| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 锍盐、抗蚀剂材料及图案形成方法 | CN202311428632.3 | 2023-10-31 | CN117986229A | 2024-05-07 | 大桥正树; 畠山润; 山平达也; 须田祐贵 |
| 本发明涉及锍盐、抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明提供为正型、负型皆是高感度且LWR、CDU有所改善的抗蚀剂材料、及使用此抗蚀剂材料的图案形成方法。下式(1)表示的锍盐、及包含该锍盐的抗蚀剂材料。 | ||||||
| 2 | 一种实现亲核试剂氘代甲基化的方法 | CN202410097682.6 | 2024-01-24 | CN117946067A | 2024-04-30 | 郭凯; 陈志伟; 邱江凯; 袁鑫; 覃龙州; 朱姗姗; 孙昊; 段秀; 刘纪康; 范海滨; 吕浩; 王颖 |
| 本发明属于化学合成领域，涉及一种实现亲核试剂氘代甲基化的方法。本发明提供了一种氘代甲基化试剂，甲酸与氘代甲醇在酸的作用下进行第一反应后，再与噻蒽、三氟甲磺酸进行第二反应，即得。将亲核试剂与权利要求1所述的氘代甲基化试剂、碱、溶剂混合后进行反应，即得到氘代甲基化产物。本发明提供了一种新型的实现亲核试剂氘代甲基化的方法，通过将亲核试剂和5‑氘代甲基‑5H‑噻吩‑5‑鎓三氟甲磺酸盐用适当的溶剂溶解后，加入碱，在常温条件下可以实现亲核试剂的氘代甲基化反应。本发明提供的方法中，亲核试剂甲基化后产物的产率可达52％～95％。 | ||||||
| 3 | 噻蒽衍生物、使用其制备的氧气传感薄膜器件及其应用 | CN202110842413.4 | 2021-07-26 | CN115677657B | 2024-04-02 | 杨兵; 杨志强; 刘海超 |
| 本发明涉及一类噻蒽衍生物、使用其制备的氧气传感薄膜器件及其应用。所述噻蒽衍生物具有下式I表示的结构。本发明的噻蒽衍生物材料具有制备与应用方便、检测灵敏、重复性好、成本低廉、环境友好等特点。#imgabs0# | ||||||
| 4 | 一种制备硫代交酯的方法 | CN202210511736.X | 2022-05-12 | CN114805298B | 2024-02-09 | 陶友华; 陈金龙 |
| 本发明涉及一种制备硫代交酯的方法，属于有机合成技术领域。解决现有硫代交酯制备技术中，需要加入等当量甚至过量的脱水试剂，导致废弃物较多，目标产物难以分离纯化等问题。本发明的方法是以α‑巯基酸为原料，在加热条件及催化剂作用下，直接脱水生成环状硫代交酯及巯基酸低聚物。通过直接升华或蒸馏及解聚后再次升华或蒸馏的方式可制备出高纯度的环状硫代交酯。本发明中的制备方法简单，产物收率高，溶剂可重复利用，废弃产物少，是一种高效、高纯度的硫代交酯制备方法，适合于工业化生产。 | ||||||
| 5 | 一种α-酮酸类化合物的羧基碳同位素标记方法 | CN202311327145.8 | 2023-10-13 | CN117383997A | 2024-01-12 | 孔端阳; 杜宝扬; 刘霞; 甯靖然 |
| 本发明涉及一种α‑酮酸类化合物的羧基碳同位素标记方法，其特征在于光催化过程如下：底物1中，R为苯基、卤代苯基、C1～C8烷基取代的苯基、C1～C8烷氧基取代的苯基、硝基取代的苯基、氰基取代的苯基、三氟甲基取代的苯基基；X为S、O；、PG2‑为萘基(CH、2)2n‑，吡啶基n＝2‑7、；2*C‑噻吩基为碳同位素、2‑吡嗪基，包括、11CC1～、13CC8、烷14C。在N2氛围下，向反应瓶中加入底物1、碱、光催化剂和溶剂，用真空泵抽出N2，充入*CO2气体，将反应瓶置于蓝光LED灯下，室温搅拌反应，待反应结束后，停止光照。经酸碱萃取得到中间体2，计算产率。将中间体2溶于溶剂，加入脱保护催化剂(按与中间体2为5:1关系计算用量)，0℃搅拌反应，减压脱除溶剂，经硅胶柱层析分离得到目标产物同位素标记的α‑酮酸3，计算产率，通过质谱计算同位素标记率。本发明制备的目标产物收率高达100％，同位素标记率高达78％，提纯难度小，适合工业放大生产，也符合绿色化学要求。 | ||||||
