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可饱和吸收体中的 缺陷检测

阅读：797发布：2021-12-30

专利汇可以提供可饱和吸收体中的缺陷检测专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一般地描述了用于通过吸光率随着光强度提高而降低的可饱和特性来识别可饱和吸收体(诸如石墨烯)中的缺陷的技术。例如，可在两个完全不同的入射强度下使包覆石墨烯的基板成像两次。在石墨烯中的间隙处，基板可反射与入射强度成比例的光。随着照射强度提高，石墨烯可在反射光上显示出非线性增加。所述两个入射强度之间的差异可揭示石墨烯中的间隙。可利用任何合适的成像技术，诸如共焦显微镜或线性扫描。对于高体积自动检查，可按比例放大成像。，下面是可饱和吸收体中的缺陷检测专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种使用可饱和吸收体检测样品中的一个或多个缺陷的方法，包括：
获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述可饱和吸收体上的位置的第一反射强度，其中第一反射强度对应于所述可饱和吸收体的第一反射强度图像的一个或多个部分，且其中所述第一反射强度图像的所述一个或多个部分不包括所述一个或多个缺陷；
获取所述可饱和吸收体在第二入射强度的所述明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度，第二入射强度大于第一入射强度足以至少部分使所述可饱和吸收体的吸收率值饱和的量，其中所述第二反射强度对应于所述可饱和吸收体的第二反射强度图像的一个或多个部分，且其中所述第二反射强度图像的所述一个或多个部分不包括所述一个或多个缺陷；
确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比；
确定关于所述位置的对应于所述第二反射强度图像除以所述第一反射强度图像的反射强度比；
将所述反射强度比与所述入射强度比进行比较以识别所述位置处的所述一个或多个缺陷；以及
基于所述位置处的第一反射强度和所述位置处的第二反射强度来在所述一个或多个缺陷之间进行区分，其中第一反射强度由于与所述可饱和吸收体中的间隙相关联而被识别为更低的反射率，且其中第二反射强度由于所述可饱和吸收体的非线性吸收而被识别为更大的反射率。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括识别在所述可饱和吸收体上的所述反射强度比大于所述入射强度比的位置处不存在所述一个或多个缺陷。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述可饱和吸收体包括以下中的一个或多个：石墨烯、碳纳米管和III-V 半导体。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述可饱和吸收体包括金属。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述入射强度比为2:1至200:1。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电磁辐射的第一入射强度和第二入射强度具有每平方厘米0.1瓦至每平方厘米500瓦的平均值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述电磁辐射具有150纳米至1微米的波长。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括根据以下公式从第一反射强度和第二反射强度计算处理强度：
IC＝IA–(Ia/Ib)IB
其中：
IC表示处理强度；
IA表示第一反射强度；
IB表示第二反射强度；
Ia表示所述可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；
以及
Ib表示所述可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
获取所述可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；以及
根据以下公式计算校正的处理强度：
IC’＝IC–ID＝IA–(Ia/Ib)·IB-ID
其中：
IC’表示校正的处理强度；以及
ID表示所述可饱和吸收体在第三入射强度下的所述暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度，
其中所述校正的处理强度是针对所述可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中获取第一反射强度和获取第二反射强度分别包括通过以下中的一个获取第一反射强度和第二反射强度：光栅扫描、线扫描、凝视阵列成像、共焦成像和时域成像。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述可饱和吸收体基本上是平面的。
12.根据权利要求1所述的方法，还包括利用缺陷查找表来识别所述可饱和吸收体上的所述位置处的所述一个或多个缺陷。
13.根据权利要求1所述的方法，还包括：
从所述可饱和吸收体上的所述一个或多个缺陷的位置推断基板中的所述一个或多个缺陷的位置，其中所述可饱和吸收体位于所述基板上。
14.根据权利要求12所述的方法，还包括根据以下公式从第一反射强度和第二反射强度计算处理强度：
IC.2＝IB–(Ia/Ib)IA
其中：
IC.2表示处理强度；
IA表示第一反射强度；
IB表示第二反射强度；
Ia表示所述可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；
以及
Ib表示所述可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度。
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
获取所述可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；以及
根据以下公式计算校正的处理强度：
IC.2’＝IC–ID＝IB–(Ia/Ib)·IA-ID
其中：
IC’表示校正的处理强度；以及
ID表示所述可饱和吸收体在第三入射强度的所述暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度，
其中所述校正的处理强度是针对所述可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述基板包括以下中的一个或多个：金属、半导体、陶瓷和聚合物。
17.根据权利要求13所述的方法，还包括识别所述基板中的所述反射强度比基本上等于所述入射强度比的位置处的所述一个或多个缺陷。
18.一种具有存储于其上的用于使用可饱和吸收体检测样品中的一个或多个缺陷的机器可执行指令的非暂态计算机可读存储介质，包括执行以下步骤的机器可执行指令：
控制照射源将第一入射强度的明视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体上的位置；
控制成像器设备获取所述可饱和吸收体在第一入射强度的所述明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度，其中所述第一反射强度对应于所述可饱和吸收体的第一反射强度图像的一个或多个部分，且其中所述第一反射强度图像的所述一个或多个部分不包括所述一个或多个缺陷；
