1.一种电磁装置，包括：
聚焦结构，其被定向成接收输入电磁能，并具有对输出电磁能的标称焦深；以及调焦结构，其布置成接收所述输出电磁能，并具有为所述输出电磁能提供大于所述标称焦深的扩展的焦深的电磁参数，所述电磁参数包括：
轴向电磁参数；以及
横向电磁参数，其逆向地相应于所述轴向电磁参数。
2.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构包括折射结构。
3.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构包括反射结构。
4.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构包括衍射结构。
5.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构包括天线的至少一部分。
6.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述扩展的焦深相应于实际聚焦区。
7.如权利要求6所述的电磁装置，还包括：
位于所述实际聚焦区内的至少一个电磁传感器。
8.如权利要求6所述的电磁装置，其中所述实际聚焦区至少部分地在所述调焦结构内。
9.如权利要求8所述的电磁装置，其中所述电磁参数限定在所述实际聚焦区内的在空间上变化的折射率。
10.如权利要求8所述的电磁装置，其中所述电磁参数限定在所述实际聚焦区的至少一部分内的负折射率。
11.如权利要求8所述的电磁装置，其中所述电磁参数限定在所述实际聚焦区的至少一部分内具有小于1的绝对值的折射率。
12.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构限定轴向方向，且所述轴向电磁参数相应于所述轴向方向。
13.如权利要求12所述的电磁装置，其中所述轴向方向相应于所述聚焦结构的光轴。
14.如权利要求12所述的电磁装置，其中所述横向电磁参数相应于横向方向，所述横向方向实质上垂直于所述轴向方向。
15.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述轴向电磁参数包括轴向电容率。
16.如权利要求15所述的电磁装置，其中所述横向电磁参数包括实质上是所述轴向电容率的乘法逆元素的横向电容率。
17.如权利要求15所述的电磁装置，其中所述轴向电磁参数包括轴向磁导率。
18.如权利要求17所述的电磁装置，其中所述横向电磁参数包括实质上是所述轴向磁导率的乘法逆元素的横向磁导率。
19.如权利要求17所述的电磁装置，其中所述轴向电容率大体上等于所述轴向磁导率。
20.如权利要求19所述的电磁装置，其中所述横向电磁参数包括实质上是所述轴向磁导率的乘法逆元素的横向磁导率。
21.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构和所述调焦结构具有空间间隔。
22.如权利要求21所述的电磁装置，其中所述空间间隔限定所述聚焦结构和所述调焦结构之间的中间区，且其中所述调焦结构包括输入表面区，所述输入表面区实质上不反射从所述中间区入射在所述输入表面区上的电磁能。
23.如权利要求22所述的电磁装置，其中所述中间区的波阻抗大体上等于所述输入表面区的波阻抗。
24.如权利要求23所述的电磁装置，其中所述中间区限定第一电容率和第一磁导率，所述输入表面区限定第二电容率和第二磁导率，以及所述第二电容率与所述第一电容率的比率大体上等于所述第二磁导率与所述第一磁导率的比率。
25.如权利要求24所述的电磁装置，其中所述输入表面区限定表面垂直方向和表面平行方向，所述第二电容率包括相应于所述表面垂直方向的表面垂直电容率和相应于所述表面平行方向的表面平行电容率，以及所述表面垂直电容率与所述第一电容率的比率实质上是所述表面平行电容率与所述第一电容率的比率的乘法逆元素。
26.如权利要求25所述的电磁装置，其中所述第二磁导率包括相应于所述表面垂直方向的表面垂直磁导率和相应于所述表面平行方向的表面平行磁导率，以及所述表面垂直磁导率与所述第一磁导率的比率实质上是所述表面平行磁导率与所述第一磁导率的比率的乘法逆元素。
27.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述聚焦结构和所述调焦结构限定复合单元。
28.如权利要求27所述的电磁装置，其中所述聚焦结构包括输出表面区，而所述调焦结构包括实质上邻接所述输出表面区的输入表面区，所述输入表面区实质上不反射从所述输出表面区入射在所述输入表面区上的电磁能。
