| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202056.0 | 2023-09-18 | CN116949558B | 2024-02-13 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石提拉轴及蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：上分轴；下分轴，与上分轴可活动连接；及形变动力件，设于上分轴与下分轴之间，具有伸展推动下分轴相对上分轴移动的触发状态。本发明的优点在于：当需要引晶时，保持上分轴静止，同时形变动力件进入触发状态，形变动力件发生伸展从而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤。在该过程中，形变动力件的伸展和下分轴的移动均不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内温度较低的气体进入蓝宝石晶体生长炉的炉室内而影响炉室内的热场分布，避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。 | ||||||
| 162 | 蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法 | CN202311209635.8 | 2023-09-19 | CN116926661B | 2024-02-06 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉及蓝宝石晶体生长方法，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，包括炉盖和炉壁，炉盖和炉壁围设形成炉室；保温结构，位于炉室内，具有保温盖和保温腔；坩埚，位于保温腔内，具有用于生长蓝宝石晶体的长晶区；及，投料通道，依次贯穿炉盖和保温盖，投料通道所在的轴线位于长晶区外。本发明的优点在于：在使用本发明提供的蓝宝石晶体生长炉时，可以在蓝宝石晶体生长过程中通过投料通道向坩埚内补充氧化铝原料，从而生长出更大尺寸的蓝宝石晶体。 | ||||||
| 163 | 化合物碘化磷酸锡和碘化磷酸锡双折射晶体及制备方法和用途 | CN202110917055.9 | 2021-08-11 | CN113638045B | 2023-11-24 | 潘世烈; 郭靖宇; 韩树娟 |
| 本发明提供一种化合物碘化磷酸锡和碘化磷酸锡双折射晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Sn2PO4I，分子量为459.25，采用固相反应法或真空封装法制备，该晶体的化学式为Sn2PO4I，分子量为459.25，属于正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为a=5.224(2)Å，b=8.069(3)Å，c=15.616(7)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为658.2(5)Å3，采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水热法或室温溶液法生长晶体，其透光范围为380‑3500 nm，双折射率为0.432(3500nm)‑1.041(380nm)之间。本发明所述的碘化磷酸锡双折射晶体机械硬度适中，易于切割、抛光加工和保存；具有较大的双折射率；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜，相位延迟器件和电光调制器件等。 | ||||||
| 164 | 蓝宝石晶体生长炉 | CN202311209618.4 | 2023-09-19 | CN116949562A | 2023-10-27 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，包括：炉体，具有炉盖，炉盖设有第一横移通道；保温结构，包括保温层和保温板；保温层具有顶壁，顶壁设有第二横移通道，第二横移通道和第一横移通道沿同一水平方向延伸；保温板转动连接于顶壁且设有避让通道；坩埚，具有长晶区；投料管，穿设于炉盖和顶壁，投料管的轴线位于长晶区外；蓝宝石提拉轴，能沿第一横移通道水平移动并推动保温板转动，避让通道和第二横移通道在水平面内的正投影始终只有部分重叠且重叠部分覆盖蓝宝石提拉轴在水平面内的正投影。本发明可以通过投料通道补充氧化铝原料以长出更大尺寸的蓝宝石晶体，并能偏心引晶，提高晶体的生长质量。保温板能够提高保温结构的保温性能。 | ||||||