控制所述照射源将第二入射强度的所述明视场电磁辐射导向所述可饱和吸收体上的所述位置，第二入射强度大于第一入射强度足以至少部分使所述可饱和吸收体的吸收率值饱和的量；
控制所述成像器设备获取所述可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度，其中所述第二反射强度对应于所述可饱和吸收体的第二反射强度图像的一个或多个部分，且其中所述第二反射强度图像的所述一个或多个部分不包括所述一个或多个缺陷；
确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比；
确定关于所述位置的、对应于所述第二反射强度图像除以所述第一反射强度图像的反射强度比；
将所述反射强度比与所述入射强度比进行比较以识别所述位置处的所述一个或多个缺陷；
基于所述位置处的第一反射强度和所述位置处的第二反射强度来在所述一个或多个缺陷之间进行区分，其中第一反射强度由于与所述可饱和吸收体中的间隙相关联而被识别为更低的反射率，且其中第二反射强度由于所述可饱和吸收体的非线性吸收而被识别为更大的反射率；以及
识别在所述可饱和吸收体上的所述反射强度比大于所述入射强度比的位置处不存在所述一个或多个缺陷。
19.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读存储介质，还包括识别所述可饱和吸收体上的所述反射强度比基本上等于所述入射强度比的位置处的所述一个或多个缺陷的机器可执行指令。
20.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读存储介质，还包括将所述一个或多个缺陷合并到缺陷查找表中的机器可执行指令。
21.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读存储介质，还包括执行以下步骤的机器可执行指令：
控制所述照射源将第三入射强度的暗视场电磁辐射导向所述可饱和吸收体上的所述位置；
控制所述成像器设备获取所述可饱和吸收体在第三入射强度的所述暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；
根据以下公式从第一反射强度、第二反射强度和第三反射强度计算处理强度和校正的处理强度：
IC＝IA–(Ia/Ib)IB
IC’＝IC–ID＝IA–(Ia/Ib)IB-ID
其中：
IC表示处理强度；
IA表示第一反射强度；
IB表示第二反射强度；
Ia表示所述可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；
Ib表示所述可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度；
IC’表示校正的处理强度，其中所述校正的处理强度是针对所述可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的；以及
ID表示所述可饱和吸收体在第三入射强度下的所述暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。
22.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读存储介质，还包括执行以下步骤的机器可执行指令：
控制所述照射源将第三入射强度的暗视场电磁辐射导向所述样品台处的所述可饱和吸收体的所述位置；
控制所述成像器设备获取所述可饱和吸收体在第三入射强度的所述暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；
根据以下公式从第一反射强度、第二反射强度和第三反射强度计算处理强度和校正的处理强度：
IC.2＝IB–(Ia/Ib)·IA
IC.2’＝IC–ID＝IB–(Ia/Ib)IA-ID
其中：
IC.2表示处理强度；
IA表示第一反射强度；
IB表示第二反射强度；
Ia表示所述可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；
Ib表示所述可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度；
IC.2’表示校正的处理强度，其中所述校正的处理强度是针对所述可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的；以及
ID表示所述可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。
23.一种用于检测一个或多个缺陷的系统，所述系统包括：
样品台，其被构造为固定样品；
照射源，其被构造为在可选强度的明视场电磁辐射和暗视场电磁辐射下照射所述样品台；
成像器设备，其被构造为获取所述样品的明视场反射强度和暗视场反射强度；
微处理器，其耦接到所述样品台、所述照射源和所述成像器设备，其中所述微处理器经由执行以下步骤的机器可执行指令进行配置：
控制所述照射源将第一入射强度的明视场电磁辐射导向所述样品台处的可饱和吸收体上的位置；
控制所述成像器设备获取所述可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度，其中所述第一反射强度对应于所述可饱和吸收体的第一反射强度图像的一个或多个部分，且其中所述第一反射强度图像的所述一个或多个部分不包括所述一个或多个缺陷；
控制所述照射源将第二入射强度的所述明视场电磁辐射导向所述样品台处的所述可饱和吸收体上的所述位置，所述第二入射强度大于所述第一入射强度足以至少部分使所述可饱和吸收体的吸收率值饱和的量；
控制所述成像器设备获取所述可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度，其中所述第二反射强度对应于所述可饱和吸收体的第二反射强度图像的一个或多个部分，且其中所述第二反射强度图像的所述一个或多个部分不包括所述一个或多个缺陷；
确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比；
确定关于所述位置的对应于所述第二反射强度图像除以所述第一反射强度图像的反射强度比；
将所述反射强度比与所述入射强度比进行比较以识别所述位置处的所述一个或多个缺陷；
基于所述位置处的第一反射强度和所述位置处的第二反射强度来在所述一个或多个缺陷之间进行区分，其中第一反射强度由于与所述可饱和吸收体中的间隙相关联而被识别为更低的反射率，且其中第二反射强度由于所述可饱和吸收体的非线性吸收而被识别为更大的反射率；以及
识别在所述可饱和吸收体上的所述反射强度比大于所述入射强度比的位置处不存在所述一个或多个缺陷。
24.根据权利要求23所述的系统，其中所述照射源包括以下中的一个：激光器、发光二极管、氙灯和微波源。
25.根据权利要求23所述的系统，其中所述成像器设备包括以下中的一个或多个：二维电荷耦合器件、线性电荷耦合器件、二维互补金属-氧化物-半导体器件、线性互补金属-氧化物-半导体器件和光电倍增管。
26.根据权利要求23所述的系统，还包括样品操纵器，其操作地耦接到所述微处理器，并且被构造为将所述可饱和吸收体放置在基板上，其中所述微处理器进一步被构造为通过机器可执行指令控制所述样品操纵器以操纵所述可饱和吸收体。
27.根据权利要求23所述的系统，还包括加热器，其操作地耦接到所述微处理器和样品台，其中所述微处理器进一步被构造为通过机器可执行指令控制所述加热器以对所述样品台处的所述可饱和吸收体进行加热。

