| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 一种差分电容式传感器及其连接柱成型方法 | CN202411437304.4 | 2024-10-15 | CN118945571B | 2025-01-07 | 石正雨; 朱莉莉; 黄湘俊; 胡绍璐 |
| 本发明涉及一种差分电容式传感器及其连接柱成型方法，传感器包括：背板；位于背板两侧的第一振膜和第二振膜，第一振膜和第二振膜分别与背板间隔设置，第一振膜和第二振膜的边沿密封连接，第一振膜和第二振膜之间形成低压密封空腔，背板位于低压密封空腔内；多个连接柱，连接柱穿过背板并连接第一振膜和第二振膜，多个连接柱在背板平面内间隔分布，背板上开设供连接柱穿过的通孔，连接柱包括连接块和中空的连接管，连接管一端和第一振膜连接，另一端穿过背板并通过连接块与第二振膜连接。本申请可改善振膜在连接柱处的应力情况以及连接柱自身的应力情况，从而提高器件的可靠性。 | ||||||
| 22 | 用于MEMS器件的防尘结构及MEMS麦克风封装结构 | CN201911415087.8 | 2019-12-31 | CN111147992B | 2025-01-03 | 林育菁 |
| 本发明公开了一种用于MEMS器件的防尘结构及MEMS麦克风封装结构，所述用于MEMS器件的防尘结构包括网格膜及载体，所述网格膜具有固定连接区、缓冲区和透声区，所述缓冲区环绕在所述透声区周围，所述固定连接区环绕在所述缓冲区周围，所述固定连接区位于所述网格膜的边缘，所述缓冲区上开设有贯穿所述网格膜的通孔；所述载体具有贯通的开口，所述载体连接在所述固定连接区的一侧，所述开口与所述缓冲区和透声区的位置相对应。 | ||||||
| 23 | 硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构及装置 | CN202110927946.2 | 2021-08-13 | CN113507676B | 2024-12-24 | 臧俊斌; 崔丹凤; 薛晨阳; 张志东; 张增星; 李鹏璐; 范正 |
| 本申请涉及硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构及装置，具体而言，涉及麦克风装置领域；本申请提供的硅基悬臂梁式MEMS压电麦克风的结构，结构包括：衬底、第一电极层、压电材料层和第二电极层；由于该第一电极层、压电材料层和第二电极层的形状均为“T”形结构，且该“T”形结构的第一电极层的短端与开口空腔结构的开口位置的边缘连接，使得该第一电极层、压电材料层和第二电极层形成了悬臂梁结构，悬臂梁结构可以在声音的振动的作用下，进行振动，进而使得压电材料层上的电荷发生转移，则使得该第一电极层和第二电极层上的电荷量发生改变，即该麦克风结构的输出发生改变，通过对输出电信号进行检测，可以得到更为准确的声音信号。 | ||||||
| 24 | MEMS换能器，尤其是用于与流体相互作用的MEMS换能器 | CN202410687534.X | 2024-05-30 | CN119071703A | 2024-12-03 | P·恩格尔哈特; B·格尔; C·谢林 |
| MEMS换能器，用于与流体相互作用，包括：至少三个彼此上下布置的MEMS层结构的层堆叠，有源MEMS层结构形成在下部与上部MEMS层结构之间；形成在有源MEMS层结构中的片，片能够至少区段式地横向偏转以与流体相互作用；驱动装置，用于使可运动的片沿垂直于层序列的横向方向至少区段地偏转，驱动装置具有下部和/或上部电极结构，其与有源MEMS层结构邻接地构造在下部和/或上部MEMS层结构上。为了将电压施加到上部和/或下部电极结构上设置敷镀通孔，其与形成在有源MEMS层结构中的接触元件导电地连接。接触元件与上部和下部MEMS层结构机械地连接，且与上部和/或下部电极结构的至少一个驱动电极导电地连接，且在敷镀通孔之外的区域中与上部和下部MEMS层结构的衬底电绝缘。 | ||||||
| 25 | 防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备 | CN201911421956.8 | 2019-12-31 | CN111147995B | 2024-12-03 | 林育菁; 池上尚克; 畠山庸平 |
