| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 一种蓝宝石晶棒生产工艺 | CN201410673571.1 | 2014-11-24 | CN104451879A | 2015-03-25 | 孙占喜; 李吾臣; 李莉; 蔺崇召 |
| 本发明公开了一种蓝宝石晶棒生产工艺，其核心技术为全球最先进的改良泡生法长晶技术，其原理是利用热交换器来带走热量，使晶体生长区域内形成一个下冷上热的纵向温度梯度，同时在控制热交换器内的气体流量的大小及改变加热器的加热功率的高低来控制此温度梯度，从而达到坩埚内的氧化铝的液体由下慢慢向上凝固成晶体的目的，从而有效解决了传统泡生法气泡多、成本高的技术难题，按照本发明生产的蓝宝石具有晶体体积大、完整性好、位错密度小、光学均匀性高、次品率低的优点。 | ||||||
| 102 | 化合物一氟三硼酸五钡和一氟三硼酸五钡非线性光学晶体及制备方法和用途 | CN201210100694.7 | 2012-04-09 | CN103359755B | 2015-03-11 | 潘世烈; 俞洪伟; 吴红萍; 侯雪玲 |
| 本发明涉及一种化合物一氟三硼酸五钡和一氟三硼酸五钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物化学式为Ba5(BO3)3F，分子量882.13，采用固相反应法合成化合物；所述一种一氟三硼酸五钡非线性光学晶体，该晶体的化学式为Ba5(BO3)3F，分子量882.13，不具有对称中心，属正交晶系，空间群C2221，晶胞参数为Z＝4，其晶体倍频效应达到KDP(KH2PO4)的0.5倍，该晶体机械硬度大，易于切割、抛光加工和保存，在制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器等非线性光学器件中得到广泛应用。 | ||||||
| 103 | 蓝宝石泡生法生长车间的无人化生产系统 | CN201410552213.5 | 2014-10-19 | CN104342755A | 2015-02-11 | 刘瑜; 杜慧江 |
| 本发明公开了一种蓝宝石泡生法生长车间的无人化生产系统，包括工业以太网，路由器和交换机，至少一台的长晶炉，进行生产监控的主服务器，以及备份服务器，至少一台可进行查询或操作功能的操作站，还包括至少一台打印机和移动通迅终端，所述的工业以太网连接所述的长晶炉、主服务器、备份服务器、操作站、打印机、路由器、交换机、移动通讯终端。本发明的目的是解决目前蓝宝石泡生法生产自动化程度低的现状，实现在蓝宝石长晶过程中，无需操作员经常性查看长晶炉，操作员只需通过操作站或者远程的移动通讯终端观测长晶的过程，如有需要，也可进行控制操作。 | ||||||
| 104 | 铁、铬、锰或钴与铝共掺杂的钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 | CN201410084112.X | 2014-03-07 | CN103952762A | 2014-07-30 | 张庆礼; 张琦; 孙贵花; 吕志萍; 窦仁勤 |
| 本发明公开了一种铁、铬、锰或钴与铝共掺杂钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法，其分子式为La3M0.5Ga5.5(1-x-y)M′5.5xAl5.5yO14(M=Ta、Nb，M′=Fe、Cr、Mn、Co，0 |
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| 105 | 铁、铬、锰或钴掺杂的钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法 | CN201410084097.9 | 2014-03-07 | CN103952761A | 2014-07-30 | 张庆礼; 张琦; 孙贵花; 吕志萍; 窦仁勤 |
| 本发明公开了一种铁、铬、锰或钴共掺杂钽酸镓镧、铌酸镓镧晶体及其熔体法生长方法，其分子式为La3M0.5Ga5.5(1-x)M′5.5xO14(M=Ta、Nb，M′=Fe、Cr、Mn、Co，0 |
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| 106 | RbBa2(PO3)5化合物、RbBa2(PO3)5非线性光学晶体及其制法和用途 | CN201410176341.4 | 2014-04-29 | CN103950912A | 2014-07-30 | 罗军华; 赵三根 |