说明书全文

可饱和吸收体中的缺陷检测

背景技术

[0001] 除非在本文中另外表明，否则本部分中所述的材料对于本申请中的权利要求来说不是现有技术并且不由于包括在本部分中而被承认是现有技术。

[0002] 单层和多层石墨烯膜目前在电路、显示器和其它领域中受到很大关注。许多应用，诸如电子器件，可以受益于例如石墨烯的具有可预测电导率的连续部分。化学气相沉积(CVD)，一种常见的制备石墨烯的方法，可包括在过渡金属基板上生长石墨烯膜、接着转印到第二基板。这样的生长和转印处理可能生成宏观裂缝和空隙缺陷，而这些缺陷在没有专业的实验室工具(诸如拉曼光谱仪)的情况下可能难以检测到。识别这样的缺陷对于可包括石墨烯的系统的过程控制和质量保证是有利害关系的。然而，诸如拉曼光谱仪的专业工具对于扫描大面积的石墨烯可能会令人不快地缓慢，特别是在生产规模环境下。

[0003] 本公开意识到快速地识别石墨烯膜中的裂缝和空隙可能是复杂的事情。

[0004] 概述

[0005] 以下概要仅仅是说明性的，而并不意图以任何方式是限制性的。除了说明性的方面，上述实施例和特征、另外的方面、实施例和特征将通过参考附图和下面的详细描述而变得显而易见。

[0006] 本公开总体地描述用于使可饱和吸收体(例如，石墨烯)中的一个或多个缺陷成像的方法、装置和计算机程序产品。

[0007] 一些示例实施例可包括使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的各种方法。示例方法可包括：获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于该可饱和吸收体上的位置的第一反射强度，并获取该可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于该位置的第二反射强度。第二入射强度可大于第一入射强度足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。示例方法还可包括：确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比；确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比；通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图；并将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷。

[0008] 另外的示例实施例可包括具有存储于其上的用于检测可饱和吸收体中的缺陷的机器可执行指令的计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质可包括控制照射源选择性地将第一入射强度的明视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体上的位置的机器可执行指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度的指令。还可包括控制照射源选择性地将第二入射强度的明视场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。第二入射强度可大于第一入射强度足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度的指令。还可包括确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比的指令。还可包括确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比的指令。还可包括通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图的指令。反射强度比图可以是可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的图像。还可包括将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的指令。还可包括识别在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺陷的指令。

[0009] 又一示例实施例可包括用于检测可饱和吸收体中的缺陷的系统。示例系统可包括：样品台，其被构造为固定样品；照射源，其被构造为选择性地在可选强度的直接明视场电磁辐射和暗视场电磁辐射下照射样品台；成像设备，其被构造为选择性地获取样品的明视场反射强度和暗视场反射强度；以及微处理器，其耦接到样品台、照射源和成像设备。微处理器可经由机器可执行指令进行配置。可包括控制照射源选择性地将第一入射强度的明视场电磁辐射导向样品台处的所述可饱和吸收体上的位置的指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度的指令。还可包括控制照射源选择性地将第二入射强度的明视场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。第二入射强度可大于第一入射强度足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度的指令。还可包括确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比的指令。可包括确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比的指令。还可包括通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图的指令。反射强度比图可以是可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的图像。还可包括将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的指令。可包括识别在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺陷的指令。

附图说明

[0010] 通过结合附图进行的以下描述和所附权利要求，本公开的前述和其它特征将变得更充分地显而易见。理解，这些附图仅仅描绘了根据本公开布置的几个实施例，因此，不应被认为是限制其范围，将通过使用附图来更具体地、更详细地描述本公开，在附图中：

[0011] 图1是被包覆单层CVD石墨烯的硅晶圆的代表性的平铺的显微照片，该显微照片示出石墨烯中的各种缺陷；

[0012] 图2是可饱和吸收体中的百分率透射对泵峰值强度的代表性绘图；

[0013] 图3A示出关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的第一反射强度图像和相应的绘图；

[0014] 图3B示出关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的第二反射强度图像和相应的绘图；

[0015] 图3C示出关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的处理强度图像和相应的绘图，这些从代表性的第一反射强度图像和第二反射强度图像计算；

[0016] 图3D示出代表性的强调表面碎片的暗视场图像以及处理的图像中的碎片的移除；

[0017] 图3E说明用于检测可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的替代示例操作；

[0018] 图4A是表示可用于使可饱和吸收体成像的各种共焦成像装置的概念图；

[0019] 图4B是表示可用于使可饱和吸收体成像的各种扫描装置的概念图的顶视图；

[0020] 图4C是图4B中所示的扫描装置的侧视图；

[0021] 图5是表示可用于实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的各种自动化机器的框图；

[0022] 图6是示出可用于实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例方框的示例流程图；

[0023] 图7说明可用于控制图5的自动化机器或类似装备实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例通用计算设备；以及

[0024] 图8说明可用于控制图5或7的自动化机器或类似装置实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例计算机程序产品的代表性框图；

[0025] 所有附图都是依照本文所述的至少一些实施例来安排的。

具体实施方式

[0026] 在以下详细描述中，对附图进行参考，所述附图形成详细描述的一部分。除非上下文另外指示，否则在附图中，相似的符号通常标识相似的部件。在详细描述、附图和权利要求中描述的说明性实施例并不意味着是限制性的。在不脱离本文所提供的主题的精神或范围的情况下，可以利用其它实施例，以及可以进行其它改变。将易于理解的是，如在本文中一般地描述的和在图中示出的那样，本公开的各方面可以以广泛多样的不同配置被布置、替代、组合、分割和设计，所有这些在本文中都被明确地构想。