| 本发明公开了一种防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备。其中，所述防尘结构包括载体和网格部；所述载体为中空结构；所述网格部设置在所述载体的一端并覆盖所述中空结构；所述网格部包括过滤网、围绕所述过滤网设置的应力缓冲区域以及围绕所述应力缓冲区域设置的固定部，所述过滤网与所述中空结构相对，所述固定部与所述载体连接，所述过滤网和所述应力缓冲区域悬空设置。本发明的一个技术效果在于：网格部上的过滤网能保持平整的状态，网格部能有效阻隔外界的颗粒物、异物进入到麦克风封装结构的内部。 | ||||||
| 26 | 一种MEMS结构及其形成方法 | CN202010249783.2 | 2020-04-01 | CN111246356B | 2024-11-26 | 刘端 |
| 本申请公开了一种MEMS结构，包括：衬底，具有空腔；压电复合振动层，形成在所述空腔的正上方；连接件，形成在所述衬底上方并且连接所述衬底和所述压电复合振动层，其中，所述连接件在所述压电复合振动层的外围并且所述连接件的上表面和下表面中的至少一个表面呈平直面。本申请所提供的MEMS结构，通过连接件连接衬底和压电复合振动层，从而有助于压电复合振动层释放应力，提高振动幅度，从而提高MEMS结构的灵敏度。 | ||||||
| 27 | 竖向MEMS换能器膜的电枢结构上的凹凸部或弱化区域 | CN202380023239.8 | 2023-02-27 | CN118923132A | 2024-11-08 | 丹尼斯·贝克尔; 阿尔方斯·德厄 |
| 本发明的一方面涉及一种MEMS换能器，该MEMS换能器包括可振动膜，所述可振动膜用于在竖向发射方向上生成压力波或者接收压力波。可振动膜由承载件保持并且具有竖向部段，这些竖向部段形成为与发射方向或接收方向基本上平行并且包括由致动器材料制成的至少一个层。优选地，可振动膜在端部面处与电极接触，使得通过控制所述电极，在竖向部段中可以被致使以进行水平振动，或者使得当在竖向部段中进行水平振动时，可以在电极上生成电信号。竖向部段和/或水平部段具有一个或更多个凹凸部和/或弱化区域。本发明的另一方面涉及一种用于制造根据本发明的MEMS换能器的方法。 | ||||||
| 28 | 用于电容声换能器的差分放大器电路和对应的电容声换能器 | CN201910682929.X | 2015-11-26 | CN110445470B | 2024-11-05 | G·尼科利尼; A·巴拜利 |
| 本公开涉及用于电容声换能器的差分放大器电路和对应的电容声换能器。该电容声换能器定义根据声信号生成感应信号的感应电容器，该放大器电路具有第一和第二输入端子，其被耦合到感应电容器和虚拟电容器，该虚拟电容器具有与在待工中的感应电容器的相应的电容对应的电容以及被连接到第一输入端子的第一端子；第一缓冲放大器，其在输入处被耦合到第二输入端子并且定义电路的第一差分输出；第二缓冲放大器，其在输入处被耦合到虚拟电容器的第二端子并且定义电路的第二差分输出；以及反馈级，其被耦合在差分输出与第一输入端子之间，以用于将反馈信号反馈到第一输入端子上，该反馈信号具有取决于所述感应信号的幅度并且相对于所述感应信号相位相反。 | ||||||
| 29 | 硅麦克风 | CN201910293219.8 | 2019-04-12 | CN110113687B | 2024-10-01 | 梅嘉欣; 张敏 |
| 本发明提供一种硅麦克风，所述硅麦克风的进声孔在所述入口段与所述出口段之间设置了所述弯曲段。当外界气流自所述入口段进入所述气流通道内，所述气流被所述弯曲段阻挡，会改变流通方向，这使得自所述入口段进入所述气流通道的气流不会直接从所述出口段排出，从而避免高强度的气流直接冲击所述传感器，且所述弯曲段也会有效阻挡异物进入所述音腔内，大大提高了所述硅麦克风的可靠性。 | ||||||
| 30 | 硅麦克风 | CN201910293041.7 | 2019-04-12 | CN110049419B | 2024-10-01 | 梅嘉欣; 张敏 |
| 本发明提供一种硅麦克风，其包括一进声孔，在所述进声孔中设置阻挡板，阻挡板与电路板或者外壳具有高度差，利用该高度差形成一气流间隙，能够改变进入进声孔的气流的流通方向，例如，将纵向气流改为横向气流，从而避免外界气流直接冲击传感器的振膜，且所述阻挡板还能够对外界异物起到阻挡作用，提高产品可靠性。 | ||||||