29.如权利要求28所述的电磁装置，其中所述输出表面区的波阻抗大体上等于所述输入表面区的波阻抗。
30.如权利要求29所述的电磁装置，其中所述输出表面区限定第一电容率和第一磁导率，所述输入表面区限定第二电容率和第二磁导率，以及所述第二电容率与所述第一电容率的比率大体上等于所述第二磁导率与所述第一磁导率的比率。
31.如权利要求30所述的电磁装置，其中所述输入表面区限定表面垂直方向和表面平行方向，所述第二电容率包括相应于所述表面垂直方向的表面垂直电容率和相应于所述表面平行方向的表面平行电容率，以及所述表面垂直电容率与所述第一电容率的比率实质上是所述表面平行电容率与所述第一电容率的比率的乘法逆元素。
32.如权利要求31所述的电磁装置，其中所述第二磁导率包括相应于所述表面垂直方向的表面垂直磁导率和相应于所述表面平行方向的表面平行磁导率，以及所述表面垂直磁导率与所述第一磁导率的比率实质上是所述表面平行磁导率与所述第一磁导率的比率的乘法逆元素。
33.如权利要求1所述的电磁装置，其中所述调焦结构包括具有相应于所述电磁参数的有效电磁响应的人工构造的材料。
34.如权利要求33所述的电磁装置，其中所述人工构造的材料包括光子晶体。
35.如权利要求33所述的电磁装置，其中所述人工构造的材料包括超材料。
36.如权利要求35所述的电磁装置，其中所述超材料包括具有多个分布式电磁响应的至少一个电磁响应结构，所述多个分布式电磁响应构成所述有效电磁响应。
37.如权利要求36所述的电磁装置，其中所述分布式电磁响应包括分布式电感响应。
38.如权利要求36所述的电磁装置，其中所述分布式电磁响应包括分布式电容响应。
39.如权利要求36所述的电磁装置，其中所述分布式电磁响应包括分布式电感-电容响应。
40.如权利要求36所述的电磁装置，其中所述至少一个电磁响应结构包括传输线。
41.如权利要求35所述的电磁装置，其中所述超材料包括布置在多个空间位置处并具有多个单独的响应的多个电磁响应元件，所述多个单独的响应构成所述有效电磁响应。
42.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括分立电路元件。
43.如权利要求42所述的电磁装置，其中所述分立电路元件包括电感器。
44.如权利要求42所述的电磁装置，其中所述分立电路元件包括电容器。
45.如权利要求42所述的电磁装置，其中所述分立电路元件包括半导体器件。
46.如权利要求45所述的电磁装置，其中所述半导体器件包括二极管。
47.如权利要求45所述的电磁装置，其中所述半导体器件包括晶体管。
48.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括集成电路元件。
49.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括印刷电路元件。
50.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括金属结构。
51.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括LC谐振器。
52.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括等离子谐振器。
53.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括纳米结构。
54.如权利要求53所述的电磁装置，其中所述纳米结构包括纳米棒。
55.如权利要求54所述的电磁装置，其中所述纳米棒是成对的纳米棒。
56.如权利要求54所述的电磁装置，其中所述纳米棒被互连以构成鱼网结构。
57.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括开口环谐振器。
58.如权利要求41所述的电磁装置，其中所述电磁响应元件包括子波长元件，所述子波长元件具有实质上小于相应于所述输入电磁能的频率的自由空间波长的空间长度。
59.一种方法，包括：
在人工构造的材料的输入表面区处，实质上非反射地接收朝着标称聚焦区会聚的电磁波，所述标称聚焦区具有标称轴向尺寸；以及
沿着相应于所述标称轴向尺寸的方向在空间上扩张所述电磁波，由此提供具有大于所述标称轴向尺寸的实际轴向尺寸的实际聚焦区。
60.如权利要求59所述的方法，其中所述电磁波是偏振电磁波。
61.如权利要求60所述的方法，其中所述偏振电磁波是TE偏振电磁波。