[0027] 本公开尤其是针对与检测可饱和吸收体中的缺陷相关的合成物、方法、装置、系统、设备和/或计算机程序产品进行一般性的描写的。

[0028] 简要地说，可通过随着光强度提高而吸光率降低的可饱和特性来识别可饱和吸收体(诸如石墨烯)中的缺陷。例如，可在两个完全不同的入射强度下使包覆石墨烯的基板成像两次。在石墨烯中的间隙处，基板可反射与入射强度成比例的光。随着照射强度提高，石墨烯可在反射光上显示出非线性增加。所述两个入射强度的图像之间的差异可揭示石墨烯中的间隙。可利用任何合适的成像技术，诸如共焦显微镜或线性扫描。对于高体积自动检查，可按比例放大成像。

[0029] 如本文中所使用的，“可饱和吸收率”可以是指一种材料的性质，在该性质中，该材料对电磁辐射的吸收率随着电磁辐射的强度提高而降低。在足够高入射强度的电磁辐射下，可饱和吸收体材料的处于基态的电子可能变得激发到上级能量状态。该激发可能以可能没有足够的时间供原子在基态变得耗尽之前衰变回基态的这样的速率发生，吸收率然后可能饱和。因为石墨烯仅仅是一个原子厚，所以较少的处于基态的电子在曝露于足够强度的电磁辐射时变得耗尽。线性光学吸收发生在低激发强度下，在这种情况下，来自价带的电子激发到导带中，形成电子-空穴对。这里，电子-空穴重组主导该过程，直到均衡电子(equilibrium electron)和空穴分布恢复为止。可饱和吸收在激发增大到更高强度时发生，使光生载流子浓度增大。导带和价带的边缘附近的状态占据，阻止进一步吸收，从而对于恰好高于带边缘的光子能量的光给予透明性。

[0030] 如本文中所使用的，作为强度的函数的可饱和吸收率[α*(I)]可以用方程(1)数学表示：

[0031]

[0032] 在方程(1)中：可表示可饱和的吸收率分量；可表示不饱和的吸收率分量；I可表示入射强度；IS可表示可饱和强度。

[0033] 如本文中所使用的，“可饱和吸收体”可以是显示可饱和吸收率的材料。大多数材料显示出一些可饱和吸收，但是通常是在非常高的光学强度下，导致对材料的光学损伤。半导体材料一直用作可饱和吸收体，包括III-V半导体(例如，GaAs、InP等)、纳米材料(诸如碳纳米管(通常分散在聚合物中))和石墨烯。因为石墨烯的光子响应已经被报告是通用的且波长无关的，所以石墨烯可饱和吸收体可被认为是范围为从紫外线直至红外线、甚至进入电磁谱的太赫兹范围的满带光学元件。

[0034] 图1是根据本文中所述的至少一些方面的、被包覆单层CVD石墨烯100的硅晶圆的代表性平铺显微照片，该显微照片示出石墨烯中的各种缺陷。图1表示已经被接合在一起的几个单个的图像片(tile)的合成图像。标有圆圈的区域说明单层CVD石墨烯100中的空隙区域102和104的示例。其它亮色对象，诸如106和108，可表示其它空隙、石墨烯顶部的碎片、或石墨烯下面的碎片。可能难以通过照相法来可靠地将特征(102，104，106和108)区分或识别为空隙、石墨烯顶部的碎片、或石墨烯下面的碎片。

[0035] 图2是根据本文中所述的至少一些方面的、可饱和吸收体(石墨烯)中的百分率透射对泵峰值强度的代表性绘图。该数据是通过实验确定的(Monolayer Graphene as a Saturable Absorber in a Mode-Locked Laser–Q.Bao et.al.,Nano Res.2011,4(3):297-307)。这些功率相关的非线性吸收测量使用以1550nm工作的、输出脉宽为～1ps、重复率为～5MHz的孤波锁模光纤激光器作为输入种子脉冲。这些测量将输入功率从～-40dBm(即，100nW)变为-14dBm。图2中的数据表明，可饱和吸收率可以随着石墨烯的层从单层、增加到大约1-4层的几层石墨烯、再增加到大约4-8层的多层石墨烯而降低。

[0036] 图2示出关于各种构型的、用表示的可饱和的吸收率分量和用表示的不饱和的吸收率分量的各种示例值，所述构型包括单层石墨烯大约1-4层的几层石墨烯以及大约4-8层的多层石墨烯
这些值可指示，与大约1-4层的几层石墨烯相比，单层可生
成更大的调制深度/对比度增强，与大约4-8层的多层石墨烯相比，大约1-4层的几层石墨烯可生成更大的调制深度/对比度增强。图2中的曲线是使用具有以下参数的1550纳米脉冲激光器获得的：1皮秒脉宽；5兆赫兹重复率；每平方厘米1兆瓦的峰值功率级；以及每平方厘米大约5瓦的连续平均功率级。

[0037] 图3A示出根据本文中所述的至少一些实施例布置的、关于基板上所支撑的石墨烯片材的代表性的第一反射强度图像和相应的绘图。图3A中的代表性的第一反射强度图像300A是基板304上所支撑的石墨烯302片材的，具有相应的绘图301A。如在300A中那样，第一反射强度图像可在第一入射强度的明视场电磁辐射下获得，第一入射强度例如为每平方厘米大约2.5瓦。在关于第一强度图像的绘图(诸如绘图301A)中，垂直轴可对应于第一入射强度的反射强度IA。水平轴可对应于诸如300A的反射强度图像上的例如沿着轴306的水平位置。绘图301A示出反射强度IA中的沿着轴306的峰值，这些峰值对应于较高反射强度的区域
308和310。

