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一种高可靠晶体管结构分析方法

阅读:739发布:2023-01-08

专利汇可以提供一种高可靠晶体管结构分析方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于晶体管可靠性验证技术领域,具体涉及一种高可靠晶体管结构分析方法;首先,对于应用于航天型号的晶体管产品、其结构往往是非常复杂的,要了解和掌握这种结构复杂的产品,就必须进行结构单元的分解,根据影响晶体管的固有 质量 和可靠性的程度,给出各结构单元对应的结构要素;其次,通过各个单元已辨识的结构要素,依据GJB548B‑2005标准,选择每种结构要素的评价试验方法;该方法对于晶体管使用方而言,该方法可以衡量和比较晶体管的质量和可靠性,发现潜在的失效机制,避免使用存在隐患的晶体管、避免使用由于晶体管固有可靠性问题导致的整机失效而带来的损失;对于晶体管制造方而言,通过该方法监控其生产工艺,找到引起晶体管潜在失效的工艺。,下面是一种高可靠晶体管结构分析方法专利的具体信息内容。

1.一种高可靠晶体管结构分析方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
步骤一、将高可靠晶体管分解成5类结构类别,分别是形态、封装、内部互联、内部环境和芯片,5类结构类别分解成结构单元;其中:
(1)高可靠晶体管形态结构类别的结构单元为:标识、外形尺寸和重量;
(2)高可靠晶体管封装结构类别的结构单元为:外引线、底座、管帽、外引线-底座连接界面、管帽-底座连接界面;
(3)高可靠晶体管内部互联结构类别的结构单元为:内引线和键合;
(4)高可靠晶体管内部环境结构类别的结构单元为:内部气氛和内部多余物;
(5)高可靠晶体管芯片结构类别的结构单元为:芯片安装和芯片结构;
步骤二、(1)对标识结构单元的完整性、工艺和清晰度结构要素,外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理和结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理和外形结构要素,以及管帽-底座连接界面结构单元的封接工艺和封接环表面处理结构要素进行外部目检评价;
(2)对外形尺寸结构单元的尺寸结构要素和重量结构单元的重量结构要素,管帽结构单元的外形结构要素,以及内引线结构单元的引线尺寸结构要素进行测量评价;
(3)对管帽-底座连接界面结构单元的封接工艺结构要素,内引线结构单元的引线弧度结构要素,内部多余物结构单元的内部多余物结构要素以及芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行X射线照相评价;
(4)对外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,以及管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行X射线荧光测试评价;
步骤三、判断标识结构单元的打标工艺,如果是油墨打标工艺,则对标识结构单元的牢固度结构要素进行耐油剂试验评价,然后将样品高可靠晶体管分为A、B、C三组,分别继续后续评价步骤;如果是激光打标工艺,则将样品高可靠晶体管分为A、B、C三组,分别继续后续评价步骤;
步骤四、(1)对A组样品的外引线-底座连接界面结构单元的安装强度结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行热冲击评价;
(2)对A组样品的内部多余物结构单元的内部多余物结构要素进行PIND评价;
(3)对A组样品的芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行恒定加速度评价;
(4)对A组样品的内引线结构单元的引线间距结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行随机振动评价;
步骤五、(1)将A组样品分为A1、A2、A3三组,分别对外引线-底座连接界面结构单元的安装强度结构要素进行引出端强度试验,外引线结构单元的表面处理结构要素进行引线涂覆附着试验,以及外引线结构单元的引线材料结构要素进行引线疲劳试验;
(2)对A组样品的管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行密封试验评价;
(3)对A组样品的外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,及管帽结构单元的表面处理结构要素进行耐湿试验评价;
(4)对A组样品的内部气氛结构单元的气体成分及含量结构要素进行内部汽含量评价;
步骤六、对B组样品的外引线结构单元的可焊性结构要素进行可焊性试验评价;
步骤七、(1)对C组样品的激光打标的标识结构单元的牢固性结构要素,外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行盐气试验评价;
(2)对C组样品的内部气氛结构单元的气体成分及含量结构要素进行露点试验评价;
步骤八、对A、B、C三组样品的底座结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的外形结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装工艺结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装结构结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素,内引线结构单元的引线弧度结构要素,内引线结构单元的引线间距结构要素,键合结构单元的工艺结构要素,内部多余物结构单元的内部多余物结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素,芯片结构结构单元的钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素进行内部目检评价;
步骤九、将步骤八中的A、B、C三组样品合并后重新分为D1、D2、D3、D4四组:
(1)首先,对D1组样品的键合结构单元的强度和一致性结构要素进行键合拉力评价;
其次,对D1组样品的芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行芯片剪切力试验评价;
(2)首先,对D2组样品的底座结构单元的表面处理和结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装工艺和安装结构结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理和封接结构结构要素,键合结构单元的工艺结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素,芯片结构结构单元的钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素进行SEM评价;
其次,对D2组样品的外引线结构单元的引线材料结构要素,底座结构单元的基体材料结构要素,管帽结构单元的材料结构要素,内引线结构单元的引线材料结构要素进行能谱分析评价;
(3)对D3组样品的芯片结构单元的钝化层工艺、材料和完整性结构要素进行钝化层完整性评价;
(4)对D4组样品的芯片结构单元的金属互连材料、结构及质量结构要素进行薄膜腐蚀试验评价。
2.根据权利要求1所述的一种高可靠晶体管结构分析方法,其特征在于:
所述的标识结构单元包括完整性、工艺、牢固性和清晰度四个结构要素;所述的外形尺寸结构单元包括尺寸结构要素,重量包括重量结构要素;
所述的外引线结构单元包括引线材料、表面处理和可焊性三个结构要素,底座包括基体材料、表面处理和结构外形三个结构要素;所述的管帽结构单元包括材料、表面处理和外形三个结构要素;所述的外引线-底座连接界面结构单元包括安装工艺、安装结构和安装强度三个结构要素;所述的管帽-底座连接界面结构单元包括封接工艺、封接环表面处理和封接结构三个结构要素;
所述的内引线结构单元包括引线材料、引线尺寸、引线弧度和引线间距四个结构要素;
所述的键合结构单元包括工艺、强度和一致性三个结构要素;
所述的内部气氛结构单元包括气体成分及含量结构要素;所述的内部多余物结构单元包括内部多余物结构要素;
所述的芯片安装结构单元包括安装工艺及质量结构要素;所述的芯片结构结构单元包括钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠晶体管结构分析方法,其特征在于:该方法还包括确定待分析的高可靠晶体管所应满足的力学条件、环境条件、安装条件方面的指标,该指标作为标准评价试验方法选择的辅助条件;其中:
(1)力学条件为高可靠晶体管应用面临的振动、冲击、加速度力学条件指标;
(2)环境条件为高可靠晶体管应用面临的温度、湿度、盐气、空间辐射指标;
(3)安装条件为高可靠晶体管安装时持续的焊接温度和持续时间应力指标。

