太阳能电池
阅读：735发布：2020-05-13
专利汇可以提供太阳能电池专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且根据 实施例 的一种 太阳能 电池 包括： 支撑 基板 ；在所述支撑基板上的背 电极 层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的 缓冲层 ；在所述缓冲层上的前电极层；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述第四通孔相对于所述支撑基板的顶表面倾斜。，下面是太阳能电池专利的具体信息内容。
1.一种太阳能电池，包括：
支撑基板；
在所述支撑基板上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的缓冲层；
在所述缓冲层上的前电极层；
被形成为穿过所述背电极层的第一通孔；
被形成为穿过所述光吸收层和所述缓冲层的第二通孔；
被形成为穿过所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第三通孔；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述缓冲层由所述第二通孔分成多个缓冲层，
其中，所述第四通孔将所述太阳能电池的边缘部分与外部短路，
其中，所述第四通孔的至少一部分相对于所述支撑基板的顶表面倾斜，其中，所述第四通孔与所述第三通孔隔开，
其中，所述第四通孔在与所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔的至少一个的方向不同的方向上形成，
其中，所述第四通孔暴露所述支撑基板的顶表面，
其中，所述前电极层包括连接部分，该连接部分从所述前电极层延伸到所述背电极层，其中，所述连接部分设置在所述第二通孔中，
其中，所述连接部分与所述前电极层一体地形成，以及
其中，构成所述连接部分的材料与构成所述前电极层的材料相同。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，第一至第三通孔的至少一个在垂直于所述支撑基板的所述顶表面的方向上形成。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第四通孔具有在从所述支撑基板到所述前电极层的方向上逐渐地扩大的宽度。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述第四通孔具有在130°至170°的范围中的倾斜角。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第四通孔具有在从所述支撑基板到所述前电极层的方向上逐渐地变窄的宽度。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第四通孔具有在40°至80°的范围中的倾斜角。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，
其中，所述第四通孔包括：
垂直于所述支撑基板的所述顶表面的第一表面；以及
从所述第一表面延伸并且相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜的第二表面。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第四通孔具有在从所述支撑基板到所述前电极层的方向上逐渐地扩大的宽度。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第二表面相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜在130°至170°的范围中的倾斜角。
10.一种太阳能电池，包括：
支撑基板；
在所述支撑基板上的背电极层；
在所述背电极层上的光吸收层；
在所述光吸收层上的缓冲层；
在所述缓冲层上的前电极层；
被形成为穿过所述背电极层的第一通孔；
被形成为穿过所述光吸收层和所述缓冲层的第二通孔；
被形成为穿过所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第三通孔；
被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔；
以及