[0038] 为了确定石墨烯中的缺陷的目的，可能可取的是，识别石墨烯中的间隙，并且将石墨烯中的这样的间隙和基板缺陷和/或表面碎片进行区分。为了通过使用石墨烯层作为成像辅助来确定基板中的缺陷的目的，可能可取的是，识别基板缺陷，并且将这样的基板缺陷和石墨烯中的间隙和/或表面碎片区分。在各种示例中，诸如300A的反射强度图像可示出可归因于各种原因的较高反射强度的区域，诸如308、310和312。例如，区域308可表示石墨烯302中的间隙。区域310可显现得表面上类似于区域308，但是可表示基板304上的透过石墨烯302的更亮的斑点，而不是石墨烯302中的间隙。区域312可显现得表面上类似于区域308，但可表示石墨烯302顶部的碎片，而不是石墨烯302中的间隙。

[0039] 如本文中所使用的，“明视场(bright field)”可以是指在下述情况下使样品成像，即，照射源和探测器被放置在同一个轴上或者基本上被放置在同一个轴上，或者被放置在相对于样品处的反射的相应的照射轴和反射轴上。在“明视场”照射下，探测器可使样品的直接或基本直接反射成像。

[0040] 如本文中所使用的，“暗视场(dark field)”可以是指在下述情况下使样品成像，即，照射源和探测器相对于彼此离轴放置，或者探测器可被安置在对应于照射源的轴的反射轴上。在“暗视场”照射下，探测器可避免使样品的直接反射成像。相反，在“暗视场”照射下，探测器可使来自样品的、例如可能被反射样品的表面上的碎片散射或漫射的散射或漫射光成像。

[0041] 如本文中所使用的，术语“基准反射强度”对应于无瑕疵石墨烯可饱和吸收体的区域的图像中的反射强度。例如，基准反射强度Ia可表示对应于诸如300A的反射强度图像的、除了诸如区域308、310和312的缺陷之外的部分的反射强度。基准反射强度可以是平均值、均值、中间值、或另一代表性的合计或平均值。

[0042] 图3B示出根据本文中所述的至少一些实施例布置的、关于基板上所支撑的石墨烯片材的、代表性的第二反射强度图像和相应的绘图。图3B中的代表性的第二反射强度图像300B是基板304上所支撑的石墨烯302的，具有相应的绘图301B。诸如300B的第二反射强度图像可以是在第二入射强度的明视场电磁辐射下获得的。第二入射强度可大于第一入射强度足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。在各种示例中，第一入射强度和第二入射强度可以由第二入射强度除以第一入射强度的比率关连，该比率可以具有大于1:1的值，例如，1.5:1、2:1、3:1、4:1、5:1、10:1、15:1、20:1、25:1、30:1、40:1、50:1、75:1、100:
1、125:1、150:1、175:1或200:1。例如，在石墨烯302和反射强度图像300A所用的第一入射强度的情况下，对于第二入射强度除以第一入射强度的比率50/2.5＝20:1，合适的第二入射强度可以为每平方厘米大约50瓦。

[0043] 在各种示例中，诸如300B的第二反射强度图像可以显现得比诸如300A的第一反射强度图像亮，因为第二入射强度更高。然而，石墨烯中的间隙，诸如区域308，可能显现得比诸如区域310的基板缺陷暗，所述基板缺陷对应于基板304上的透过石墨烯302的更亮的斑点。分别由区域308和310表示的石墨烯间隙和基板缺陷之间的差异也可以例如在绘图301B中根据反射强度IB中沿着轴306的对应于区域308和310的峰值而看出。在绘图301B中，垂直轴可对应于用IB符号表示的来自第二强度曝光的第二反射强度。水平轴可对应于诸如300B中的反射强度图像上沿着轴306的水平位置。由于与石墨烯302中的区域308处的间隙相比，对于被诸如石墨烯302的可饱和吸收在区域310处覆盖的区域的吸收是非线性的，所以由区域308和310表示的石墨烯间隙和基板缺陷之间的差异可用更大的反射率来解释。在反射强度图像300B中，如果区域312被包覆石墨烯，则这些区域312可使它们的强度与基准成比例地变化，如果碎片位于石墨烯顶部，则这些区域312可使它们的强度线性地变化。

[0044] 图3C示出根据本文中所述的至少一些实施例布置的、基板上所支撑的石墨烯片材的、代表性的处理强度图像和相应的绘图，它们是从第一反射强度图像和第二反射图像计算的。图3C中的代表性的处理强度图像300C是基板304上所支撑的石墨烯302的，具有相应的绘图301C。诸如300C的处理强度图像可从诸如图3A和3B中的300A和300B的第一反射强度图像和第二反射图像计算。可根据方程(2.1)计算诸如300C的处理强度图像：

[0045] IC＝IA–(Ia/Ib)·IB (2.1)

[0046] 在方程(2.1)中，符号IA可表示在第一入射强度下、在可饱和吸收体上的任何给定位置处获得的第一反射强度。IA的值可共同显示为图像(例如，对应于第一反射强度图像300A)。符号Ia可表示非缺陷区域(例如，反射强度图像300A的除了区域308、310和312之外的区域)的第一基准反射强度。符号IB可表示在第二入射强度下、在可饱和吸收体的任何给定位置处获得的第二反射强度。IB的值也可共同显示为图像(例如，对应于第二反射强度图像300B)。符号Ib可表示被包覆石墨烯的非缺陷区域(例如，反射强度图像300B的除了区域
308、310和312之外的区域)的第二基准反射强度。符号IC可表示可饱和吸收体上的任何给定位置处的、根据方程2.1的处理强度。IC的值可共同显示为例如对应于处理强度图像300C的处理强度图像。符号Ib和Ib所表示的基准反射强度值均可被确定为被包覆石墨烯的非缺陷区域(例如，分别地，反射强度图像300A或300B的除了区域308、310和312之外的区域)处的反射强度的合计值。这样的合计值可被确定为平均值、中间值、均值、或某一其它的代表性合计值。

