| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法 | CN202111107385.8 | 2016-07-14 | CN113851581A | 2021-12-28 | 薛林; 安在洙; M·帕卡拉; 程志康; 汪荣军 |
| 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。 | ||||||
| 162 | 包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器 | CN202110572530.3 | 2021-05-25 | CN113851578A | 2021-12-28 | 阿希尔斯·加史瓦; A·P·雅各布; 卞宇生; D·C·普里查德 |
| 本发明涉及包含光学可切换磁性隧道结阵列的图像传感器，揭示一种图像传感器，包括以列和行排列的光学可切换磁性隧道结(MTJ)阵列。该图像传感器具有透明导电材料的第一线路和导电材料的第二线路。各第一线路与对应行中MTJ的自由层相接触。各第二线路与对应列中的固定层MTJ电性连接。第一线路同时暴露在辐射下。第一线路和第二线路可选择性地偏置。在全局复位操作中，偏置条件使得所有MTJ被切换到反平行状态。在全局感测操作中，偏置条件使得根据在与MTJ接触的第一线路的那些部分接收到的辐射强度，MTJ可以切换到平行状态。在选择性读取操作中，偏置条件使得可以读取MTJ中存储的数据值。 | ||||||
| 163 | 一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法 | CN202010246936.8 | 2020-03-31 | CN111312890B | 2021-12-28 | 刘明; 胡忠强; 周子尧; 王志广; 吴金根; 赵星儿 |
| 一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，包括以下步骤：步骤1，制备磁电异质结；步骤2，电场诱导产生的剪切应变和直流偏置磁场共同作用于磁电异质结；本发明所需的磁电异质结由常见的商用菱方相压电单晶基片和工业上常用的磁性单层薄膜构成，结构简单。既无需微加工工艺引入较强的形状各向异性，也无需在制备过程中施加偏置磁场或后续磁退火引入交换偏置，便可以利用剪切应变调制的磁电效应实现电场调控局域磁畴大于90°的磁化翻转，工艺简单、能耗低，对发展低功耗磁存储和逻辑器件具有重要意义。 | ||||||
| 164 | 磁性存储器及其制造方法 | CN201911033480.0 | 2019-10-28 | CN111105824B | 2021-12-28 | 应继锋; 王仲盛; 林灿 |
| 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移‑自旋扭矩转移(SOT‑STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT‑STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT‑STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT‑STT混合磁性器件和第二SOT‑STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。 | ||||||
| 165 | 磁阻式随机存取存储器结构及其制造方法 | CN201811440404.7 | 2018-11-29 | CN109979961B | 2021-12-28 | 庄学理; 陈胜昌 |
| 本发明实施例涉及磁阻式随机存取存储器结构及其制造方法。一种磁阻式随机存取存储器结构，所述磁阻式随机存取存储器结构包含阵列区域及毗邻于所述阵列区域的逻辑区域。所述逻辑区域包含底部电极通路、位于所述底部电极通路上方的磁阻式穿隧结层、位于所述MTJ上方的顶部电极、位于所述MTJ及所述顶部电极上方的保形氧化物层及位于所述保形氧化物层上方的氧化硅层。所述保形氧化物层及所述氧化硅层从所述阵列区域延伸到所述逻辑区域。 | ||||||
| 166 | 逻辑器件、方法、磁存储器及计算机设备 | CN202110583111.X | 2021-05-27 | CN113838969A | 2021-12-24 | 张悦; 何宇; 张昆; 赵巍胜 |
| 本发明提供的一种逻辑器件、方法、磁存储器及计算机设备，引入了垂直磁各向异性的铁磁体，和面内磁各向异性的铁磁相比，垂直磁各向异性铁磁的热稳定性更强，利于器件的缩小，增大器件密度；同时铁磁整体和磁电材料相接触，因此可以保证铁磁磁矩的整体一致翻转，减少逻辑错误和降低翻转延迟；进一步的本发明的器件结构更简单，其读取单元仅由垂直磁各向异性的铁磁构成，无需借助高自旋轨道耦合材料，有助于增大器件的密度、降低工艺难度和节省器件的制造成本。 | ||||||
| 167 | 具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法 | CN202110088853.5 | 2021-01-22 | CN113838968A | 2021-12-24 | 徐晨佑 |