由所述第四通孔暴露所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的暴露表面,
其中，所述缓冲层由所述第二通孔分成多个缓冲层，
其中，所述第四通孔将所述太阳能电池的边缘部分与外部短路，
其中，所述暴露表面的至少一部分相对于所述支撑基板的顶表面倾斜，其中，所述暴露表面与所述第三通孔的内表面隔开，
其中，所述第四通孔暴露所述支撑基板的顶表面，
其中，所述前电极层包括连接部分，该连接部分从所述前电极层延伸到所述背电极层，其中，所述连接部分设置在所述第二通孔中，
其中，所述连接部分与所述前电极层一体地形成，以及
其中，构成所述连接部分的材料与构成所述前电极层的材料相同。
11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述暴露表面暴露所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的侧面。
12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述暴露表面形成所述太阳能电池的边缘部分。
13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述暴露表面具有在40°至80°的范围中的倾斜角。
14.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述暴露表面具有在130°至170°的范围中的倾斜角。
15.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述暴露表面包括：
垂直于所述支撑基板的所述顶表面的第一暴露表面；以及
从所述第一暴露表面延伸并且相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜的第二暴露表面。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第二暴露表面相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜在130°至170°的范围中的倾斜角。
太阳能电池
技术领域
背景技术
[0002] 近来，关于环境污染和自然资源的消耗的关注已经增加，因此，太阳能电池作为具有高的能量效率而没有环境污染的问题的替代能源被关注。根据太阳能电池的构成，太阳能电池被分类为硅半导体太阳能电池(silicon semiconductor solar cell)、化合物半导体太阳能电池(compound semiconductor solar cell)和堆叠型太阳能电池(stack-type solar cell)。根据本实施例的包括CIGS光吸收层的太阳能电池可以属于化合物半导体太阳能电池。
[0003] I-III-VI族化合物半导体CIGS具有1eV或更大的直接跃迁能带隙以及在半导体中最高的光吸收系数。CIGS具有非常稳定的电光特性，因此CIGS是用于太阳能电池的光吸收层的理想材料。
[0004] 通过依次沉积基板、背电极层、光吸收层、缓冲层和前电极层来制造太阳能电池。此外，该太阳能电池具有：第一通孔，用于将背电极层短路；第二通孔，用于将光吸收层和缓冲层短路；第三通孔，用于将前电极层短路；以及，第四通孔，用于将边缘部分短路。
[0005] 可以通过激光蚀刻或通过在执行激光蚀刻后使用针状物(needle)执行机械蚀刻来形成第四通孔。
[0007] 因此，需要提供具有新颖结构的太阳能电池，其中，可以更有效地形成第四通孔。发明内容
[0008] 【技术问题】
[0009] 本实施例提供了一种太阳能电池，其具有新颖结构，该新颖结构包括具有倾斜表面的第四通孔。
[0010] 【技术方案】
[0011] 根据第一实施例，提供了一种太阳能电池，包括：支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的缓冲层；在所述缓冲层上的前电极层；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述第四通孔相对于所述支撑基板的顶表面倾斜。
[0012] 根据第二实施例，提供了一种太阳能电池，包括：支撑基板；在所述支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的光吸收层；在所述光吸收层上的前电极层；以及，被形成为穿过所述背电极层、所述光吸收层和所述前电极层的第四通孔，其中，所述第四通孔包括与所述支撑基板的所述顶表面垂直的第一表面和从所述第一表面延伸并且相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜的第二表面。