[0047] 根据方程2.1的处理强度值对于确定石墨烯中的缺陷的目的可以是有用的。通过使用方程2.1，可在数学上从反射强度值移除基板缺陷，以给出处理强度IC和相应的处理强度图像。结果，根据方程2.1使用IC演变来的处理强度图像，诸如图像300C，可示出石墨烯间隙，而不是基板缺陷。因此，可在数学上移除可能难以在反射强度绘图(诸如301A和301B)以及反射强度图像(诸如300A和300B)中与石墨烯间隙(诸如308)区分开的基板缺陷(诸如310)，以提供诸如301C的处理强度绘图和诸如300C的处理强度图像。

[0048] 为了通过使用石墨烯层作为成像辅助来确定基板中的缺陷的目的，可根据方程2.2计算处理强度：

[0049] IC.2＝IB–(Ia/Ib)·IA

[0050] (2.2)

[0051] 在方程(2.2)中，符号IA、IB、Ia和Ib具有与方程(2.1)中相同的值。符号IC.2所表示的处理强度值与IC的不同之处在于具有在数学上从处理强度值移除可饱和吸收体中的间隙的效果。结果，根据方程2.2使用IC.2演变来的图像可示出诸如310的基板缺陷，而不是诸如308的石墨烯间隙。在各种示例中，可饱和吸收体的表面上的碎片可能显现得类似于可饱和吸收体中的间隙，因为从光路来看可饱和吸收体可被碎片阻挡。而且，因为碎片可包括可饱和吸收材料和不饱和吸收材料，所以如处理强度图像300C中的碎片312的区域所示，用于产生诸如300C的处理强度图像的过程可能不会从图像移除这样的碎片。

[0052] 图3D示出根据本文中的至少一些实施例的、代表性的强调表面碎片的暗视场图像以及处理图像中的碎片的数学移除。图3D中的代表性的暗视场图像300D和代表性的处理强度图像300C’是基板304上所支撑的石墨烯302的，具有相应的绘图301C’。可根据方程(3.1)计算诸如300C’的处理强度图像：

[0053] IC’＝IC–ID＝IA–(Ia/Ib)·IB-ID (3.1)

[0054] 在方程(3.1)中，符号ID可表示在暗视场照射下、在可饱和吸收体的任何给定位置处获得的反射强度，这些反射强度可共同表示在诸如300D的暗视场图像中。ID的值可共同显示为图像(例如，对应于反射强度图像300D)。符号IC’可表示可饱和吸收体上的任何给定位置处的根据方程3.1的处理强度。IC’的值可共同显示为例如对应于处理强度图像300C’的处理强度图像。

[0055] 根据方程3.1的处理强度值对于确定石墨烯中的缺陷的目的可以是有用的。通过使用方程3.1，可在数学上从处理强度IC移除表面碎片，以给出处理强度IC’和相应的校正处理强度图像。结果，根据方程3.1使用IC演变来的图像，诸如图像300C’，可示出石墨烯间隙，而不是表面碎片。因此，可在数学上移除在反射强度绘图(诸如301A、301B和301C)以及反射强度图像(诸如300A、300B和300C)中可能难以与石墨烯间隙(诸如308)区分开的表面碎片(诸如312)和基板缺陷(诸如310)，以提供诸如301C的处理强度绘图和诸如300C的处理强度图像。

[0056] 为了通过使用石墨烯层作为成像辅助来确定基板中的缺陷的目的，可根据方程3.2计算处理强度：

[0057] IC.2’＝IC–ID＝(IB–(Ia/Ib)·IA)-ID (3.2)

[0058] 在方程(3.2)中，IA、IB、ID、Ia和Ib符号具有与方程(3.1)中相同的值。符号IC.2和IC.2’所表示的处理强度值与IC和IC’的不同之处在于具有在数学上从处理强度值移除可饱和吸收体中的间隙的效果。结果，根据方程3.2使用IC.2’演变来的图像可示出诸如310的基板缺陷，而不是诸如308的石墨烯间隙或诸如312的表面碎片。

[0059] 图3E说明根据本文中所述的至少一些实施例布置的、用于检测可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的替代示例操作。在几个示例中，诸如石墨烯302的可饱和吸收体中的一个或多个缺陷可如图3E中所示那样被检测到。如关于图3A和图3B所述，诸如石墨烯302的可饱和吸收体的第一反射强度图像300A和第二反射强度图像300B可在第一入射强度和第二入射强度的明视场电磁辐射下获取。如关于图3A和图3B所述，第二入射强度可大于第一入射强度一个足以至少部分使例如石墨烯302的可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。根据方程(4)，入射强度比IR可对应于第二入射强度I2除以第一入射强度I1：

[0060] IR＝I2/I1 (4)

[0061] 在各种示例中，反射强度比图300E可对应于第二反射强度图像300B除以第一反射强度图像300A而被计算。反射强度比图300E的可以等于或基本上等于入射强度比IR的区域可被识别为缺陷，例如，区域308。反射强度比图300E的可大于入射强度比IR的区域可被识别为不存在缺陷的区域，例如，反射强度比图300E不包括区域308和312的白色区域。在一些示例中，在碎片可能存在的地方，诸如在区域312中，可通过用诸如关于图3D所述的300D的暗视场图像进行校正来从图像图排除碎片。在一些示例中，可将图像图转换为诸如300C或300C’的明确的处理强度图像。