| 本发明提供RbBa2(PO3)5化学物、RbBa2(PO3)5非线性光学晶体及其制备方法和用途，涉及非线性光学晶体材料领域；该化合物采用固相反应法制备；RbBa2(PO3)5晶体不含对称中心，属于单斜晶系Pc空间群，晶胞参数为a=8.6808(4)？,b=7.3166(2)？，c=13.9257(7)？，β=128.94(1)°，V=687.93(445)？3，Z=2；RbBa2(PO3)5非线性光学晶体的倍频转换效率约为KH2PO4晶体的1.4倍，其紫外吸收截止边在163nm；RbBa2(PO3)5晶体物理化学性质稳定、硬度适中，易于切割、加工和使用，可用于制作非线性光学器件，开拓紫外和深紫外波段的非线性光学应用。 | ||||||
| 107 | 长晶装置及晶体制造方法 | CN201310031697.4 | 2013-01-28 | CN103911656A | 2014-07-09 | 吕建兴; 宋永萱; 陈智勇; 刘哲铭; 游惠乔; 徐文庆; 陈志臣 |
| 一种长晶装置，包括：一坩锅、一坩锅盖、一隔热单元及多个热反射环。坩锅盖界定有一开口，坩锅盖装设于坩锅上且共同包围定义出一经开口而连通于外的容置空间。隔热单元设置于坩锅盖的外表面上。所述多个热反射环设置于容置空间内且分别悬吊于坩锅盖，而任两相邻的热反射环呈等距地间隔设置，且所述多个热反射环与坩锅盖之间各形成有一第一角度。其中，所述多个热反射环能在该长晶装置加热过程中产生形变，以使第一角度变化至一第二角度。从而，本发明通过所述多个热反射环的设置而能调整熔汤表面温梯分布。此外，本发明另提供一种晶体制造方法。 | ||||||
| 108 | 饰品级翠榴石单晶体的生长方法 | CN201410135056.8 | 2014-04-04 | CN103866378A | 2014-06-18 | 黄永臣; 白凤周; 刘鹏; 黄楠 |
| 饰品级翠榴石单晶体的生长方法，生长晶体的原料为特定纯度的Y2O3、AI2O3、V2O5、CrO3粉料，配料前原料先进行烧料处理去除水份，配好的原料经过压料、烘烧和装炉，在铱坩锅单晶炉内进行升温化料、预热籽晶和下种，下种后先缩颈再扩肩，扩肩达到直径要求后等径生长到140-160mm收尾，收尾时先升温再降温处理，减小晶体的固液接触面防止晶体炸裂，出炉和高温退火后得到翠榴石单晶体。该方法配料精准，对设备、原料、籽晶、生长条件、晶体直径、温度和压力进行有针对性的控制，采取多种措施防止晶体炸裂、减少铱坩锅损耗，得到的晶体硬度大、熔点高、光学性能好、热性能稳定、透过波段宽。 | ||||||
| 109 | LBO晶体生长原料的合成方法及制备LBO晶体的方法 | CN201410035607.3 | 2014-01-24 | CN103820856A | 2014-05-28 | 胡章贵; 杨蕾; 岳银超 |
| 本发明属于晶体生长技术领域，提供了一种LBO晶体生长原料的合成方法，在100℃去离子水中加入Li2MoO4和H3BO3，制得乳状物；将乳状物烘干、磨成粉末，获得生长原料，再进行烧结获得烧结体。还提供了一种制备LBO晶体的方法，将上述烧结体放入晶体生长炉中，升温至熔化后，搅拌溶液，冷却至饱和点温度以上5～10℃，得到混合均匀的熔体；将籽晶预热后缓慢引入晶体生长炉，当24h后籽晶未熔未长，开始以0.1～1℃/day的降温速率缓慢生长；晶体生长结束后从熔体中提出晶体，降至室温，取出制得LBO晶体。本发明避免了固相合成在高温下反应组分偏离，使生长的LBO晶体质量好，无包裹体等晶体缺陷。 | ||||||
| 110 | 一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备 | CN201210461724.7 | 2012-11-15 | CN103806101A | 2014-05-21 | 鲍威尔·斯米尔诺夫; 李东振; 宗志远; 孙大伟; 周健杰; 刘一凡; 吴勇 |
| 本发明揭示了一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备，所述方法包括如下步骤：步骤S1：将设定重量的高纯氧化铝块料或粉料装入坩埚中，然后将坩埚置于晶体生长炉内；步骤S2：将晶体生长炉抽真空；步骤S3：通过加热器控制晶体生长炉升温，使氧化铝原料熔化为熔体；步骤S4：选用定向籽晶，将定向籽晶固定在坩埚的中心位置，温度合适后引晶；步骤S5：引晶结束后，向上提拉籽晶，开始晶体生长；步骤S6：长晶结束后，缓慢降温；步骤S7：炉内温度降至设定温度后，取出晶体，切割并加工成所需尺寸的晶片。本发明提出的蓝宝石晶体的生长方法及设备，可制得方形、圆形等形状的蓝宝石晶体，在制得高质量晶体的同时，有效提高蓝宝石晶体的利用率。 | ||||||
