技术领域
[0001] 本
发明涉及一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法。
背景技术
[0002] 自从1983年由日本住友金属和美国GM公司首先商品化开发以来，钕铁硼稀土永磁材料由于具有高剩磁、高矫顽力和高磁能积的特点，广泛应用于电力
电子、通讯、信息、
电机、交通运输、办公自动化、医疗器械、军事等领域，并使一些小型、高度集成的高新技术产品的应用成为可能，如
硬盘用音圈电机（VCM），混合动力
汽车（HEV），
电动车等。NdFeB 基永磁材料主相Nd2Fe14B 具有非常高的
各向异性场，其矫顽力的理论极限高达70kOe，但是实际磁体的矫顽力仅为理论值的十分之一到三分之一。NdFeB
永磁体的矫顽力之所以远小于理论各向异性场，是由于其具体的微结构及
缺陷造成的。然而随着
稀土金属等原材料价格剧烈上涨，在保证性能的前提下降低稀土使用量是行业发展的重中之重，也是未来的重要研究方向。因此，如要满足市场需求，我们需要以更低的成本制备高矫顽力的钕铁硼磁体。
发明内容
[0003] 本发明所要解决的技术问题是，克服以上
现有技术的缺点：提供一种成本低、具备高矫顽力的钕铁硼磁体的制备方法。
[0004] 本发明的技术解决方案如下：一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：
[0005] 1）用氢爆法将经速凝薄片工艺制备的钕铁硼基速凝薄片
破碎，然后通过气流磨
粉碎制得平均粒径2.2～3.5μm钕铁硼基粉末；
[0006] 2）按照如下
质量百分比配料：PrNd 50～70%；Ga 10～30%；Cu 10～30%；BFe 5～10%；将配好的原料采用
真空熔炼速凝工艺制备得到PrNdGaCuBFe
合金；
[0007] 3）将制备的PrNdGaCuB合金置于氢碎炉的反应釜内吸氢处理3～5小时，然后采用气流磨粉碎制得平均粒径为1～2.5μm的PrNdGaCuB合金粉末；
[0008] 4）将钕铁硼基粉末和PrNdGaCuB合金粉末混合，其中混合粉末中PrNdGaCuB合金粉末的质量百分含量为0.1～10%；
[0009] 5）将步骤4）经过均匀混合后的混合粉末在1.8T～3T 的
磁场中取向并
压制成型，得到压坯；
[0010] 6）将压坯置入真空
烧结炉内，然后升高
温度在1040～1090℃烧结2～4 小时，最后进行二级
热处理，其中一级热处理温度850～950℃，时间1～3 小时；二级热处理温度440～490℃，时间1～3 小时；最终获得高矫顽力钕铁硼磁体。
[0011] 作为优选，步骤2）中按照如下质量百分比配料制备PrNdGaCuBFe合金：PrNd 56～60%；Ga 12～17%；Cu 15～18%；BFe 8～10%。
[0012] 作为优选，所述钕铁硼基粉末的质量百分比组成为： Nd 24～27%；Ho 3～5%；F 0.1～2.8%；Ni 0.1～2.0%；Co 0.1～0.95%；Al 0.1～0.35%；B 0.6～1.05%；余量为Fe。
[0013] 作为进一步优选，所述钕铁硼基粉末的质量百分比组成为： Nd 25～27%；Ho 3～4%；F 0.5～1.2%；Ni 0.1～1.0%；Co 0.2～0.5%；Al 0.1～0.35%；B 0.6～1.05%；余量为Fe。
[0014] 所述PrNd合金中的Pr的质量百分比含量为19～28% ；所述BFe合金中B的质量百分比含量为16～22%。
[0015] 本发明的有益效果是：本发明通过合理的配伍充分发挥烧结Nd-Fe-B各相的作用，降低稀土的含量，优化
晶界相的结构和特性，将必要的元素引入到合理的地方分布，综合的提高磁体的各方面性能。同时本发明PrNdGaCuB合金未脱氢处理，把PrNdGaCuB合金粉料做细后，由于氢气的存在可以防止
氧化，同时其中的微量的氢有利于后续在低的烧
结温度下富钕相就能均匀分布从而抑制富钕相在三
角晶界处的团聚和偏析。
附图说明
[0016] 图1为本发明高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法
实施例三中的电镜图。
具体实施方式
[0017] 下面用具体实施例对本发明做进一步详细说明，但本发明不仅局限于以下具体实施例。
[0018] 实施例一
[0019] 按照以下具体步骤制备高矫顽力钕铁硼磁体：