[0013] 【有益效果】
[0014] 在根据第一实施例的太阳能电池中，所述第四通孔相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜预定的倾斜角。
[0015] 根据现有技术，如同所述第一至第三通孔那样，第四通孔被形成为与所述支撑基板的顶表面垂直。在这种情况下，通过激光蚀刻来形成所述第四通孔，或者，通过在执行激光蚀刻后使用针状物执行机械蚀刻来形成所述第四通孔。
[0016] 然而，如果根据现有技术执行激光蚀刻或激光蚀刻和机械蚀刻，则前电极层可能因为激光的高能量而熔化，因此前电极层可能与在前电极层下布置的背电极层接触，由此引起短路。另外，如果通过初步蚀刻和第二蚀刻来形成第四通孔，则可能增加处理步骤，因此可能降低处理效率。
[0017] 因为这个原因，根据第一实施例的太阳能电池，当形成所述第四通孔时所述第四通孔的内表面是倾斜的。
[0018] 因此，可以增大在前电极层和背电极层之间的间隔距离，使得前电极层可以不与背电极层接触，即使前电极层因为激光的高能量而部分熔化，由此防止在前电极层和背电极层之间的短路。
[0019] 在根据第二实施例的太阳能电池中，所述第四通孔包括与所述支撑基板的所述顶表面垂直的第一表面和相对于所述支撑基板的所述顶表面倾斜预定的倾斜角的第二表面。
[0020] 因此，根据第二实施例的太阳能电池，当形成所述第四通孔时所述第四通孔的内表面部分倾斜。
[0021] 因此，可以增大在前电极层和背电极层之间的间隔距离，使得前电极层可以不与背电极层接触，即使前电极层因为激光的高能量而部分熔化，由此防止在前电极层和背电极层之间的短路。
[0023] 图1是示出根据实施例的太阳能电池的平面图。
[0024] 图2是示出根据第一实施例的太阳能电池的一个截面的截面图。
[0025] 图3和4是示出根据第一实施例的太阳能电池的第四通孔的截面的视图。
[0026] 图5是示出根据第二实施例的太阳能电池的一个截面的截面图。
[0027] 图6是示出根据第二实施例的太阳能电池的第四通孔的截面的视图。
[0028] 图7至15是示出制造根据实施例的太阳能电池的方法的视图。
具体实施方式
[0029] 在实施例的说明中，应当明白，当层(膜)、区域、焊盘或图案被称为在另一个层(膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时，它可以“直接地”或“间接地”在另一个层(膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。参考附图描述了层的这样的位置。
[0031] 以下，将参考附图来描述本公开的示例性实施例。
[0032] 图1是示出根据实施例的太阳能电池的平面图，图2是示出根据第一实施例的太阳能电池的一个截面的截面图，图3和4是示出根据第一实施例的太阳能电池的第四通孔的截面的视图，图5是示出根据第二实施例的太阳能电池的一个截面的截面图，图6是示出根据第二实施例的太阳能电池的第四通孔的截面的视图。
[0033] 参见图1至4，根据第一实施例的太阳能电池可以包括支撑基板10、背电极层20、光吸收层30、缓冲层40、前电极层50和多个连接部分60。
[0034] 支撑基板10具有板状，并且支撑背电极层20、光吸收层30、缓冲层40、前电极层50和连接部分60。
[0035] 支撑基板10可以包括绝缘体(insulator)。支撑基板10可以是玻璃基板、塑料基板或金属基板。详细而言，支撑基板10可以包括钠钙玻璃(soda lime glass)。支撑基板10可以是透明的。支撑基板10可以是柔性的(flexible)或刚性的(rigid)。
[0036] 可以在支撑基板10上设置背电极层20。背电极层20可以是导电层。例如，背电极层20可以包含金属，例如，钼(Mo)。
[0037] 另外，背电极层20可以包括至少两层。在这种情况下，所述层可以由相同的金属或不同的金属形成。
[0038] 背电极层20在其中形成有第一通孔TH1。第一通孔TH1是开放区域，用于暴露支撑基板10的顶表面。当在平面图中观看时，第一通孔TH1可以具有在第一方向上延伸的形状。
[0039] 第一通孔TH1的每个可以具有在大约80微米至大约200微米的范围中的宽度，但是本实施例不限于此。
