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光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法

阅读：325发布：2023-02-14

专利汇可以提供光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明公开了光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法。所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台具有：支撑部分，用于支撑衬底；以及调节系统，用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，其中所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元。，下面是光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：
支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域被配置成使得它与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约
350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比。
2.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：
支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；
调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；
多个温度传感器，所述多个温度传感器被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度；
以及
控制器，所述控制器被配置用于基于来自温度传感器的测量数据来控制所述调节系统。
3.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：
支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；
其中每个调节单元包括在对应的调节区域内的通道，所述通道被配置用于传送调节流体。
4.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于在凹陷内支撑衬底，所述支撑台包括：
支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；
第一调节系统，所述第一调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述第一调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及
第二调节系统，所述第二调节系统被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从该与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与该间隙的相应的区段相邻的相应区域和/或从该与该间隙的相应的区段相邻的相应区域去除热能。
5.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于将衬底支撑在凹陷内，所述支撑台包括：
支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；
调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及抽取系统，所述抽取系统被配置用于从凹陷的边缘与衬底的边缘之间的间隙抽取浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从该间隙的相应的区段抽取浸没液体。
6.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：
支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面，所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应；以及
调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能。
7.一种光刻设备，包括根据前述权利要求中任一项所述的支撑台。
8.一种器件制造方法，包括步骤：
将图案化的辐射束通过由流体处理结构提供的浸没液体投影至投影系统与支撑在支撑台的支撑部分的上表面上的衬底之间的空间；
使用调节系统将热能供给到支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比；以及
独立地控制每个调节单元。
9.一种器件制造方法，包括步骤：
将图案化的辐射束通过浸没液体投影至投影系统与支撑在支撑台的支撑部分上的衬底之间的空间；
使用调节系统将热能供给到支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及
基于来自多个温度传感器的测量数据来控制所述调节系统，每个温度传感器被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度。
10.一种对于多个温度传感器产生校准校正数据的方法，每个温度传感器被配置用于测量光刻设备中支撑台的温度，所述方法包括步骤：
大致同时从温度传感器获得测量数据；
基于测量数据和对于每个温度传感器的已有的校准数据来确定对于每个温度传感器的温度数据；
对于每个温度传感器确定其温度数据相对于所述多个温度传感器的平均温度数据的偏差；以及
对于每个温度传感器确定与所确定的偏差相对应的校准校正数据。

说明书全文

光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及器件制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及光刻设备、用于光刻设备的支撑台以及使用光刻设备制造器件的方法。

背景技术

[0002] 光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式将图案从图案形成装置转移到衬底上。

[0003] 已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体是蒸馏水，但是可以使用其他液体。本发明的实施例将参考液体进行描述。然而，其它流体也可能是适合的，尤其是润湿性流体、不能压缩的流体和/或具有比空气高的折射率的流体，期望地，其为具有比水高的折射率的流体。除气体之外的流体尤其是希望的。这样的想法是为了实现更小特征的成像，因为在液体中曝光辐射将会具有更短的波长。(液体的影响也可以被看成增大了系统的有效数值孔径(NA)，并且也增加焦深)。还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮物(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃(诸如芳香烃、氟化烃)和/或水溶液。

[0004] 将衬底或衬底与衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中必须加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。

[0005] 在浸没设备中，浸没流体由流体处理系统、器件结构或设备来处理。在一实施例中，流体处理系统可以供给浸没流体，因此是流体供给系统。在一实施例中，流体处理系统可以至少部分地限定浸没流体，因而是流体限制系统。在一实施例中，流体处理系统可以提供针对浸没流体的阻挡，因而是阻挡构件，诸如流体限制结构。在一实施例中，流体处理系统可以产生或者使用气流，例如帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成密封以限制浸没流体，使得流体处理结构可以被称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一实施例中，浸没液体用作浸没流体。在那种情况下，流体处理系统可以是液体处理系统。参考以上描述，在该段落中针对相对于流体限定的特征的参考可以理解为包括相对于液体限定的特征。

发明内容

[0006] 在光刻设备中使用浸没流体可能引入特定的困难。例如，使用浸没流体可能导致光刻设备内部的附加的热负载，这可能会影响在衬底上形成图像的精确度。

[0007] 在一些情况中，热负载在整个衬底上可能是不均匀的，导致图像的非均匀的变化。作为示例，热负载可能由流体处理系统的操作和/或浸没流体的蒸发引起。这些影响可能会局部化到衬底的一部分。结果，在衬底中可能有局部的温度变化，导致衬底的局部的热膨胀或收缩。这又可能导致重叠误差和/或临界尺寸(CD)的局部变化。

[0008] 例如，希望提供一种系统，其中能够减小局部热负载的影响。

[0009] 根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域被配置成使得它与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比。

[0010] 根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；多个温度传感器，被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度；以及控制器，被配置用于基于来自温度传感器的测量数据来控制所述调节系统。

[0011] 根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；其中每个调节单元包括在相应的调节区域内的通道，所述通道被配置用于传送调节流体。

[0012] 根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于在凹陷内支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；第一调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述第一调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及第二调节系统，被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘同衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从支撑台的与凹陷的边缘同衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与间隙的相应的区段相邻的相应区域和/或从支撑台的与间隙的相应的区段相邻的相应区域去除热能。

[0013] 根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于在凹陷内支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及抽取系统，被配置用于从凹陷的边缘与衬底的边缘之间的间隙抽取浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从间隙的相应的区段抽取浸没液体。

[0014] 根据本发明的一方面，提供一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：支撑部分，被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面，所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应；以及调节系统，被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能。

[0015] 根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束通过由流体处理结构提供的浸没液体投影至投影系统与支撑在支撑台的支撑部分的上表面上的衬底之间的空间；使用调节系统将热能供给到支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比；以及独立地控制每个调节单元。

[0016] 根据本发明的一方面，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束通过浸没液体投影至投影系统与支撑在支撑台的支撑部分上的衬底之间的空间；使用调节系统将热能供给到支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及基于来自多个温度传感器的测量数据来控制所述调节系统，每个温度传感器被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度。

[0017] 根据本发明的一方面，提供一种对于多个温度传感器产生校准校正数据的方法，每个温度传感器被配置用于测量光刻设备中支撑台的温度，所述方法包括：大致同时从温度传感器获得测量数据；基于测量数据和已有的对于每个温度传感器的校准数据来确定对于每个温度传感器的温度数据；由对于多个温度传感器的平均温度数据来确定每个温度传感器的温度数据的偏差；以及确定对于每个温度传感器的、与所确定的偏差相对应的校准校正数据。附图说明

[0018] 下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：

[0019] 图1示出根据本发明实施例的光刻设备；

[0020] 图2和3示出用于光刻投影设备中的液体供给系统；

[0021] 图4示出用于光刻投影设备中的另一液体供给系统；

[0022] 图5示出用于光刻投影设备中的另一液体供给系统；

[0023] 图6示出用于光刻投影设备中的另一液体供给系统的横截面视图；

[0024] 图7示出可以与本发明实施例一起使用的支撑台的横截面视图；

[0025] 图8示出可以与本发明实施例一起使用的支撑台的一部分的平面视图；

[0026] 图9示出可以与本发明实施例一起使用的支撑台的一部分的平面视图；

[0027] 图10示出可以与本发明实施例一起使用的支撑台的一部分的平面视图；以及[0028] 图11示出可以与本发明实施例一起使用的支撑台的平面视图。

具体实施方式

[0029] 图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

[0030] 照射系统(照射器)IL，其配置成用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；

[0031] 支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；

[0032] 支撑台(例如用于支撑一个或更多个传感器的传感器台，或者构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的衬底)W的衬底台WT)，其与配置成用于根据确定的参数精确地定位台的表面(例如衬底W的表面)的第二定位装置PW相连；和

