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太阳能电池及其制造方法

阅读:864发布:2023-02-05

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1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
玻璃衬底;
位于所述玻璃衬底上平方向间隔排列的多个串联太阳能电池单元组,所述多个串联的太阳能电池单元组的结构相同;
所述太阳能电池单元组包括多个竖直方向堆叠的太阳能电池单元,多个太阳能电池单元串联连接,太阳能电池单元组中缺陷最多的太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池单元组包括串联的第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷比第二太阳能电池单元的缺陷多,所述第一太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池单元组包括依次串联的第三太阳能电池单元、第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷最多,所述第一太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
4.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述第三太阳能电池单元的缺陷比所述第二太阳能电池单元的缺陷多,所述第三太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
5.如权利要求2~4任意一权利要求所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一太阳能电池单元为非晶太阳能电池单元,所述第二太阳能电池单元为微晶硅太阳能电池单元。
6.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述缺陷最多的太阳能电池单元包括位于所述玻璃衬底上的、水平方向间隔排列的至少两个太阳能电池子单元,所述太阳能电池单元组的其他太阳能电池单元位于所述缺陷最多的太阳能电池单元的上方或下方。
7.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,
所述太阳能电池单元组包括串联的第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷比第二太阳能电池单元的缺陷多,所述玻璃衬底上具有透明导电化物膜玻璃层;
所述第一太阳能电池单元位于所述玻璃衬底上的所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上,所述第一太阳能电池单元包括:水平方向间隔排列的第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元,位于所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元之间的绝缘层,其中,所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一型掺杂非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层、第二型掺杂的非晶硅半导体层;
所述第二太阳能电池单元位于所述第一太阳能电池单元上,所述第二太阳能电池单元包括位于所述第二型掺杂非晶硅半导体层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂微晶硅半导体层;
所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元上的电极层,所述电极层通过插塞与邻近的太阳能电池单元组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接。
8.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,
所述太阳能电池单元组包括依次串联的第三太阳能电池单元、第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷最多,所述玻璃衬底上具有透明导电氧化物镀膜玻璃层;
所述第三太阳能电池单元位于所述玻璃衬底上的所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上,所述第三太阳能电池单元包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂微晶硅半导体层;
