1.一种用于清洁布置于物理气相沉积(PVD)腔室的内部容积中的工艺套件的方法，其包括以下步骤：
在该PVD腔室的基板支撑件上安置非溅射遮盘；
激发布置于该PVD腔室的该内部容积中的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应的等离子体；及
在曝露于该等离子体时加热附着有碳基材料的该工艺套件，以移除附着于该工艺套件的该碳基材料的至少一部分。
2.如权利要求1所述的方法，其中该等离子体包括氧(O)自由基。
3.如权利要求1所述的方法，其中该遮盘是至少99.99％的硅。
4.如权利要求1所述的方法，其中该遮盘是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
5.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400Ra的粗糙度。
6.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其进一步包含以下至少一个步骤：
经由气体供应器向该内部容积中提供该清洁气体，并且使用耦接至该PVD的射频(RF)电源激发该清洁气体，以产生该等离子体；
经由该气体供应器向该内部容积中提供该清洁气体，并且使用耦接至该PVD腔室的DC电源激发该清洁气体，以产生该等离子体；
经由该气体供应器向该内部容积中提供该清洁气体，并且使用耦接至该PVD腔室的微波电源激发该清洁气体，以产生该等离子体；或
经由耦接至该PVD腔室的远程等离子体源向该内部容积中提供该等离子体。
7.如权利要求1至4中任一者所述的方法，其进一步包含以下步骤：
使用耦接至该PVD腔室的直流(DC)电源向该PVD腔室的该内部容积中布置的溅射靶提供脉冲DC，以在清洁该PVD腔室之前或之后执行物理气相沉积。
8.如权利要求7所述的方法，其中该工艺套件包含：
护板，其具有包含上部及下部的圆柱体；
配接器段，其经配置以由该PVD腔室的壁支撑并且具有支撑该护板的托置表面；及加热器，其耦接至该配接器段且经配置以电耦接至该PVD腔室的至少一个电源，以加热该护板。
9.如权利要求8所述的方法，其进一步包含以下步骤：
将该溅射靶维持于第一温度；及
将该工艺套件的该护板加热至高于该第一温度的第二温度。
10.一种非暂时性计算机可读储存媒体，其储存有在由处理器执行时执行清洁物理气相沉积(PVD)腔室的内部容积中布置的工艺套件的方法的指令，该方法包括以下步骤：
在该PVD腔室的基板支撑件上安置非溅射遮盘；
激发布置于该PVD腔室的该内部容积中的含氧清洁气体，以产生可与碳基材料反应的等离子体；及
在曝露于该等离子体时加热附着有碳基材料的该工艺套件，以移除附着于该工艺套件的该碳基材料的至少一部分。
11.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该等离子体包括氧(O)自由基。
12.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该遮盘是至少99.99％的硅。
13.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该遮盘是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
14.如权利要求10至13中任一者所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400Ra的粗糙度。
15.如权利要求10至13中任一者所述的非暂时性计算机可读取储存媒体，其中该工艺套件包含：
护板，其具有包含上部及下部的圆柱体；
配接器段，其经配置以由该PVD腔室的壁支撑并且具有支撑该护板的托置表面；及加热器，其耦接至该配接器段且经配置以电耦接至该PVD腔室的至少一个电源，以加热该护板。
16.一种用于处理基板的物理气相沉积(PVD)腔室，其包含：
腔室壁，其至少部分地界定该PVD腔室中的内部容积；
碳基溅射靶，其布置于该内部容积的上段中；
底座，包括基板支撑件，其中具有支撑该溅射靶下方的基板的支撑表面；
电源，其经配置以激发溅射气体，以在该内部容积中形成等离子体；
工艺套件，其包围该溅射靶及该基板支撑件；及
遮盘，其安置于该PVD腔室的该基板支撑件上，其中该遮盘由不与氧基等离子体反应或基本上不与氧基等离子体反应的遮盘材料形成。
17.如权利要求16所述的PVD腔室，其中该遮盘材料是至少99.99％的硅。
18.如权利要求16所述的PVD腔室，其中该遮盘材料是硅和铝的比为约1:1的硅和铝的合金。
19.如权利要求16至18中任一者所述的PVD腔室，其中该遮盘的至少一个表面具有以微英寸计大于约400Ra的粗糙度。
20.如权利要求16至18中任一者所述的PVD腔室，其中该工艺套件包含：
护板，其具有包含上部及下部的圆柱体；
配接器段，其经配置以由该PVD腔室的壁支撑并且具有支撑该护板的托置表面；及加热器，其耦接至该配接器段且经配置以电耦接至该PVD腔室的至少一个电源，以加热该护板。