[0033] 投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。

[0034] 照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

[0035] 所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

[0036] 这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

[0037] 图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

[0038] 应该将这里使用的术语“投影系统”广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

[0039] 如这里所示的，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用上面提到的可编程反射镜阵列的类型，或者采用反射式掩模)。

[0040] 所述光刻设备可以是具有两个或更多个台(或平台或支撑结构)的类型，例如两个或更多个衬底台，或者一个或更多个衬底台与一个或更多个清洁台、传感器台或测量台的组合。例如，在一实施例中，光刻设备是多平台设备，包括位于投影系统的曝光侧的两个或更多个台，每个台包括和/或保持一个或更多个物体。在一实施例中，一个或更多个台可以保持对辐射敏感的衬底。在一实施例中，一个或更多个台可以保持传感器，以测量来自投影系统的辐射。在一实施例中，所述多平台设备包括配置用于保持对辐射敏感的衬底的第一台(即，衬底台)以及配置为不保持对辐射敏感的衬底的第二台(在下文中通常，且非限制性地，被称作为测量台、传感器台和/或清洁台)。第二台可以包括和/或可以保持除了对辐射敏感的衬底之外的一个或更多个物体。这种一个或更多个物体可以包括从以下项中选出的一个或更多个：用于测量来自投影系统的辐射的传感器、一个或更多个对准标记、和/或清洁装置(用于清洁例如液体限制结构)。

[0041] 在这种“多平台”(或多个平台)机器中，可以并行地使用多个台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。光刻设备可以具有两个或更多的图案形成装置台(或平台或支撑结构)，其可以以与衬底台、清洁台、传感器台和/或测量台类似的方式被并行地使用。

[0042] 在一个实施例中，光刻设备可以包括编码器系统，用于测量所述设备的部件的位置、速度等等。在一实施例中，所述部件包括衬底台。在一实施例中，所述部件包括测量台和/或传感器台和/或清洁台。除了干涉仪系统之外或者作为干涉仪系统的替代，编码器系统在本文中可以被描述用于台。所述编码器系统包括与刻度或栅格相关(例如，配对地)的传感器、变换器或者读取头。在一实施例中，可移动部件(例如，衬底台和/或测量台和/或传感器台和/或清洁台)具有一个或更多个刻度或栅格，而部件移动所参照的光刻设备的框架具有一个或更多个传感器、变换器或者读取头。所述一个或更多个传感器、变换器或者读取头与刻度或者栅格协作，以确定部件的位置、速度等等。在一实施例中，部件移动所参照的光刻设备的框架具有一个或更多个刻度或栅格，可移动部件(例如，衬底台和/或测量台和/或传感器台和/或清洁台)具有与刻度或栅格协作的一个或更多个传感器、变换器或读取头，以确定部件的位置、速度等等。

[0043] 参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成，用于形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

[0044] 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。所述照射器IL可以用来调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀度和强度分布。与源SO类似，所述照射器IL可以被认为或可以不被认为是形成光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分或者可以是与光刻设备分开的分立实体。在后一种情况中，光刻设备可以被配置用于允许照射器IL被安装在其上。可选地，照射器IL是可拆卸的，并且可以单独地提供(例如，通过光刻设备制造商或者其他供应商提供)。

[0045] 所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(在图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分C之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。

[0046] 可以将所示出的设备用于以下模式中的至少一种：

[0047] 1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

[0048] 2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的动态曝光中的所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。

[0049] 3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止状态，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

[0050] 也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

[0051] 虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)，但是应该理解到，这里所述的光刻设备可以在制造具有微米尺度或者甚至是纳米尺度的特征的部件方面有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

[0052] 用于在投影系统PS的最终元件和衬底之间提供液体的布置可以分成三大类。它们是浴器型布置、所谓的局部浸没系统和全浸湿浸没系统。在浴器型布置中，大致整个衬底W和可选地一部分衬底台WT浸入到液体浴器中。

[0053] 局部浸没系统采用仅将液体提供到衬底的局部区域的液体供给系统。由液体填充的空间在平面图上小于衬底的顶部表面，并且填充有液体的区域在衬底W在所述区域下面移动的同时相对于投影系统PS基本上保持静止。图2-6示出了能够在这种系统中使用的不同的供给装置。设置了密封特征，用于将液体密封至局部区域。已经提出用于这种布置的一种方法在PCT专利申请公开出版物No.WO99/49504中公开。

[0054] 在全浸湿布置中，液体是不受限制的。衬底的整个顶部表面和衬底台的全部或一部分被浸没液体覆盖。至少覆盖衬底的液体的深度小。所述液体可以是位于衬底上的液体膜，例如位于衬底上的液体薄膜。浸没液体可以供给到正对投影系统的正对表面(这种正对表面可以是衬底和/或衬底台的表面)以及投影系统的区域或者在该区域中供给。图2-5中的任何液体供给装置也都可以用于这种系统。然而，密封特征并不存在，不起作用，不如正常状态有效，或者以其它方式不能有效地仅将液体密封在局部区域。

[0055] 如图2和图3所示，液体通过至少一个入口供给到衬底上，优选地沿着衬底相对于最终元件移动的方向通过至少一个入口供给到衬底上。在已经在投影系统下面穿过之后，通过至少一个出口去除液体。当衬底在所述元件下沿着-X方向扫描时，液体在元件的+X一侧供给并且在-X一侧去除。图2示意地示出所述布置，其中液体通过入口供给，并在元件的另一侧通过与低压源相连的出口去除。在图2的视图中，虽然液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口，图3示出了一个实例，其中在最终元件的周围在每侧上以规则的重复方式设置了四组入口和出口。应该指出的是，通过图2和3中的箭头示出液体的流动方向。

[0056] 在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没式光刻方案。液体由位于投影系统PS的两侧上的两个槽状入口供给，由布置在入口沿径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口可以布置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口供给，而由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除，这造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。应该指出的是，通过附图4中的箭头示出衬底的方向以及流体的流动方向。

[0057] 已经提出的另一种布置是提供具有液体限制结构的液体供给系统，所述液体限制结构沿投影系统的最终元件和衬底台之间的空间的边界的至少一部分延伸。图5中示出了这种布置。

[0058] 在一实施例中，光刻设备包括液体限制结构，所述液体限制结构具有液体去除装置，所述液体去除装置具有入口，所述入口覆盖有网或类似的多孔材料。所述网或类似的多孔材料提供与投影系统的最终元件和可移动台(例如，衬底台)之间的空间内的浸没液体接触的二维阵列孔。在一实施例中，所述网或类似的多孔材料包括蜂窝状或其他多边形网。在一实施例中，所述网或类似的多孔材料包括金属网。在一实施例中，所述网或类似的多孔材料一直围绕光刻设备的投影系统的像场延伸。在一实施例中，所述网或类似的多孔材料位于液体限制结构的底部表面上，并且具有面向台的表面。在一实施例中，所述网或类似的多孔材料的底部表面的至少一部分与台的顶部表面大致平行。