说明书全文

一种高可靠晶体管结构分析方法

技术领域

[0001] 本发明属于晶体管可靠性验证技术领域,具体涉及一种高可靠晶体管结构分析方法。

背景技术

[0002] 元器件的固有可靠性是由元器件的设计结构和生产控制所决定的,因此元器件的结构中包含这许多重要的可靠性信息:如结构设计可靠性、工艺选择合理性等。如果结构设计不合理或工艺控制存在缺陷,就会导致元器件的固有可靠性的下降,如果这些固有可靠性的下降是在使用阶段发现的,就会给问题的工程处理造成很大的难度,严重时甚至会造成经济或进度上的重大损失;在这种需求的导引下,我们需要元器件的结构分析。
[0003] 结构分析,也叫做可靠性结构分析,是一种评估制造商和确定元器件内部是否存在潜在的失效机制的方法,结构分析是通过一系列的试验对被筛选用的电子元器件的结构进行深入细致的分析,以确定元器件的结构是否满足可靠性或特定的工程要求。
[0004] 应用于航天型号的元器件必须具有较高的可靠性,高可靠的晶体管一般经历过热电等一系列的可靠性保证试验,但其结构设计、工艺或结构是否满足型号的需求仍然需要进行可靠性评价,发现潜在的可靠性险,分析潜在的失效模式和机理。国内外的航天型号项目在研制和发射过程中,均出现过由于元器件的设计、结构或工艺不合理而导致的失效,造成巨大的经济损失。因此,对于高可靠的晶体管,在其选用之前,必须对其设计、结构、工艺和材料进行分析考核。
[0005] 现有的结构分析方法并没有具体针对高可靠晶体管,而且针对已分解的结构单元和辨识的分析要素,并未给出具体的试验项目。

