一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法

申请号 CN202011617741.6 申请日 2020-12-30 公开(公告)号 CN113278932A 公开(公告)日 2021-08-20
申请人 有研亿金新材料有限公司; 发明人 曹晓萌; 丁照崇; 李勇军; 贾倩; 李利利; 曲鹏; 杜文路; 陈明; 熊晓东; 庞欣;
摘要 本 发明 公开了属于 磁控溅射 靶材制造技术领域的一种扩散 焊接 型AlSc 合金 靶材的一次成型制备方法。本发明公开的 扩散焊接 型AlSc合金靶材的制备方法,采用熔炼工艺成型,将配比好的合金熔液直接浇注在焊接面有燕尾槽并加 镀 层的 背板 上,另外一面通 冷却 水 冷却,通过背板燕尾槽的结构设计,实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型,最终AlSc合金靶材的焊合率≥99%,焊接强度≥10MPa。通过浇注一次成型扩散焊接靶材,减少繁琐的靶面成型及热 等静压 扩散焊接,大大降低成本,并利用背板焊接面加镀层,防止焊接面生成脆性相,得到焊接强度满足使用要求的产品。
权利要求

1.一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)选择金属原料和钪金属原料,按照合金配比进行熔炼,得到熔融合金液;
2)在背板焊接面加工出浇注槽,浇注槽内加工出燕尾槽;
3)在背板焊接面上加层;
4)将熔融合金液直接浇注在焊接面有燕尾槽的浇注槽内,背板另一面通冷却冷却,实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型;
所述AlSc合金靶材焊合率≥99%,焊接强度≥10MPa。
2.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述AlSc合金中Sc含量为0‑40at%。
3.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述合金背板包括Cu合金背板、Mo背板等,具体包括,CuCr合金、CuZnSn合金、CuZn合金。
4.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,所述燕尾槽尺寸深度为0.1‑1mm,上开口宽度为1‑5mm,侧壁与底面度为70°,燕尾槽上边间距为1‑10mm。
5.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,背板厚度为10‑30mm,加工出浇注槽,浇注槽深为5‑10mm。
6.根据权利要求1所述制备方法,其特征在于,镀层方式为化学镀磁控溅射,镀层材质为Ni或NiV,化学镀得到的厚度为5‑20um,磁控溅射得到的镀层厚度为100‑2000nm。

说明书全文

一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域,尤其涉及一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法。

背景技术

[0002] 伴随高频移动通信(5G)、物联网时代的到来,超越摩尔定律的新兴半导体技术日新月异,其中MEMS器件在国防安全、工业智能和智能生活等领域均拥有巨大的应用市场。基于压电效应的射频滤波器传感器、换能器等是急需重点发展的关键半导体器件。为满足器件的高频、大带宽、小型化、集成化需求,具有高机电耦合系数并且与当前集成电路工艺高度兼容的AlScN薄膜是新一代压电MEMS器件的核心。高纯AlSc稀土合金靶材主要用于溅射高纯AlScN薄膜,相比AlN、ZnO、锆酸铅(PZT)等现有压电薄膜,其具有更强更优的压电性能,是高频移动通信(5G)射频滤波器芯片、MEMS微型先进传感器等制造核心材料。
[0003] 传统工艺制备复合AlSc合金靶材需要先制备AlSc合金靶坯,然后通过钎焊或扩散焊接实现靶材与背板的结合。AlSc靶坯本身性质较脆,热机械处理容易产生裂纹,后续焊接过程,钎焊工艺采用In焊接得到的复合靶材强度较低,不适合大功率溅射。而热扩散焊接需要制作包套,在热等静压炉中进行,采用高压长时间的工艺,也容易使脆性靶材产生裂纹,并且扩散焊接的热等静压炉设备造价高,工艺复杂。