[0059] 图5示意地示出液体局部供给系统或流体处理结构12，其沿投影系统的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间的边界的至少一部分延伸。(需要说明的是，下文中提到的衬底W的表面，如果没有其他明确说明，还附加地或可选地指衬底台的表面。)尽管可以在Z方向上存在一些相对移动(在光轴的方向上)，但流体处理结构12相对于投影系统在XY平面内基本上是静止的。在一实施例中，在流体处理结构12和衬底W的表面之间形成密封，并且该密封可以是非接触密封，例如气体密封(具有气体密封的这种系统在欧洲专利申请公开出版物No.EP-A-1,420,298中公开)或液体密封。

[0060] 流体处理结构12至少部分地将液体保持在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11内。在投影系统PS的像场周围可以形成对衬底W的非接触密封16，使得液体被限制在衬底W的表面和投影系统PS的最终元件之间的空间内。所述空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下面并围绕投影系统PS的所述最终元件的流体处理结构12形成。液体通过液体入口13被引入到投影系统PS下面和流体处理结构12内的所述空间。液体可以通过液体出口13去除。液体处理结构12可以延伸至略微高于投影系统的最终元件的位置。液面升高至高于最终元件，使得提供液体的缓冲。在一实施例中，流体处理结构
12具有内周，所述内周在上端处与投影系统PS或其最终元件的形状紧密地一致，并且可以是例如圆形的。在底端，所述内周与像场的形状紧密地一致，例如矩形，但这不是必需的。

[0061] 可以通过在使用过程中形成在流体处理结构12的底部和衬底W的表面之间的气体密封16而将液体限制在空间11中。气体密封由气体形成。气体密封中的气体在压力下通过入口15提供到流体处理结构12和衬底W之间的间隙。气体通过出口14被抽取。在气体入口15上的过压、出口14上的真空水平和间隙的几何形状配置成使得存在向内的、限制所述液体的高速气流16。气体作用在流体处理结构12和衬底W之间的液体上的力将液体限制在空间11中。入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。环形槽可以是连续的或非连续的。气流16有效地将液体限制在空间11中。这样的系统在美国专利申请公开出版物No.US 2004-0207824中公开，在此通过引用而将其全文并入本文中。在一实施例中，流体处理结构12不具有气体密封。

[0062] 图6示出作为液体供给系统的一部分的流体处理结构12。流体处理结构12围绕投影系统PS的最终元件的外围(例如，周边)延伸。

[0063] 在部分地限定空间11的表面中的多个开口50将液体提供至空间11。液体在进入空间11之前分别经过各个腔54、56而通过侧壁28、52中的开口29、50。

[0064] 在流体处理结构12的底部与正对表面(例如衬底W、或衬底台WT、或两者)之间设置密封。在图6中，密封装置被配置用于提供无接触密封，并且由多个部件构成。在投影系统PS的光轴的径向向外的位置处，设置有(可选的)流动控制板51，所述流动控制板延伸进入空间11。控制板51可以具有开口55，以允许流动液体从其中通过；如果控制板51沿Z方向(例如，平行于投影系统PS的光轴)移位，则开口55可以是有益的。在流体处理结构12的与正对表面(例如衬底W)面对(例如，对置)的底部表面上的流动控制板51的径向向外的位置处，可以是开口180。开口180能够沿朝向正对表面的方向提供液体。在成像期间，这在通过以液体填充在衬底W与衬底台WT之间的间隙来防止在浸没液体中形成气泡方面可以是有用的。

[0065] 在开口180的径向向外的位置处可以是抽取器组件70，用于从流体处理结构12与正对表面之间抽取液体。抽取器组件70可以操作作为单相或两相抽取器。抽取器组件70用作液体的弯液面320的弯液面钉扎特征。

[0066] 气刀90可以在抽取器组件的径向向外的位置处。抽取器组件和气刀的布置在美国专利申请公开出版物No.US2006/0158627中详细地公开，通过引用而将该文献全文合并于此。

[0067] 作为单相抽取器的抽取器组件70可以包括液体去除装置、抽取器或入口，诸如在美国专利申请公开出版物No.US2006-0038968中公开的，通过引用而将该文献全文合并于此。在一实施例中，液体去除装置70包括入口120，所述入口120被多孔材料111覆盖，所述多孔材料111用于将液体与气体分开，以便能够实现单液相液体抽取。在腔121中的负压被选择成使得形成在多孔材料111的孔中的弯液面防止周围气体环境的气体被吸入液体去除装置70的腔121中。然而，当多孔材料111的表面与液体接触时，则没有弯液面限制流动，液体能够自由地流入液体去除装置70的腔121中。

[0068] 多孔材料111具有大量的小孔，每个小孔具有5至50微米范围内的尺寸(例如宽度，诸如直径)。多孔材料111可以被保持在液体待去除的表面(诸如正对表面，例如衬底W的表面)上方50至300微米范围内的高度处。在一实施例中，多孔材料111是至少轻微亲液的，即，具有相对于浸没液体(例如，水)的小于90°的动态接触角，期望小于85°，或者期望小于80°。

[0069] 在气刀90的径向向外的位置处可以设置一个或更多个出口210，用于从气刀90去除气体和/或可能会通过气刀90逃逸的液体。所述一个或更多个出口210可以位于气刀90的一个或更多个出口之间。为了便于使流体(气体和/或液体)通至出口210，凹陷220可以设置在液体限制结构12中，所述凹陷220从气刀90的出口和/或从气刀90的出口之间被引导朝向出口210。

[0070] 虽然在图6中没具体地示出，液体供给系统具有用于处理液体液面的变化的布置。这使得在投影系统PS与液体限制结构12之间建立的液体(并且形成弯液面400)能够被处理，而不会逸出。处理所述液体的一种方法是提供疏液(例如，疏水)涂层。所述涂层可以形成围绕包围开口的流体处理结构12的顶部和/或围绕投影系统PS的最终光学元件的带。涂层可以在投影系统PS的光轴的沿径向向外的位置处。疏液(例如，疏水)涂层帮助将浸没液体保持在空间11中。附加地或可替代地，可以设置一个或更多个出口201，以去除相对于结构12达到一定高度的液体。

[0071] 另一局部区域布置是利用气体拖曳原理的流体处理结构。所谓的气体拖曳原理已经例如在美国专利申请公开出版物No.US2008-0212046、No.US2009-0279060以及No.US2009-0279062中被描述。在该系统中，抽取孔被布置为期望可以具有角的形状。所述角可以与优选的移动方向对齐，诸如步进或扫描方向。与两个出口垂直于优选方向被对准的情况相比，对于沿优选方向的给定速度而言，这减小了施加在流体处理结构的表面中的两个开口之间的弯液面上的力。然而，本发明的实施例可以应用于在平面中具有任何形状的流体处理系统，或者可以应用于具有诸如以任何形状布置的抽取开口等部件的流体处理系统。在非限制列表中的这种形状可以包括：椭圆形，诸如圆形；直线形形状，诸如矩形(例如正方形)；或者平行四边形，诸如菱形或者具有多于四个角的带角形状(诸如四个或更多个尖角星形)。

[0072] 在US2008/0212046A1的系统的变形中，其可能与本发明的实施例相关，其中开口布置所形成的带角形状的几何形状允许对于沿扫描和步进两个方向对准的角存在尖锐的角(在大约60°和90°之间，优选在75°和90°之间，最优选在75°和85°之间)。这允许在每个被对准的角的方向上增加速度。这是因为由于例如在扫描方向上超过临界速度时不稳定的弯液面引起的液体液滴的形成被减少。在角部与扫描和步进方向对准的情况下，在这些方向上可以获得增大的速度。期望，在扫描和步进方向上的移动速度可以大致相等。

