| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 281 | 铈氧化物粒子的液体悬浮液和粉末、其制备方法及其在抛光中的用途 | CN200780037633.8 | 2007-10-04 | CN101522567B | 2014-06-04 | G·克里尼埃 |
| 本发明涉及铈氧化物粒子的悬浮液，其中该粒子(二级粒子)具有不超过200纳米的平均尺寸，所述二级粒子由平均尺寸不超过100纳米且标准偏差值不超过所述平均尺寸值的30％的初级粒子构成。这种悬浮液由包含铈IV或过氧化氢的铈III盐溶液制成，使该溶液在硝酸根离子存在下在惰性气氛中与碱接触；将由此获得的介质在惰性气氛中热处理，然后酸化和洗涤。通过该悬浮液的干燥和煅烧获得粉末。该悬浮液和粉末可用于抛光。 | ||||||
| 282 | 化学-机械抛光金属的浆料及其用途 | CN201280045964.7 | 2012-09-11 | CN103827283A | 2014-05-28 | G·M·巴特斯; M·T·布里格姆; J·K·克米奥; J·P·里特; M·T·逖尔施; E·A·沙赫; E·J·怀特 |
| 化学-机械抛光的组合物和方法。该组合物包括表面活性剂阴离子，烷基醇和稀释剂(图5；290A和290B)。该组合物进一步包括磨料颗粒和氧化剂。该方法包括在待抛光的表面上提供该组合物和通过使该表面与抛光垫接触，抛光该表面。 | ||||||
| 283 | 一种制造半导体装置的方法，其包括在包含特定有机化合物的CMP组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或Si1-xGex材料 | CN201280038321.X | 2012-07-30 | CN103827235A | 2014-05-28 | B·M·诺勒; B·德雷舍尔; C·吉洛特; Y·李 |
| 一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或0.1≤x<1的Si1-xGex材料，所述CMP组合物包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)至少一种类型的氧化剂，(C)至少一种类型的包含至少{k}个结构部分(Z)的有机化合物，但阴离子为无机且唯一有机阳离子为[NR11R12R13R14]+的盐除外，其中{k}为1、2或3，(Z)为羟基(-OH)、烷氧基(-OR1)、杂环烷氧基(作为杂环结构的一部分的-OR1)、羧酸(-COOH)、羧酸酯(-COOR2)、氨基(-NR3R4)、杂环氨基(作为杂环结构的一部分的-NR3R4)、亚氨基(=N-R5或-N=R6)、杂环亚氨基(作为杂环结构的一部分的=N-R5或-N=R6)、膦酸酯(-P(=O)(OR7)(OR8))、磷酸酯(-O-P(=O)(OR9)(OR10))、膦酸(-P(=O)(OH)2)、磷酸(-O-P(=O)(OH)2)结构部分或其质子化或去质子化形式，R1、R2、R7、R9彼此独立地为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，R3、R4、R5、R8、R10彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，R6为亚烷基或芳基亚烷基，R11、R12、R13彼此独立地为H、烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R11、R12、R13不包含任何结构部分(Z)，R14为烷基、芳基、烷基芳基或芳基烷基，且R14不包含任何结构部分(Z)，及(D)含水介质。 | ||||||
| 284 | 用于浅沟槽隔离（STI）应用的化学机械抛光（CMP）组合物及其制备方法 | CN201310495424.5 | 2013-10-21 | CN103773247A | 2014-05-07 | 史晓波; J·E·Q·休斯; 周鸿君; D·H·卡斯蒂略二世; 秋在昱; J·A·施吕特; J-A·T·施瓦茨; L·L·恩巴赫; S·C·温切斯特; S·尤斯马尼; J·A·马西拉 |
| 本发明应用了从氧化铈颗粒、氧化铈浆料或用于浅沟槽隔离（STI）工艺的化学机械抛光（CMP）组合物除去、减少或处理痕量金属污染物和较小的细氧化铈颗粒的方法。使用处理的化学机械抛光（CMP）组合物、或通过使用处理的氧化铈颗粒或处理的氧化铈浆料制备的CMP抛光组合物来抛光含至少含有二氧化硅薄膜的表面的基底以用于STI（浅沟槽隔离）加工或应用。由于在浅沟槽隔离（STI）CMP抛光中减少了痕量金属离子污染物和减少非常小的细氧化铈颗粒，已经观察到与纳米尺寸的颗粒相关的缺陷的减少。 | ||||||
| 285 | 包含苷的化学机械抛光(CMP)组合物 | CN201280043273.3 | 2012-09-04 | CN103764775A | 2014-04-30 | Y·李; M·劳特尔; R·朗格 |
| 一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)式1至式6的苷，其中R1为烷基、芳基或烷芳基，R2为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R3为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R4为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R5为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，该苷中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在1至20的范围内，且X1至X6为如在相应式1至式6中以矩形所指示的结构单元，及(C)含水介质。 | ||||||
