子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 用于降低本地振荡器中相位噪声和频率偏移方差的混频电路 | CN201680082453.0 | 2016-02-29 | CN108781057A | 2018-11-09 | 保罗·费兰德 |
| 一种通过平均至少两个振荡输入信号的工作频率的偏差来改善振荡输出信号的工作频率的装置。该装置包括电路用于：(a)通过混频器电路对至少第一和第二振荡输入信号进行混频。每个所述振荡输入信号具有公共输入工作频率并且混频信号具有合成工作频率。每个输入工作频率以公共标称频率为中心并具有频率偏差，并且合成工作频率以标称频率的倍数为中心。(b)通过分频器电路对混频信号的合成工作频率进行分频以产生输出信号，该输出信号具有以标称频率为中心并具有平均频率偏差的工作频率，该平均频率偏差是输入信号的频率偏差的平均值。(c)输出所述输出信号。 | ||||||
| 22 | 三倍频器和本地振荡器信号发生器 | CN201510583514.9 | 2015-09-15 | CN105553425B | 2018-10-16 | 阙资展; 薛育理 |
| 本发明提供一种三倍频器，包括双频同相信号发生器、双频正交信号发生器和混频器。双频同相信号发生器用于接收至少同相信号和正交信号以产生频率为两倍于所述同相信号或所述正交信号的双频同相信号；双频正交信号发生器用于接收至少所述同相信号和所述正交信号，以产生频率为两倍于所述同相信号或所述正交信号的双频正交信号；以及混频器用于接收所述同相信号、所述正交信号、所述双频同相信号和所述双频正交信号，以产生频率为三倍于所述同相信号或所述正交信号的输出信号。本发明还提供一种本地振荡器信号发生器。本发明改善了三倍频器的输出信号情况，抑制了基谐波/二次谐波杂散。 | ||||||
| 23 | 倍频器 | CN201310516006.X | 2013-10-28 | CN104113283B | 2018-05-04 | 郑至完 |
| 一种倍频器，包括：多相信号发生器，所述多相信号发生器被配置成响应于源信号而产生多相信号；脉冲发生器，所述脉冲发生器被配置成响应于多相信号而产生多个脉冲信号；以及合成器，所述合成器被配置成响应于脉冲信号的边沿而产生倍频信号。多个脉冲信号的每个响应于相应的多相信号而产生，并且倍频信号是通过将源信号的频率加倍来获得的。 | ||||||
| 24 | 220GHz-325GHz外加偏置宽带高效二倍频器 | CN201510792011.2 | 2015-11-11 | CN105281670B | 2018-04-24 | 邓建钦; 年夫顺; 姜万顺; 王明超; 王沫; 陈卓; 辛海鸣; 张文兴 |
| 本发明提出了220GHz‑325GHz外加偏置宽带高效二倍频，利用直流偏置低通滤波器和宽带双圆环滤波器构成直流偏置和倍频器输出和输入的双工器，宽带双圆环滤波器配合波导探针滤波的同时进行匹配，基波输入采用脊波导实现输入基波的平衡结构，配合二极管的寄生参数完成输入基波的匹配，同时在输入脊波导处增加一个单面镀金的介质板片，该介质板片无镀金的一面直接与脊波导接触。本发明不但可以实现220GHz‑325GHz全波导带宽，同时具有较高的效率，突破了现有的基于介质的二倍频电路带宽和效率不可兼顾的问题，同时解决了全金属结构220GHz‑325GHz二倍频电路无法增加直流偏置电路，以及电路结构复杂、实现难度大的难题。 | ||||||
| 25 | 石墨烯奇次谐波倍频器及设计方法 | CN201711129576.8 | 2017-11-15 | CN107786167A | 2018-03-09 | 方勇; 钟晓玲; 郭勇; 多滨; 罗俊松 |
| 本发明公开了一种石墨烯奇次谐波倍频器及设计方法，包括腔体组件和盖板，所述腔体组件包括腔体和分别位于腔体两端的输入同轴接头和输出同轴接头，其特征在于：还包括石墨烯倍频器高频基片，所述石墨烯倍频器高频基片包括高频介质基片、设置在高频介质基片上的输入反射网络、石墨烯和输出射网络，所述输入反射网络和输出反射网络分别位于石墨烯的前端和后端；输入反射网络对f0为匹配状态，对需回收的谐波分量为接地状态，输出反射网络对Nf0为匹配状态，对基波和需回收的谐波分量为全反射状态，全反射为将基波和需回收的谐波分量经石墨烯反射回输入反射网络。本发明能改善石墨烯倍频器倍频效率低下的问题，具有成本低、偶次谐波自身抑制的特点。 | ||||||