发明内容

[0004] 针对上述问题,本发明提出了一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法,包括以下步骤:
[0005] 1)选择金属原料和钪金属原料,按照合金配比进行熔炼,得到熔融合金液;
[0006] 2)在背板焊接面加工出浇注槽,浇注槽内加工出燕尾槽;
[0007] 3)在背板焊接面上加层;
[0008] 4)将熔融合金液直接浇注在焊接面有燕尾槽的浇注槽内,背板另一面通冷却冷却,实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型;
[0009] 所述AlSc合金靶材焊合率≥99%,焊接强度≥10MPa。
[0010] 所述AlSc合金中Sc含量为0‑40at%。
[0011] 所述合金背板包括Cu合金背板、Mo背板等,具体包括,CuCr合金、CuZnSn合金、CuZn合金。
[0012] 所述燕尾槽尺寸深度为0.1‑1mm,上开口宽度为1‑5mm,侧壁与底面度为70°,燕尾槽上边间距为1‑10mm。
[0013] 背板厚度为10‑30mm,加工出浇注槽,浇注槽深为5‑10mm。
[0014] 镀层方式为化学镀或磁控溅射,镀层材质为Ni或NiV,化学镀得到的厚度为5‑20um,磁控溅射得到的镀层厚度为100‑2000nm。
[0015] 本发明的有益效果在于:
[0016] 1.AlSc合金靶材采用熔炼工艺成型,快速浇注在焊接面有燕尾槽的合金背板上,能够实现背板和靶面一次成型,工艺简单,大大降低成本。
[0017] 2.本发明利用燕尾槽的特殊结构设计,并在焊接面加Ni或NiV镀层,防止Al与背板反应生成脆性相,首先能够实现AlSc靶面与背板的机械咬合,防止焊接面开裂,实现高可靠性焊接。
[0018] 3.本发明所述方法通过在背板焊接面进行化学镀或电镀Ni或NiV,然后进行浇注,实现靶材的高可靠性焊接,避免了Al‑Cu进行扩散焊接时易生成脆性中间相的问题,防止了扩散焊接界面脆性中间相生成。
[0019] 4.为降低焊接靶材工艺的复杂性并保留足够的焊接强度,本发明主要通过设计焊接面的结构,在背板焊接面加入燕尾槽结构,并在焊接面加Ni或NiV镀层,防止Al与背板反应生成脆性相,实现靶材与背板的机械咬合进一步实现原子扩散。AlSc合金溶液直接浇注在焊接面具有燕尾槽的背板上,形成结构上的凹凸部位相结合,即机械咬合,甚至进一步进行原子间扩散,达到较好的焊接强度。附图说明
[0020] 图1为本发明AlSc合金靶材制备流程示意图。
[0021] 图2为焊接面带燕尾槽的背板示意图。
[0022] 图3为燕尾槽尺寸详细示意图。
[0023] 图4为浇注成型AlSc合金靶材示意图。
[0024] 其中,1‑背板;2‑浇注靶面;3‑进水口;4‑出水口。

具体实施方式

[0025] 一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法,包括以下步骤:
[0026] 1)选择铝原材料和钪原材料,按照所需配比(Sc含量在0‑40at%)进行熔炼,得到熔融合金液;
[0027] 2)将Cu合金或Mo背板1进行机加工,并在焊接面按照燕尾槽尺寸深度为0.1‑1mm,宽度为1‑5mm,间距为1‑10mm进行加工;
[0028] 3)在背板焊接面进行化学镀或磁控溅射镀Ni或NiV;
[0029] 4)将铝钪合金溶液直接浇注在焊接面有燕尾槽的Cu合金背板或Mo背板上的浇注槽内,得到浇注靶面2,另一面通冷却水冷却,实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型;
[0030] 5)Al合金或Cu合金背板焊接面的背面通过进水口3和出水口4通冷却水进行冷却;
[0031] 所述AlSc合金靶材焊合率≥99%,焊接面的焊接强度≥10MPa。
[0032] 以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步的详细说明:
[0033] 实施例1~4
[0034] 1、按照如图1所示的流程,进行AlSc靶材制备;准备所需的原材料,Al原材料和Sc原材料;
[0035] 2、按照0‑40at%Sc配比进行熔炼,得到熔融合金液;
[0036] 3、按照图2及图3进行Mo背板机加工,并在焊接面按照燕尾槽尺寸深度为0.1‑1mm,宽度为1‑5mm,间距为1‑10mm进行加工;
[0037] 4、在背板焊接面进行化学镀Ni;
[0038] 5、将铝钪合金溶液直接浇注在焊接面有燕尾槽的Mo背板上,背面通冷却水冷却,实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型,如图3。
[0039] 对比例1
[0040] 1、准备所需的原材料,Al原材料和Sc原材料;
[0041] 2、按照15at%Sc配比进行熔炼,得到熔融合金液,在模具中冷却成铸锭
[0042] 3、将铸锭进行热机械处理,锻造轧制
[0043] 4、通过机加工得到规定尺寸的AlSc合金靶坯;
[0044] 5、将Mo背板通过车床机加工,加工成规定尺寸;
[0045] 6、将AlSc合金靶坯与Mo背板进行钎焊,得到AlSc合金靶材。
[0046] 对比例2
[0047] 1、准备所需原材料,Al原材料和Sc原材料;
[0048] 2、按照15at%Sc配比进行熔炼,得到熔融合金液,在模具中冷却成铸锭。
[0049] 3、将铸锭进行热机械处理,锻造或轧制;
[0050] 4、通过机加工得到规定尺寸的AlSc合金靶坯;
[0051] 5、将Mo背板通过车床机加工,加工成规定尺寸;
[0052] 6、制作包套,将AlSc合金靶坯与Mo背板装入包套中;
[0053] 7、将装好包套的靶坯及背板进行除气、封焊。
[0054] 8、在热等静压炉中进行扩散焊接,得到扩散焊接AlSc合金靶材。
[0055] 实施例1~3及对比例1、2中AlSc靶材的制备及性能结果见表1。
[0056] 表1实施例及对比例AlSc靶材的制备及性能
[0057]
QQ群二维码
意见反馈