发明内容

[0006] 针对上述现有技术,本发明是提供一种高可靠晶体管结构分析方法,用以克服原有试验方法分析应用性和可操作性不足的缺点。。
[0007] 为了解决上述技术问题,本发明一种高可靠晶体管结构分析方法该方法包括以下步骤:
[0008] 步骤一、将高可靠晶体管分解成5类结构类别,分别是形态、封装、内部互联、内部环境和芯片,5类结构类别分解成结构单元;其中:
[0009] (1)高可靠晶体管形态结构类别的结构单元为:标识、外形尺寸和重量;
[0010] (2)高可靠晶体管封装结构类别的结构单元为:外引线、底座、管帽、外引线-底座连接界面、管帽-底座连接界面;
[0011] (3)高可靠晶体管内部互联结构类别的结构单元为:内引线和键合;
[0012] (4)高可靠晶体管内部环境结构类别的结构单元为:内部气氛和内部多余物;
[0013] (5)高可靠晶体管芯片结构类别的结构单元为:芯片安装和芯片结构;
[0014] 步骤二、(1)对标识结构单元的完整性、工艺和清晰度结构要素,外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理和结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理和外形结构要素,以及管帽-底座连接界面结构单元的封接工艺和封接环表面处理结构要素进行外部目检评价;
[0015] (2)对外形尺寸结构单元的尺寸结构要素和重量结构单元的重量结构要素,管帽结构单元的外形结构要素,以及内引线结构单元的引线尺寸结构要素进行测量评价;
[0016] (3)对管帽-底座连接界面结构单元的封接工艺结构要素,内引线结构单元的引线弧度结构要素,内部多余物结构单元的内部多余物结构要素以及芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行X射线照相评价;
[0017] (4)对外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,以及管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行X射线荧光测试评价;
[0018] 步骤三、判断标识结构单元的打标工艺,如果是油墨打标工艺,则对标识结构单元的牢固度结构要素进行耐油剂试验评价,然后将样品高可靠晶体管分为A、B、C三组,分别继续后续评价步骤;如果是激光打标工艺,则将样品高可靠晶体管分为A、B、C三组,分别继续后续评价步骤;
[0019] 步骤四、(1)对A组样品的外引线-底座连接界面结构单元的安装强度结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行热冲击评价;
[0020] (2)对A组样品的内部多余物结构单元的内部多余物结构要素进行PIND评价;
[0021] (3)对A组样品的芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行恒定加速度评价;
[0022] (4)对A组样品的内引线结构单元的引线间距结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行随机振动评价;
[0023] 步骤五、(1)将A组样品分为A1、A2、A3三组,分别对外引线-底座连接界面结构单元的安装强度结构要素进行引出端强度试验,外引线结构单元的表面处理结构要素进行引线涂覆附着力试验,以及外引线结构单元的引线材料结构要素进行引线疲劳试验;
[0024] (2)对A组样品的管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行密封试验评价;
[0025] (3)对A组样品的外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,及管帽结构单元的表面处理结构要素进行耐湿试验评价;
[0026] (4)对A组样品的内部气氛结构单元的气体成分及含量结构要素进行内部汽含量评价;
[0027] 步骤六、对B组样品的外引线结构单元的可焊性结构要素进行可焊性试验评价;
[0028] 步骤七、(1)对C组样品的激光打标的标识结构单元的牢固性结构要素,外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行盐气试验评价;
[0029] (2)对C组样品的内部气氛结构单元的气体成分及含量结构要素进行露点试验评价;