[0062] 除了关于方程2.1、2.2、3.1、3.2和/或4所述的计算和处理之外，或者替代这些计算和处理，可利用关于缺陷的查找表和/或其它预定数据。例如，历史数据可用于收集或计算查找表或数据库中所使用的标准校正因子。在一些示例中，可收集关于典型的或预期的缺陷的缺陷特性，诸如大小、形状和/或可饱和/不饱和特征，并且可将这些缺陷特性合并在查找表或数据库中。

[0063] 在各种示例中，诸如300A、300B和300D的图像可从任何合适的成像装置获得，所述成像装置诸如共焦成像装置、线扫描装置或光栅扫描。

[0064] 图4A是表示根据本文中所述的至少一些实施例布置的、可用于使可饱和吸收体成像的各种共焦成像装置的概念图。图4A示出可用于使基板304上的诸如石墨烯302的可饱和吸收体成像的共焦成像器400。在各种示例中，共焦成像器400可包括：照射孔径402；照射源404，其被构造为发射照射403；样品固定器405，其被构造为固定例如石墨烯302；分束器
406；至少一个透镜408，其被构造为使照射403聚焦到样品固定器405处的样品；样品固定器
405处的焦平面410；成像孔径414，其被构造为阻止焦平面外反射光412，并且选择性地通过焦平面内反射光416；探测器418；以及控制器420，其操作地耦接到照射源404和探测器418。

[0065] 在一些示例中，照射源404可以是用于提供石墨烯302显示可饱和吸收率的范围内的电磁辐射的任何合适的设备。照射源404的示例可包括激光器、发光二极管、氙灯等。照射源404可以是宽带的、窄带的或单色的。照射源404可选地可包括选择期望波长或波长范围的滤光器或光栅。

[0066] 在几个示例中，样品固定器405可被构造为将诸如石墨烯302的可饱和吸收体与基板304一起固定。在一些示例中，样品固定器405可以是基板304。

[0067] 在各种示例中，照射孔径402可准许来自照射源404的照射403进入分束器406和至少一个透镜408、再进入基板304处的石墨烯302。光可从基板304处的石墨烯302通过透镜408向回反射，并且可反射出分束器406。焦平面410内的焦平面内反射光416可反射出分束器406，并且可通过成像孔径414而被准许进入探测器418。在焦平面410外的焦平面外反射光412可反射出分束器406，并且可被成像孔径414阻挡。控制器420可被构造为操作照射源
404并且获取探测器418处的图像和反射强度。共焦成像器400的各种光学元件中的一个或多个可相对于彼此成一角度以将轴上明视场照射(bright field illumination)提供给采样固定器405处的样品以及将离轴暗视场照射提供给采样固定器405处的样品，所述各种光学元件包括照射孔径402、照射源404、分束器406、透镜408、样品固定器405、成像孔径414和/或探测器418。

[0068] 图4B是表示根据本文中所述的至少一些实施例布置的、可用于使可饱和吸收体成像的各种扫描装置430的概念图的顶视图。图4C是根据本文中所述的至少一些实施例布置的、图4B中所示的扫描仪装置430的侧视图。在各种示例中，扫描仪装置430可包括：照射源432，其被构造为以入射角照射样品固定器405处的样品；探测器434，其被构造为探测从样品反射的光；平移/旋转机构438；以及控制器436，其操作地耦接到照射源432；探测器434；
以及平移/旋转机构438。

[0069] 在一些示例中，扫描仪430可包括被构造为以入射角照射样品固定器405处的样品的照射源432。照射源432可被构造为例如使用被构造为沿着轴306光栅扫描/照射的扩束器、透镜、光管或扫描镜来选择性地沿着轴306引导照射。

[0070] 在几个示例中，扫描仪430还可包括被构造为探测从样品反射的光的探测器434，所述样品诸如样品固定器405处的石墨烯302。

[0071] 样品固定器405可与平移/旋转机构438一起被构造为适合于相对于照射源432和探测器434平移/旋转样品的移动样品台。在一些示例中，样品固定器405可以是静止的，照射源432和探测器434可通过平移/旋转机构438相对于样品固定器405移动。样品固定器405、照射源432和探测器434可相对于彼此成一角度以将轴上明视场照射和离轴暗视场照射提供给样品固定器405处的样品。可包括执行以下操作的控制器436：操作照射源432；获取探测器434处的图像和反射强度；调整角度以提供轴上明视场照射和离轴暗视场照射；以及操作平移/旋转机构438。

[0072] 图5是表示根据本文中所述的至少一些实施例布置的、可用于实现所述的使用图6中所概括的处理步骤检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的各种自动化机器500的框图。如图5中所示，成像控制器590可耦接到可用于实现图6中所述的处理概要的机器，例如，样品台520、成像探测器522、照射设备524以及可选的加热器526。成像控制器590可通过下述方式来操作：通过人为控制、经由网络510通过远程控制器570、或者通过诸如在计算机程序中可找到的机器执行指令。与控制不同的使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的处理相关联的数据可存储在数据存储区580处和/或从数据存储区580接收。

[0073] 在各种示例中，成像控制器590、样品台520、成像设备522和照射设备524可共同表示适合于实现本文中所述的方法的任何成像系统。例如，合适的成像系统可包括图4A的共焦成像器400或图4B和图4C的扫描仪430。例如，关于共焦成像器400，成像控制器590可对应于控制器420；样品台520可对应于样品固定器405；照射设备524可对应于照射源404和照射孔径402；成像设备522可共同对应于分束器406、透镜408、成像孔径414和探测器418。在另一个示例中，关于扫描仪430，成像控制器590可对应于控制器436；样品台520可对应于样品固定器405和平移/旋转机构438；照射设备524可对应于照射源432；以及成像设备522可对应于探测器434。