62.如权利要求60所述的方法，其中所述偏振电磁波是TM偏振电磁波。
63.如权利要求59所述的方法，其中所述电磁波是非偏振电磁波。
64.如权利要求59所述的方法，其中所述电磁波是在第一频率处。
65.如权利要求64所述的方法，其中所述第一频率是光频率。
66.如权利要求65所述的方法，其中所述光频率相应于可见波长。
67.如权利要求65所述的方法，其中所述光频率相应于红外波长。
68.如权利要求64所述的方法，其中所述第一频率是无线电频率。
69.如权利要求68所述的方法，其中所述无线电频率是微波频率。
70.如权利要求64所述的方法，其中所述第一频率是毫米波频率。
71.如权利要求64所述的方法，其中所述第一频率是亚毫米波频率。
72.如权利要求59所述的方法，其中所述电磁波是包括在第一频率处的第一电磁波和在第二频率处的第二电磁波的叠加，并且所述在空间上扩张包括：
在空间上扩张所述第一电磁波，由此提供在所述实际聚焦区内的第一实际聚焦子区，所述第一实际聚焦子区具有大于所述标称轴向尺寸的第一实际轴向子尺寸；以及在空间上扩张所述第二电磁波，由此提供在所述实际聚焦区内的第二实际聚焦子区，所述第二实际聚焦子区具有大于所述标称轴向尺寸的第二实际轴向子尺寸。
73.如权利要求72所述的方法，其中所述第二实际轴向子尺寸不同于所述第一实际轴向子尺寸。
74.如权利要求72所述的方法，其中所述第二实际轴向子尺寸大体上等于所述第一实际轴向子尺寸。
75.如权利要求59所述的方法，还包括：
使所述电磁波偏转，由此所述电磁波朝着所述标称聚焦区会聚。
76.如权利要求75所述的方法，其中所述电磁波是包括在第一频率处的第一电磁波和在第二频率处的第二电磁波的叠加，并且所述偏转包括：
使所述第一电磁波偏转，由此所述第一电磁波朝着在所述标称聚焦区内的第一标称聚焦子区会聚，所述第一标称聚焦子区具有第一标称轴向子尺寸；以及
使所述第二电磁波偏转，由此所述第二电磁波朝着在所述标称聚焦区内的第二标称聚焦子区会聚，所述第二标称聚焦子区具有第二标称轴向子尺寸。
77.如权利要求76所述的方法，其中所述在空间上扩张包括：
在空间上扩张所述第一电磁波，由此提供在所述实际聚焦区内的第一实际聚焦子区，所述第一实际聚焦子区具有大于所述第一标称轴向子尺寸的第一实际轴向子尺寸；以及在空间上扩张所述第二电磁波，由此提供在所述实际聚焦区内的第二实际聚焦子区，所述第二实际聚焦子区具有大于所述第二标称轴向子尺寸的第二实际轴向尺寸。
78.如权利要求77所述的方法，其中所述第二标称轴向子尺寸不同于所述第一标称轴向子尺寸。
79.如权利要求78所述的方法，其中所述第二实际轴向子尺寸大体上等于所述第一实际轴向子尺寸。
80.如权利要求77所述的方法，其中所述第二标称轴向子尺寸大体上等于所述第一标称轴向子尺寸。
81.如权利要求75所述的方法，其中所述偏转包括折射。
82.如权利要求75所述的方法，其中所述偏转包括反射。
83.如权利要求75所述的方法，其中所述偏转包括衍射。
84.如权利要求75所述的方法，其中所述偏转包括波导。
85.如权利要求59所述的方法，还包括：
感测在所述实际聚焦区内的一个或多个位置处的所述电磁波。
86.如权利要求85所述的方法，其中所述感测包括使用至少一个天线来感测。
87.如权利要求85所述的方法，其中所述感测包括使用至少一个光电探测器来感测。
88.如权利要求85所述的方法，其中所述一个或多个位置是多个位置。
89.如权利要求88所述的方法，其中所述多个位置是轴向分布的多个位置。
90.如权利要求88所述的方法，其中所述感测包括使用多个天线来感测。
91.如权利要求90所述的方法，其中所述多个天线构成天线相控阵列。
92.如权利要求59所述的方法，其中所述标称聚焦区是第一实质上平面的平板，且所述标称轴向尺寸是所述第一实质上平面的平板的厚度。
93.如权利要求92所述的方法，其中所述实际聚焦区是实质上平行于所述第一实质上平面的平板的第二实质上平面的平板，且所述实际轴向尺寸是所述第二实质上平面的平板的厚度。
94.如权利要求93所述的方法，其中所述第二实质上平面的平板包围所述第一实质上平面的平板。
95.如权利要求59所述的方法，其中所述标称聚焦区是第一弯曲平板的至少一部分，且所述标称轴向尺寸是所述第一弯曲平板的厚度。
96.如权利要求95所述的方法，其中所述实际聚焦区是第二弯曲平板的至少一部分，所述第一弯曲平板和第二弯曲平板具有实质上相似的曲率，且所述实际轴向尺寸是所述第二弯曲平板的厚度。
97.如权利要求96所述的方法，其中所述第二弯曲平板包围所述第一弯曲平板。