[0040] 因此，背电极层20被第一通孔TH1划分为多个背电极。换句话说，背电极由第一通孔TH1限定。
[0041] 背电极通过第一通孔TH1彼此间隔开。背电极被布置为带(stripe)的形状。
[0042] 可替代的，背电极可以被布置为矩阵(matrix)的形状。在这种情况下，当在平面图中观看时，第一通孔TH1可以被设置为网格(lattice)的形状。
[0043] 在背电极层20上布置光吸收层30。而且，使用在光吸收层30中包含的材料填充第一通孔TH1。
[0044] 光吸收层30包含I-III-VI族化合物。例如，光吸收层30可以包含Cu(In,Ga)Se2(CIGS)晶体结构、Cu(In)Se2晶体结构或Cu(Ga)Se2晶体结构。
[0045] 光吸收层30可以具有在大约1eV至大约1.8eV的范围中的能带隙(energy bandgap)。
[0046] 在光吸收层30上布置缓冲层40。详细而言，第一缓冲层40可以直接地接触光吸收层30。
[0047] 缓冲层40可以在其中形成有第二通孔TH2。第二通孔TH2是开放区域，用于暴露背电极层20的顶表面。当在平面图中观看时，第二通孔TH2可以具有在一个方向上延伸的形状。第二通孔TH2的每个可以具有在大约80微米至大约200微米的范围中的宽度，但是本实施例不限于此。
[0048] 通过第二通孔TH2可以在缓冲层40中限定多个缓冲层。
[0049] 在缓冲层40上设置前电极层50。前电极层50是透明的，并且包括导电层。另外，前电极层50具有比背电极层20的电阻更高的电阻。
[0050] 前电极层50包含氧化物。例如，构成前电极层50的材料可以包括掺杂铝的锌氧化物(Al doped zinc oxide，AZO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)或铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)。
[0051] 前电极层50可以包括在第二通孔TH2中设置的连接部分60。
[0052] 缓冲层40和前电极层50在其中形成有第三通孔TH3。第三通孔TH3可以被形成为穿过缓冲层40和前电极层50的一部分或整体部分。换句话说，第三通孔TH3可以暴露背电极层20的顶表面。
[0053] 与第二通孔TH2相邻地形成第三通孔TH3。详细而言，第三通孔TH3设置在第二通孔TH2旁边。换句话说，当在平面图中观看时，第三通孔TH3被设置为与第二通孔TH2平行。第三通孔TH3可以具有在第一方向上延伸的形状。
[0054] 前电极层50被第三通孔TH3划分为多个前电极。
[0055] 每个前电极具有与每个背电极的形状对应的形状。换句话说，前电极被布置为带的形状。可替代地，前电极可以被布置为矩阵的形状。
[0056] 另外，多个太阳能电池C1、C2、…和Cn由第三通孔TH3限定。详细而言，太阳能电池C1、C2、…和Cn由第二和第三通孔TH2和TH3限定。换句话说，根据实施例的太阳能电池被第二和第三通孔TH2和TH3划分为太阳能电池C1、C2、…和Cn。另外，太阳能电池C1、C2、…和Cn在与第一方向相交的第二方向上彼此连接。换句话说，电流可以在第二方向上流过太阳能电池C1、C2、…和Cn。
[0057] 换句话说，太阳能电池板1000包括支撑基板10和太阳能电池C1、C2、…和Cn。太阳能电池C1、C2、…和Cn被设置在支撑基板10上并且彼此间隔开。太阳能电池C1、C2、…和Cn通过连接部分60彼此串联。
[0058] 在第二通孔TH2内设置连接部分60。连接部分60从前电极层50向下延伸，使得连接部分60连接到背电极层20。例如，连接部分60从第一电池C1的前电极延伸，使得连接部分60连接到第二电池C2的背电极。
[0059] 因此，连接部分60连接彼此相邻的太阳能电池。更详细而言，连接部分60连接彼此相邻的太阳能电池的前电极和背电极。
[0060] 连接部分60与前电极层50一体地形成。换句话说，构成连接部分60的材料与构成前电极层50的材料相同。
[0061] 在前电极层50中形成第四通孔TH4。第四通孔TH4被形成为穿过背电极层20、光吸收层30和前电极层50。
[0062] 第四通孔TH4暴露支撑基板10的表面，并且将太阳能电池的边缘部分与外部短路。
[0063] 如图3和4中所示，第四通孔TH4的内表面相对于支撑基板10的顶表面倾斜。