| 165 | 蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202075.3 | 2023-09-18 | CN116949559A | 2023-10-27 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种蓝宝石晶体生长炉，该蓝宝石晶体生长炉包括：炉体，具有炉盖和炉室；蓝宝石提拉轴，包括上分轴和下分轴，上分轴穿设于炉盖，下分轴至少部分位于炉室内且与上分轴可活动地连接；波纹管，套设于上分轴；及动力单元，设于炉体，具有推动下分轴相对上分轴向下移动的触发状态。当需要引晶时，保持上分轴静止，同时动力单元进入触发状态而推动下分轴向下移动，以使籽晶接触熔汤，启动蓝宝石晶体的生长过程，实现引晶。由于波纹管套设于上分轴，在引晶过程中，下分轴的移动不会牵动波纹管，不会导致波纹管发生压缩，从而防止波纹管内较冷的气体进入炉室内而影响炉室内的热场分布，进而避免对蓝宝石晶体的生长产生不利影响。 | ||||||
| 166 | 保温结构及蓝宝石晶体生长炉 | CN202311202055.6 | 2023-09-18 | CN116949557A | 2023-10-27 | 石刚; 宋建军; 王立军; 冯当朝 |
| 本发明涉及一种保温结构及蓝宝石晶体生长炉，该保温结构包括：保温层，具有顶壁和容纳坩埚的保温腔，顶壁开设有用于蓝宝石提拉轴穿设的升降通道，升降通道与保温腔连通；及密封件，连接于顶壁且密封升降通道，包括易熔部和连接易熔部的密封本体，易熔部由助剂制成，密封本体由助剂和/或氧化铝制成，密封本体通过易熔部与顶壁连接。本发明的优点在于：在煮料阶段的前一段时间内，具体是在密封件处的温度上升至易熔部的熔点之前的一段时间内，可以通过密封件密封升降通道，从而防止煮料阶段出现的气态杂质通过升降通道上飘而污染籽晶，进而保证蓝宝石晶体的生长质量。同时也能够提高保温层的保温性能，提高蓝宝石晶体生长炉的煮料效率。 | ||||||
| 167 | 一种蓝宝石单晶炉的隔热屏结构 | CN202310589827.X | 2023-05-24 | CN116837455A | 2023-10-03 | 魏超; 侯绍刚; 马新珂; 宋旭波; 王亚东; 杜迎虎; 曲绍兵; 刘海波; 张娇 |
| 本发明公开了蓝宝石单晶生长技术领域的一种蓝宝石单晶炉的隔热屏结构，包括侧面隔热屏，侧面隔热屏包括隔热层，包括由内到外直径逐渐变大的多层钼筒组成，每层钼筒顶部均连接于上部隔热屏上，由内到外的每层钼筒高度逐渐变长，最外层钼筒连接于上部隔热屏和底部隔热屏之间，保温层，包括由内层陶瓷保温层和外层陶瓷保温层组成的双层陶瓷保温层，内层陶瓷保温层和外层陶瓷保温层之间具有填充区，填充区内设有多层由内到外直径逐渐变大的间隔层，能够增强侧面隔热保温效果，有利于形成均匀的轴向温度梯度，且可控制和改善炉内的轴向温度梯度，从而促进晶体生长过程中凸的液固界面的形成，降低原位退火过程中晶体内部的热应力，提高晶体质量。 | ||||||
| 168 | 蓝宝石籽晶提拉机构及拉晶设备 | CN202210143920.3 | 2022-02-16 | CN116641131A | 2023-08-25 | 李岩; 段世飞; 孔弈人; 高畅; 李博; 李阳 |
| 本申请公开了一种蓝宝石籽晶提拉机构及拉晶设备，涉及蓝宝石拉晶技术领域。所述蓝宝石籽晶提拉机构具体包括：第一热场组件和第二热场组件及定位销；所述第一热场组件与所述第二热场组件沿所述籽晶的提拉方向依次设置，且所述第一热场组件与所述第二热场组件之间通过所述定位销可拆卸连接；其中，所述定位销的数量为至少两个，至少两个所述定位销之间呈预设夹角，且沿所述籽晶提拉方向依次间隔设置。本申请实施例中，至少两个定位销可以使第一热场组件和第二热场组件之间连接更加牢固可靠，两者之间的拆卸及安装也更加简单、快捷。 | ||||||
| 169 | 蓝宝石长晶炉及蓝宝石长晶系统 | CN202210142917.X | 2022-02-16 | CN116641130A | 2023-08-25 | 葛壮; 陈召彬; 李健; 段世飞; 隋士武; 卢维平 |
| 本申请实施例提供了一种蓝宝石长晶炉及蓝宝石长晶系统，涉及泡生法蓝宝石长晶技术领域，旨在解决动力装置的输出轴在加速转动或减速转动过程中，产生的力的变化容易传递给传感器，造成传感器的测量结果不准确的技术问题。蓝宝石长晶炉包括传感器、支撑架以及旋转组件，所述旋转组件包括动力装置和提拉轴，所述动力装置与所述提拉轴的第一端连接，以驱动所述提拉轴转动，所述提拉轴第二端用于附着籽晶；所述旋转组件安装在所述支撑架上，所述支撑架与所述传感器连接，以将所述支撑架的重力以及所述旋转组件上的重力施加在所述传感器上。 | ||||||
| 170 | 一种球形宝石晶体生长设备及其生长方法 | CN202310546189.3 | 2023-05-16 | CN116575112A | 2023-08-11 | 陈周民 |