[0030] 步骤八、对A、B、C三组样品的底座结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的外形结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装工艺结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装结构结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素,内引线结构单元的引线弧度结构要素,内引线结构单元的引线间距结构要素,键合结构单元的工艺结构要素,内部多余物结构单元的内部多余物结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素,芯片结构结构单元的钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素进行内部目检评价;
[0031] 步骤九、将步骤八中样品分为D1、D2、D3、D4四组:
[0032] (1)首先,对D1组样品的键合结构单元的强度和一致性结构要素进行键合拉力评价;其次,对D1组样品的芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行芯片剪切力试验评价;
[0033] (2)首选,对D2组样品的底座结构单元的表面处理和结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装工艺和安装结构结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理和封接结构结构要素,键合结构单元的工艺结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素,芯片结构结构单元的钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素进行SEM评价;
[0034] 其次,对D2组样品的外引线结构单元的引线材料结构要素,底座结构单元的基体材料结构要素,管帽结构单元的材料结构要素,内引线结构单元的引线材料结构要素进行能谱分析评价;
[0035] (3)对D3组样品的芯片结构单元的钝化层工艺、材料和完整性结构要素进行钝化层完整性评价;
[0036] (4)对D4组样品的芯片结构单元的金属互连材料、结构及质量结构要素进行薄膜腐蚀试验评价。
[0037] 所述的标识结构单元包括完整性、工艺、牢固性和清晰度四个结构要素;所述的外形尺寸结构单元包括尺寸结构要素,重量包括重量结构要素;
[0038] 所述的外引线结构单元包括引线材料、表面处理和可焊性三个结构要素,底座包括基体材料、表面处理和结构外形三个结构要素;所述的管帽结构单元包括材料、表面处理和外形三个结构要素;所述的外引线-底座连接界面结构单元包括安装工艺、安装结构和安装强度三个结构要素;所述的管帽-底座连接界面结构单元包括封接工艺、封接环表面处理和封接结构三个结构要素;
[0039] 所述的内引线结构单元包括引线材料、引线尺寸、引线弧度和引线间距四个结构要素;所述的键合结构单元包括工艺、强度和一致性三个结构要素;
[0040] 所述的内部气氛结构单元包括气体成分及含量结构要素;所述的内部多余物结构单元包括内部多余物结构要素;
[0041] 所述的芯片安装结构单元包括安装工艺及质量结构要素;所述的芯片结构结构单元包括钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素。
[0042] 一种高可靠晶体管结构分析方法还包括确定待分析的高可靠晶体管所应满足的力学条件、环境条件、安装条件方面的指标,该指标作为标准评价试验方法选择的辅助条件;其中:
[0043] (1)力学条件为高可靠晶体管应用面临的振动、冲击、加速度等力学条件指标;
[0044] (2)环境条件为高可靠晶体管应用面临的温度、湿度、盐气、空间辐射指标;
[0045] (3)安装条件为高可靠晶体管安装时持续的焊接温度和持续时间等应力指标。
[0046] 本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0047] (1)对使用方而言,通过结构分析可以衡量和比较用于系统的元器件的质量和可靠性;通过发现潜在的失效机制,可以帮助用户避免使用存在隐患的元器件、避免使用由于元器件固有可靠性问题导致的整机失效而带来的经济和进度上的损失。主要表现在一下几个方面:
[0048] 1)CTOS器件的升级筛选;
[0049] 2)元器件之间的比较;
[0050] 3)评估元器件能否用于特定的领域;
[0051] 4)长期可靠性评估和风险评估;
[0052] (2)对元器件制造法而言可通过结构分析监控其生产工艺,从而能在生产中找到能引起元器件潜在失效的部位和工艺,并通过改进工艺,提高产品质量。附图说明
[0053] 图1是本发明一种高可靠晶体管结构分析方法流程图