| 31 | 在MEMS麦克风中识别光干涉 | CN202280013168.9 | 2022-01-19 | CN116803103B | 2024-09-10 | M·萨瓦杰达 |
| 一种微机电系统(MEMS)麦克风包括用于接收声信号的腔。声信号引起振膜相对于一个或多个其他表面移动，进而得到表示接收到的声信号的电信号。光传感器被包括在MEMS麦克风的套件内，使得光传感器的输出表示与声信号一起接收的光信号。使用光传感器的输出以限制对声输出信号的光干涉的方式来修改表示接收到的声信号的电信号。 | ||||||
| 32 | MEMS装置和电子设备 | CN202210588560.8 | 2022-05-26 | CN115065920B | 2024-09-10 | 刘波 |
| 本申请公开了一种MEMS装置和电子设备。所述MEMS装置包括基底和设置于所述基底上的振动组件；所述振动组件包括背极板和第一振膜，所述第一振膜位于所述背极板的第一侧；所述背极板的中心位置处设置有第一通孔，所述第一振膜具有工作区和非工作区；其中，所述工作区被配置为能够通过振动实现所述第一振膜的声学性能；所述非工作区位于与所述第一通孔相对的位置处，且所述非工作区设置有多个微孔。本申请提供的MEMS装置能够很大程度上阻挡空气中的水汽或杂质通过，实现了很好的防水、防尘效果，并且，将微孔设置于非工作区，对振动组件的声学性能影响较小。 | ||||||
| 33 | 一种压电传感器及麦克风 | CN202110031170.6 | 2021-01-11 | CN112885955B | 2024-08-23 | 张晗; 郑剑锋; 周赟; 王峰; 李广增 |
| 本申请公开了一种压电传感器及麦克风，所述压电传感器包括压电薄膜、设置于所述压电薄膜上表面的同心圆环电极组以及所述压电薄膜下表面的全表面电极，所述同心圆环电极组中各圆环电极之间串联。由于同心圆环电极能够有效地增大压电材料产生的输出电压，因此本申请实施例提高了压电传感器在低压下的灵敏度，进而显著提升了性能。 | ||||||
| 34 | 声音换能器系统的差分驱动 | CN202280087962.8 | 2022-01-14 | CN118511544A | 2024-08-16 | 赖克·菲德勒; 马赛厄斯·兰德韦尔; 拉尔夫·希尔德布兰特; 弗兰齐斯卡·瓦尔 |
| 本发明涉及一种用于差分驱动在微机电系统(MEMS)中实现的微机电声音产生设备的静电驱动单元的装置。驱动单元具有可移动元件，该可移动元件具有可由驱动单元的第二电极和第三电极静电驱动的第一电极。 | ||||||
| 35 | 高稳定性的MEMS封装产品及其制造方法 | CN202111210616.8 | 2021-10-18 | CN114084866B | 2024-08-06 | 张怡; 陈勇; 汪婷; 程浪; 蔡择贤 |
| 本发明提供了一种高稳定性的MEMS封装产品及其制造方法，产品包括基板、ASIC芯片和SENSOR芯片，所述ASIC芯片和SENSOR芯片安装在基板上，所述基板设有真空空间，所述真空空间位于ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下端。制造方法包括：在基板上的ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下端设置真空空间；将ASIC芯片安装在基板上的对应位置；将SENSOR芯片安装在基板上的对应位置；进行封装。本发明通过在ASIC芯片和SENSOR芯片的安装位置下的基板内设计真空空间，虽然在经过封装加工及烘烤后还会出现形变，但真空空间的存在使得形变不会对产品性能造成影响，即产品到客户端上板时不会出现感度离散、感度漂移等现象，实现了MEMS封装产品的优化，提高了MEMS封装产品的质量。 | ||||||
| 36 | MEMS器件及其制备方法 | CN202410419013.6 | 2024-04-09 | CN118306946A | 2024-07-09 | 徐泽洋; 鲁列微; 隋欢 |