| 26 | 一种低相噪倍频器及其倍频方法 | CN201710800999.1 | 2017-09-07 | CN107689775A | 2018-02-13 | 石成才; 曹徵鉴; 赵天新; 谭尊林; 阳周; 彭雪梅 |
| 本发明公开了一种低相噪倍频器及其倍频方法。所述的低相噪倍频器包括耦合器和混频器；所述的耦合器从混频器的本振端口LO耦合一部分信号Fin输入到混频器的中频端口IF，然后在混频器中将本振端口LO接入的本振信号FLO和中频端口接入的中频信号FIF进行变频，再从混频器的RF端口输出变频后的射频信号FRF；在混频器的变频过程中，FRF=FLO+FIF。所述的方法包括步骤：S1.耦合本振信号到混频器的中频输入端口，作为混频器的中频输入信号；S2.将混频器的本振信号与中频输入信号进行混频；S3.输出混频后的射频信号。本发明提供了一种实现低附加相位噪声倍频器的新解决方案，提高了生产效率。 | ||||||
| 27 | 一种基于晶体振荡器电路的倍频装置 | CN201510213811.4 | 2015-04-29 | CN104767488B | 2017-12-19 | 王海永; 陈岚 |
| 本发明公开了一种基于晶体振荡器电路的倍频装置，所述倍频装置除现有的晶体振荡器电路的结构外，还包括能够实现频率选择的电感和电容，以及能够实现倍频效果的级联的多个晶体管电路。该倍频装置通过在晶体振荡器电路中增加合适的有源器件和电容、电感，可以获得任意倍数的晶体基频的频率输出，且经过所述倍频装置输出的高频率的时基信号或参考时钟信号的相位噪声基本与基频晶体振荡器的相位噪声相同，能够满足高性能系统对时基信号或参考时钟信号的相位噪声的要求。 | ||||||
| 28 | 一种基于倍频链路一体化结构的太赫兹频段本振源 | CN201510653887.9 | 2015-10-10 | CN105207624B | 2017-12-12 | 孟进; 张德海; 蒋长宏; 赵鑫 |
| 本发明提供了一种基于倍频链路一体化结构的太赫兹频段本振源，包括上腔体(1)和下腔体(2)；所述的上腔体(1)的表面与下腔体(2)的表面紧密贴合后，形成输入端口(22)、Y型功分器(17)、第一前级二倍频器(19)、第二前级二倍频器(20)、Y型合路器(18)、后级二倍频器(21)以及输出端口(23)。上述本振源在平衡式二倍频器电路的基础上，将两级倍频电路集成到同一腔体模块中，在使结构紧凑的同时，克服了不同模块由于端口面连接引起的反射，提高了倍频的性能，从而将W波段源倍频到太赫兹频段，获得更大的输出功率。 | ||||||
| 29 | 具有多级减高波导匹配结构的太赫兹倍频器 | CN201510013045.7 | 2015-01-09 | CN104617881B | 2017-11-17 | 张勇; 陈忠飞; 肖筑文; 胡江 |
| 本发明提供了一种具有多级减高波导匹配结构的太赫兹倍频器，属于太赫兹器件技术领域。本发明提供的太赫兹倍频器结构简单、加工方便，通过在倍频器的输入、输出端引入多段减高波导匹配结构以减小波导的特性阻抗，从而简化探针电路以及倍频器主电路的匹配网络，并可使输入信号以主模进行单模传输且抑制倍频器输出端的部分杂散波。 | ||||||
| 30 | 一种紧凑型功率合成平衡式三倍频器 | CN201410169719.8 | 2014-04-24 | CN104065345B | 2017-07-18 | 郭健; 徐杰; 崔寅杰; 许正彬; 钱澄 |
| 本发明公开了一种紧凑型功率合成平衡式三倍频器，包括倍频电路基片，倍频电路基片为双面印刷电路板，倍频电器由输入波导/悬置微带转换探针、输入低通滤波器、输入匹配电路、输出匹配电路、输出悬置微带/波导转换探针、偏置电路以及2N个肖特基二极管构成，倍频电路基片正反两面镜像印刷电路，2N个肖特基二极管分别安装于基片正、反两面，其中，N个肖特基二极管并联安装于基片正面，N个肖特基二极管并联安装于基片反面，安装于正面的肖特基二极管与安装于背面的二极管反向。本发明采用双面印刷电路基片实现平衡式三倍频器，便于外加直流偏置，从而可以提高倍频效率。此外由于倍频器采用的二极管数量提高了N倍，从而倍频器可实现N路功率合成，其功率容量也得到了相应的提高。 | ||||||
| 31 | 一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器 | CN201410501392.X | 2014-09-26 | CN104333329B | 2017-05-10 | 李巍; 王炜 |