[0073] 在光刻设备中，衬底可以支撑在支撑台上。尤其，支撑台可以包括被配置用于支撑衬底的下表面的支撑部分。支撑部分的上表面可以例如包括基表面，所述基表面具有从基表面突出的多个突节。衬底的下表面可以支撑在突节的上表面上。这种布置可以最小化或减少衬底与支撑台接触的总面积，从而最小化或者减小污染物在支撑台与衬底之间传送的可能性和/或最小化或减小污染物处于衬底与其在衬底台上的支撑件之间的可能性，这样的可能性会导致衬底变形。

[0074] 在一实施例中，在衬底之下突节周围的空间可以连接至负压源。由此，衬底可以被真空夹持至支撑台。

[0075] 在局部热负载作用在衬底和/或支撑台上的情况下，例如在衬底内可能具有局部温度变化，导致局部热膨胀或热收缩，最显著的热膨胀或热收缩在与衬底的上和下主面平行的方向上。然而，衬底的热膨胀和/或热收缩可以被夹持有衬底的支撑台阻止。尤其，阻止热膨胀和/或热收缩的力可以通过突节施加到衬底。

[0076] 为了减小或最小化衬底内的温度变化，可以设置调节系统，所述调节系统将热能供给至支撑台的支撑部分和/或从支撑台的支撑部分去除热能。由此，热量能够被供给或去除，以便补偿衬底和/或支撑台上的热负载。调节系统可以将热量直接供给至支撑部分或者从支撑部分直接去除热量，以便补偿支撑台上的热负载。此外，调节系统可以将热量供给至支撑部分或者从支撑部分去除热量，使得热量从支撑部分流至衬底，或者从衬底流至支撑部分，以便补偿衬底上的热负载。

[0077] 图7示意地示出本发明实施例可以设置于其中的支撑台WT。在图7中示出的实施例被简化，并且解释本发明实施例所不需要的衬底台的特征不被示出。然而，本发明实施例的支撑台可以包括许多这样的附加特征。

[0078] 如所示出地，支撑台WT可以包括支撑部分22，所述支撑部分22被配置用于支撑衬底W。尤其地，衬底W可以借助于多个突节20而被支撑。支撑台WT还包括调节系统21，所述调节系统21将热能供给至支撑部分22和/或从支撑部分22去除热能。

[0079] 衬底W例如利用通过与衬底W的下表面物理接触的突节20而进行的热传导而被热耦合至支撑部分22。换言之，当调节系统21将热能供给至支撑部分22或者从支撑部分22去除热能时，热能又会分别从支撑部分传递至衬底或者从衬底传递至支撑部分。

[0080] 在一实施例中，如图8所示，调节系统21可以包括多个可独立控制的调节单元23。每个调节单元23可以例如通过控制管路(为了清楚起见，没有在图8中示出所有控制管路)而被连接至控制器24。每个可独立控制的调节单元23可以被配置成使得它能够将热能供给至支撑台WT的支撑部分22和/或从支撑台WT的支撑部分22去除热能。

[0081] 每个可独立控制的调节单元23可以被配置用于将热能供给至支撑部分22的相应的调节区域或者从支撑部分22的相应的调节区域去除热能。由此，控制器24可以更有效地控制调节系统21，以响应于衬底W上的局部热负载。

[0082] 例如，如果在衬底W上存在局部冷却，则控制器24可以控制调节系统21，使得一个可独立控制的调节单元23将热量提供至支撑部分22的与提供有局部热负载的衬底W的区域相邻的部分。

[0083] 这可以避免响应于衬底W上的局部热负载而加热支撑台WT的整个支撑部分22。这又可以避免或减小调节系统不被分成独立调节区域的问题，即，不经受局部热负载的衬底W的部分的温度可能会被不必要地升高。此外，通过如上所述配置调节系统21、使得局部响应可以提供至局部热负载，可以实现较快的响应。这是因为，如前所述，例如通过局部地提供大量的热能以减少响应时间而使未经受局部热负载的衬底W的区域的温度升高的风险被降低。

[0084] 在一实施例中，调节系统21可以被配置成使得与每个可独立控制的调节单元23相关的调节区域25大致与衬底W上的所预期的局部热负载的覆盖区相匹配。

[0085] 可以例如通过浸没光刻设备内的流体处理结构12来提供预期的局部热负载。当衬底W被支撑台WT支撑时，流体处理结构12可以将浸没流体提供至衬底W的上表面的区域。

[0086] 在一实施例中，调节系统21可以被配置成使得每个可独立控制的调节单元23与其面积与流体处理结构12的面积类似且长宽比与之类似的调节区域25相关联。通过布置调节区域25、以很大程度地对应于由于使用流体处理结构12而造成的局部热负载，调节系统21可以被配置用于快速地响应局部热负载，且使得对没有被局部热负载直接影响的衬底W的区域的影响最小化。

[0087] 在一实施例中，调节系统21可以被配置成使得每个调节区域25与支撑部分22的上表面的一部分相对应，其中所述一部分的面积在衬底的与由流体处理结构12所提供的浸没流体相接触的面积的大约50％至大约350％的范围内。这可以已知为“浸湿覆盖区”。通过将调节单元25布置成在该范围内，调节系统21可以适当地响应于局部热负载。然而，调节区域25的尺寸(及因此调节系统21被分成的调节区域25的数量)的选择需要折衷考虑。调节区域25的尺寸越大，调节系统21对局部热负载的响应可能就越慢和/或对衬底W的未直接受局部热负载影响的区域的影响可能就越大。相反地，减小调节区域25的尺寸涉及使用较大数量的调节区域25。这可以改善对于调节系统21对局部热负载的响应的控制，和/或可以减小对衬底W的未直接受局部热负载影响的区域的影响。然而，提供较大数量的调节区域25可能涉及更复杂的控制系统和/或可能涉及更大量的温度传感器，以便提供对与每个调节区域25相关的可独立控制的调节单元23的适当控制。上述范围表示该折衷考虑可被接收的范围。

[0088] 在一实施例中，所述面积可以在浸湿覆盖区的大约50％到大约150％的范围内。将调节系统21布置成使得调节区域25的尺寸在与上述所识别的范围相比减小的范围内可以提供具有改进的特性的调节系统21。尤其，调节系统21能够更快地响应于局部热负载，和/或可以具有减小的对衬底W的未被局部热负载直接影响的区域的影响，同时仍然具有对于调节系统21的具有可接受复杂度水平的控制系统，即避免了不期望的附加的成本。

[0089] 在一实施例中，每个调节区域25可以对应于支撑部分22的上表面的、具有在1至大约2之间的长宽比(即，长度与宽度的比值)的部分。调节区域25可以具有1至大约2之间的长宽比的事实不会对每个调节区域25可能具有的具体形状施加限制，而仅仅规定任何形状的长度不可以大于该形状的宽度的大约两倍。因此，可以具有类似长宽比的浸湿覆盖区在与特定的调节区域25对准时可以大致覆盖调节区域25。为了清楚起见，这种情况可以与使用假定的细长调节区域的情况相比。如果这种细长调节区域的面积与浸湿覆盖区的面积相同、但是长度远大于其宽度，则在任一时刻仅有细长调节区域的一小部分可以与浸湿覆盖区重叠。这可以防止由这种细长调节区域构成的调节系统快速地响应于局部热负载，而对衬底W的未被局部热负载直接影响的区域没有显著的影响。