所述第一太阳能电池单元位于所述第三太阳能电池单元上,所述第一太阳能电池单元包括:水平方向间隔排列的第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元,位于所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元之间的绝缘层,其中,所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元包括依次位于所述第二型掺杂微晶硅半导体层上的第一型掺杂非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层、第二型掺杂的非晶硅半导体层;
所述第二太阳能电池单元位于所述第一太阳能电池单元上,所述第二太阳能电池单元包括位于所述第二型掺杂的非晶硅半导体层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂的微晶硅半导体层;
所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元上的电极层,所述电极层通过插塞与邻近的太阳能电池单元组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接。
9.如权利要求7或8任意一权利要求所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一型掺杂为N型掺杂,所述第二型掺杂为P型掺杂;或者所述第一型掺杂为P型掺杂,所述第二型掺杂为N型掺杂。
10.一种如权利要求2所述太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:提供玻璃衬底;
在玻璃衬底上形成透明导电氧化物镀膜玻璃;
划刻所述透明导电氧化物镀膜玻璃,形成多个透明导电氧化物镀膜玻璃层;
在所述多个透明导电氧化物镀膜玻璃层上形成第一太阳能电池单元;
对第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第一凹槽;
在所述第一凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘层;
在绝缘层和所述第一太阳能电池单元上形成与所述第一太阳能电池单元串联的第二太阳能电池单元;
对所述第二太阳能电池单元和第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第二凹槽;
在所述第二凹槽中填充导电材料直至填满所述第二凹槽,形成覆盖于所述第二太阳能电池单元上的电极层;
在同一透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一凹槽和第二凹槽之间的位置处,对所述电极层、第二太阳能电池单元、第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第三凹槽;
所述第三凹槽用于在水平方向隔离电极层、第二太阳能电池单元、第一太阳能电池单元,以形成多个太阳能电池单元组,所述电极层实现多个太阳能电池单元组的串联。
11.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述划刻工艺为激光划刻。
12.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述绝缘材料为氧化或氧化硅。
13.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,所述第一太阳能电池单元为非晶硅太阳能电池单元,所述第二太阳能电池单元为微晶硅太阳能电池单元。
14.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述第一凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘层的步骤包括:在第一太阳能电池单元上放置刚好露出所述第一凹槽的第一掩模,以所述第一掩模为掩模向所述第一凹槽中填充绝缘材料。
15.如权利要求10所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述第二凹槽中填充导电材料直至填满所述第二凹槽,形成覆盖于所述第二太阳能电池单元上的电极层的步骤包括:在所述第二凹槽上放置刚好露出所述第二凹槽的第二掩模,以所述第二掩模为掩模向所述第二凹槽中填充导电材料。

说明书全文

太阳能电池及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及其制造方法。

背景技术

[0002] 能源是人类社会发展的动,是国民经济发展和人民生活平提高的重要物质基础。目前广泛使用的常规能源(主要是、石油、天然气等化石能源)有限,且多年过度的开发利用已造成严重的环境问题,制约着经济和社会的发展。因此,开发可再生能源是关系到国家可持续发展战略的关键问题之一。在各种可再生能源中,太阳能发电技术是近年来太阳能利用领域中发展最快、最前沿的研究领域。