[0064] 详细而言，可以在与第一通孔TH1、第二通孔TH2和第三通孔TH3的至少一个的方向不同的方向上形成第四通孔TH4。即，可以在相对于支撑基板10的顶表面垂直的方向上形成第一通孔TH1、第二通孔TH2和第三通孔TH3的至少一个，并且，可以在与所述垂直的方向不同的方向上形成第四通孔TH4。
[0065] 参见图3，第四通孔TH4可以倾斜以具有从支撑基板10到前电极层50逐渐变宽的宽度。
[0066] 在这种情况下，在第四通孔TH4和支撑基板10的顶表面之间的倾斜角θ1可以是钝角。详细而言，倾斜角θ1可以在大约130°至大约170°的范围中。如果倾斜角θ1小于大约130°，则可能扩大死区，使得可能降低效率，并且可能不容易执行激光蚀刻。另外，如果倾斜角θ1超过大约170°，则前电极层50可能被激光熔化，因此，前电极层50与背电极层20接触，由此引起短路。
[0067] 参见图4，第四通孔TH4可以倾斜以具有从支撑基板10到前电极层50逐渐变窄的宽度。
[0068] 在这种情况下，在第四通孔TH4和支撑基板10的顶表面之间的倾斜角θ2可以是锐角。详细而言，倾斜角θ2可以在大约40°至大约80°的范围中。如果倾斜角θ2小于大约40°，则可能扩大死区，使得可能降低效率，并且可能不容易执行激光蚀刻。另外，如果倾斜角θ2超过大约80°，则前电极层50可能被激光熔化，因此，前电极层50与背电极层20接触，由此引起短路。
[0069] 在根据第一实施例的太阳能电池中，第四通孔相对于支撑基板的顶表面倾斜预定的倾斜角。
[0070] 根据现有技术，如同第一至第三通孔那样，垂直于支撑基板的顶表面形成第四通孔。在这种情况下，通过激光蚀刻来形成第四通孔，或者，通过在执行激光蚀刻后使用针状物执行机械蚀刻来形成第四通孔。
[0071] 然而，如果根据现有技术执行激光蚀刻或激光蚀刻和机械蚀刻，则前电极层可能因为激光的高能量而熔化，因此前电极层可能与在前电极层下布置的背电极层接触，由此引起短路。另外，如果通过初步蚀刻和第二蚀刻来形成第四通孔，则可能增加处理步骤，因此可能降低处理效率。
[0072] 因为这个原因，根据第一实施例的太阳能电池，当形成所述第四通孔时所述第四通孔的内表面是倾斜的。
[0073] 因此，可以增大在前电极层和背电极层之间的间隔距离，使得前电极层可以不与背电极层接触，即使前电极层因为激光的高能量而部分熔化，由此防止在前电极层和背电极层之间的短路。
[0074] 以下，将参考图5和6来描述根据第二实施例的太阳能电池。在第二实施例的下面的说明中，将省略关于已经在第一实施例中描述的部分的说明。即，将通过引用来并入关于根据第一实施例的太阳能电池的说明。
[0075] 参见图5和6，根据第二实施例的太阳能电池可以包括支撑基板100、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、前电极层500和多个连接部分600。
[0076] 另外，根据第二实施例的太阳能电池包括被形成为穿过背电极层的第一通孔TH1、被形成为穿过光吸收层的第二通孔TH2、被形成为穿过光吸收层和前电极层的第三通孔TH3和被形成为穿过背电极层、光吸收层和前电极层的第四通孔TH4。
[0077] 支撑基板100、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、前电极层500、连接部分600和第一至第三通孔与根据第一实施例的太阳能电池的那些相同，因此将省略其详细说明。
[0078] 根据第二实施例的太阳能电池在其中形成有第四通孔TH4，第四通孔TH4暴露支撑基板100的表面，并且将太阳能电池的边缘部分与外部短路。
[0079] 详细而言，可以在与第一通孔TH1、第二通孔TH2和第三通孔TH3的至少一个的方向不同的方向上形成第四通孔TH4。即，可以在相对于支撑基板100的顶表面垂直的方向上形成第一通孔TH1、第二通孔TH2和第三通孔TH3的至少一个，并且，可以在与所述垂直的方向不同的方向上形成第四通孔TH4。
[0080] 第四通孔TH4可以相对于支撑基板100的顶表面部分倾斜。详细而言，第四通孔TH4可以包括垂直于支撑基板100的顶表面的第一表面TH4a和相对于支撑基板100的顶表面倾斜预定角度的第二表面TH4b。换句话说，第四通孔TH4的内表面可以包括第二表面TH4b，即，相对于支撑基板100部分地倾斜的倾斜表面。
[0081] 第四通孔TH4可以具有从支撑基板100到前电极层500变宽的宽度。详细而言，第四通孔TH4的宽度可以从第二表面TH4b开始在从支撑基板100向前电极层500的方向上逐渐地增大。