[0090] 在一实施例中，调节系统21可以被配置成使得一个调节区域25在支撑台WT的支撑部分22的中心处被设置为大致圆形区域。一个或更多个剩余的调节区域25可以被布置为支撑部分22的剩余环形的一个或更多个部分。

[0091] 调节区域25在支撑部分22的中心处的尺寸以及支撑部分22的剩余环形可以被分成的部分的数量可以被适当地选择成使得每个调节区域25的尺寸和长宽比适当地彼此匹配并且与局部热负载的尺寸匹配。

[0092] 在一实施例中，如图8所示，调节系统21可以被配置成使得在支撑部分22的中心具有一个调节区域25，而围绕该中心具有六个调节区域25。对于通过流体处理结构12提供的浸湿覆盖区的尺寸和支撑台WT的尺寸的特定组合，这种布置可能尤其是有益的。如果使用了较大的支撑台WT、以便容纳较大的衬底W，则例如可以使用其他布置。

[0093] 在一实施例中，如图8所示，每个可独立控制的调节单元23可以包括电加热器26，每个电加热器被控制器24独立地控制。电加热器26可以设置在支撑台WT内和/或支撑台WT的顶部表面上和/或在支撑台WT的下表面上和/或在支撑台WT的边缘处。在后一种情况中，可以例如以与美国专利公开出版物No.US2009/0279061中类似的方式布置一个或更多个电加热器26，该文献的全部内容通过引用而合并于此。设置在支撑台WT的上表面上的电加热器26例如可以设置在支撑部分22的上表面上的突节20之间。在一实施例中，支撑台WT还可以包括在其下表面上的突节(在图7中未示出)。在那种情况中，电加热器26可以设置在下表面上且在下表面上的突节之间。为了完整性，在支撑台WT的下表面上的突节的布置可以不同于设置在支撑部分22上、用于支撑衬底W的下表面的突节20的布置。
尤其，在支撑台WT的下表面上的突节可以比设置在支撑部分22上、用于支撑衬底W的下表面的突节20被更宽地间隔开。

[0094] 可以提供电加热器的任何便利的布置。例如，每个可独立控制的调节单元23的电加热器26可以包括电阻加热元件，所述电阻加热元件被布置用于遵循覆盖调节区域25内的多个区域的路径。在一实施例中，薄膜加热器可以被使用。薄膜加热器可以包括例如形成为薄层的加热元件。薄膜加热器可以通过胶粘被施加或者可以作为例如涂层被施加。

[0095] 可选地或者附加地，在如图9所示的实施例中，每个可独立控制的调节单元23可以包括通道30，所述通道遵循通过相应的调节区域25中的支撑部分22的路径。通道30还可以包括入口31和出口32，使得调节流体可以被提供通过通道30。每个通道30可以具有相应的入口31和出口32，如图9所示。可选地，通道30可以共享公共的入口31和出口32，使得调节流体的单一供给被并行地提供至通道30。在这种情况下，可以设置适当的阀门，以便独立地控制在每个通道内的调节流体的流动。调节流体可以被针对每个可独立控制的调节单元23设置的适当的加热器和/或冷却器(未示出)调节，以便将热能提供至调节区域25或从调节区域25去除热能。

[0096] 在一实施例中，如图10所示，除了可独立控制的调节单元23之外，调节系统21还可以包括全局调节单元35，而不管可独立控制的调节单元23的性质如何。全局调节单元35可以被配置用于将热能供给至所有调节区域25和/或从所有调节区域25去除热能。

[0097] 尤其，全局调节单元35可以被设置成通道36的形式，其中所述通道36遵循通过所有调节区域25的路径。通道36可以被连接至入口37和出口38，使得调节流体可以被设置成穿过全局调节单元35的通道36。通过全局调节单元35的通道36的调节流体可以被适当的加热器和/或冷却器(未示出)调节，以便根据需要将热量供给至支撑部分22和/或从支撑部分22去除热量。全局调节可以附加地或者可选地通过多个可独立控制的调节单元23的适当控制(诸如如上所述)来提供。

[0098] 除了提供可独立控制的调节单元23之外，提供全局调节单元35还可以在特定条件下有益地提供较快速的响应。此外，如果，如上所述，每个可独立控制的调节单元23包括电加热器26，则可以希望结合全局调节单元35来使用这些电加热器，其中全局调节单元35由支撑部分22内的通道36形成，所述通道36传送调节流体。这可以被用于从支撑部分22去除由一个或更多个可独立控制的调节单元23产生的过多的热量。

[0099] 此外，附加地提供如上所述的全局调节单元35可以是有益的，因为它可以增加热量横跨支撑部分22传递的速度。由此，如果存在温度的局部改变，则全局调节单元35可以快速地将热量传递到支撑部分22周围。通过分布热量，横跨支撑部分22的温度变化以及由此衬底W上的温度变化可以被减小或者最小化。

[0100] 如图8所示，多个温度传感器40可以设置在支撑台WT的支撑部分22中。在一个或更多个电加热器26设置在支撑台WT的边缘处的情况下，多个温度传感器40可以以与美国专利公开出版物No.US2009/0279061中类似的方式被布置，其中通过引用将该文献的全部内容合并于本文中。控制器24可以被配置用于使用来自温度传感器40的数据，以便控制调节系统21。在一实施例中，至少一个温度传感器可以设置在每个调节区域25内。由此，对于每个调节区域25的温度测量数据可以被用于控制每个可独立控制的调节单元23。

[0101] 如图8所示，在一实施例中，横跨调节区域25分布的多个温度传感器40可以为一些或所有的调节区域25设置。来自这些温度传感器40中的每个温度传感器的数据可以被用于控制与每个调节区域相关的可独立控制的调节单元23。由此，如果在调节区域25的一侧上具有局部热负载，则响应时间可以比其中每个调节区域25仅设置单个温度传感器40的布置要快。这是因为在调节区域25的正经受局部热负载的所述一侧上的温度传感器将比例如位于调节区域25的中心处的温度传感器40更快地检测温度变化。

[0102] 替换地或者附加地，多个温度传感器40可以为适当地分布在支撑台WT的支撑部分22的厚度上的每个调节区域25而设置。例如，如果电加热器26被设置至支撑部分22的上表面，诸如在突节20之间，则一个温度传感器40可以设置在电加热器26之上，例如在其上表面上，并且一个温度传感器40可以设置在支撑台WT的支撑部分22内。前者可以提供快速响应于衬底W处的温度变化的数据，而后者可以更快速地响应于支撑部分22的温度变化。

[0103] 依赖于调节系统21的布置，温度传感器40的其他分布也可以是恰当的。此外，温度传感器40的分布对于不同的调节区域25可以是不同的。

[0104] 在一实施例中，控制器24可以包括对于每个温度传感器40存储校准数据的存储器41。由此，控制器24可以基于来自温度传感器40的测量数据与对于存储在存储器41中的每个温度传感器40的校准数据的组合来控制调节系统21。由此，存储在存储器41中的校准数据可以用于提供由控制器24使用的温度数据的精确度的所需水平，以控制调节系统21。

