1.一种制备低摩擦系数的铜‑镍‑金刚石复合材料的方法，其特征在于，包括：
步骤S1、对纯铜进行双辉等离子渗镍，形成具有表面孔洞组织的铜‑镍合金层；
步骤S2、选取并清洗金刚石粉末，对清洗后的金刚石粉末进行氢微波等离子体氢化或高温酸洗氧化，得到表面富集氢终端或氧终端的氢化/氧化金刚石粉末，达到分散金刚石粉末的效果，再将氢化/氧化金刚石粉末均匀散入铜‑镍合金层表面孔洞；
步骤S3、在内部含有氢化/氧化金刚石粉末的铜‑镍合金层表面镀金属铜膜层，即得低摩擦系数的铜‑镍‑金刚石复合材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：
S11、将清洗过后的纯铜工件放置在真空室内样品台上，源极为纯镍板，源极和纯铜工件由两个不同的直流电源控制放电；
S12、对真空室进行抽真空，后充入适量氩气使真空室达到工作气压；
S13、开启纯铜工件直流电源点燃辉光，轰击工件表面；
S14、开启源极电源，在辉光离子轰击下形成具有表面孔洞组织的铜‑镍合金层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：
步骤S21、选取金刚石粉末，用浓酸对金刚石粉末先进行酸洗，然后对金刚石粉末进行超声清洗、水洗，并在保护气氛下干燥；
步骤S22、用氢微波等离子体氢化技术制备表面富集氢终端的氢化金刚石粉末或用高温酸洗氧化技术制备表面富集氧终端的氧化金刚石粉末；
步骤S23、用超声波将氢化/氧化金刚石粉末均匀散入铜‑镍合金层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3包括：
采用磁控溅射镀铜工艺，将纯铜作为磁控溅射靶材，将真空室抽真空，通入氩气，开启直流电源，在内部含有氢化/氧化金刚石粉末的铜‑镍合金层表面镀上一层金属铜膜层。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤S1中源极和纯铜工件之间的间距为
15‑20mm，氩气的进气流量为25‑50sccm，工作气压为25‑30Pa，源极电压为700‑900V，工件电压为400‑600V，辉光离子轰击的时间为1‑3h，反应温度为800‑900℃。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S21中，选择2μm以下的金刚石粉末，浓酸为浓硫酸和浓硝酸的混合溶液；酸洗后再用丙酮或甲醇对金刚石粉末进行超声清洗；超声清洗后使用去离子水进行清洗金刚石粉末并在氮气氛围下烘干。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S22中，氢微波等离子体氢化金刚石粉末时，压力为5.3‑5.7kPa，温度为650‑750℃，工作时间为5‑10min，等离子体氢化结束后保持富氢氛围半小时以上，得到表面富集氢终端的氢化金刚石粉末，达到分散金刚石粉末的效果。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S22中，高温酸洗氧化金刚石粉末时，将金刚石粉末直接置于HNO3/H2SO4体积比为1：4的混合浓酸溶液中，加热至240‑290℃，保温
1小时以上，得到表面富集氧终端的氧化金刚石粉末。
9.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S3中磁控溅射镀膜工艺，靶基距为50‑
70mm，氩气的进气流量为20‑50sccm，工作气压为0.5‑0.8Pa，溅射功率为80‑100W，溅射镀膜的时间为1‑4h。
10.权利要求1‑9任一项所述方法制备的低摩擦系数的铜‑镍‑金刚石复合材料。