1.一种由通式(I)表示的有机金属加成化合物：
通式(I)
其中，在通式(I)中，
1 2 3 1 2 3
R、R 和R 各自独立地为C1至C5烷基，R 、R和R中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，
M为铌原子、钽原子或钒原子，
X为卤素原子，
m为3至5的整数，并且
n为1或2。
1 2 3
2.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中R 、R 和R中的至少一个为直链C1至C5烷基。
1 2 3
3.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中R 、R 和R中的至少一个为支链C3至C5烷基。
4.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，并且
X为氟原子或氯原子。
1 2 3
5.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中R、R 和R各自独立地为三氟甲基、三氟乙基、六氟异丙基或九氟叔丁基。
6.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中，m为5，并且n为1。
7.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氯原子，并且
1 2 3
R、R和R各自独立地为支链C3至C5烷基。
8.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氟原子，并且
1 2 3
R、R和R各自独立地为支链C3至C5烷基。
9.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氯原子，并且
1 2 3
R、R和R各自独立地为其中所有氢原子都被氟原子取代的C1至C5烷基。
10.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，
X是氟原子，并且
1 2 3
R、R和R各自独立地为其中所有氢原子都被氟原子取代的C1至C5烷基。
11.根据权利要求1所述的有机金属加成化合物，其中所述有机金属加成化合物在20℃至28℃为液体。
12.一种制造集成电路(IC)器件的方法，所述方法包括使用由通式(I)表示的有机金属加成化合物在衬底上形成含金属膜，
通式(I)
其中，在通式(I)中，
1 2 3 1 2 3
R、R 和R 各自独立地为C1至C5烷基，R 、R和R中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，
M为铌原子、钽原子或钒原子，
X为卤素原子，
m为3至5的整数，并且
n为1或2。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述有机金属加成化合物在20℃至28℃为液体。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，在通式(I)中：
M为铌原子或钽原子，并且
X为氟原子或氯原子。
1 2 3
15.根据权利要求12所述的方法，其中R 、R 和R 各自独立地为三氟甲基、三氟乙基、六氟异丙基或九氟叔丁基。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，在通式(I)中，m为5，并且n为1。
17.根据权利要求12所述的方法，其中形成含金属膜包括：
将通式(I)的所述有机金属加成化合物供应到所述衬底上；和
将反应性气体供应到所述衬底上。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述反应性气体包括NH3、N2等离子体、有机胺化合物、肼化合物或它们的组合。
19.根据权利要求17所述的方法，其中所述反应性气体包括O2、O3、O2等离子体、H2O、NO2、NO、N2O、CO、CO2、H2O2、HCOOH、CH3COOH、(CH3CO)2O、醇、过氧化物、氧化硫或它们的组合。
20.根据权利要求17所述的方法，其中所述反应性气体包括H2。