1.一种利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、制备金属材料试样；初步选定脉冲电源的波形、频率、周期、脉冲峰值电流密度、占空比、电磁复合场处理时间，其中，占空比由脉宽、脉冲间隔计算，周期和频率由脉宽和脉冲间隔决定，电磁复合场处理时间由脉冲个数决定，并根据脉冲峰值电流密度和试样截面积计算所需的脉冲峰值电流；设置脉冲电源的输出参数，包括：脉冲峰值电流、脉宽、脉冲间隔、脉冲个数；
S2、设置脉冲电源的测量参数：在脉冲方波上设置测量点，测量点的个数根据脉冲方波的占空比以及周期确定，测量点覆盖整个周期并且脉冲方波的脉冲宽度上至少覆盖两个测量点以保证测量准确性；同步设置脉冲电源的电压和电流作为测量参数，以便计算电磁复合场处理过程的瞬时脉冲电阻；
S3、将待处理试样安装于电磁复合场处理装置中，建立脉冲电源设备和电脑间的通讯，设置热成像仪对试样的温升进行测量，并提前开启热成像仪进行温度测量；开启脉冲电源设备对待处理试样进行不同电磁复合场参数的电磁复合场处理，并同步记录瞬时脉冲电阻以及温度；为保证利用非热效应进行金属组织调控，若存在高于5°的温升就应该调小脉冲方波的脉宽，从而降低试样的温升，重复S2、S3步骤，直至温升低于5°后进入步骤S4；
S4、通过数据处理得到瞬时脉冲电阻的变化；并对不同电磁复合场参数的电磁复合场处理后的试样进行EBSD测试，获取试样的显微组织；建立电磁复合场参数、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系；
S5、分析电磁复合场参数、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系，根据瞬时脉冲电阻变化优化电磁复合场参数，进而调控显微组织。
2.根据权利要求1所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征
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在于，步骤S1中，脉冲电流的频率为0‑500Hz，脉冲峰值电流密度为20‑100A/mm ，为了控制脉冲电流的热效应，控制脉冲电流的占空比为1‑5％。
3.根据权利要求1所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，步骤S4中，所述显微组织包括晶粒尺寸、碳化物百分数。
4.根据权利要求1所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，步骤S4中，所述电磁复合场参数包括脉冲峰值电流密度和电磁复合场处理时间；建立电磁复合场参数、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系，方法为：
保持电磁复合场处理时间不变，改变电磁复合场处理中脉冲峰值电流密度，建立脉冲峰值电流密度、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系；
保持电磁复合场处理中脉冲峰值电流密度不变，改变电磁复合场处理时间，建立电磁复合场处理时间、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系。
5.根据权利要求4所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，步骤S5具体包括：
分析脉冲峰值电流密度、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系，根据瞬时脉冲电阻变化优化脉冲峰值电流密度；
分析电磁复合场处理时间、瞬时脉冲电阻变化、显微组织三者之间的对应关系，根据瞬时脉冲电阻变化优化电磁复合场处理时间。
6.根据权利要求5所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，根据瞬时脉冲电阻变化优化脉冲峰值电流密度，优化方法为：脉冲峰值电流密度存在一个最佳值，使材料发生静态再结晶后晶粒尺寸最小，对应于瞬时脉冲电阻值的下降值最大；在试验数据拐点对应的脉冲峰值电流密度附近设置更小的脉冲峰值电流密度间隔，根据瞬时脉冲电阻值的下降值来优化脉冲峰值电流密度。
7.根据权利要求5所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，根据瞬时脉冲电阻变化优化电磁复合场处理时间，优化方法为：根据瞬时脉冲电阻从最大值减小到缓慢变化起点阶段的时间，优化电磁复合场处理时间。
8.根据权利要求5所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，步骤S5还包括：根据电磁复合场参数、瞬时脉冲电阻变化和显微组织间的关系，与热处理晶粒尺寸形成对应关系，在不需要对材料显微组织测试的情况下，得到和热处理效果类似的电磁复合场参数。
9.根据权利要求1所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，所述电磁复合场处理装置包括脉冲电源输出及测量装置、电脑、热成像仪和绝缘台架，测试试样通过绝缘夹具安装于所述绝缘台架上，并与所述脉冲电源输出及测量装置连接；脉冲电源输出及测量装置和热成像仪分别与所述电脑连接。
10.根据权利要求1所述的利用电磁复合场非热效应调控金属材料组织的方法，其特征在于，所述金属材料试样为立方形长条状或者圆柱形，便于计算截面积。