[0003] 为了提高光电转换效率,现有技术发展了串叠型太阳能电池,在公开号为CN102282676A的中国专利申请中就公开了一种串叠型太阳能电池,参考图1,示出了所述中国专利申请中太阳能电池一实施例的示意图,所述太阳能电池包括依次位于玻璃衬底1上的透明导电化物膜玻璃(Transparent Conducting Oxide,TCO)3、作为顶部太阳能电池单元的非晶太阳能电池单元5、半透明反射层7、作为底部太阳能电池单元的微晶硅太阳能电池单元9。
[0004] 当图1箭头所示的光投射至太阳能电池上时,所述非晶硅太阳能电池单元5和微晶硅太阳能电池单元9分别用于将不同波长的光的能量转换为电能,从而提高了光电转换效率。
[0005] 然而,所述不同材料的太阳能电池单元的串叠容易引起太阳能电池输出的电流不稳定的问题。

发明内容

[0006] 本发明的目的是提供一种太阳能电池及其制造方法,以提高太阳能电池输出电流的稳定性
[0007] 为了解决上述问题,本发明提供一种太阳能电池,包括:玻璃衬底;位于所述玻璃衬底上水平方向间隔排列的多个串联的太阳能电池单元组,所述多个串联的太阳能电池单元组的结构相同;所述太阳能电池单元组包括多个竖直方向堆叠的太阳能电池单元,多个太阳能电池单元串联连接,太阳能电池单元组中缺陷最多的太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
[0008] 可选地,所述太阳能电池单元组包括串联的第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷比第二太阳能电池单元的缺陷多,所述第一太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
[0009] 可选地,所述太阳能电池单元组包括依次串联的第三太阳能电池单元、第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷最多,所述第一太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
[0010] 可选地,所述第三太阳能电池单元的缺陷比所述第二太阳能电池单元的缺陷多,所述第三太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
[0011] 可选地,所述第一太阳能电池单元为非晶硅太阳能电池单元,所述第二太阳能电池单元为微晶硅太阳能电池单元。
[0012] 可选地,所述缺陷最多的太阳能电池单元包括位于所述玻璃衬底上的、水平方向间隔排列的至少两个太阳能电池子单元,所述太阳能电池单元组的其他太阳能电池单元位于所述缺陷最多的太阳能电池单元的上方或下方。
[0013] 可选地,所述太阳能电池单元组包括串联的第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷比第二太阳能电池单元的缺陷多,所述玻璃衬底上具有透明导电氧化物镀膜玻璃层;所述第一太阳能电池单元位于所述玻璃衬底上的所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上,所述第一太阳能电池单元包括:水平方向间隔排列的第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元,位于所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元之间的绝缘层,其中,所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一型掺杂非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层、第二型掺杂的非晶硅半导体层;所述第二太阳能电池单元位于所述第一太阳能电池单元上,所述第二太阳能电池单元包括位于所述第二型掺杂非晶硅半导体层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂微晶硅半导体层;所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元上的电极层,所述电极层通过插塞与邻近的太阳能电池单元组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接。
[0014] 可选地,所述太阳能电池单元组包括依次串联的第三太阳能电池单元、第一太阳能电池单元和第二太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元的缺陷最多,所述玻璃衬底上具有透明导电氧化物镀膜玻璃层;所述第三太阳能电池单元位于所述玻璃衬底上的所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上,所述第三太阳能电池单元包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂微晶硅半导体层;所述第一太阳能电池单元位于所述第三太阳能电池单元上,所述第一太阳能电池单元包括:水平方向间隔排列的第