| 本发明属于射频集成电路领域，具体为一种注入增强型低功耗宽锁定范围的注入锁定三倍频器电路。该电路由谐波发生器、旁路电流源和注入锁定振荡器组成。谐波发生器由一对NMOS管构成，利用MOS管的非线性特性，输入频率为的基频信号，产生三次谐波信号3注入振荡器；旁路电流源由一对PMOS管构成，其栅端偏置于合适的直流电压，作为直流电流源，对振荡器进行合适的分流，提高了谐波注入效率；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、电容、数字控制电容阵列组成，其中心频率在 3附近。本发明提高了谐波注入效率，在基本不增加功耗的情况下，相较于传统的注入锁定三倍频器，极大地扩展了锁定范围。 | ||||||
| 32 | 无线能量转移系统 | CN200980147815.X | 2009-09-25 | CN102239633B | 2017-01-18 | M·P·克斯勒; A·卡拉利斯; A·B·科斯; A·J·坎佩内拉; R·菲奥雷洛; Q·李; K·J·库利科夫斯基; E·R·吉勒; F·J·佩加尔; D·A·沙茨; K·L·霍尔; M·索尔亚奇克 |
| 本文所述的是用于具有Q因数Q1＞100和特性尺寸x1的被耦合到能量源的源谐振器和具有Q因数Q2＞100和特性尺寸x2的被耦合到位于与源谐振器相距距离D处的能量消耗装置的第二谐振器的改进的能力，其中，源谐振器和第二谐振器被耦合以在源谐振器与第二谐振器之间无线地交换能量。 | ||||||
| 33 | 一种低功耗注入锁定三倍频器 | CN201310428255.3 | 2013-09-21 | CN103475310B | 2017-01-11 | 李巍; 周自波 |
| 本发明属于射频频率综合器集成电路技术领域，具体为一种低功耗注入锁定三倍频器电路。该电路包括谐波产生器和注入锁定振荡器。谐波产生器由一对NMOS管构成，偏置在弱反型区，输入基频信号f0产生最大效率的三次谐波信号3f0；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、可变电容、数字控制电容阵列和可调电流源组成，其工作频率在3f0附近。在自由振荡模式下，一对NMOS管栅极无输入信号，注入锁定振荡器偏置电流由可调电流源提供，输出自激振荡频率；在注入锁定模式下，一对NMOS管栅极有频率在f0附近的基频信号，使得注入锁定三倍频电路锁定在频率3f0，此时直流功耗非常低。该电路电源电压为0.8V，直流功耗仅为0.16mW。 | ||||||
| 34 | 倍频器、接收机以及用于频率倍增的方法 | CN201310560381.4 | 2013-11-12 | CN103840769B | 2017-01-04 | W·李; A·瓦尔德斯; 伽西亚 |
| 本申请涉及倍频器以及用于倍频器的接收机和方法。倍频器包括一对晶体管，分别通过由传输线形成的相应的集电极阻抗而连接到公共阻抗。每个传输线具有处在输入信号频率的波长的约八分之一和约四分之一之间的长度，并且被调谐以便在所述输入信号频率下在相应晶体管的集电极处产生大的阻抗。在所述集电极阻抗与所述公共阻抗之间的输出频率是输入频率的偶数倍。 | ||||||
| 35 | 倍频器以及信号倍频方法 | CN201310010884.4 | 2013-01-11 | CN103929131B | 2016-12-28 | 朱书纬; 王耀祺 |
| 本发明涉及一种倍频器以及信号倍频方法。本发明的倍频器，包含：一第一阻抗模块，一第二阻抗模块，一第一路径以及一第二路径。第一路径导通时，第一阻抗模块产生一第一输出信号且第二阻抗模块产生一第二输出信号。第二路径导通时，第一阻抗模块产生一第三输出信号且第二阻抗模块产生一第四输出信号。第一路径与第二路径不同时导通，且第一、第三输出信号组出的一第一合成信号的频率以及第二、第四输出信号组出的一第二合成信号的频率为输入信号频率的N倍，其中N为一正有理数。 | ||||||
| 36 | 基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器 | CN201610399006.X | 2016-06-06 | CN106100586A | 2016-11-09 | 廖小平; 韩居正 |