| 本发明公开了一种球形宝石晶体生长设备，属于晶体生长技术领域，包括：安装台；生长炉组件，所述生长炉组件包括生长炉壳体，所述生长炉壳体的内部设置有钨笼发热体，所述钨笼发热体的内部设置有坩埚，所述生长炉壳体的下方设置有用于对坩埚进行旋转和振动的驱动件，所述生长炉壳体的顶部设置有生长炉盖体，所述生长炉盖体上设置有籽晶棒，所述籽晶棒的底端延伸至坩埚的内部并设置有籽晶；真空组件，所述真空组件通过真空管道与生长炉壳体的内部相连通；温度控制组件，其设置于安装台上，所述温度控制组件用于对钨笼发热体进行控制。由此，能够将熔融状态的混合原料中的气体排出，提升后期宝石结晶的质量。 | ||||||
| 171 | 一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用 | CN202111106058.0 | 2021-09-22 | CN113818078B | 2023-05-26 | 景芳丽; 李悦; 吴以成; 胡章贵 |
| 本发明涉及激光材料技术领域，尤其涉及一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供的铕掺杂硼酸盐激光晶体材料的化学式为：(EuxLa1‑x)2CaB10O19，其中，x的取值范围为：0.001≤x≤0.999。与现有技术相比，本发明具有以下优势：将铕离子掺杂在所述硼酸钙镧晶体中后，具有宽的吸收和荧光光谱，可实现高效的560～720nm波段的大功率激光输出，并且此材料具有良好的非线性光学效应，高的激光损伤阈值。 | ||||||
| 172 | 一种用于大尺寸蓝宝石晶体生长制备装置 | CN202310398638.4 | 2023-04-14 | CN116121879A | 2023-05-16 | 曹建伟; 朱亮; 叶钢飞; 欧阳鹏根; 魏怡凡 |
| 本发明提供了一种用于大尺寸蓝宝石晶体生长制备装置，属于蓝宝石晶体生长制备技术领域，制备组件包括炉体以及用于承接晶体的坩埚，炉体的炉底板上具有托盘，托盘上连接有供坩埚升降的驱动件，加热组件包括加热器以及与加热器相连的第一电极，其中，炉底板的下方设有一升降结构，升降结构可驱动第一电极在炉底板上滑动，以推动加热器进行反复升降动作，第一电极与炉底板相交处设有密封座，密封座上设有易融结构，当坩埚泄露时，其熔融液体可将易融结构融穿，形成排液通道。该装置能够使得晶体内应力及开裂问题得到根本改善和解决，同时，当坩埚发生相应的开裂情况下，使其熔融状态的氧化铝液体排出，避免存储在炉体底壁上。 | ||||||
| 173 | 氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 | CN202111069487.5 | 2021-09-13 | CN113774484B | 2023-05-02 | 张辉; 马可可; 夏宁; 王嘉斌; 刘莹莹; 杨德仁 |
| 本发明提供了一种氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚，涉及氧化镓晶体生长的技术领域，通过采用组合坩埚来制备氧化镓晶体，使氧化镓熔体和铱金坩埚不直接接触，避免铱元素进入氧化镓熔体从而影响氧化镓晶体质量的问题，通过抽空炉内原本气体并充入保护性气体来抑制氧化镓的高温分解，同时也解决了采用铱金坩埚进行氧化镓晶体生长时，坩埚的侧壁和底部会出现密集腐蚀坑，导致铱金坩埚损耗严重的问题，最后制得的氧化镓单晶呈透明状，无明显开裂和气泡，相比采用现有方法制得的氧化镓单晶具有较高的晶体结晶质量的优点。 | ||||||
| 174 | 一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法及蓝宝石 | CN202211647122.0 | 2022-12-21 | CN116024652A | 2023-04-28 | 承刚; 周南浩; 赵鹏; 高崇; 陈建荣; 黄存新; 王颖; 张怡 |
| 本发明公开了一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：⑴取Al2O3和降低蓝宝石吸收系数的物质，将降低蓝宝石吸收系数的物质掺杂入Al2O3形成混合料；⑵将⑴的混合料装入坩埚中；⑶抽真空，升温化料；⑷缩颈及引晶；⑸放肩；⑹等径生长阶段；⑺降温退火取蓝宝石晶体。本发明通过对泡生法工艺地改进，降低了蓝宝石的吸收系数。 | ||||||
| 175 | 晶体生长炉 | CN202211308619.X | 2022-10-25 | CN115821370A | 2023-03-21 | 朱亮; 傅林坚; 张俊; 叶钢飞; 欧阳鹏根; 曹建伟; 阮文星 |