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元,位于所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元之间的绝缘层,其中,所述第一太阳能电池子单元、第二太阳能电池子单元包括依次位于所述第二型掺杂微晶硅半导体层上的第一型掺杂非晶硅半导体层、本征非晶硅半导体层、第二型掺杂的非晶硅半导体层;所述第二太阳能电池单元位于所述第一太阳能电池单元上,所述第二太阳能电池单元包括位于所述第二型掺杂的非晶硅半导体层上的第一型掺杂微晶硅半导体、本征微晶硅半导体层、第二型掺杂的微晶硅半导体层;所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元上的电极层,所述电极层通过插塞与邻近的太阳能电池单元组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接。
[0015] 可选地,所述第一型掺杂为N型掺杂,所述第二型掺杂为P型掺杂;或者所述第一型掺杂为P型掺杂,所述第二型掺杂为N型掺杂。
[0016] 相应地,本发明还提供一种太阳能电池的制造方法,包括:提供玻璃衬底;在玻璃衬底上形成透明导电氧化物镀膜玻璃;划刻所述透明导电氧化物镀膜玻璃,形成多个透明导电氧化物镀膜玻璃层;在所述多个透明导电氧化物镀膜玻璃层上形成第一太阳能电池单元;对第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第一凹槽;在所述第一凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘层;在绝缘层和所述第一太阳能电池单元上形成与所述第一太阳能电池单元串联的第二太阳能电池单元;对所述第二太阳能电池单元和第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第二凹槽;在所述第二凹槽中填充导电材料直至填满所述第二凹槽,形成覆盖于所述第二太阳能电池单元上的电极层;在同一透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一凹槽和第二凹槽之间的位置处,对所述电极层、第二太阳能电池单元、第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第三凹槽;所述第三凹槽用于在水平方向隔离电极层、第二太阳能电池单元、第一太阳能电池单元,以形成多个太阳能电池单元组,所述电极层实现多个太阳能电池单元组的串联。
[0017] 可选地,所述划刻工艺为激光划刻。
[0018] 可选地,所述绝缘材料为氧化或氧化硅。
[0019] 可选地,所述第一太阳能电池单元为非晶硅太阳能电池单元,所述第二太阳能电池单元为微晶硅太阳能电池单元。
[0020] 可选地,在所述第一凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘层的步骤包括:在第一太阳能电池单元上放置刚好露出所述第一凹槽的第一掩模,以所述第一掩模为掩模向所述第一凹槽中填充绝缘材料。
[0021] 可选地,在所述第二凹槽中填充导电材料直至填满所述第二凹槽,形成覆盖于所述第二太阳能电池单元上的电极层的步骤包括:在所述第二凹槽上放置刚好露出所述第二凹槽的第二掩模,以所述第二掩模为掩模向所述第二凹槽中填充导电材料。
[0022] 与现有技术相比,本发明具有以下优点:
[0023] 1.由于缺陷较多的太阳能电池电流比较不稳定,将缺陷最多的太阳能电池单元分为至少包括两个并联的太阳能电池子单元,太阳能电池的输出电流为太阳能电池子单元的电流的和,这样太阳能电池子单元之间可以相互减缓电流不稳定性对太阳能电池输出电流的影响。
[0024] 2.可选方案中,所述缺陷最多的太阳能电池单元包括位于所述玻璃衬底上的、水平方向间隔排列的至少两个太阳能电池子单元,所述太阳能电池单元组的其他太阳能电池单元位于所述缺陷最多的太阳能电池单元的上方或下方,缺陷最多的太阳能电池单元通过在同一层设置水平间隔排列的太阳能电池子单元实现太阳能电池子单元的并联,结构较为简单。
[0025] 3.可选方案中,位于所述太阳能电池单元上的电极层,通过插塞与邻近的太阳能电池组的透明导电氧化物镀膜玻璃层电连接,从而实现太阳能电池组之间的串联,结构较为简单。附图说明
[0026] 图1是现有技术太阳能电池一实施例的示意图;
[0027] 图2是本发明太阳能电池第一实施例的示意图;
[0028] 图3是图2所示太阳能电池的等效电路图;
[0029] 图4是本发明太阳能电池第二实施例的示意图;
[0030] 图5是图4所示太阳能电池的等效电路图;
[0031] 图6是本发明太阳能电池制造方法一实施方式的流程示意图;
[0032] 图7至图14是本发明太阳能电池制造方法一实施例形成的太阳能电池的电侧面示意图。

具体实施方式

[0033] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