| 6 | 一种α-硫辛酸中间体化合物及其制备方法 | CN202210782159.8 | 2022-07-01 | CN117362269A | 2024-01-09 | 刘忠; 朱国; 时江华 |
| 本发明属于医药化工领域，具体涉及一种α‑硫辛酸中间体化合物及其制备方法。本发明以2,2‑二甲基‑1,3‑二噻烷‑1‑氧化物和3‑氧代戊‑4‑烯酸乙酯为起始物料，在催化剂的作用下反应得α‑硫辛酸新中间体化合物5‑(2,2‑二甲基‑3‑氧化物‑1,3‑二噻烷)‑3‑羟基‑戊酸乙酯，该新中间体经过消除、水解可得高纯度α‑硫辛酸，以该工艺制备α‑硫辛酸，可以避免强氧化剂及危险化学品的使用，所得终产品纯度高，工艺稳定，适合大量的工业化生产。 | ||||||
| 7 | 一种合成芳基及烯基锍盐的方法 | CN202210303743.0 | 2022-03-24 | CN114634481B | 2023-10-27 | 王鹏; 陈小月 |
| 本发明公开了一种合成芳基及烯基锍盐的方法。具体公开了一种如式I所示的化合物的制备方法，其包含如下步骤：在溶剂中，在[Cu]的作用下，将如式II或如式II’所示的化合物与如式III所示的化合物进行反应，得到如式I所示的化合物，即可。克服现有技术中在合成芳基噻蒽锍盐时，存在的底物局限性和反应选择性的问题，提供一种铜介导芳基硼类化合物或烯基硼类化合物合成锍盐的方法及应用。#imgabs0# | ||||||
| 8 | 鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法 | CN202011454985.7 | 2020-12-10 | CN113045465B | 2023-06-23 | 藤原敬之; 及川健一; 小林知洋; 福岛将大 |
| 本发明涉及鎓盐化合物、化学增幅抗蚀剂组成物、以及图案形成方法。本发明的课题是提供在以KrF准分子激光、ArF准分子激光、电子束、极紫外线等高能量射线作为光源的光学光刻中，为高感度，且CDU、LWR等光刻性能优异的化学增幅抗蚀剂组成物；并提供其所使用的酸扩散抑制剂、及使用该化学增幅抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为下式(1)表示的鎓盐化合物、由该鎓盐化合物构成的酸扩散抑制剂、及含有该酸扩散抑制剂的化学增幅抗蚀剂组成物。 | ||||||
| 9 | 一种亚砜还原合成硫醚类化合物的方法 | CN202211584749.6 | 2022-12-11 | CN116178225A | 2023-05-30 | 刘祈星; 范吉霞; 杜一凡; 肖楷; 叶先凤; 周海峰 |
| 本发明涉及化学合成技术领域，一种亚砜还原合成硫醚类化合物的方法：(1)该方法以芳基烷基亚砜化合物为原料，四羟基二硼为还原剂介导还原得到芳基烷基硫醚、噻吩等产物；(2)该方法不使用催化剂，还原亚砜得到产物。本发明提供硫醚的合成方法，在空气中或密闭空气中将亚砜还原合成硫醚化合物粗品；本发明操作简便，底物适应性广，具有无催化剂、反应条件温和、廉价易得、收率高(92‑99%)，后处理简单等特点，具有较好的应用前景。 | ||||||
| 10 | 一种利用微通道反应装置制备S-重氮烷烃类化合物的方法 | CN202111668428.X | 2021-12-31 | CN114315793B | 2023-05-23 | 郭凯; 覃龙州; 邱江凯; 袁鑫 |
| 本发明公开了一种利用微通道反应装置制备S‑重氮烷烃类化合物的方法，将含式Ⅱ所示的亚砜类化合物和式Ⅲ所示的重氮类化合物的第一反应液，与含有三氟甲磺酸酐的第二反应液于微通道反应装置中反应，即得含有式Ⅰ所示S‑重氮烷烃类化合物的反应液。本发明中涉及的反应是一种全新的合成S‑重氮烷烃类化合物的方法，该反应产率高、反应条件温和、操作简单，并且具有很好的放大合成潜能。 | ||||||