[0105] 存储在存储器41中的校准数据可能需要被更新。由此，控制器24可以被配置用于产生新的校准数据或者从诸如具体地被配置用于执行校准过程的设备等外部源接收所述校准数据。在任一情况中，可以通过将来自每个温度传感器40的测量数据与温度传感器40的一个或更多个已知的温度进行比较来产生校准数据。然而，产生这种数据可能是困难的和/或耗时间的。尤其，产生这种数据可能需要中止光刻设备的操作。这是不期望的。

[0106] 在一实施例中，控制器24的存储器41还存储对于每个温度传感器40的校准校正数据。控制器24可以被配置用于基于来自每个温度传感器40的温度测量数据、对应的校准数据和存储在存储器41中的对应的校准校正数据来控制调节系统21。

[0107] 控制器24可以被配置用于通过执行特定的校准校正数据产生过程来周期性地产生校准校正数据。该过程可以在期望多个温度传感器40的温度大致相同的任何时刻被执行。

[0108] 为了执行校准校正数据产生过程，控制器24接收来自于经历校准校正数据产生过程并且使用存储在存储器41中的校准数据来产生温度数据的每个温度传感器40的测量数据。对于经历所述过程的每个温度传感器40的温度数据的平均值被计算，并且对于那些温度传感器40中的每一个确定偏离该平均值的偏差。对于每个温度传感器40的校准校正数据与基于当前校准数据的每个温度传感器40的所测量的值相对于该过程中所有温度传感器40的平均值的偏差是相对应的。

[0109] 如果经历校准校正数据产生过程的每个温度传感器40的温度是相同的，并且一个温度传感器的校准漂移，则该漂移将在以引入小的误差为代价的情况下基本上被对于该温度传感器40的校准校正数据校正，其中所述小的误差被其他温度传感器40中的每一个温度传感器的校准校正数据引入。由此，校准校正数据可以减小温度传感器漂移的影响，而不需要执行整个校准过程。对于已知的温度传感器40，这种温度传感器漂移可能发生。

[0110] 在实际中，假设具有相对大的温度传感器40的样本，对于每个温度传感器40相对于平均的所测量的温度值的偏差可以非常精确地反映对于那个温度传感器40的校准漂移。

[0111] 在一实施例中，诸如上述的校准校正数据产生过程可以使用对于与调节区域25相对应的每个温度传感器40的数据而被执行。由此，可以对于每个调节区域25来重复该过程。

[0112] 替换地或者附加地，在一实施例中，对于在每个调节区域25内的温度传感器40，使用对于在那个调节区域25内以及每个相邻调节区域25内的每个温度传感器40的数据，执行所述过程。

[0113] 替换地或者附加地，可以使用来自支撑台WT内的所有温度传感器40的数据来执行所述过程。

[0114] 对于执行校准校正数据产生过程的适当策略的选择可以依赖于设置在每个调节区域25内和/或支撑台WT内的温度传感器40的数量。一般来说，假设每个温度传感器40的实际温度是相同的，则所使用的温度传感器40的数量越大，对于每个温度传感器40的校准校正数据越精确。然而，通过使用越大数量的温度传感器40，则横跨支撑台WT的温度传感器40的温度的实际变化就越大。由此，对于策略的选择也可以考虑在对于支撑台WT的过程循环中何时校准校正数据产生过程将被执行的知识，如下所述。

[0115] 一般来说，可能希望在从已知局部热负载被施加到支撑台WT上的时间点开始经历最大可能的流逝时间之后执行校准校正数据产生过程。这可以减小或最小化横跨支撑台WT的温度变化。这又可以最小化温度传感器40之间的实际的温度变化，增加校准校正数据产生过程的精确度。

[0116] 至少与产生校准数据的过程相比较而言，校准校正数据产生过程可以被相对快地执行。此外，可以在其他动作发生的同时执行该过程，包括例如在支撑台WT处于运动的同时(假设其他动作不引入支撑台WT上的局部热负载)。

[0117] 在一实施例中，当支撑台WT设置在光刻设备中且设置在衬底W从支撑部分22去除和/或加载在支撑部分22上所处的位置时，校准校正数据产生过程可以被执行。

[0118] 替换地或附加地，当支撑台WT设置在光刻设备中且设置在一个或更多个量测过程被执行(例如包括检验已经被加载在支撑台WT上的衬底W)所处的位置时，可以执行校准校正数据产生过程。

[0119] 一般来说，当浸没光刻设备的流体处理结构不将浸没流体供给至被支撑台WT支撑的衬底W的上表面上的区域时，可以在过程循环中多个时间点中的一个或更多个时间点处执行校准校正数据产生过程。

[0120] 如上所述，调节系统21可以包括多个调节区域25，并且调节系统21可以被控制以独立地控制施加在每个调节区域25内的调节。

[0121] 在一实施例中，如图11所示，支撑台WT的支撑部分22附加地可以由通过连接器62机械连接至相邻支撑台部分61的分立的支撑台部分61形成。例如，这可以便于其中设置有可独立控制的调节单元23的支撑部分22的制造。例如，这可以便于具有多个调节区域25的支撑台WT的制造，其中每个调节区域25具有单独的通道30，调节流体可以通过所述通道30来提供，以便独立地调节该调节区域25，如上所述。

[0122] 替换地或者附加地，在还如图11所示的实施例中，支撑台WT可以包括多个独立的边缘抽取单元63。这种边缘抽取单元63可以被设置用于从衬底W的边缘与支撑台WT内支撑衬底W的凹陷65的边缘之间的间隙64抽取浸没流体和可能包含在浸没流体中的气泡。抽取单元63可以被设置用于减小或最小化气泡从间隙64逃逸到投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间内的浸没流体中的可能性。然而，抽取单元63的操作可能产生局部热负载，尤其可能导致冷却。通过在支撑台WT的支撑部分22的边缘的周围提供多个可独立控制的抽取单元63，抽取过程可以仅在需要的地方和/或时间进行。这可以减小衬底W上的总的热负载。虽然在图11所示的实施例中分立的抽取单元63的数量与除了中心调节区域25之外的调节区域25的数量相对应，但是这不是必须的，可以设置任何数量的可独立控制的抽取单元63。

[0123] 替换地或者附加地，在一实施例中，可以将多个可独立控制的加热器66设置成与间隙64相邻，所述间隙64处于衬底W的边缘与其中支撑有衬底W的凹陷65的边缘之间。可设置这种加热器66并且控制这种加热器66来补偿由抽取单元63导致的冷却。由此，如果设置多个抽取单元63，则可以设置对应的加热器66并且控制所述对应的加热器66以与相邻的抽取单元63一起操作。

[0124] 然而，可使用替换的布置。例如，即使设置单个抽取系统63，也可以设置多个可独立控制的加热器66。在任何情况下，单个的可独立控制的加热器66可以与多个可独立控制的抽取单元63相关，或者多个可独立控制的加热器66可以被设置用于每个可独立控制的抽取单元63。

[0125] 所述一个或更多个抽取单元63和所述一个或更多个加热器66可以被用于控制调节系统21的控制器24控制。替换地，可以设置一个或更多个附加的控制器。

[0126] 如可以理解的，上述特征中的任一个特征可以与任何其他特征一起使用，并且不仅仅是被清楚描述的被涵盖在本申请中的那些组合。例如，本发明的实施例可以应用于图2-4的实施例。此外，文中对加热或者加热器的讨论应该被理解为分别包括冷却或冷却器。

[0127] 虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)，但是应该理解到，这里所述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处的公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

[0128] 这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有或约365、248、193、157或126nm的波长)。在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件的任何一个或组合，包括折射式的和反射式的光学部件。