[0034] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用不同于此处的其它方式来实施,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0035] 为了解决背景技术中的问题,本发明提供一种太阳能电池,包括:玻璃衬底;位于所述玻璃衬底上水平方向间隔排列的多个串联的太阳能电池单元组,所述多个串联的太阳能电池单元组的结构相同;所述太阳能电池单元组包括多个竖直方向堆叠的太阳能电池单元,多个太阳能电池单元串联连接,其中缺陷最多的太阳能电池单元至少包括两个并联的太阳能电池子单元。
[0036] 此处所述多个串联的太阳能电池单元组的结构相同,指的是各个太阳能电池单元组包括相同数量、相同串联方式、相同类型(非晶硅或微晶硅)的太阳能电池单元。具体地说,各太阳能电池单元组的各层通过相同工艺同时形成。
[0037] 由于太阳能电池单元材料的不同(例如非晶硅太阳能电池单元、微晶硅太阳能电池单元),太阳能电池单元组中的各太阳能电池单元中具有不同数量的缺陷。具体地,通常非晶硅太阳能电池单元的缺陷比较多。
[0038] 缺陷越多,太阳能电池单元对应的输出电流越不稳定,这会造成整个太阳能电池输出电流的不稳定。本发明中,将缺陷最多的太阳能电池单元分为至少包括两个并联的太阳能电池子单元,太阳能电池的输出电流为太阳能电池子单元的电流的和,这样太阳能电池子单元之间可以相互抵消电流的不稳定性,例如,其中一太阳能电池子单元的电流在某一时刻为波峰,另一太阳能电池子单元的电流在此时处于波谷,这样,两个太阳能电池子单元电流的和仍为一稳定的值。另外,即使单个太阳能电池子单元在某一时刻的电流不够稳定,其他太阳能电池子单元的电流的稳定可以减缓所述单个太阳能电池子单元电流不稳定对输出电流的影响,从而提高了太阳能电池输出电流的稳定性。
[0039] 下面结合具体实施例对本发明技术方案做进一步说明。
[0040] 参考图2,示出了本发明太阳能电池第一实施例的示意图,为了使附图更加简洁、清楚,图2仅以3个串联的太阳能电池单元组为示例,但是本发明对此不做限制。本实施例的太阳能电池包括:
[0041] 玻璃衬底100;
[0042] 位于所述玻璃衬底100上的多个透明导电氧化物镀膜玻璃层102,所述多个透明导电氧化物镀膜玻璃层102在玻璃衬底100上水平间隔排列,相互绝缘,每一透明导电氧化物镀膜玻璃层102与太阳能电池单元组相对应;
[0043] 所述太阳能电池单元组包括位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层102上的第一太阳能电池单元104。本实施例中,所述第一太阳能电池单元104的缺陷较多。所述第一太阳能电池单元104包括位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层102上、水平间隔排列的第一太阳能电池子单元106、第二太阳能电池子单元108,还包括第一太阳能电池子单元106和第二太阳能电池子单元108之间的绝缘层110。
[0044] 本实施例中,所述第一太阳能电池单元104为非晶硅太阳能电池单元,但是本发明并不限制于此,所述第一太阳能电池单元104还可以是其他材料的太阳能电池单元,例如,所述第一太阳能电池单元104还可以是缺陷较多的微晶硅太阳能电池单元。
[0045] 具体地,所述第一太阳能电池子单元106、第二太阳能电池子单元108均包括依次位于透明导电氧化物镀膜玻璃层102上的N型掺杂的非晶硅半导体层(图未示)、本征非晶硅半导体(图未示)、P型掺杂的非晶硅半导体层(图未示)。
[0046] 所述绝缘层110可以是氧化硅、氧化铝等的绝缘材料,本发明对此不做限制。
[0047] 所述太阳能电池单元组还包括:位于所述第一太阳能电池单元104上的第二太阳能电池单元112。
[0048] 本实施例中,所述第二太阳能电池单元112为微晶硅太阳能电池单元,但是本发明对此不做限制。
[0049] 具体地,所述第二太阳能电池单元112包括覆盖于所述第一太阳能电池子单元106、第二太阳能电池子单元108和绝缘层110上的N型掺杂的微晶硅半导体层(图未示)、本征微晶硅半导体层(图未示)和P型掺杂的微晶硅半导体层(图未示)。
[0050] 所述太阳能电池单元组还包括位于所述第二太阳能电池单元112上的电极层114。所述电极层114用作太阳能电池的电极,还用于实现太阳能电池组之间的电连接。
[0051] 具体地,各太阳能电池组的第一太阳能电池单元104、第二太阳能电池112、电极层114在水平方向上间隔排列。所述太阳能电池组还包括位于所述电极层114下方、贯穿所述第二太阳能电池112、第一太阳能电池单元104的插塞116,所述插塞116与邻近的太阳能电池组的透明导电氧化物镀膜玻璃层102相接触,从而实现相邻太阳能电池组之间的串联连接。
[0052] 本实施例中,所述电极层114和所述插塞116的材料为金属,例如或铝。优选地,所述电极层114和所述插塞116的材料相同,以节省材料、简化结构、简化工艺步骤。
[0053] 需要说明的是,在上述实施例中,所述第一太阳能电池子单元106、第二太阳能电池子单元108、第二太阳能电池单元112为nip型太阳能电池单元,在其他实施例中,还可以是pin型太阳能电池单元本发明对此不做限制。