| 本发明涉及一种晶体生长炉，该晶体生长炉包括机架、提拉杆、操纵机构、炉室和密封机构，操纵机构设置于机架，提拉杆设置于操纵机构，操纵机构包括第一输出轴和第二输出轴，第一输出轴用于驱动提拉杆水平移动，第二输出轴用于驱动提拉杆沿着自身轴线转动；炉室包括具有腔体的炉体和盖合于炉体的炉盖，炉盖上设有避让通道，提拉杆穿过避让通道伸入腔体，且避让通道允许提拉杆水平移动；密封机构套设于提拉杆，用于盖封避让通道。本发明的优点在于：通过在炉盖上设置避让通道，从而允许提拉杆水平运动，实现偏心引晶。在晶体生长的过程中，密封机构将避让通道密封，防止外界空气中的氧气等杂质进入炉室，从而保证晶体的生长质量。 | ||||||
| 176 | 晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法 | CN202211442613.1 | 2022-11-18 | CN115635606A | 2023-01-24 | 曹建伟; 朱亮; 张俊; 傅林坚; 石刚; 欧阳鹏根; 叶钢飞; 魏怡凡 |
| 本发明提供一种晶体截断装置、晶体生长设备及晶体截断方法。晶体截断装置包括至少部分设置于晶体生长炉内的连接单元、安装于连接单元的截断单元，截断单元安装于连接单元位于晶体生长炉内的部分；截断单元包括可活动的断晶元件，晶体截断装置还包括连接断晶元件的动力单元，动力单元能够驱动断晶元件活动摩擦晶体，以使晶体接触断晶元件的部位断裂。 | ||||||
| 177 | 保温结构及晶体生长炉 | CN202211459187.2 | 2022-11-18 | CN115491758A | 2022-12-20 | 朱亮; 傅林坚; 张俊; 叶钢飞; 欧阳鹏根; 曹建伟; 阮文星 |
| 本发明涉及一种保温结构及晶体生长炉，晶体生长炉包括坩埚及籽晶轴，籽晶轴能够相对于坩埚沿水平预设方向移动。保温结构包括保温桶及第一保温组件，保温桶具有用于容纳坩埚的保温腔，保温桶的顶壁开设有用于穿设籽晶轴的第一开口；第一保温组件可活动地盖合于第一开口，第一保温组件设有用于穿设籽晶轴的第一通孔，第一保温组件能够在籽晶轴水平移动的过程中始终将第一开口密封，以使得保温腔密封。籽晶轴相对于坩埚沿水平预设方向移动时，籽晶轴能够带动第一保温组件与籽晶轴同步活动，在第一保温组件相对于保温桶活动的过程中，第一保温组件能够始终将第一开口密封，减少籽晶轴的移动对保温桶及炉室内的热场的影响。 | ||||||
| 178 | 晶体生长炉及籽晶更换方法 | CN202211442721.9 | 2022-11-18 | CN115491757A | 2022-12-20 | 曹建伟; 朱亮; 傅林坚; 张俊; 欧阳鹏根; 叶钢飞; 阮文星 |
| 本发明涉及一种晶体生长炉及籽晶更换方法，晶体生长炉包括炉室、籽晶承载件、位置操纵机构和更换辅助件。籽晶承载件位于炉室，包括中空杆和与中空杆连接且连通的籽晶夹头，中空杆用于容置沿着其长度方向依次层叠设置的多个籽晶，籽晶夹头用于夹持籽晶；位置操纵机构活动设置于机构操纵区内；更换辅助件位于机构操纵区内。本发明的优点在于：沿着中空杆的长度方向，中空杆内可以依次层叠设置多个籽晶，籽晶夹头也能夹持一个籽晶，从而通过结构较为简单的籽晶承载件来实现在晶体生长炉的炉室内放置多个籽晶。而且，在籽晶承载件所能携带的籽晶的数量范围内，籽晶数量的增加不会导致籽晶承载件的结构更复杂。 | ||||||
| 179 | 一种晶体生长装置 | CN202210788175.8 | 2022-07-04 | CN115233294A | 2022-10-25 | 何高魁; 王强; 李永; 闫平; 郑玉来; 王国宝; 刘超 |
| 本申请实施例提供一种晶体生长装置，其中，晶体生长装置包括主体、坩埚和籽晶杆。主体具有容纳腔；坩埚可升降地设置在容纳腔内；籽晶杆可移动地穿设在主体的顶部，籽晶杆的一端位于主体的外侧，另一端伸入容纳腔内，用于在坩埚内生长晶体。本申请实施例提供了一种温度梯度的稳定性高的晶体生长装置。 | ||||||
| 180 | 一种用于晶体生长的智能化控制系统 | CN202111629731.9 | 2021-12-28 | CN114318533A | 2022-04-12 | 罗毅; 龚瑞 |
| 本发明公开了一种用于晶体生长的智能化控制系统，属于新材料晶体生长控制技术领域，通过人工智能模块结合数据存储模块内存储的晶体生长过程中的数据，且数据存储模块内存储的数据是专家推荐模块在晶体生产过程中进行控制的数据，数据的参考意义很大；人工智能模块在结合数据存储模块存储的数据时，采用单一变量控制的方式，从加热功率以及提拉速度的角度出发，并结合分析历史数据分析出功率调节范围以及速度调节范围来辅助调节，确保找出最合适的优化提拉速度以及优化加热功率，以便远程控制模块结合人工智能模块通过数据传输模块对晶体生产模块内的执行控制单元发送信号，并远程控制晶体生产炉进行晶体生产，提高生产质量以及生产效率。 | ||||||
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