| 111 | 蓝宝石晶体泡生法生长连续观察窗口 | CN201410019955.1 | 2014-01-16 | CN103741209A | 2014-04-23 | 赵业权; 张近; 申岩; 张寒贫; 张振志; 张明福 |
| 蓝宝石晶体泡生法生长连续观察窗口，涉及一种蓝宝石晶体生长观察窗口。为解决泡生法生长蓝宝石晶体过程中，高温熔体离解产生的挥发物在石英观察窗上沉积，造成观察窗可见光与红外光透过率下降问题。旋转轴穿过石英玻璃片、蓝宝石单晶炉炉盖的中心孔及螺纹连接件一，旋转轴与石英玻璃片固定连接，旋转轴与旋转把手固定连接，旋转轴与蓝宝石单晶炉炉盖的中心孔之间通过环形密封组件密封，螺纹连接件一和二与蓝宝石单晶炉炉盖和旋转轴螺纹连接，石英玻璃片的下部设有与蓝宝石单晶炉炉盖固定连接的钼片，石英玻璃片与钼片及蓝宝石单晶炉炉盖之间设有钼隔套，钼片的观察口与蓝宝石单晶炉炉盖的观察孔相对应。本发明用于蓝宝石晶体泡生法生长连续观察。 | ||||||
| 112 | 低热量损失的泡生炉热场系统 | CN201310090829.0 | 2013-03-21 | CN103695998A | 2014-04-02 | 丁雨憧; 马兆远 |
| 本发明提供一种保温热场系统，使泡生炉内辐射热进行反射，使得热损失降到最小，节约能耗。在钼保温筒之间使用两个嵌套的真空保温筒，避免保温筒的表面被污染，同时将真空筒外层的内表面高抛。热量传给外筒时，经外筒内侧的高抛面，热辐射会被高反射回来，达到隔热的目的。同时原需要9层的保温桶减少到了6层少了很大一部分钼金属的损耗，节约了金属资源。利用此发明的泡生炉保温效果会更好，更加节能环保。 | ||||||
| 113 | 一种单晶炉隔热屏及其制备方法 | CN201310597534.2 | 2013-11-23 | CN103643291A | 2014-03-19 | 李海瑞; 翟剑庞; 黄镜蓁; 潘丽青; 刘凯歌 |
| 本发明公开了一种单晶炉隔热屏及其制备方法，单晶炉隔热屏包括炉体，在炉体内设有氧化锆陶瓷保温桶，在保温桶内壁上镀有纳米钨薄膜层，在氧化锆陶瓷保温桶外壁上设有薄壁钼质圆筒。制备方法：采用氧化锆粉体掺杂3%Y2O3粉体制备弧形氧化锆陶瓷砖；采用氩气作为工作气体，在磁控溅射室内，直流溅射纯度为99.99%的片状钨靶材，在经处理的弧形氧化锆陶瓷砖内壁上溅射一纳米钨薄膜层；采用镀有纳米钨薄膜层的弧形氧化锆陶瓷砖在炉体内堆砌出圆筒形氧化锆陶瓷保温桶；在氧化锆陶瓷保温桶外侧设置薄壁钼质圆筒。本发明的目的提供一种结构简单，价格低廉，性能稳定，能有效保证蓝宝石单晶生长所需良好保温性能的单晶炉隔热屏及制备方法。 | ||||||
| 114 | 化合物硼磷酸铷铅和硼磷酸铷铅非线性光学晶体及制备方法和用途 | CN201210302102.X | 2012-08-23 | CN103628136A | 2014-03-12 | 潘世烈; 王颖 |
| 本发明涉及一种化合物硼磷酸铷铅和硼磷酸铷铅非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物硼磷酸铷铅的化学式为RbPbBP2O8，采用固相反应法制备，硼磷酸铷铅非线性光学晶体的化学式为RbPbBP2O8，属四方晶系，空间群为I-42d，晶胞参数为：Z＝4，其粉末倍频效应为1.1倍KDP(KH2PO4)，紫外透光波段截止边小于240nm，该晶体生长过程具有操作简单，成本低，所用的试剂为无机原料，毒性低，生长周期短，物化性质稳定等优点。适合于制作非线性光学器件，在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。 | ||||||
| 115 | 一种蓝宝石晶体生长炉坩埚固定装置 | CN201210279550.2 | 2012-08-08 | CN103572369A | 2014-02-12 | 郭宏鹤; 胡晖; 施吉祥; 吴成荣; 孙曙光; 胡森 |
| 本发明公开了一种蓝宝石晶体生长炉坩埚固定装置，包括钨棒组、固定盘和刚玉垫，刚玉垫固定于炉体底部上，固定盘安装在刚玉垫上，固定盘上通过钨棒组固定坩埚。由下至上依次由刚玉垫、固定盘和钨棒组将坩埚固定连接于炉体内，坩埚在炉体内连稳定，在高真空、高温的蓝宝石生长环境下，能确保坩埚期使用稳定，提高蓝宝石晶体生长炉使用寿命。 | ||||||
| 116 | 一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的退火工艺 | CN201310362888.9 | 2013-08-20 | CN103540998A | 2014-01-29 | 熊亮亮; 曾锡强 |