98.如权利要求95所述的方法，其中所述第一弯曲平板是实质上圆柱形外壳，且所述标称轴向尺寸是所述实质上圆柱形外壳的径向尺寸。
99.如权利要求95所述的方法，其中所述第一弯曲平板是实质上球形外壳，且所述标称轴向尺寸是所述实质上球形外壳的径向尺寸。
100.如权利要求95所述的方法，其中所述第一弯曲平板是实质上椭球形外壳。
101.如权利要求59所述的方法，其中所述实质上非反射地接收是实质上非反射地折射。
102.如权利要求101所述的方法，其中所述实质上非反射地折射是通过波阻抗匹配的实质上非反射地折射。
103.如权利要求59所述的方法，其中所述在空间上扩张是以一致的比例因子在空间上扩张。
104.如权利要求59所述的方法，其中所述在空间上扩张是以不一致的比例因子在空间上扩张。
105.如权利要求59所述的方法，其中所述在空间上扩张是通过在所述人工构造的材料中传播所述电磁波而在空间上扩张。
106.如权利要求105所述的方法，其中所述在空间上扩张是以一致的比例因子在空间上扩张。
107.如权利要求105所述的方法，其中所述在空间上扩张是以不一致的比例因子在空间上扩张。
108.如权利要求107所述的方法，其中所述不一致的比例因子相应于所述人工构造的材料的不一致的折射率。
109.如权利要求105所述的方法，其中所述人工构造的材料是转换媒介。
110.如权利要求59所述的方法，其中所述人工构造的材料包括超材料。
111.一种电磁装置，包括：
负折射聚焦结构，其布置成在具有实质上不同于一的轴向放大的内部聚焦区中接收电磁能。
112.如权利要求111所述的电磁装置，其中所述轴向放大实质上大于一。
113.如权利要求111所述的电磁装置，其中所述轴向放大实质上小于一。
114.如权利要求111所述的电磁装置，还包括：
位于所述内部聚焦区内的至少一个电磁传感器。
115.如权利要求111所述的电磁装置，其中所述负折射聚焦结构布置成从外部场区接收电磁能。
116.如权利要求115所述的电磁装置，其中所述轴向放大相应于所述内部聚焦区的轴向长度与所述外部场区的轴向长度的比率。
117.如权利要求111所述的电磁装置，其中所述负折射聚焦结构以包括下列参数的电磁参数为特征：
轴向电磁参数；以及
横向电磁参数，其逆向地相应于所述轴向电磁参数。
118.如权利要求117所述的电磁装置，其中所述电磁参数限定在所述内部聚焦区的至少一部分内的负折射率。
119.如权利要求117所述的电磁装置，其中所述轴向电磁参数包括轴向电容率，而所述横向电磁参数包括实质上是所述轴向电容率的乘法逆元素的横向电容率。
120.如权利要求119所述的电磁装置，其中所述轴向电容率小于零且大于负一。
121.如权利要求119所述的电磁装置，其中所述轴向电容率小于负一。
122.如权利要求117所述的电磁装置，其中所述轴向电磁参数包括轴向磁导率，而所述横向电磁参数包括实质上是所述轴向磁导率的乘法逆元素的横向磁导率。
123.如权利要求122所述的电磁装置，其中所述轴向磁导率小于零且大于负一。
124.如权利要求122所述的电磁装置，其中所述轴向磁导率小于负一。
125.如权利要求111所述的电磁装置，其中所述负折射聚焦结构包括具有相应于所述电磁参数的有效电磁响应的人工构造的材料。
126.如权利要求125所述的电磁装置，其中所述人工构造的材料包括超材料。
127.一种方法，包括：
使电磁波在表面区处负折射，所述表面区限定表面垂直方向；以及
使所折射的电磁波沿着扩张方向在空间上扩张，所述扩张方向相应于所述表面垂直方向。
128.如权利要求127所述的方法，其中所述负折射和所述在空间上扩张为所述所折射的电磁波提供聚焦区。
129.如权利要求128所述的方法，其中所述聚焦区限定沿着所述扩张方向的轴向放大，所述轴向放大相应于所述在空间上扩张的比例因子。
130.如权利要求128所述的方法，还包括：
感测在所述聚焦区内的一个或多个位置处的所述电磁波。
131.如权利要求127所述的方法，其中所述负折射是实质上非反射的负折射。
132.一种方法，包括：
使电磁波在表面区处负折射，所述表面区限定表面垂直方向；以及
使所折射的电磁波沿着收缩方向在空间上收缩，所述收缩方向相应于所述表面垂直方向。
133.如权利要求132所述的方法，其中所述负折射和所述在空间上收缩为所折射的电磁波提供聚焦区。
134.如权利要求133所述的方法，其中所述聚焦区限定沿着所述收缩方向的轴向放大，所述轴向放大相应于所述在空间上收缩的比例因子。
135.如权利要求134所述的方法，还包括：
感测在所述聚焦区内的一个或多个位置处的所述电磁波。
136.如权利要求132所述的方法，其中所述负折射是实质上非反射的负折射。