专利汇可以提供一种多壁碳纳米管阵列的制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 申请 公开了一种多壁 碳 纳米管 阵列的制备方法,包括步骤:(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀,制备浓度为0.03~0.04g/ml的混合溶液;(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面;(3)、将混合溶液加入 电阻 炉中,在氩气或氮气的保护气体下,升温至800~950℃;(4)、通入流量为150~200sccm的氢气,保温20~40分钟,将 碳纳米管 阵列生长在衬底表面;(5)、停止通入氢气,炉冷,取出样品。本 发明 所获得的 多壁碳纳米管 长度在毫米级别,定向性良好,管径平均在80纳米左右,管径分布均匀。,下面是一种多壁碳纳米管阵列的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种多壁碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于,包括步骤:
(1)、将催化剂和碳源溶液搅拌均匀,制备浓度为0.03~0.04g/ml的混合溶液;
(2)、将混合溶液涂覆在衬底表面;
(3)、将混合溶液加入电阻炉中,在氩气或氮气的保护气体下,升温至800~950℃;
(4)、通入流量为150~200sccm的氢气,保温20~40分钟,将碳纳米管阵列生长在衬底表面;
(5)、停止通入氢气,炉冷,取出样品。
2.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述催化剂为铁、钴、镍或其任意组合的合金之一。
3.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述碳源为二甲苯溶液。
4.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述衬底为P型或N型硅基底,或选用形成有氧化层的硅基底。
5.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述保护气体为氩气或氮气。
6.根据权利要求1所述的多壁碳纳米管阵列的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中,在保护气体下,升温至900℃。
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