| 一种存储器单元结构，包括设置在衬底之上的介电顶盖层及设置在介电顶盖层之上的第一介电层。存储器单元结构可还包括设置在第一介电层之上的缓冲层、嵌置在缓冲层、第一介电层及介电顶盖层中的连接通孔结构。存储器单元结构可还包括底部电极及磁性隧道结(MTJ)存储器单元，所述底部电极设置在连接通孔结构及缓冲层上，所述磁性隧道结(MTJ)存储器单元包括设置在底部电极上的一个或多个磁性隧道结层。 | ||||||
| 168 | 磁存储单元及SOT-MRAM存储器 | CN201811604713.3 | 2018-12-26 | CN111370573B | 2021-12-24 | 何世坤 |
| 本发明提供一种磁存储单元及SOT‑MRAM存储器，所述磁存储单元包括：自旋轨道矩提供线和两个磁性隧道结，每个所述磁性隧道结包括依次堆叠的自由层、隧道层和参考层，两个所述磁性隧道结位于所述自旋轨道矩提供线的同一侧且各自的自由层靠近所述自旋轨道矩提供线，两个所述磁性隧道结的参考层外侧分别有一层偏置磁场提供层，所述偏置磁场提供层通过分离层与所述磁性隧道结隔开，两个所述偏置磁场提供层具有不同的几何尺寸，同时两个所述偏置磁场提供层的磁化方向相反且分别垂直于各自对应的磁性隧道结的自由层的磁化方向。本发明能够提高SOT‑MRAM存储器的读写速度。 | ||||||
| 169 | 磁传感器、磁传感器阵列、磁场分布测定装置及位置确定装置 | CN202080035287.5 | 2020-02-18 | CN113811738A | 2021-12-17 | 久保田将司 |
| 磁传感器(1)具备：角度传感器(10)，包含多个第1磁阻元件(111～114、121～124)，根据外部磁场的方向和基准方向所成的角度进行输出；以及磁场强度传感器(20)，包含多个第2磁阻元件(211～214、221～224)，基于外部磁场的强度进行输出，角度传感器(10)以及磁场强度传感器(20)相对于形成传感器的基准面的法线方向彼此相同，磁场强度传感器(20)根据外部磁场的方向和基准方向所成的角度而具有不同的输出特性，基于由角度传感器(10)感测到的外部磁场的方向和基准方向所成的角度与磁场强度传感器的输出来决定外部磁场的强度。 | ||||||
| 170 | 一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法 | CN202111022615.0 | 2021-09-01 | CN113809229A | 2021-12-17 | 卢世阳; 商显涛; 刘宏喜; 曹凯华; 王戈飞 |
| 本发明公开了一种SOT‑MRAM及其制备方法，涉及隧穿磁电阻领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：底电极层和设置于所述底电极层之上的磁隧道结，其中，所述底电极层包括衬底和重金属层，所述重金属层设置于所述衬底上表面，所述磁隧道结包括自由层，所述自由层设置有内腔，所述自由层内腔包裹所述重金属层。可见，本发明的技术方案通过对SOT‑MRAM重金属层和自由层进行包裹式设计，使自由层与重金属层至少两个端面接触，进而，在对重金属层通电时，重金属层和所述自由层接触的端面均会产生自旋流，从而能够产生多方向的自旋流，进而能够降低SOT临界翻转电流密度。 | ||||||
| 171 | 半导体元件及其制作方法 | CN202010546950.X | 2020-06-16 | CN113809117A | 2021-12-17 | 王慧琳; 翁宸毅; 张哲维; 蔡锡翰; 许清桦; 张境尹; 王裕平 |
| 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于一基底上，其中MTJ堆叠结构包含一固定层设于基底上、一阻障层设于固定层上以及一自由层设于阻障层上。然后形成一上电极于MTJ堆叠结构上，去除上电极、自由层以及阻障层，形成第一遮盖层于上电极、自由层以及阻障层上，再去除第一遮盖层以及固定层以形成一MTJ以及一间隙壁于MTJ旁。 | ||||||
| 172 | 铌酸锂半导体结构及其制备方法 | CN202011438154.0 | 2020-12-10 | CN112582534B | 2021-12-17 | 张国权; 钱月照; 张煜晨; 许京军 |
| 一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。 | ||||||
| 173 | 竖直选择器STT-MRAM架构 | CN202080031754.7 | 2020-06-26 | CN113767482A | 2021-12-07 | A·E·昂吉; A·J·沃克; D·比里 |
| 本发明涉及一种磁性存储器阵列，其具有在两个维度上与沟道选择器阵列电连接的源极平面。所述沟道选择器阵列可布置成行及列，其中所述行及所述列两者与源极平面电连接。例如磁性隧道结元件等的磁性存储器元件可与所述沟道选择器中的每一者电连接。所述源极平面可包含形成于半导体衬底的表面中的掺杂区并且也可包含形成于所述掺杂区上的导电层。通过消除为沟道选择器的个别行形成单独源极线源极线的需要，此种平面化二维源极平面的使用允许数据密度大幅增加。 | ||||||
| 174 | 半导体结构及半导体结构的形成方法 | CN202010463077.8 | 2020-05-27 | CN113745401A | 2021-12-03 | 赵颖石; 杨成成; 刘欢; 陈海洋 |
