序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 一种湿润表面的方法 CN201811618764.1 2014-03-14 CN110090560B 2022-05-27 J.A.戈罗夫钦科; B.陆; A.T.宽
发明涉及通过超短电脉冲在原子薄膜中产生纳米孔。在一种形成纳米孔的方法中,使膜的两个相反表面暴露于导电液体环境。通过液体环境,在两个膜表面之间施加具有第一成核脉冲幅度和持续时间的纳米孔成核电压脉冲。在施加纳米孔成核电压脉冲后,测定膜的电导,并与第一预定电导比较。然后,如果测定的电导不大于第一预定电导,则通过液体环境,在两个膜表面之间施加至少一个额外的纳米孔成核电压脉冲。
2 一种环保型金属材料表面处理设备 CN202210137341.8 2022-02-15 CN114507897A 2022-05-17 高雅; 韩佳轩
发明涉及金属处理设备领域,具体的说是一种环保型金属材料表面处理设备,包括顶板,顶板底部滑动连接有升降机构,顶板一侧竖直连接有立板,立板底部设有箱,立板与水箱顶部侧壁固定连接;升降机构包括滑板,滑板顶部与顶板滑动连接,滑板底部固定连接有第一伸缩杆,第一伸缩杆底部固定连接有固定板,固定板底部连接有固定杆和第二伸缩杆,固定杆另一端固定连接有工件底座,第二伸缩杆另一端链接有工件盖板。本发明提供的一种环保型金属材料表面处理设备,解决当处理较大的筒状工件且工件上毛刺较多时,需要使用更多的喷头,而且去除毛刺的时间会延长较多,当电解液中有较多杂质以后,也会影响去除毛刺的效率的问题。
3 通过超短电脉冲在原子薄膜中产生纳米孔 CN201811618764.1 2014-03-14 CN110090560A 2019-08-06 J.A.戈罗夫钦科; B.陆; A.T.宽
发明涉及通过超短电脉冲在原子薄膜中产生纳米孔。在一种形成纳米孔的方法中,使膜的两个相反表面暴露于导电液体环境。通过液体环境,在两个膜表面之间施加具有第一成核脉冲幅度和持续时间的纳米孔成核电压脉冲。在施加纳米孔成核电压脉冲后,测定膜的电导,并与第一预定电导比较。然后,如果测定的电导不大于第一预定电导,则通过液体环境,在两个膜表面之间施加至少一个额外的纳米孔成核电压脉冲。
4 激光烧结牙齿修复物及制造方法 CN201380036083.3 2013-05-10 CN104427955B 2018-09-28 戴维·毕比
一种电化学处理方法,所述方法包括:获取由粉末材料逐层地形成的处于初始状态的物品,所述物品包括至少一个产品(例如,牙齿修复物);以及对所述至少一个产品(例如,牙齿修复物)的至少选定区域进行电化学处理,从而使至少所述选定区域变光滑。
5 固体化物的加工方法及其装置 CN201280060235.9 2012-12-05 CN104023889B 2017-04-12 山内和人
发明提供一种能够不使用一切以稀土为主的研磨剂、研磨颗粒,并且不使用一切氟化氢等操作困难、环境负担大的溶液,对光学玻璃材料等固体化物可以不导入加工变质层而进行加工的固体氧化物的加工方法及其装置。在(1)的存在下,以通过氧结合了1种或2种以上的元素的固体氧化物作为被加工物,作为加工基准面(3)使用帮助水分子解离、切断构成固体氧化物的氧元素与其它元素的反向键并吸附、通过水解生成分解产物的催化剂物质,在水的存在下,使被加工物(5)与加工基准面接触或配置得非常接近,使加工基准面的电位为不产生H2和O2的范围,使被加工物与加工基准面相对运动,从被加工物表面除去分解产物。
6 微纳加工方法和设备 CN201210284722.5 2012-08-10 CN102766892B 2015-04-29 张为国; 史浩飞; 董小春; 夏良平; 杜春雷
发明公开了一种微纳加工方法和设备。采用待加工衬底的各项参数,并依据导体表面电场分布方式确定电极板的结构;然后根据该电极板的结构和待加工衬底上预加工微纳结构指标确定电化学溶液;再将分别连接电流源的阳极阴极的电极板与衬底按照相对方式放置于电化学溶液中,通电后,在预设时间内搅拌所述电化学溶液,利用该电化学溶液中的载流子制备位于所述衬底上符合所述预设指标的微纳结构。本发明通过控制待微纳加工的衬底表面静电场分布来控制电化学溶液中的反应离子,最终在该衬底上制备出具有一定面形分布的微纳结构。从而实现利用静电场操控三维及曲面衬底微纳结构低成本、高效率、高精度成形的目的。
7 固体化物的加工方法及其装置 CN201280060235.9 2012-12-05 CN104023889A 2014-09-03 山内和人
发明提供一种能够不使用一切以稀土为主的研磨剂、研磨颗粒,并且不使用一切氟化氢等操作困难、环境负担大的溶液,对光学玻璃材料等固体化物可以不导入加工变质层而进行加工的固体氧化物的加工方法及其装置。在(1)的存在下,以通过氧结合了1种或2种以上的元素的固体氧化物作为被加工物,作为加工基准面(3)使用帮助水分子解离、切断构成固体氧化物的氧元素与其它元素的反向键并吸附、通过水解生成分解产物的催化剂物质,在水的存在下,使被加工物(5)与加工基准面接触或配置得非常接近,使加工基准面的电位为不产生H2和O2的范围,使被加工物与加工基准面相对运动,从被加工物表面除去分解产物。