[0054] 结合参考图3,示出了图2所示太阳能电池的等效电路示意图。为了使附图更加简洁、清楚,附图3中只示出了一个太阳能电池组的等效电路。如图3所示,第一太阳能电池子单元106和第二太阳能电池子单元108并联之后与第二太阳能电池单元112串联。太阳能电池的输出电流为分别通过第一太阳能电池子单元106和第二太阳能电池子单元108的电流的和。这样,即使第一太阳能电池子单元106(或第二太阳能电池子单元108)在某一时刻的电流不够稳定,第二太阳能电池子单元108(或第一太阳能电池子单元106)的电流会减缓所述电流的不稳定对输出电流的影响,从而提高太阳能电池组输出电流的稳定性。
[0055] 需要说明的是,在第一实施例中,所述第一太阳能电池单元104包括并联的第一太阳能电池子单元106和第二太阳能电池子单元108,在其他实施例中,所述第一太阳能电池单元106还可以包括三个、四个等多个太阳能电池子单元,只是如果太阳能电池子单元的数量过多,容易使制造工艺过于复杂,本领域技术人员可以根据设计需要设置太阳能电池子单元的数量。
[0056] 参考图4,示出了本发明第二实施例的示意图,本实施例太阳能电池包括:
[0057] 玻璃衬底200;
[0058] 位于所述玻璃衬底200上的多个透明导电氧化物镀膜玻璃层202;
[0059] 所述太阳能电池单元组包括位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层202上的第三太阳能电池单元203。本实施例中,所述第三太阳能电池单元203为微晶硅太阳能电池单元,具体地,包括依次位于所述透明导电氧化物镀膜玻璃层202上的N型掺杂的微晶硅半导体层(图未示)、本征微晶硅半导体层(图未示)和P型掺杂的微晶硅半导体层(图未示)。
[0060] 所述太阳能电池单元组还包括位于所述第三太阳能电池单元203上的第一太阳能电池单元204。本实施例中,所述第一太阳能电池单元204为缺陷较多的非晶硅太阳能电池单元,所述第一太阳能电池单元204包括位于所述第三太阳能电池单元203上、水平间隔排列的第一太阳能电池子单元206、第二太阳能电池子单元208,还包括第一太阳能电池子单元206和第二太阳能电池子单元208之间的绝缘层210。
[0061] 具体地,所述第一太阳能电池子单元206、第二太阳能电池子单元208均包括依次位于第三太阳能电池单元203上的N型掺杂的非晶硅半导体层(图未示)、本征非晶硅半导体(图未示)、P型掺杂的非晶硅半导体层(图未示)。
[0062] 所述太阳能电池单元组还包括依次位于所述第一太阳能电池单元204上的第二太阳能电池单元212和电极层214,与第一实施例相同,在此不再赘述。
[0063] 结合参考图5,示出了图3所示太阳能电池的等效电路示意图。如图5所示,第一太阳能电池子单元206和第二太阳能电池子单元208并联之后分别与第三太阳能电池单元203、第二太阳能电池单元212串联。太阳能电池输出电流为分别通过所述第一太阳能电池子单元206、第二太阳能电池子单元208的电流的和,即使第一太阳能电池子单元206(或第二太阳能电池子单元208)在某一时刻的电流不够稳定,第二太阳能电池子单元208(或第一太阳能电池子单元206)的电流会减缓所述电流的不稳定对输出电流的影响,从而提高太阳能电池组输出电流的稳定性。
[0064] 需要说明的是,在第二实施例中,仅将第一太阳能电池单元204分为并联的多个太阳能电池子单元,在其他实施例中,如果第三太阳能电池单元203的缺陷多于所述第二太阳能电池单元212,可以将第三太阳能电池单元203分为至少两个并联的太阳能电池子单元,本领域技术人员可以根据上述实施例进行相应地修改变形和替换。
[0065] 相应地,本发明还提供一种太阳能电池的制造方法,参考图6,示出了本发明太阳能电池制造方法一实施方式的流程示意图,所述太阳能电池制造方法大致包括以下步骤:
[0066] 步骤S1,提供玻璃衬底;
[0067] 步骤S2,在玻璃衬底上形成透明导电氧化物镀膜玻璃;
[0068] 步骤S3,划刻所述透明导电氧化物镀膜玻璃,形成多个透明导电氧化物镀膜玻璃层;
[0069] 步骤S4,在所述多个透明导电氧化物镀膜玻璃层上形成第一太阳能电池单元;
[0070] 步骤S5,对第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第一凹槽;
[0071] 步骤S6,在所述第一凹槽中填充绝缘材料,形成绝缘层;
[0072] 步骤S7,在绝缘层和所述第一太阳能电池单元上形成与所述第一太阳能电池单元串联的第二太阳能电池单元;
[0073] 步骤S8,对所述第二太阳能电池单元和第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第二凹槽;
[0074] 步骤S9,在所述第二凹槽中填充导电材料直至填满所述第二凹槽,形成覆盖于所述第二太阳能电池单元上的电极层;