| 286 | 用于金属移除速率控制的卤化物阴离子 | CN200880120789.7 | 2008-12-17 | CN101896571B | 2014-04-09 | 李守田 |
| 本发明化学机械抛光组合物包含液体载体、过氧化氢、苯并三唑和卤素阴离子。本发明方法包括用该抛光组合物对基材进行化学机械抛光。 | ||||||
| 287 | 一种单晶金刚石磨粒的制备方法 | CN201310675871.9 | 2013-12-11 | CN103694955A | 2014-04-02 | 王振宇; 胡晓刚; 王院卫 |
| 本发明涉及一种单晶金刚石磨粒的制备方法，通过将微米级单晶金刚石与至少一种微米级金属粉在含有至少一种纳米金属粉的溶胶中充分分散，并控制两种不同数量级金属粉之间的适合比例，从而使得所述微米级单晶金刚石之间的大部分孔隙被微米级金属粉填充，只需要适合量的纳米金属粉就使得所述微米级金属粉与所述纳米级金属粉共同包覆在所述微米级金刚石的表面形成完整、均匀的包括至少两种金属颗粒的包覆层，进而最终制备得到的单晶金刚石磨粒表面呈现独特的粗糙形貌，研磨过程中呈现较多的接触点和接触面，具有高自锐性。 | ||||||
| 288 | 研磨用组合物 | CN201280029023.4 | 2012-05-31 | CN103620747A | 2014-03-05 | 大和泰之; 高桥洋平; 赤塚朝彦 |
| 本发明的研磨用组合物包含磨料粒和具有亲水性基团的水溶性聚合物。使用本发明的研磨用组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，低于使用通过从本发明的研磨用组合物排除水溶性聚合物而获得的另一组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，且优选57°以下。水溶性聚合物的实例包含多糖类和醇化合物。本发明的另一研磨用组合物包含各具有硅烷醇基团的水溶性聚合物和磨料粒。当将该研磨用组合物在25℃下静置一天时，所述水溶性聚合物以基于1μm2磨料粒的表面积为5,000个以上的分子而被吸附。水溶性聚合物的实例包含具有聚氧化烯链的非离子性化合物(如聚乙二醇)。 | ||||||
| 289 | 化学机械抛光组合物及其相关方法 | CN201010553984.8 | 2010-11-11 | CN102061132B | 2014-02-26 | 刘振东; 郭毅; K-A·K·雷迪; G·张 |
| 一种可以用于基材的化学机械抛光的化学机械抛光组合物，所述基材包含氧化硅材料和氮化硅材料；以及所述化学机械抛光组合物的制备和使用方法。所述化学机械抛光组合物包含以下物质作为初始组分：式I所示的第一物质和式II所示的第二物质中的至少一种；磨料；和水。 | ||||||
| 290 | 用于清洁和涂覆硬表面的无条纹制剂 | CN201310256966.7 | 2013-06-25 | CN103509654A | 2014-01-15 | V·佩尔迪贡; T·泰萨克 |
| 本发明涉及用于清洁硬表面并在其上留下光泽、无条纹精饰的制剂，所述制剂包含一种或多种液体溶剂、一种或多种成膜聚合物、以及一种或多种聚合物表面活性剂，所述表面活性剂包含从环氧乙烷和环氧丁烷衍生的聚合单元。 | ||||||
| 291 | 研磨剂及研磨方法 | CN201280020737.9 | 2012-05-28 | CN103503118A | 2014-01-08 | 吉田伊织; 竹宫聪; 朝长浩之 |
| 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。 | ||||||
| 292 | 一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用 | CN201110372757.X | 2011-11-22 | CN102516875B | 2014-01-08 | 鲁海生; 屈新萍; 王敬轩 |
| 本发明公开了一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂0.01-2%，氧化剂0-5%，研磨颗粒0.1-10%，螯合剂0.001-10%，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3-5；该抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上；该氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；该研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；该螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。本发明的抛光液能有效抑制钴的静态腐蚀，降低钴的抛光速率，防止钴在抛光过程中的过腐蚀。 | ||||||
