氨酯地坪涂料 | CN201180046721.0 | 2011-09-21 | CN103140528A | 2013-06-05 | P·默坎多; T·泰萨克 |
| 描述了牺牲型地坪涂料组合物，其包含聚氨酯分散体，所述聚氨酯分散体的应力模量对温度曲线的斜率为约-0.50x106至约-3.00x106达因/(cm2)(℃)。 | ||||||
| 316 | 研磨液组合物的制造方法 | CN201180045169.3 | 2011-09-21 | CN103119122A | 2013-05-22 | 米田康洋; 平幸治; 佐藤宽司; 大岛良晓 |
| 本发明提供能够减少研磨后的被研磨物的表面粗糙度及颗粒的研磨液组合物的制造方法。本发明涉及研磨液组合物的制造方法，其具有如下工序：将含有一次粒子的平均粒径为1～100nm的胶态二氧化硅的被处理二氧化硅分散液，用包含过滤助剂的过滤器进行过滤处理的工序，其中，利用汞压入法测定的所述过滤助剂的平均细孔径为0.1～3.5μm。 | ||||||
| 317 | 一种抛光基材的方法 | CN201210418371.2 | 2012-10-26 | CN103084972A | 2013-05-08 | 郭毅; K-A·K·雷迪 |
| 本发明提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性。 | ||||||
| 318 | 用于化学机械抛光钨的方法 | CN201210289371.7 | 2012-08-14 | CN103042464A | 2013-04-17 | 郭毅; 李在锡; R·L·小拉沃; 张广云 |
| 本发明涉及用于化学机械抛光钨的方法，提供了一种使用非选择性化学机械抛光组合物对含钨基材进行化学机械抛光的方法。 | ||||||
| 319 | 具有增亮剂的地面刷油 | CN200580017049.7 | 2005-01-12 | CN1965043B | 2013-04-10 | 李敏瑜; R·D·P·赫; L·卡尔森; J·P·加德纳; P·J·马提亚; T·泰萨克; S·斯特瓦特; E·小威廉姆斯; N·沙赫 |
| 现场-可更新的地面刷油，其包括成膜剂和适量的包括含芯-壳聚合物体系或者壳层聚合物体系的亮度诱导剂，它提供半透明的硬化刷油层，该半透明的硬化刷油层具有增加的亮度值(这通过合适的色空间来评价)和比不使用这种颜料制备的刷油清洁的外观。 | ||||||
| 320 | 研磨用组合物 | CN200880109275.1 | 2008-09-29 | CN101821835B | 2013-03-27 | 松下隆幸; 寺本匡志; 能条治辉 |
| 本发明的目的在于提供一种不会起泡、能够提高研磨特性的研磨组合物。本发明的研磨组合物的特征在于，其含有pH调节剂、水溶性高分子化合物和包含下述通式(1)表示的具有两个氮的亚烷基二胺结构的化合物，其中，在所述化合物的所述亚烷基二胺结构的两个氮上结合有至少一个嵌段型聚醚，而且所述嵌段型聚醚结合有氧乙烯基EO和氧丙烯基PO。式中，R是由CnH2n表示的亚烷基，n是1以上的整数。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