| 本发明涉及一种泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体的退火工艺，在泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体完成后，保持单晶炉内真空度，逐步降低加热器功率，降温分为五个阶段，直至加热器功率为零；分阶段保温退火可有效降低大尺寸蓝宝石的位错密度，消除晶体内应力，提高晶体质量和利用率；退火时间短，降低了能耗，缩短了大尺寸蓝宝石晶体的生长周期；在保温阶段旋转蓝宝石晶体，使蓝宝石晶体退火均匀，消除退火时温度场不均的影响。 | ||||||
| 117 | 一种泡生法生长掺铈钇铝石榴石单晶的方法及高温炉 | CN201310369832.6 | 2013-08-22 | CN103469298A | 2013-12-25 | 梁月山; 马晓晶; 杨莹 |
| 本发明公开了一种泡生法生长掺铈钇铝石榴石系列单晶的方法及高温炉，该单晶可应用于白光LED领域。该单晶的化学式为：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd、Sm中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种。晶体的生长过程包括配料、混料，压料，烧料；调节籽晶；炉体抽真空；以1.5～4KW/h的速率增加加热功率，直至原料全部熔化，保温数小时；下降籽晶，使其下降至熔体液面以上5～10mm，打开晶转，维持转速2～15r/min，再下降籽晶，使其下端接触熔体，开始引晶，放肩；适当调节加热功率，完成晶体生长；调节加热功率降温，在1500℃左右原位退火，之后再次调节加热功率，直至炉内温度降低至室温，开炉取出晶体。 | ||||||
| 118 | 铌酸盐TmyHozBi1-y-zNbO4发光材料及其熔体法晶体生长方法 | CN201310432180.6 | 2013-09-17 | CN103451733A | 2013-12-18 | 王金华 |
| 铌酸盐T1myHozBi1-y-zNbO4发光材料，其特征在于：分子式表示为TmyHozBi1-y-zNbO4，y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。其熔体法晶体生长方法是按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；TmyHozBi1-y-zNbO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。 | ||||||
| 119 | 一种冷心可调的泡生法蓝宝石单晶生长的保温结构 | CN201310379173.4 | 2013-08-28 | CN103451724A | 2013-12-18 | 王庆国; 钱兵; 朱烨; 汪红卫; 鞠星; 李倩 |
| 本发明提供了一种冷心可调的泡生法蓝宝石单晶生长保温结构，采用以钨或钼为材料的金属薄板作热屏，热屏包括水平式热屏和垂直式热屏，各屏之间缝隙用钼条垂直间隔支撑；不锈钢桶与垂直式热屏之间由钼板圆筒间隔分为内、外两层填充区域，内层填充区填充氧化锆（ZrO2）空心泡壳，外层填充区采用垂直钼板间隔成多个垂直小隔间结构，多个小隔间以圆筒轴心呈中心对称结构；根据上炉的冷心偏移方向，在偏移方向一侧的小隔间中填充氧化锆泡壳或插入与该处小隔间同宽的钼板条，加强该侧的保温效果，使冷心向偏移方向的反方向移动，保证冷心位于坩埚的中心位置，提高炉内温场径向的均匀分布，达到方便引晶、减少晶体内部热应力，避免晶体粘锅的效果。 | ||||||
| 120 | 一种节能蓝宝石晶体炉及其使用方法 | CN201310354538.8 | 2013-08-14 | CN103397383A | 2013-11-20 | 宋瑜; 茅陆荣; 李严州; 程佳彪; 张华芹 |
| 本发明公开了一种节能蓝宝石晶体炉及其使用方法，所述节能蓝宝石晶体炉包括带水冷夹套的不锈钢炉筒，带水冷夹套的不锈钢炉盖，带水冷夹套的不锈钢底板，上隔热屏，中隔热屏，侧隔热屏，下隔热屏，加热器，坩埚，坩埚支柱组件，底部隔热组件。底部隔热组件安装在不锈钢底板上侧，其圆形钼板和环形钼支架之间填充氧化锆隔热材料；还包括使用该晶体炉的工作方法。本发明节能蓝宝石晶体炉，能够高效降低蓝宝石晶体生长过程的总能耗，在保证热场稳定性和蓝宝石晶体质量的同时，显著降低蓝宝石晶体的生产成本。 | ||||||
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