8 一种低成本无损转移石墨烯的方法 CN201110154465.9 2011-06-09 CN102719877B 2014-09-03 任文才; 高力波; 马来鹏; 成会明
发明涉及石墨烯的转移技术,具体为一种低成本无损转移石墨烯的新方法。该方法采用表面覆盖有转移介质的石墨烯和初始基体作为电极,将其放置于电解液中,利用电解过程中在石墨烯电极表面所产生的气泡的推动及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损分离,然后将覆盖有转移介质的石墨烯无损结合到目标基体表面,去除转移介质后实现石墨烯到目标基体的无损转移。该转移方法对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗,基体可重复使用,并且操作简便、速度快、易于调控、无污染,有望实现规模化放大,因此可作为一种低成本转移高质量石墨烯的理想方法,为石墨烯材料在透明导电材料、电子器件材料以及传感器材料等领域的广泛应用奠定了基础
9 一种低成本无损转移石墨烯的方法 CN201110154465.9 2011-06-09 CN102719877A 2012-10-10 任文才; 高力波; 马来鹏; 成会明
发明涉及石墨烯的转移技术,具体为一种低成本无损转移石墨烯的新方法。该方法采用表面覆盖有转移介质的石墨烯和初始基体作为电极,将其放置于电解液中,利用电解过程中在石墨烯电极表面所产生的气泡的推动及气体插层作用将石墨烯与初始基体无损分离,然后将覆盖有转移介质的石墨烯无损结合到目标基体表面,去除转移介质后实现石墨烯到目标基体的无损转移。该转移方法对石墨烯及其初始基体均无任何破坏和损耗,基体可重复使用,并且操作简便、速度快、易于调控、无污染,有望实现规模化放大,因此可作为一种低成本转移高质量石墨烯的理想方法,为石墨烯材料在透明导电材料、电子器件材料以及传感器材料等领域的广泛应用奠定了基础
10 导电性金属化物薄膜除去方法以及装置 CN200680027925.9 2006-07-31 CN101233088B 2012-03-28 大工博之; 井上铁也
发明提供不留伤痕或应变形等地除去导电性金属化物薄膜的方法以及装置。所述装置具有以一端浸渍于电解液17的状态配置的第1电极18;以浸渍于加工槽16内的电解液17的基材12的导电性金属有机物薄膜11为负极的条件,以一端浸渍于电解液17的状态配置,所述一端与导电性金属氧化物薄膜11相对的第2电极13;以该第2电极13为正极、且第1电极18为负极的条件施加直流电压的电源14。在两电极13、18上施加交流电压,通过还原反应除去导电性金属氧化物氧化物薄膜11。本发明可以将导电性金属氧化物氧化物薄膜不发生损伤或应力变形地高效率地除去,能够实现高价的功能性玻璃基板等的再生利用。
11 背压式电解刻蚀加工装置 CN201110329535.X 2011-10-26 CN102383175A 2012-03-21 丁宇; 范会玉; 苏会丽; 张芹梅; 郝文龙; 温明; 王世龙; 张丽; 陶现宾
发明提供一种背压式电解刻蚀加工装置。其包括一个背压式电解液槽,在背压式电解液槽上方固定上盖;背压式电解液槽的一侧槽壁上部开有电解液出口,另一侧槽壁下部开有电解液进口,所述的电解液出口的口径小于电解液进口的口径;阴极板设置在背压式电解液槽内、固定在背压式电解液槽底部;在背压式电解液槽内、阴极板对应的上方位置处,设置固定在上盖下方的底座,底座下端面开设凹槽,待电解刻蚀的零件固定放置在该凹槽内;导电螺柱二依次穿过上盖、底座连接至放置在凹槽内的待电解刻蚀零件处,导电螺柱二通过螺母二固定在上盖上。本发明装置可实现电解刻蚀深度均匀一致,满足产品的高精度加工要求,装置简单,可靠,原材料成本低廉,易实现。
12 电解去毛刺溶液、其制备方法及使用方法 CN201010139099.5 2010-04-02 CN101812719B 2012-01-04 刘同华; 钱国辉
发明公开了一种低电解去毛刺溶液,其特征在于,在溶液含有的组分的浓度为:氢80~100g/L;醋酸钠5~30g/L;阴离子表面活性剂0.01~0.08g/L。本发明具有有益效果:本发明中的低碱度电解去毛刺溶液,使碱在浓度降低50%的情况下,仍具有相同的去毛刺能。碱使用量少,减少了碱等有毒有害物质的使用,同样有毒有害物质的排放量也会减少,对环境危害的程度会降低,采用醋酸钠,可以生产无磷化的去毛刺溶液,对环境的污染小。
13 一种实验室用金相样品电解腐蚀装置及电解腐蚀方法 CN201110091347.8 2011-04-12 CN102168298A 2011-08-31 刘嘉斌; 刘向海; 陈洋; 朱凌涛; 刘薇; 舒康颖