| 11 | 一种基于芴的三芳胺类化合物及其在有机电致发光器件中的应用 | CN202310060201.X | 2023-01-17 | CN116041243A | 2023-05-02 | 何睦; 王湘成; 王鹏 |
| 本发明涉及有机电致发光材料领域，特别是涉及一种基于芴的三芳胺类化合物及其在有机电致发光器件中的应用。所述三芳胺类化合物的化学结构为本发明的基于芴的三芳胺类化合物，合成简便，分子结构稳定，具有优良的空穴传输性质与电子阻挡能力，通过连接不同取代基团可应用于多种色光的空穴传输层材料，能够降低器件成本，提高器件的发光效率与使用寿命。 | ||||||
| 12 | 一种Psammaplin A类衍生物及其制备方法和应用 | CN202211403460.X | 2022-11-10 | CN115925675A | 2023-04-07 | 邱培菊; 江涛; 尹瑞娟; 杨金波; 姜玉坤; 付磊 |
| 本发明公开了一种Psammaplin A类衍生物及其制备方法和应用。所述Psammaplin A类衍生物的结构式如式(I)或(Ⅱ)所示： 其中，R1为芳香环、杂环或其取代杂环；R2为H或C1‑5烷基，R3为H或C1‑5烷基；X为H或C1‑5烷基或C3‑5环烷基或芳香环、杂环或其取代杂环；Y为S或Se或Te，Z为S或Se或Te；n＝1～5。本发明的Psammaplin A衍生物具有很好的稳定性，对IDH1/R132H突变酶活具有显著的抑制活性，而对IDH1/WT野生型酶活没有明显影响，且对多种肿瘤细胞株的增殖具有抑制活性，继而达到抑制肿瘤生长的作用，为开发抗肿瘤药物提供了重要参考。 | ||||||
| 13 | 噻蒽衍生物、使用其制备的氧气传感薄膜器件及其应用 | CN202110842413.4 | 2021-07-26 | CN115677657A | 2023-02-03 | 杨兵; 杨志强; 刘海超 |
| 本发明涉及一类噻蒽衍生物、使用其制备的氧气传感薄膜器件及其应用。所述噻蒽衍生物具有下式I表示的结构。本发明的噻蒽衍生物材料具有制备与应用方便、检测灵敏、重复性好、成本低廉、环境友好等特点。 | ||||||
| 14 | 一种硫化异丁烯的制备方法 | CN202210961731.7 | 2022-08-11 | CN115246758A | 2022-10-28 | 谢天明; 丁国来; 高明智; 颜梦秋 |
| 本发明提供一种硫化异丁烯的制备方法，液态单质硫和异丁烯在化合物NHXR(3‑X)的催化作用下反应得到硫化异丁烯，其中，X为0、1、2或3，R为取代或未取代的C1‑C6的烃基，R的取代基为‑OH和/或‑NH2，所述取代基为单取代或多取代。该方法具有简单可控、安全性高和产物硫含量高的优点。 | ||||||
| 15 | 鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法 | CN201910920497.1 | 2019-09-27 | CN110963952B | 2022-10-21 | 大桥正树; 本田和也; 须贺祐辉; 计良祐纪 |
| 本发明涉及鎓盐、抗蚀剂组合物和图案形成方法。提供具有式(1)的新型鎓盐和包含该鎓盐作为猝灭剂的抗蚀剂组合物。当使用高能辐射通过光刻法加工抗蚀剂组合物时，形成抗蚀剂图案，其在LWR和CDU方面得到改善。在式(1)中，R1、R2和R3各自为含有除氟以外的杂原子的C1‑C20一价烃基，Z+为锍、碘鎓或铵阳离子。 | ||||||
| 16 | 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 | CN202180016486.6 | 2021-02-16 | CN115151864A | 2022-10-04 | 畠山直也; 福崎英治; 吉野文博 |