| 293 | 磨粒的制造方法、悬浮液的制造方法以及研磨液的制造方法 | CN201310316638.1 | 2011-11-21 | CN103450847A | 2013-12-18 | 岩野友洋; 南久贵; 秋元启孝 |
| 根据本发明涉及的磨粒的制造方法，将所述4价金属元素的盐的水溶液与碱液，在规定的参数在5.00以上的条件下混合，得到含有4价金属元素的氢氧化物的磨粒。 | ||||||
| 294 | 一种化学机械平坦化浆料及其应用 | CN201210172583.7 | 2012-05-30 | CN103450810A | 2013-12-18 | 徐春 |
| 本发明公开了一种化学机械平坦化浆料及其应用，包括研磨颗粒、氧化剂，抛光速率提升剂，腐蚀抑制剂，抛光表面改善剂和载体。本发明的化学机械平坦化浆料可以在通过抛光体系的作用同时控制硅和铜金属抛光速率，同时控制硅和金属的材料的局部和整体缺陷，减少衬底表面污染物，提高产品良率。 | ||||||
| 295 | 铈氧化物粒子的液体悬浮液和粉末、其制备方法及其在抛光中的用途 | CN200980132752.0 | 2009-07-07 | CN102131884B | 2013-12-11 | G·克里尼埃; L·梯也尔 |
| 本发明涉及铈氧化物粒子的悬浮液，其粒子(二级粒子)具有至多200nm的平均尺寸，这些二级粒子由如下的初级粒子构成：该初级粒子由TEM测定的尺寸具有至多150nm的平均值，所具有的标准偏差的值为所述平均尺寸值的至多30％，并且由TEM测定的平均尺寸与由BET测定的平均尺寸之比为至少1.5。该悬浮液由包含铈IV的胶态分散体的铈III盐的溶液制备，使该溶液与碱在硝酸根离子存在下和在惰性气氛下接触，在惰性气氛下对获得的介质施以热处理，然后酸化和洗涤。该悬浮液可用于抛光。 | ||||||
| 296 | 多晶硅化学机械抛光液 | CN200880011323.3 | 2008-04-03 | CN101652445B | 2013-12-11 | 荆建芬; 杨春晓 |
| 本发明公开了一种多晶硅的化学机械抛光液，含有多元醇型非离子表面活性剂、胍类化合物、研磨颗粒和水。本发明的抛光液可以在碱性条件下较好地抛光多晶硅薄膜。其中，多元醇型非离子表面活性剂可显著降低多晶硅的去除速率，而不降低二氧化硅的去除速率，从而显著降低多晶硅与二氧化硅的选择比；胍类化合物也可调节多晶硅与二氧化硅的选择比，同时具有调节pH的作用，使得本发明的抛光液无需添加常规pH调节剂，大大减少了金属离子污染和环境污染。 | ||||||
| 297 | 具有多价金属阳离子和分散的聚合物的水性组合物 | CN201110068650.6 | 2011-03-14 | CN102250364B | 2013-12-04 | J·L·埃尔德雷奇; T·泰萨克; P·梅尔坎多 |
| 提供了一种形成水性组合物的方法，所述方法包括：(a)首先，通过一种工艺形成至少一种水性聚合物分散体，所述工艺包括使基于单体混合物的重量包含5-50重量％的一种或多种羧酸官能单体的单体混合物发生聚合；(b)其次，在所述水性聚合物分散体中加入以下成分：(i)基于100重量份的所述单体混合物，1-10重量份的至少一种溶胀剂；和(ii)一种或多种非离子型表面活性剂、阴离子型表面活性剂或它们的混合物，和(c)第三，在所述水性聚合物分散体中加入钙阳离子或镁阳离子或它们的混合物。 | ||||||
| 298 | 由碱金属硅酸盐溶液制备高纯度含水胶态二氧化硅溶胶的方法 | CN201280009998.0 | 2012-02-09 | CN103403124A | 2013-11-20 | C·富尔曼; D·厄姆; C·潘茨; F·波拉; R·许特; H·劳勒德尔; G·马尔科夫兹; J·E·朗; B·弗林斯 |
| 本发明涉及一种由硅酸盐溶液制备高纯度含水胶态二氧化硅溶胶的方法、具有特定杂质分布的含水胶态二氧化硅溶胶、及其用途。本发明另外包括在纯化过程中以中间物形式获得的高纯度含水二氧化硅、由脱水获得的高纯度二氧化硅、及其用途。 | ||||||
| 299 | 研磨材料和研磨用组合物 | CN201280006373.9 | 2012-01-19 | CN103402705A | 2013-11-20 | 森永均; 山田英一; 玉井一诚; 石桥智明; 大津平; 石原直幸; 高桥洋平 |
| 提供一种含有研磨材料和水的研磨用组合物。研磨用组合物中的研磨材料的含量为0.1质量%以上。研磨材料含有氧化锆颗粒。氧化锆颗粒具有1～15m2/g的比表面积。氧化锆颗粒优选具有99质量%以上的纯度。研磨用组合物可用于例如研磨蓝宝石、氮化硅、碳化硅、氧化硅、玻璃、氮化镓、砷化镓、砷化铟、磷化铟等硬脆材料的用途。 | ||||||
| 300 | 空心的聚合物-碱土金属氧化物复合体 | CN201310167223.2 | 2013-05-08 | CN103386648A | 2013-11-13 | A·R·旺克; D·M·阿尔登; D·B·詹姆斯 |
| 本发明提供了多种嵌有碱土金属氧化物的聚合物颗粒。气体填充的聚合物微元件具有壳以及5g/L-200g/L的密度。壳具有外表面以及5μm-200μm的直径，气体填充的聚合物颗粒的壳的外表面具有嵌入聚合物中的含碱土金属氧化物颗粒。所述含碱土金属氧化物颗粒的平均粒度为0.01-3μm，分布在各个聚合物微元件内，以覆盖所述聚合物微元件小于50%的外表面。 | ||||||
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