[0129] 尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明的实施例可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。此外，机器可读指令可以嵌入两个或更多个计算机程序中。所述两个或更多个计算机程序可以存储在一个或更多个不同的存储器上和/或数据存储介质上。

[0130] 当通过位于光刻设备的至少一个部件内的一个或更多个计算机处理器读取一个或更多个计算机程序时，这里提到的任何控制器可以单独或组合地操作。每个控制器或者控制器的组合可以具有用于接收、处理和发送信号的任何适当的配置。一个或更多个处理器被配置用于与控制器中的至少一个通信。例如，每个控制器可以包括用于执行计算机程序的一个或更多个处理器，其中所述计算机程序包括用于上述方法的机器可读指令。控制器可以包括用于存储这种计算机程序的数据存储介质和/或用于容纳这种介质的硬件。因此，控制器可以根据一个或更多个计算机程序的机器可读指令来操作。

[0131] 本发明的一个或更多个实施例可以应用到任何浸没式光刻设备，尤其是但不排他地，上面提到的那些类型的光刻设备，而且不论浸没液体是否以浴器的形式提供，或仅在衬底的局部表面区域上提供，或是非限制的。在非限制的布置中，浸没液体可以在所述衬底台和/或衬底的表面上流动，使得基本上衬底台和/或衬底的整个未覆盖的表面都被浸湿。在这种非限制浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没流体，或者其可以提供一定比例的浸没液体限制，但不是基本上完全地对浸没液体进行限制。

[0132] 这里提到的液体供给系统应该被广义地解释。在某些实施例中，液体供给系统可以是一种机构或多个结构的组合，其提供液体到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间。液体供给系统可以包括一个或更多个结构、一个或更多个流体开口(包括一个或更多个液体开口、一个或更多个气体开口或用于两相流的一个或更多个开口)的组合。每个开口可以是进入浸没空间的入口(或者从流体处理结构出来的出口)或者流出浸没空间的出口(或者进入流体处理结构的入口)。在一实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者所述空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。所述液体供给系统可选地进一步包括用于控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或其它任何特征的一个或更多个元件。

[0133] 本发明的实施例还包括根据以下方面所述的技术方案：

[0134] 方面1.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：

[0135] 支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及[0136] 调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域被配置成使得它与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比。

[0137] 方面2.根据方面1所述的支撑台，其中，每个调节单元包括电加热器。

[0138] 方面3.根据方面1或2所述的支撑台，其中，每个调节单元包括在对应的调节区域内的通道，所述通道被配置用于传送调节流体并且连接至用于提供调节流体的入口和用于排出调节流体的出口。

[0139] 方面4.根据方面1至3中任一方面所述的支撑台，其中，所述调节系统还包括全局调节单元，所述全局调节单元被配置用于将热能供给至全部调节区域和/或从全部调节区域去除热能。

[0140] 方面5.根据方面4所述的支撑台，其中，所述全局调节单元包括通道，所述通道被配置用于传送调节流体使其通过每个调节区域，并且所述通道被连接至用于提供调节流体的相关入口以及用于排出调节流体的出口。

[0141] 方面6.根据前述方面中任一方面所述的支撑台，还包括多个温度传感器，每个传感器被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度；以及

[0142] 控制器，所述控制器被配置用于控制调节系统，所述控制器被配置用于基于来自温度传感器的测量数据来控制所述调节系统。

[0143] 方面7.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：

[0144] 支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；

[0145] 调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；

[0146] 多个温度传感器，所述多个温度传感器被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度；以及

[0147] 控制器，所述控制器被配置用于基于来自温度传感器的测量数据来控制所述调节系统。

[0148] 方面8.根据方面6或7所述的支撑台，其中，至少一个温度传感器被设置至每个调节区域。

[0149] 方面9.根据方面6至8中任一方面所述的支撑台，其中，多个温度传感器被设置至每个调节区域。

[0150] 方面10.根据方面6至9中任一方面所述的支撑台，其中，所述控制器包括存储器，所述存储器被配置用于存储对于每个温度传感器的校准数据。

[0151] 方面11.根据方面10所述的支撑台，其中，所述控制器被配置用于基于校准测试来产生或接收修正的校准数据，其中温度传感器提供当温度传感器处于已知温度时的测量数据。

[0152] 方面12.根据方面10或11所述的支撑台，其中，所述控制器被配置用于存储对于每个温度传感器的校准校正数据；以及

[0153] 所述控制器被配置用于基于来自温度传感器的测量数据、对应的校准数据和对应的校准校正数据来控制所述调节系统。

[0154] 方面13.根据方面12所述的支撑台，其中，所述控制器被配置用于通过执行校准校正数据产生过程来产生校准校正数据，所述校准校正数据产生过程包括步骤：

[0155] 大致同时从多个温度传感器获得测量数据；

[0156] 基于对于每个温度传感器的校准数据和测量数据来确定对于每个温度传感器的温度数据；

[0157] 对于每个温度传感器，确定其温度数据的相对于多个温度传感器的平均温度数据的偏差；以及

[0158] 存储对于每个温度传感器的与所确定的偏差相对应的校准校正数据。

[0159] 方面14.根据方面13所述的支撑台，其中，使用来自支撑部分的调节区域内的所有温度传感器的测量数据来执行所述校准校正数据产生过程。

[0160] 方面15.根据方面13所述的支撑台，其中，使用来自支撑部分内的所有温度传感器的测量数据来执行所述校准校正数据产生过程。

[0161] 方面16.根据方面13至15中任一方面所述的支撑台，其中，当流体处理结构不将浸没流体提供至被支撑台支撑的衬底的上表面上的一区域时执行所述校准校正数据产生过程。

[0162] 方面17.根据方面13至16中任一方面所述的支撑台，其中，当支撑台位于光刻设备中且处于以下事件中的至少一个发生时所在的位置时执行所述校准校正数据产生过程：从支撑台卸载衬底；加载衬底到支撑台；和/或被支撑台支撑的衬底被测量系统检验。

[0163] 方面18.根据前述方面中任一方面所述的支撑台，其中，所述支撑台被配置用于将所述衬底支撑在凹陷中；以及

[0164] 还包括抽取系统，所述抽取系统被配置用于从凹陷的边缘与衬底的边缘之间的间隙抽取浸没流体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从所述间隙的相应区段抽取浸没流体。

[0165] 方面19.根据前述方面中任一方面所述的支撑台，还包括第二调节系统，所述第二调节系统被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从该与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个可独立控制的调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与该间隙的相应区段相邻的相应区域和/或从该与该间隙的相应区段相邻的相应区域去除热能。

[0166] 方面20.根据前述方面中任一方面所述的支撑台，其中，所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应。

[0167] 方面21.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：

[0168] 支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；以及[0169] 调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或将热能从支撑部分去除，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；

[0170] 其中每个调节单元包括在对应的调节区域内的通道，所述通道被配置用于传送调节流体。

[0171] 方面22.根据方面21所述的用于光刻设备的支撑台，其中，从以下项中选择至少一个：

[0172] 所述支撑台还包括第二调节系统，所述第二调节系统被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从该与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个可独立控制的调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与该间隙的相应区段相邻的相应区域和/或从该与该间隙的相应区段相邻的相应区域去除热能；

[0173] 所述支撑台还包括抽取系统，所述抽取系统被配置用于从凹陷的边缘与衬底的边缘之间的间隙抽取浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从所述间隙的相应区段抽取浸没液体；和/或