| 一种半导体结构和半导体结构的形成方法，其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一电极材料层；在所述第一电极材料层表面形成若干相互分立的磁隧道结，并且在每个所述磁隧道结顶面形成第二电极层；在所述磁隧道结以及所述第二电极层侧壁面形成侧墙；在形成所述侧墙后，去除所述衬底表面暴露的第一电极材料层，以形成第一电极层。从而，提高了半导体结构的性能。 | ||||||
| 175 | 半导体器件及其制造方法 | CN202110451919.2 | 2021-04-26 | CN113725354A | 2021-11-30 | 杨宗学 |
| 提供了半导体器件及其制造方法，其中利用间隔件以帮助保护底部电极通孔。在实施例中，穿过介电层形成开口，并且沿介电层的侧壁形成间隔件。形成与间隔件、底部电极相邻的底部电极通孔，在底部电极上方形成磁性隧道结(MTJ)结构，并且在MTJ结构上方形成顶部电极。图案化结构，并且在图案化工艺期间，间隔件有助于保护底部电极通孔免受不期望的损坏。 | ||||||
| 176 | 单次可程序化位元的形成方法 | CN202010461119.4 | 2020-05-27 | CN113724769A | 2021-11-30 | 柯昱州 |
| 本发明公开一种单次可程序化位元的形成方法，首先，提供一薄膜存储器装置，其包含至少一个存储器元件与一晶体管，且存储器元件电性串联晶体管。接着，在一交流电流的复数周期中，施加交流电流于存储器元件与晶体管，并限制提供给存储器元件的功率，且导通晶体管，以改变存储器元件的电阻，直到存储器元件的电阻发生不可逆改变为止。本发明利用双极性电流对薄膜存储器装置施压，并限制提供给存储器装置的功率，以达到较低崩溃电压，同时缩小崩溃后的电阻分布范围。 | ||||||
| 177 | 3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法 | CN201910781685.0 | 2019-08-23 | CN110491796B | 2021-11-26 | 时廷 |
| 本发明提供了一种3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，包括：第一金属层、与所述第一金属层通过第一通孔连通的第二金属层，位于所述第一金属层和第二金属层上的二氧化硅层、所述二氧化硅层内形成有沟槽，位于所述二氧化硅层表面并且通过第二通孔与第二金属层连通的氮化钛层，位于所述氮化钛层上与所述氮化钛层连通的第一测试键，位于所述第二层氮化硅上的与所述磁阻层连接的第二测试键，所述第一测试键和所述第二测试键具有一定距离。在本发明提供的3D磁传感器的漏电流测试结构及其形成方法，可用于检测外界磁场；同时，通过测试第一测试键和第二测试键是否连通，可以检测第一金属层和磁阻层是否短路。 | ||||||
| 178 | SOT-MRAM存储单元及其制备方法 | CN202110945619.X | 2021-08-17 | CN113690366A | 2021-11-23 | 杨美音; 罗军 |
| 本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，该SOT‑MRAM存储单元包括：磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道结下方的自旋轨道耦合层，与自由层接触，自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转；位于自旋轨道耦合层上方且环绕于磁性隧道结四周侧壁的铁磁层，铁磁层为面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对磁性隧道结产生一个水平磁场。本发明能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。 | ||||||
| 179 | 高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法 | CN202110276692.2 | 2021-03-15 | CN113053942B | 2021-11-23 | 施辉; 张海良; 徐何军; 曹利超; 王印权; 吴建伟; 洪根深; 贺琪 |
| 本申请公开了一种高抗辐射磁随机存储器件及其制备方法，属于存储器制造技术领域，所述高抗辐射磁随机存储器件包括：衬底；形成在所述衬底上的碳纳米管晶体管；磁性隧道结存储单元，所述磁性隧道结存储单元形成在所述碳纳米管晶体管的上方，所述碳纳米管存储单元由金属缓冲层、反铁磁层、铁磁层、氧化物势垒层、铁磁层、氧化物保护层和金属保护层自下而上堆叠组成，并通过金属通孔与所述碳纳米管晶体管的漏极垂直电相连。提高了磁随机存储器的抗辐射性能。 | ||||||
| 180 | 磁传感器 | CN201811610969.5 | 2018-12-27 | CN109974568B | 2021-11-16 | 渡部司也 |
| 本发明的磁传感器包含具有磁阻效应的细长元件部以及一对细长软磁性体，软磁性体沿着元件部配置于元件部的短轴的两侧。各个软磁性体包括中心部及一对端部，中心部从元件部的长轴方向的一端到另一端与元件部相邻，一对端部在长轴方向上从中心部突出。至少一个端部的宽度在端部的长轴方向的至少一部分上在远离中心部的方向上逐渐减小。 | ||||||
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