[0082] 第四通孔TH4的第二表面TH4b，即，第四通孔TH4的倾斜表面相对于支撑基板100的顶表面倾斜预定角度。详细而言，第二表面TH4b相对于支撑基板100具有在大约130°至大约170°的范围中的倾斜角θ3。
[0083] 倾斜角θ3可以在大约130°至大约170°的范围中。如果倾斜角θ3小于大约130°，则可能扩大死区，使得可能降低效率，并且可能不容易执行激光蚀刻。另外，如果倾斜角θ3超过大约170°，则前电极层500可能被激光熔化，因此，前电极层500与背电极层200接触，由此引起短路。
[0084] 在根据第二实施例的太阳能电池中，第四通孔具有与支撑基板的顶表面垂直的第一表面和相对于支撑基板的顶表面倾斜的第二表面。
[0085] 因此，根据第二实施例的太阳能电池，当形成第四通孔时，第四通孔的内表面部分地倾斜预定的倾斜角。
[0086] 因此，可以增大在前电极层和背电极层之间的间隔距离，使得前电极可以不与背电极层接触，即使前电极层因为激光的高能量而部分地熔化，由此防止在前电极层和背电极层之间的短路。
[0087] 另外，可以减小死区面积，使得可以改善太阳能电池的效率。
[0088] 以下，将参考图7至15来描述制造根据实施例的太阳能电池的方法。图7至15是示出了制造根据实施例的太阳能电池的方法的视图。为了解释的方便，在附图中表示了与根据第二实施例的太阳能电池相对应的附图标号，并且，可以通过制造根据第二实施例的太阳能电池的方法来制造根据第一实施例的太阳能电池。
[0089] 参见图7，在支撑基板100上形成背电极层200。
[0090] 通过将背电极层200图案化来形成第一通孔TH1。因此，在支撑基板100上形成了多个背电极与第一和第二连接电极。背电极层200是通过激光来图案化的。
[0091] 第一通孔TH1暴露支撑基板100的顶表面，并且可以具有在大约80微米至大约200微米的范围中的宽度，但是实施例不限于此。
[0092] 而且，可以在支撑基板100和背电极层200之间插入诸如扩散阻挡层(diffusion barrier layer)的附加的层。在这种情况下，第一通孔TH1暴露所述附加的层的顶表面。
[0094] 例如，同时或独立地蒸发Cu、In、Ga和Se，以形成CIGS基光吸收层300，或者，可以在形成金属前体层(metal precursor layer)后通过硒化工艺(selenization process)来形成光吸收层300。
[0095] 详细而言，当在形成金属前体层后执行硒化工艺时，通过执行使用Cu靶(target)、In靶和Ga靶的溅射工艺来在背电极层200上形成金属前体层。
[0096] 然后，基于金属前体层执行硒化工艺以形成CIGS基的光吸收层300。
[0097] 另外，可以同时执行所述使用Cu靶、In靶和Ga靶的溅射工艺以及所述硒化工艺。
[0098] 而且，可以仅使用Cu靶和In靶或仅Cu靶和Ga靶执行溅射工艺和硒化工艺来形成CIS或CIG基的光吸收层300。
[0099] 然后，通过溅射工艺或化学浴沉积(chemical bath deposition，CBD)来沉积硫化镉(cadmium sulfide)，使得形成缓冲层400。
[0100] 可以通过化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)、金属有机化学气相沉积(metal organic chemical vapordeposition，MOCVD)或原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)来制得缓冲层。
[0101] 接着，参见图11，通过部分地去除光吸收层300和缓冲层400来形成第二通孔TH2。
[0102] 第二通孔TH2可以通过使用诸如尖端(tip)的机械装置或激光装置来形成。
[0103] 例如，可以通过具有大约40微米至大约180微米的宽度的尖端将光吸收层300和缓冲层400图案化。另外，可以通过具有大约200nm至大约600nm的波长的激光来形成第二通孔TH2。
[0104] 在这种情况下，第二通孔TH2可以具有大约100微米至大约200微米的宽度。另外，第二通孔TH2暴露背电极层200的顶表面的一部分。
[0105] 其后，参见图12，在缓冲层400上沉积透明导电材料，以形成前电极层500。
[0106] 可以通过在无氧环境中沉积透明导电材料来形成前电极层500。详细而言，可以通过在不包含氧气的惰性气体环境中沉积掺杂铝的锌氧化物(Al-doped zinc oxide)来形成前电极层500。