[0174] 所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应。

[0175] 方面23.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于在凹陷内支撑衬底，所述支撑台包括：

[0176] 支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；

[0177] 第一调节系统，所述第一调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述第一调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及

[0178] 第二调节系统，所述第二调节系统被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从该与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与该间隙的相应的区段相邻的相应区域和/或从该与该间隙的相应的区段相邻的相应区域去除热能。

[0179] 方面24.根据方面23所述的用于光刻设备的支撑台，其中，从以下项中选择至少一个：

[0180] 每个调节单元包括通道，所述通道在对应的调节区域内，并且所述通道被配置用于传送调节流体且被连接至相应的入口和出口；

[0181] 所述支撑台还包括抽取系统，所述抽取系统被配置用于从所述间隙抽取浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从所述间隙的相应区段抽取浸没液体；和/或

[0182] 所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应。

[0183] 方面25.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于将衬底支撑在凹陷内，所述支撑台包括：

[0184] 支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面；

[0185] 调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及[0186] 抽取系统，所述抽取系统被配置用于从凹陷的边缘与衬底的边缘之间的间隙抽取浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从该间隙的相应的区段抽取浸没液体。

[0187] 方面26.根据方面25所述的用于光刻设备的支撑台，其中，从以下项中选择至少一个：

[0188] 每个调节单元包括通道，所述通道在对应的调节区域内，并且所述通道被配置用于传送调节流体且被连接至相应的入口和出口；

[0189] 所述支撑台还包括第二调节系统，所述第二调节系统被配置用于将热能供给至支撑台的与所述间隙相邻的区域和/或从该与所述间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个可独立控制的调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与该间隙的相应区段相邻的相应区域和/或从该与该间隙的相应区段相邻的相应区域去除热能；和/或

[0190] 所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应。

[0191] 方面27.一种用于光刻设备的支撑台，所述支撑台被配置用于支撑衬底，所述支撑台包括：

[0192] 支撑部分，所述支撑部分被配置用于在其上表面上支撑衬底的下表面，所述支撑部分包括通过连接器彼此机械连接的多个支撑台部分，每个支撑台部分与相应的调节区域相对应；以及

[0193] 调节系统，所述调节系统被配置用于将热能供给至支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能。

[0194] 方面28.根据方面27所述的用于光刻设备的支撑台，其中，从以下项中选择至少一个：

[0195] 每个调节单元包括通道，所述通道在对应的调节区域内，并且所述通道被配置用于传送调节流体且被连接至相应的入口和出口；

[0196] 所述支撑台还包括第二调节系统，所述第二调节系统被配置用于将热能供给至支撑台的与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域和/或从该与凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙相邻的区域去除热能，所述第二调节系统包括多个可独立控制的调节单元，每个可独立控制的调节单元被配置用于将热能供给至支撑台的与所述间隙的相应区段相邻的相应区域和/或从该与所述间隙的相应区段相邻的相应区域去除热能；和/或[0197] 所述支撑台还包括抽取系统，所述抽取系统被配置用于从凹陷的边缘和衬底的边缘之间的间隙中抽取其中的浸没液体，所述抽取系统包括多个可独立控制的抽取单元，每个抽取单元被配置用于从所述间隙的相应区段内抽取其中的浸没液体。

[0198] 方面29.一种光刻设备，包括根据前述方面中任一方面所述的支撑台。

[0199] 方面30.一种器件制造方法，包括步骤：

[0200] 将图案化的辐射束通过由流体处理结构提供的浸没液体投影至投影系统与支撑在支撑台的支撑部分的上表面上的衬底之间的空间；

[0201] 使用调节系统将热能供给到支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能，每个调节区域与支撑部分的上表面的一部分相对应，其中所述支撑部分的上表面的该部分的面积在衬底的与由流体处理结构提供的浸没流体相接触的面积的大约50％到大约350％的范围内并且所述支撑部分的上表面的该部分具有在1至大约2之间的长宽比；以及

[0202] 独立地控制每个调节单元。

[0203] 方面31.一种器件制造方法，包括步骤：

[0204] 将图案化的辐射束通过浸没液体投影至投影系统与支撑在支撑台的支撑部分上的衬底之间的空间；

[0205] 使用调节系统将热能供给到支撑部分和/或从支撑部分去除热能，所述调节系统包括可独立控制的多个调节单元，每个调节单元被配置用于将热能供给至支撑部分的相应的调节区域和/或从支撑部分的相应的调节区域去除热能；以及

[0206] 基于来自多个温度传感器的测量数据来控制所述调节系统，每个温度传感器被配置用于测量支撑台在相应位置处的温度。

[0207] 方面32.根据方面31所述的器件制造方法，其中，所述支撑部分包括在每个调节区域中的温度传感器。

[0208] 方面33.根据方面31或32所述的器件制造方法，其中，调节系统的控制基于对于每个温度传感器的测量数据以及存储在存储器中的对于每个传感器的校准数据。

[0209] 方面34.根据方面33所述的器件制造方法，其中，所述校准数据是基于其中温度传感器提供当温度传感器处于已知温度时的测量数据的校准测试而产生的。

[0210] 方面35.根据方面33或34所述的器件制造方法，其中，对于每个温度传感器的校准校正数据存储在存储器中；以及调节系统的控制基于来自温度传感器的测量数据、对应的校准数据和校准校正数据。

[0211] 方面36.根据方面35所述的器件制造方法，其中，通过执行校准校正数据产生过程来产生校准校正数据，所述校准校正数据产生过程包括步骤：

[0212] 大致同时从多个温度传感器获得测量数据；

[0213] 基于对于每个温度传感器的校准数据和测量数据来确定对于每个温度传感器的温度数据；

[0214] 对于每个温度传感器确定其温度数据的相对于多个温度传感器的平均温度数据的偏差；以及

[0215] 存储对于每个温度传感器的与所确定的偏差相对应的校准校正数据。

[0216] 方面37.根据方面36所述的器件制造方法，其中，使用来自支撑部分的调节区域内的所有温度传感器的测量数据来执行所述校准校正数据产生过程。

[0217] 方面38.根据方面36所述的器件制造方法，其中，使用来自支撑部分的所有温度传感器的测量数据来执行所述校准校正数据产生过程。

[0218] 方面39.根据方面36至38中任一方面所述的器件制造方法，其中，当流体处理结构不将浸没流体提供至在被支撑台支撑的衬底的上表面上的一区域时执行所述校准校正数据产生过程。

[0219] 方面40.根据方面36至39中任一方面所述的器件制造方法，其中，当支撑台位于光刻设备中且处于以下事件中的至少一个发生时所在的位置时执行所述校准校正数据产生过程：从支撑台卸载衬底；加载衬底到支撑台；和/或被支撑台支撑的衬底被测量系统检验。

[0220] 方面41.一种对于多个温度传感器产生校准校正数据的方法，每个温度传感器被配置用于测量光刻设备中支撑台的温度，所述方法包括步骤：

[0221] 大致同时从温度传感器获得测量数据；

[0222] 基于测量数据和对于每个温度传感器的已有的校准数据来确定对于每个温度传感器的温度数据；

[0223] 对于每个温度传感器确定其温度数据相对于多个温度传感器的平均温度数据的偏差；以及

[0224] 对于每个温度传感器确定与所确定的偏差相对应的校准校正数据。

[0225] 以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域技术人员可以理解，在不背离所附权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的发明进行变更。

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