[0020] 1）用氢爆法将经速凝薄片工艺制备的钕铁硼基速凝薄片破碎，然后通过气流磨粉碎制得平均粒径为2.2～3.5μm钕铁硼基粉末；所述钕铁硼基粉末的质量百分比组成为： Nd 27%；Ho 3%；F 1.2%；Ni 0.1%；Co 0.2%；Al 0.35%；B 0.6%；余量为Fe。
[0021] 2）按照如下质量百分比配料：PrNd 50%；Ga 10%；Cu 30%；BFe 10%；将配好的原料采用真空熔炼速凝工艺制备得到PrNdGaCuBFe合金；所述PrNd合金中的Pr的质量百分比含量为25% ；所述BFe合金中B的质量百分比含量为22%。
[0022] 3）将制备的PrNdGaCuB合金置于氢碎炉的反应釜内常温吸氢5小时，然后采用气流磨粉碎制得平均粒径为1～2.5μm的PrNdGaCuB合金粉末；
[0023] 4）将钕铁硼基粉末和PrNdGaCuB合金粉末混合，其中混合粉末中PrNdGaCuB合金粉末的质量百分含量为0.1%；
[0024] 5）将步骤4）经过均匀混合后的混合粉末在1.8T的磁场中取向并压制成型，得到压坯；
[0025] 6）将压坯置入真空烧结炉内，然后升高温度在1090℃烧结3小时，最后进行二级热处理，其中一级热处理温度950℃，时间2 小时；二级热处理温度440℃，时间1 小时；最终获得高矫顽力钕铁硼磁体。
[0026] 实施例二
[0027] 按照以下具体步骤制备高矫顽力钕铁硼磁体：
[0028] 1）用氢爆法将经速凝薄片工艺制备的钕铁硼基速凝薄片破碎，然后通过气流磨粉碎制得平均粒径为2.2～3.5μm钕铁硼基粉末；所述钕铁硼基粉末的质量百分比组成为： Nd 25%；Ho 5%；F 0.1%；Ni 0.1%；Co 0.5%；Al 0.1%；B 0.8%；余量为Fe。
[0029] 2）按照如下质量百分比配料：PrNd 60%；Ga 15%；Cu 17%；BFe 8%；将配好的原料采用真空熔炼速凝工艺制备得到PrNdGaCuBFe合金；所述PrNd合金中的Pr的质量百分比含量为25% ；所述BFe合金中B的质量百分比含量为20%。
[0030] 3）将制备的PrNdGaCuB合金置于氢碎炉的反应釜内常温吸氢3小时，然后采用气流磨粉碎制得平均粒径为1～2.5μm的PrNdGaCuB合金粉末；
[0031] 4）将钕铁硼基粉末和PrNdGaCuB合金粉末混合，其中混合粉末中PrNdGaCuB合金粉末的质量百分含量为10%；
[0032] 5）将步骤4）经过均匀混合后的混合粉末在1.8T的磁场中取向并压制成型，得到压坯；
[0033] 6）将压坯置入真空烧结炉内，然后升高温度在1040℃烧结4小时，最后进行二级热处理，其中一级热处理温度850℃，时间3小时；二级热处理温度460℃，时间2小时；最终获得高矫顽力钕铁硼磁体。
[0034] 实施例三
[0035] 按照以下具体步骤制备高矫顽力钕铁硼磁体：
[0036] 1）用氢爆法将经速凝薄片工艺制备的钕铁硼基速凝薄片破碎，然后通过气流磨粉碎制得平均粒径为2.2～3.5μm钕铁硼基粉末；所述钕铁硼基粉末的质量百分比组成为： Nd 26%；Ho 3.5%；F 1.2%；Ni 0.8%；Co 0.5%；Al 0.2%；B 0.8%；余量为Fe。
[0037] 2）按照如下质量百分比配料：PrNd 58%；Ga 17%；Cu 17%；BFe 8%；将配好的原料采用真空熔炼速凝工艺制备得到PrNdGaCuBFe合金；所述PrNd合金中的Pr的质量百分比含量为25% ；所述BFe合金中B的质量百分比含量为22%。
[0038] 3）将制备的PrNdGaCuB合金置于氢碎炉的反应釜内常温吸氢5小时，然后采用气流磨粉碎制得平均粒径为1～2.5μm的PrNdGaCuB合金粉末；
[0039] 4）将钕铁硼基粉末和PrNdGaCuB合金粉末混合，其中混合粉末中PrNdGaCuB合金粉末的质量百分含量为3%；
[0040] 5）将步骤4）经过均匀混合后的混合粉末在1.8T的磁场中取向并压制成型，得到压坯；
[0041] 6）将压坯置入真空烧结炉内，然后升高温度在1090℃烧结3小时，最后进行二级热处理，其中一级热处理温度850℃，时间2 小时；二级热处理温度480℃，时间1 小时；最终获得高矫顽力钕铁硼磁体，如图1所示，本发明微结构形态良好。
[0042] 以上仅是本发明的特征实施范例，对本发明保护范围不构成任何限制。凡采用同等交换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。