[0107] 可以通过经由使用ZnO靶的RF溅射工艺沉积掺杂铝的锌氧化物或通过经由使用Zn靶的反应(reactive)溅射工艺沉积掺杂铝的锌氧化物来形成前电极层500。
[0108] 其后，参见图13，通过部分地去除光吸收层300、缓冲层400和前电极层500来形成第三通孔TH3。因此，前电极层500被图案化以限定多个前电极以及第一至第三电池C1至C3。每个第三通孔TH3具有大约80微米至大约200微米的宽度，但是实施例不限于此。
[0109] 然后，参见图14，通过部分地去除背电极层200、光吸收层300、缓冲层400和前电极层500来形成第四通孔TH4。因此，暴露了支撑基板100的表面，并且将太阳能电池的边缘部分与外部短路。
[0110] 可以通过照射激光(irradiating laser)来形成第四通孔TH4。在这种情况下，相对于支撑基板100的顶表面以预定倾斜角来照射层。因此，第四通孔TH4的内表面可以相对于支撑基板100的顶表面倾斜预定的倾斜角。
[0111] 此时，第四通孔TH4的内表面在从支撑基板100到前电极层的方向上逐渐地变窄或扩大。即，第四通孔TH4相对于支撑基板100的顶表面具有钝角的倾斜角或锐角的倾斜角。例如，当第四通孔TH4的内表面在从支撑基板100到前电极层的方向上逐渐变窄时，第四通孔TH4具有在大约40°至大约80°的范围中的倾斜角。另外，当第四通孔TH4的内表面在从支撑基板100到前电极层的方向上逐渐地扩大时，第四通孔TH4具有在大约130°至大约170°的范围中的倾斜角。
[0112] 因此，可以在通过上面的方法在太阳能电池的制造中增大在前电极层和背电极层之间的间隔距离，使得前电极层可以不与背电极层接触，即使前电极层因为激光的高能量而部分熔化，由此防止在前电极层和背电极层之间的短路。
[0113] 参见图15，与图14不同，通过部分地去除背电极层200、光吸收层300、缓冲层400和前电极层500来形成部分地倾斜的第四通孔TH4。因此，暴露了支撑基板100的表面，并且将太阳能电池的边缘部分与外部短路。
[0114] 可以在照射激光后通过使用针状物经由机械方案来形成第四通孔TH4。在这种情况下，在垂直于支撑基板100的顶表面的方向上照射激光。因此，第四通孔TH4可以具有与支撑基板100的顶表面垂直的内表面。
[0115] 然后，通过使用诸如针状物的机械蚀刻设备相对于第四通孔TH4的内表面执行蚀刻工艺，使得第四通孔TH4的内表面部分地倾斜。因此，第四通孔TH4的内表面可以包括：第一表面TH4a，其部分地垂直于支撑基板的顶表面；以及，第二表面TH4b，其相对于支撑基板的顶表面部分地倾斜。
[0116] 在这种情况下，第四通孔TH4的第二表面TH4b在从支撑基板100到前电极层的方向上逐渐地扩大。即，第四通孔TH4的第二表面TH4b相对于支撑基板100的顶表面具有钝角的倾斜角或锐角的倾斜角。例如，当第四通孔TH4的第二表面TH4b在从支撑基板100到前电极层的方向上逐渐地扩大时，第四通孔TH4的第二表面TH4b具有在大约130°至大约170°的范围中的倾斜角。
[0117] 因此，可以增大在根据上面的方法制造的太阳能电池中的前电极层和背电极层之间的间隔距离，使得前电极层可以不与背电极层接触，即使前电极层因为激光的高能量而部分地熔化，由此防止在前电极层和背电极层之间的短路。
[0118] 另外，可以减小死区面积，使得可以提高太阳能电池的效率。
[0119] 在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的任何引用表示在本发明的至少一个实施例中包括结合实施例描述的特定特征、结构或特性。在本说明书中的各个位置中的这样的短语的出现不一定全部指的是同一实施例。而且，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为其在本领域内的技术人员结合其他的实施例实现这样的特征、结构或特性的范围内。
[0120] 虽然已经参考其多个说明性实施例描述了实施例，但是应当明白，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的精神和原理范围内的多种其他修改和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主组合布置的部件部分和/或布置中，各种改变和修改是可能的。除了在部件部分和/或布置中的改变和修改之外，替代使用对于本领域内的技术人员也是显然的。
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