| 本发明提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、通过上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有(A)树脂及(B)通过光化射线或放射线的照射产生酸的由特定的通式(1)表示的化合物。 | ||||||
| 17 | 一种有机电致发光化合物及其制备方法和应用 | CN202110405830.2 | 2021-04-15 | CN113105440B | 2022-10-04 | 王辉; 李小龙; 李明; 李建行; 段伟伟; 刘志远; 马晓宇 |
| 本发明公开了一种有机电致发光化合物及其制备方法和应用，属于有机光电材料领域，所述有机电致发光化合物的分子结构通式由式1表示：其中，所述式Ⅰ中：X与Y各自独立地选自连接键、O或S；Ar1‑Ar2位于所在环的任意位置，独立地选自氢、氘、卤素、氰基、胺基、取代或未取代的C1‑C30的烷基、取代或未取代的C2‑C30杂环基胺基、取代或未取代的C3‑C30的环烷基胺基、取代或未取代的3元‑30元的杂环基、取代或未取代的C6‑C30芳基；取代或未取代的4元‑30元芳族杂环基、取代或未取代的C6‑C30芳基氨基；取代或未取代的C3‑C30杂芳基氨基、取代或未取代的C10‑C30的稠环基；相同分子中的两个或更多个取代基Ar1和Ar2可以具有不同含义。本发明得到的有机电致发光化合物应用于有机电致发光器件。 | ||||||
| 18 | 一种制备硫代交酯的方法 | CN202210511736.X | 2022-05-12 | CN114805298A | 2022-07-29 | 陶友华; 陈金龙 |
| 本发明涉及一种制备硫代交酯的方法，属于有机合成技术领域。解决现有硫代交酯制备技术中，需要加入等当量甚至过量的脱水试剂，导致废弃物较多，目标产物难以分离纯化等问题。本发明的方法是以α‑巯基酸为原料，在加热条件及催化剂作用下，直接脱水生成环状硫代交酯及巯基酸低聚物。通过直接升华或蒸馏及解聚后再次升华或蒸馏的方式可制备出高纯度的环状硫代交酯。本发明中的制备方法简单，产物收率高，溶剂可重复利用，废弃产物少，是一种高效、高纯度的硫代交酯制备方法，适合于工业化生产。 | ||||||
| 19 | 一种合成芳基及烯基锍盐的方法 | CN202210303743.0 | 2022-03-24 | CN114634481A | 2022-06-17 | 王鹏; 陈小月 |
| 本发明公开了一种合成芳基及烯基锍盐的方法。具体公开了一种如式I所示的化合物的制备方法，其包含如下步骤：在溶剂中，在[Cu]的作用下，将如式II或如式II’所示的化合物与如式III所示的化合物进行反应，得到如式I所示的化合物，即可。克服现有技术中在合成芳基噻蒽锍盐时，存在的底物局限性和反应选择性的问题，提供一种铜介导芳基硼类化合物或烯基硼类化合物合成锍盐的方法及应用。 | ||||||
| 20 | 化合物、聚合性组合物、聚合物、全息记录介质、光学材料以及光学部件 | CN202080075618.8 | 2020-11-16 | CN114616228A | 2022-06-10 | 清水尧纪; 矢部晃子; 山下修治; 大谷鹰士; 石川达也 |
| 本发明提供一种化合物，其由下式(1)所表示。[式中，R1表示氢原子或甲基。R2表示具有或不具有取代基的芳香环基、或者被具有或不具有取代基的芳香环基所取代的烷基。X1表示(硫代)酯键、(硫代)碳酸酯键、(硫代)酰胺键、(硫代)氨基甲酸酯键、(硫代)脲键或(硫代)醚键、或者氧、硫或者具有或不具有取代基的氮原子。X2表示氧、硫或者具有或不具有取代基的氮原子。A表示具有或不具有取代基的2价基团。L表示具有或不具有取代基的(m+1)价连接基团。m表示1～3的整数。n表示0或1。] | ||||||
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