[0075] 步骤S10,在同一透明导电氧化物镀膜玻璃层上的第一凹槽和第二凹槽之间的位置处,对所述电极层、第二太阳能电池单元、第一太阳能电池单元进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层,形成第三凹槽。
[0076] 下面结合具体实施例对本发明太阳能电池制造方法的技术方案进行详细说明。
[0077] 参考图7至图14,示出了本发明太阳能电池制造方法一实施例形成的太阳能电池的侧面示意图。
[0078] 执行步骤S1,提供玻璃衬底;
[0079] 执行步骤S2,在玻璃衬底上形成透明导电氧化物镀膜玻璃(Transparent Conducting Oxide,TCO),所述透明导电氧化物镀膜玻璃的材料包括氧化铟(ITO)及二氧化锡氟(SnO2:F),可以通过磁控溅射的方式形成所述TCO。
[0080] 参考图7,执行步骤S3,划刻所述透明导电氧化物镀膜玻璃直至露出玻璃衬底100,形成多个透明导电氧化物镀膜玻璃层102;具体地,可以通过激光划刻的方式划刻所述透明导电氧化物镀膜玻璃,但是,本发明对划刻的方式不做限制。本步骤划刻工艺的目的是形成多个太阳能电池组,优选地,可以根据太阳能电池组的设计尺寸对所述透明导电氧化物镀膜玻璃进行等间距划刻。
[0081] 参考图8,执行步骤S4,在所述多个透明导电氧化物镀膜玻璃层102上形成第一太阳能电池单元104,本实施例中,所述第一太阳能电池单元104为非晶硅太阳能电池单元。具体地,依次在所述透明导电氧化物镀膜玻璃层102上形成N型掺杂的非晶硅层(图未示)、本征非晶硅层(图未示)、P型掺杂的非晶硅层(图未示),形成所述非晶硅太阳能电池单元的方法与现有技术相同,在此不再赘述。
[0082] 参考图9,执行步骤S5,对第一太阳能电池单元104进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层102,形成第一凹槽101;本步骤对第一太阳能电池单元104划刻的目的是将第一太阳能电池单元104分为至少两个并联的太阳能电池子单元。具体地,可以根据太阳能电池子单元数量的设计需求对第一太阳能电池单元104进行划刻,优选地,在透明导电氧化物镀膜玻璃层102上方进行等间距划刻,以形成尺寸相当的多个太阳能电池子单元。具体地,划刻工艺可以采用激光划刻。
[0083] 参考图10,执行步骤S6,在所述第一凹槽101中填充绝缘材料,形成绝缘层110,具体地,可以在第一太阳能电池单元104上放置刚好露出所述第一凹槽101的掩模,以所述第一掩模为掩模向所述第一凹槽101中填充绝缘材料。所述绝缘材料可以是氧化铝或氧化硅,本发明对此不作限制。
[0084] 参考图11,执行步骤S7,在绝缘层110和所述第一太阳能电池单元104上形成与所述第一太阳能电池单元104串联的第二太阳能电池单元112。本实施例中,所述第二太阳能电池单元112为微晶硅太阳能电池单元,制造所述微晶硅太阳能电池单元的方法与现有技术相同,在此不再赘述。
[0085] 参考图12,执行步骤S8,对所述第二太阳能电池单元112和第一太阳能电池单元104进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层102,形成第二凹槽103。本次划刻工艺用于实现多个太阳能电池组串联的插塞,本实施例中,所述第二凹槽103位于透明导电氧化物镀膜玻璃层102上、靠近其边缘的位置处。具体地,划刻工艺可以采用激光划刻。
[0086] 参考图13,执行步骤S9,在所述第二凹槽103中填充导电材料直至填满所述第二凹槽103,形成覆盖于所述第二太阳能电池单元112上的电极层114。具体地,可以通过在所述第二太阳能电池单元112上放置刚好露出所述第二凹槽103的第二掩模,以所述第二掩模为掩模向所述第二凹槽103中填充导电材料。具体地,所述导电材料可以是铝等金属材料,填充于所述第二凹槽103的导电材料形成用于实现电连接的插塞。
[0087] 参考图14,执行步骤S10,在同一透明导电氧化物镀膜玻璃层102上的第一凹槽101和第二凹槽103之间的位置处,对所述电极层114、第二太阳能电池单元112、第一太阳能电池单元104进行划刻直至露出透明导电氧化物镀膜玻璃层102,形成第三凹槽115。本次划刻工艺用于形成多个太阳能电池组,并且相邻太阳能电池组通过填充于第二凹槽103中的插塞实现串联。具体地,划刻工艺可以采用激光划刻。
[0088] 至此完成了太阳能电池的制造方法。
[0089] 需要说明的是,太阳能电池的设计人员在设计太阳能电池组的结构时,基于太阳能电池组的材料、制造工艺可知悉太阳能电池组中缺陷最多的太阳能电池单元,从而在制造过程中可以针对缺陷最多的太阳能电池单元进行划刻,以在水平方向形成相间隔的太阳能电池子单元,从而形成并联的太阳能电池子单元。
[0090] 虽然本发明己较佳的实施例披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可做各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
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