发明公开了一种实验室用金相样品电解腐蚀装置,包括阴极电解槽、带孔的电解槽盖、电解液储存槽、压输液塞和阴极板等。将金相样品工作面对准电解槽盖孔洞处放置,注入电解液,推动压力输液塞使金相样品工作面与电解液充分接触;采用一定的电压电流,工作一定时间即可实现对金相试样的电解腐蚀。本发明电解槽和电解槽盖均采用透明玻璃制成,可以实时监控金相样品的电解抛光腐蚀过程,便于优化工艺参数。配备多种开孔尺寸的电解槽盖满足不同尺寸样品的需求。该装置未包含任何电气设施,成本低廉、操作简便、重复性好、易推广实用,可满足实验室对不同尺寸金相样品电解腐蚀的要求。
14 一种多工序组合的超细钼丝连续加工方法及设备 CN200810150937.1 2008-09-12 CN101368287B 2010-08-04 李争显; 杜继红; 黄春良; 杨升红; 潘晓龙; 姬寿长
发明公开了一种多工序组合的超细钼丝连续加工方法,该方法包括以下步骤:(a)横向并排均匀布设多个装有NaOH溶液的电解槽且其外部充氢保护,相邻两电解槽的极性相反;(b)高温腐蚀减径、消除应退火和直化:将待加工钼丝拉直后,以V=1~50m/min的行进速度依次从多个电解槽中横向穿过且加热温度至800~1100℃。其加工设备包括多个电解槽、保护装置、放卷器、牵引机构及与电解槽相接的电源;保护装置上设置有氢气进出气口且其内部氢气的流动方向与待加工钼丝的移动方向一致。本发明工序步骤简单、设备结构简单且控制操作简便,能将钼丝的高温腐蚀减径、消除应力退火和直化三种不同工序有效组合为一体并实现连续加工。
15 用于基板的金属层减厚方法及电解 CN200910003356.X 2009-01-16 CN101781790A 2010-07-21 翁肇甫; 王昱祺
发明公开一种用以将金属层减厚的电解槽,其包含一电解液及至少一对阳极阴极。所述阳极及阴极都位于所述电解液内,其中所述阳极具有一圆柱滚轮的外形,且所述金属层接触所述阳极。
16 一种不锈表面装饰方法 CN200710151500.5 2007-10-24 CN101417578A 2009-04-29 赵万里; 李爱华; 陈梁
一种不锈表面装饰方法,该方法包括将图案印制到不锈钢表面上,然后进行抛光,其中,所述抛光为等离子抛光。本发明提供的不锈钢表面装饰方法通过采用一步等离子抛光代替现有技术中的蚀刻、化学抛光和电化学抛光,大大简化了生产过程,整个生产过程所需时间更短,生产效率更高,而且减小了对环境的污染,节省了配制溶液的费用及后处理的费用,所得金属制品的表面更光亮,可以工业化生产制作表面具有图案的不锈钢制品。由于所得金属制品的图案与金属制品基材为一体的,因而耐磨性非常好。
17 清除构件表面区域的设备和方法 CN03807726.4 2003-03-21 CN100379900C 2008-04-09 D·克特费尔利西; R·赖歇; J·施泰因巴赫; M·德福赫拉勒
现有技术使用电化学方法清除金属组分的表面区域。通过使用电流脉冲发生器(16)而加速了电化学过程。
18 用于在通过式设备中电化学处理构件的方法和装置 CN200610003315.7 2006-02-05 CN1824842A 2006-08-30 T·科西科夫斯基
发明涉及一种用于通过式处理设备中电解处理平坦构件—如印刷电路板和印刷电路膜—的一种方法和一种装置。在完全面或形成表面上和通孔与盲孔中对这种处理物体进行均匀的处理。还要对盲孔进行填充。为了实现这个目的,与脉冲电流和确定电解液流动方向相结合,本发明采用特别大的、上至600mm的阳极/阴极距离(20,21)。
19 电解加工装置和方法 CN03802888.3 2003-01-31 CN1625612A 2005-06-08 白樫充彦; 粂川正行; 安田穗积; 小畠严贵; 锅谷治
发明涉及一种电解加工装置和方法,其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料,或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源,其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分,电源向每个分隔的电极部分施加电压,并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流
20 不锈基材处理 CN01813858.6 2001-07-24 CN1446383A 2003-10-01 戴维·罗纳德·霍奇森
由电化学和/或化学化处理如循环伏安法处理待用于电化学电池燃料电池的不锈组件,以改进表面特性、即表面组成和/或形态,并因此降低与组件表面相关的界面电阻
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