具体实施方式

[0054] 下面结合附图和具体实施方式对本发明作详细说明。
[0055] 如图1所示,本发明一种高可靠晶体管结构分析方法具体步骤如下:
[0056] 步骤一、依据样品高可靠晶体管的结构特征,将高可靠晶体管分解成5类结构类别,分别是形态、封装、内部互联、内部环境和芯片,5类结构类别分解成结构单元;其中:
[0057] (1)高可靠晶体管形态结构类别的结构单元为:标识、外形尺寸和重量;标识包括完整性、工艺、牢固性和清晰度四个结构要素,外形尺寸包括尺寸结构要素,重量包括重量结构要素;
[0058] (2)高可靠晶体管封装结构类别的结构单元为:外引线、底座、管帽、外引线-底座连接界面、管帽-底座连接界面;外引线包括引线材料、表面处理和可焊性三个结构要素,底座包括基体材料、表面处理和结构外形三个结构要素,管帽包括材料、表面处理和外形三个结构要素,外引线-底座连接界面包括安装工艺、安装结构和安装强度三个结构要素,管帽-底座连接界面包括封接工艺、封接环表面处理和封接结构三个结构要素;
[0059] (3)高可靠晶体管内部互联结构类别的结构单元为:内引线和键合;内引线包括引线材料、引线尺寸、引线弧度和引线间距四个结构要素,键合包括工艺、强度和一致性三个结构要素;
[0060] (4)高可靠晶体管内部环境结构类别的结构单元为:内部气氛和内部多余物;内部气氛包括气体成分及含量结构要素,内部多余物包括内部多余物结构要素;
[0061] (5)高可靠晶体管芯片结构类别的结构单元为:芯片安装和芯片结构;芯片安装包括安装工艺及质量结构要素,芯片结构包括钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素;
[0062] 步骤二、(1)对标识结构单元的完整性、工艺和清晰度结构要素,外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理和结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理和外形结构要素,以及管帽-底座连接界面结构单元的封接工艺和封接环表面处理结构要素进行外部目检评价;
[0063] (2)对外形尺寸结构单元的尺寸结构要素和重量结构单元的重量结构要素,管帽结构单元的外形结构要素,以及内引线结构单元的引线尺寸结构要素进行测量评价;
[0064] (3)对管帽-底座连接界面结构单元的封接工艺结构要素,内引线结构单元的引线弧度结构要素,内部多余物结构单元的内部多余物结构要素以及芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行X射线照相评价;
[0065] (4)对外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,以及管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行X射线荧光测试评价;
[0066] 步骤三、判断标识结构单元的打标工艺,如果是油墨打标工艺,则对标识结构单元的牢固度结构要素进行耐油剂试验评价,然后将样品高可靠晶体管分为A、B、C三组,分别继续后续评价步骤;如果是激光打标工艺,则将样品高可靠晶体管分为A、B、C三组,分别继续后续评价步骤;
[0067] 步骤四、(1)对A组样品的外引线-底座连接界面结构单元的安装强度结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行热冲击评价;
[0068] (2)对A组样品的内部多余物结构单元的内部多余物结构要素进行PIND评价;
[0069] (3)对A组样品的芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行恒定加速度评价;
[0070] (4)对A组样品的内引线结构单元的引线间距结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行随机振动评价;
[0071] 步骤五、(1)将A组样品分为A1、A2、A3三组,分别对外引线-底座连接界面结构单元的安装强度结构要素进行引出端强度试验,外引线结构单元的表面处理结构要素进行引线涂覆附着力试验,以及外引线结构单元的引线材料结构要素进行引线疲劳试验;
[0072] (2)对A组样品的管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行密封试验评价;
[0073] (3)对A组样品的外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,及管帽结构单元的表面处理结构要素进行耐湿试验评价;
[0074] (4)对A组样品的内部气氛结构单元的气体成分及含量进行内部水汽含量评价;
[0075] 步骤六、对B组样品的外引线结构单元的可焊性结构要素进行可焊性试验评价;
[0076] 步骤七、(1)对C组样品的激光打标的标识结构单元的牢固性结构要素,外引线结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素进行盐气试验评价;
[0077] (2)对C组样品的内部气氛结构单元的气体成分及含量结构要素进行露点试验评价;
[0078] 步骤八、对A、B、C三组样品的底座结构单元的表面处理结构要素,底座结构单元的结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,管帽结构单元的外形结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装工艺结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装结构结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理结构要素,内引线结构单元的引线弧度结构要素,内引线结构单元的引线间距结构要素,键合结构单元的工艺结构要素,内部多余物结构单元的内部多余物结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素,芯片结构结构单元的钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素进行内部目检评价;
[0079] 步骤九、将步骤八中样品分为D1、D2、D3、D4四组:
[0080] (1)首先,对D1组样品的键合结构单元的强度和一致性结构要素进行键合拉力评价;其次,对D1组样品的芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素进行芯片剪切力试验评价;
[0081] (2)首选,对D2组样品的底座结构单元的表面处理和结构外形结构要素,管帽结构单元的表面处理结构要素,外引线-底座连接界面结构单元的安装工艺和安装结构结构要素,管帽-底座连接界面结构单元的封接环表面处理和封接结构结构要素,键合结构单元的工艺结构要素,芯片安装结构单元的安装工艺及质量结构要素,芯片结构结构单元的钝化层工艺、材料和完整性、金属互连材料、结构及质量、版图结构结构要素进行SEM评价;
[0082] 其次,对D2组样品的外引线结构单元的引线材料结构要素,底座结构单元的基体材料结构要素,管帽结构单元的材料结构要素,内引线结构单元的引线材料结构要素进行能谱分析评价;
[0083] (3)对D3组样品的芯片结构单元的钝化层工艺、材料和完整性结构要素进行钝化层完整性评价;
[0084] (4)对D4组样品的芯片结构单元的金属互连材料、结构及质量结构要素进行薄膜腐蚀试验评价;
[0085] 该方法还包括确定待分析的高可靠晶体管所应满足的力学条件、环境条件、安装条件等方面的指标,该指标作为标准评价试验方法选择的辅助条件;其中:
[0086] (1)力学条件为高可靠晶体管应用面临的振动、冲击、加速度等力学条件指标;
[0087] (2)环境条件为高可靠晶体管应用面临的温度、湿度、盐气、空间辐射指标;
[0088] (3)安装条件为高可靠晶体管安装时持续的焊接温度和持续时间等应力指标;
[0089] 上述每种结构要素的评价试验方法为GJB548B-2005中规定的标准方法,以及现有技术使用的常规方法。
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