| 本发明公开了一种基于MEMS宽频带相位检测器的倍频器，包括MEMS宽频带相位检测器、直流自动增益控制AGC放大器、第一压控振荡器VCO1和第二压控振荡器VCO2、第一可变电阻R1和第二可变电阻R2、除法器。本发明的有益效果为：MEMS宽频带相位检测器的使用，使倍频器具有宽频带特性，可以实现对不同频率的参考信号的倍频；通过可变电阻对压控振荡器电压的控制和对直流自动增益控制AGC放大器增益的控制，实现对参考信号和反馈信号的同步调节，即使在电路存在波动的情况下也能实现倍频；结构新颖，操作方便，与GaAs单片微波集成电路兼容。 | ||||||
| 37 | W波段倍频模块 | CN201310187483.6 | 2013-05-20 | CN103312268B | 2016-10-05 | 方勇; 楊万群; 袁野; 李灿 |
| 本发明涉及通讯和雷达技术领域，特别涉及一种用于W波段收发组件中的W波段倍频模块。W波段倍频模块，包括上层腔体和下层腔体，所述上层腔体内安装有电源印制电路板和绝缘子，下层腔体的顶部安装有射频链路，所述电源印制电路板通过绝缘子与射频链路垂直连接。本发明的W波段倍频模块中的各元器件采用三维立体结构布置，射频链路中的元器件与电源印制电路板通过绝缘子垂直互连，增强了电源和元器件的隔离，提高了模块的电磁兼容性，保证了W波段倍频模块的稳定性和可靠性；不同腔体层安装不同的电子元器件，再通过绝缘子进行垂直互连，处于同层的各元器件采用平面混合集成的方式布置，实现W波段倍频模块的小型化和集成化。 | ||||||
| 38 | 一种宽带高功率1mm固态信号源系统 | CN201310199500.8 | 2013-05-24 | CN103346736B | 2016-09-07 | 邓建钦; 姜万顺; 姜信诚; 王明超 |
| 本发明适用于固态信号源技术领域，提供了一种宽带高功率1mm固态信号源系统，包括微波信号源和1mm倍频源扩频装置，所述1mm倍频源扩频装置通过扩频接口与所述微波信号源中的合成信号源相连，用于获取电源、频段和功率的控制信息；所述1mm倍频源扩频装置中的射频输入接口与所述合成信号源的RF输出相连，得到所述倍频源模块所需的输入信号。本发明所述的所述1mm倍频源扩频装置综合使用了空间多层倍频技术、高效功率合成技术、全端口匹配波导功分合成技术及高效全金属结构的倍频技术，解决现有非线性二极管压缩点低、现有的3mm放大器输出功率不足、多路放大合成稳定性差及高频倍频效率低等共性问题。 | ||||||
| 39 | 三倍频器和本地振荡器信号发生器 | CN201510583514.9 | 2015-09-15 | CN105553425A | 2016-05-04 | 阙资展; 薛育理 |
| 本发明提供一种三倍频器，包括双频同相信号发生器、双频正交信号发生器和混频器。双频同相信号发生器用于接收至少同相信号和正交信号以产生频率为两倍于所述同相信号或所述正交信号的双频同相信号；双频正交信号发生器用于接收至少所述同相信号和所述正交信号，以产生频率为两倍于所述同相信号或所述正交信号的双频正交信号；以及混频器用于接收所述同相信号、所述正交信号、所述双频同相信号和所述双频正交信号，以产生频率为三倍于所述同相信号或所述正交信号的输出信号。本发明还提供一种本地振荡器信号发生器。本发明改善了三倍频器的输出信号情况，抑制了基谐波/二次谐波杂散。 | ||||||
| 40 | 基于微机械直接热电式功率传感器的倍频器及其制备方法 | CN201310243844.4 | 2013-06-19 | CN103346737B | 2016-03-23 | 廖小平; 吴昊 |
| 本发明公开了一种基于微机械直接热电式功率传感器的倍频器及其制备方法，包括衬底、设置在衬底上的地线、MEMS功合器、共面波导传输线、两组MEMS固支梁结构和MEMS直接热电式微波功率传感器、以及外接的压控振荡器和除法器；MEMS功合器用于将输入的两路信号进行矢量合成，然后由MEMS直接热电式微波功率传感器检测合成后的微波信号的功率，最后输出直流电压。本发明提供的基于微机械直接热电式功率传感器的倍频器不但具有新颖的结构，而且精简了一般倍频器的组成模块，其直接将鉴相器和低通滤波器两个模块简化为一个由MEMS功合器和MEMS直接热电式微波功率传感器构成的模块，提高了倍频器的集成度，并且能与GaAs单片微波集成电路兼容。 | ||||||
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