| 本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括背腔预设区；在衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层的开口，开口暴露出衬底的部分区域，部分区域位于背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，连接结构填充于开口内并与衬底直接接触，振膜位于第一牺牲层上并与连接结构直接接触；去除部分衬底，以在背腔预设区形成背腔；以及，去除至少部分第一牺牲层，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向衬底的表面，且与背腔连通；其中，衬底的导电类型、连接结构的导电类型、以及振膜的导电类型一致，以使衬底与振膜能够导通。由此，去除牺牲层过程中产生的自由电荷在进入振膜后，可以通过连接结构转移至衬底中，避免大量自由电荷堆积在振膜中，减少电化学反应的发生，减少对振膜的损伤。 | ||||||
| 37 | 人工耳蜗 | CN202080049228.3 | 2020-06-18 | CN114080819B | 2024-07-09 | J.福姆佩林; Y.波波夫; S.阿贝尔 |
| 一种用于通过机电振幅变化处理音频信号的人工耳蜗装置(100，300)，包括包括膜(102)的微机电系统MEMS麦克风(118)，以及嵌入在该MEMS麦克风中的机电反馈回路(308)。机电反馈回路包括压电致动器(120)，该压电致动器机械地作用于MEMS麦克风的膜(102)上并且被配置为改变由MEMS麦克风进行的机械到电转换的机械方面。 | ||||||
| 38 | 一种高效的双声道定向发声超声屏及其制作工艺 | CN202210930077.3 | 2022-08-03 | CN115243174B | 2024-07-05 | 胡亚云; 毛峻伟; 匡正 |
| 本发明公开了一种高效的双声道定向发声超声屏及其制作工艺，所述超声屏包括上下相堆叠设置的振动层和非振动层，振动层和非振动层上均对应设置有导电图案，导电图案包括框贴区和导电区，框贴区位于导电区的外边沿，导电区包括非振动区和两个振动区，振动区和非振动区相绝缘隔离开，且非振动区加载使振动层下移的偏置电压，振动区加载使振动层下移的偏置电压以及使所述振动层上下振动的交流电压，所述振动区在所述交流电压的作用下振动发声。本发明通过在屏幕上设置有效的发声面积，在保证屏幕发声的声压级的情况下，降低屏幕发声系统整体所需的功耗，从而延长整个产品的使用寿命。 | ||||||
| 39 | 声学设备同时用作扬声器和麦克风的双重用途 | CN202280075363.4 | 2022-11-09 | CN118235430A | 2024-06-21 | 加布里埃尔·泽尔策; 梅尔·沙阿什 |
| 将静电声学设备同时作为扬声器和麦克风操作。静电声学设备包括膜和设置在膜附近的电极。输入变化的音频信号被输入到静电声学设备。膜被配置成响应于变化的音频信号输入而机械地响应变化的电场。输入变化的音频信号的一部分被抽头以产生参考信号。检测响应于膜的运动的信号，以将信号转换成输出变化的电压信号。将输出变化的电压信号与参考信号进行比较，以产生麦克风信号。麦克风信号响应于由环境声音的气压变化引起的膜的运动。 | ||||||
| 40 | 基于空气耦合CMUT阵列的双模式声参量阵发射装置 | CN202210634574.9 | 2022-06-07 | CN115038008B | 2024-03-26 | 张慧; 何程昊; 王俊杰; 马永帅 |
| 本发明公开了一种基于空气耦合CMUT阵列的双模式声参量阵发射装置，包括：CMUT阵列由奇数阵元和偶数阵元构成，两种阵元上的激励频率不同。本发明利用CMUT器件的中心频率随偏置电压的变化而改变的原理，实现了通过一个CMUT阵列的奇偶阵元分别发射两个频率的超声波声束，经过空气非线性效应，形成低频指向性可听声束。本发明通过调整施加到CMUT阵列中奇数阵元和偶数阵元上的偏置电压的大小，使CMUT阵列奇偶阵元的中心频率相应发生变化，始终保持CMUT阵列奇偶阵元的两个激励频率处在对应中心频率上，便可产生多个频率的低频指向性可听声束。在声参量阵发射装置具有高指向性的基础上，提高了高指向性声能量的强度，并拓宽了工作带宽。 | ||||||
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