[0074] 在几个示例中，成像系统500的各个元件可实现为以任何适合于实现本文中所述的操作的方式进行构造的任何合适的设备。例如，样品台520可以是静止的，或者可包括一种或多种移动功能，诸如在零个、一个、两个或三个垂直轴上平移、在一个、两个或三个垂直轴上旋转、它们的组合等。这样的移动功能可由马达、线性致动器、压电致动器等提供。同样地，照射源524可以是可引出可饱和吸收体样品中的可饱和吸收率的任何电磁辐射源。合适的电磁辐射源包括，例如，激光器、发光二极管、诸如氙灯或汞灯的灯等。类似地，成像设备522可以是线性或二维形式的电荷耦合器件、或线性或二维形式的互补金属氧化物半导体成像设备；光电倍增管；或适合于检测由照射源生成的并且从样品反射、散射或漫射的电磁辐射的任何其它设备。照射源524和成像设备522可单独地或者共同包括适合于实现本文中所述的方法的任何光学元件，诸如透镜、反射镜、波导、分束器、光栅等。

[0075] 各种示例实施例还可包括如本文中所述的使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的方法。这些方法可以以任何数量的方式实现，包括本文中所述的结构。一种这样的方式可以是通过本公开中所述的类型的设备的机器操作。另一种可选的方式可以是，所述方法的各个操作中的一个或多个结合一个或多个人类操作者执行，这些人类操作者执行其中一些操作，而其它操作则可由机器执行。各种人类操作者无需彼此搭配，而是每个操作者可位于执行操作中的一部分的一个或多个机器附近。在其它示例中，人机交互可以是自动的，诸如通过机器自动执行的预选标准。

[0076] 图6是示出根据本文中所述的至少一些实施例布置的、可用于实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例框图的示例流程图。在各种示例中，如本文中所述的使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的处理可包括如方框622、624、626、628、630、632和/或634中的一个或多个所述的一个或多个操作、功能或动作。如本文中所述的使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的各种示例方法可由诸如图7中的计算设备700的计算设备或诸如图5的成像控制器590的专用控制器控制。控制器设备610可实施为计算设备700、成像控制器590、或类似的被构造为执行存储在计算机可读介质602中的用于控制所述方法的执行的指令的设备。

[0077] 一些示例处理可从方框622开始，“控制照射源进行第一强度的明视场照射”，其中样品可被来自诸如图4B的照射源432的照射源的第一入射强度的电磁辐射照射。

[0078] 方框622接着可以是方框624，“控制成像设备获取在第一强度下的第一反射强度”，其中以第一反射强度从样品反射的光可在诸如图4B的探测器434的探测器处被检测到。

[0079] 方框624接着可以是方框626，“控制照射源进行大于第一强度的第二强度的明视场照射，以至少部分使吸收率饱和”。第二入射强度可被构造为大于第一入射强度一个足以至少部分使样品固定器处的可饱和吸收体(例如，石墨烯302)的吸收率值饱和。

[0080] 方框626接着可以是方框628，“控制成像设备获取第二反射强度”，其中以第一反射强度从样品反射的光可在诸如图4B的探测器434的探测器处被检测到。

[0081] 方框628接着可以是方框630，“确定入射强度比和反射强度比”。入射强度比可通过将第二入射强度除以第一入射强度而确定。反射强度比可通过将第二反射强度图像除以第一反射强度图像而确定。反射强度比可被呈现或计算为第二反射强度图像的平均强度除以第一反射强度图像的平均强度。所计算的入射强度比和反射强度比可保留用于另外的操作中。

[0082] 方框630接着可以是方框632，“产生反射强度比图”。反射强度比图可针对可饱和吸收体通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比而确定。反射强度比图可被产生为数字数据，并且还可以以图形形式(例如，作为对应于强度比图的图像)存储或呈现。

[0083] 方框632接着可以是方框634，“识别缺陷并且识别缺陷的不存在”。缺陷可以在可饱和吸收体上的反射强度比可以等于或基本上等于入射强度比的一个或多个位置处被识别。缺陷的不存在可以在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的一个或多个位置处被识别。

[0084] 关于缺陷的数据，例如，位置、大小、缺陷的性质等，可被存储和输出以供人工或自动处理使用。例如，可饱和吸收体中的缺陷的位置可作为制造过程的质量控制反馈提供。在另一个示例中，所制造的可饱和吸收体的物品可根据检测到的缺陷的数量和类型分类。

[0085] 上述图6的处理中所包括的操作是出于说明的目的。如本文中所述的使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的处理可通过具有更少的或附加的操作的类似处理来实现。在一些示例中，这些操作可按不同的次序执行。在一些其它的示例中，各种操作可被除去。
在还有的其它的示例中，各种操作可划分为另外的操作，或者一起组合为更少的操作。尽管被示为顺序排序的操作，但是在一些实现中，各种操作可按不同的次序执行，或者在一些情况下，各种操作可同时地或者基本上同时地执行。例如，任何其它类似处理可用更少的、不同的或附加的操作来实现，只要这样的类似处理可通过根据可饱和吸收率性质的程度区分样品中的位置来识别可饱和吸收体中的缺陷即可。例如，一种替代处理可采用操作622、624和626，接着进行以下操作：根据以下公式从第一反射强度图像和第二反射强度图像计算处理强度图像：IC＝IA-(Ia/Ib)˙IB。符号IC可表示处理强度图像。符号IA可表示第一反射强度图像。符号IB可表示第二反射强度图像。符号Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度。符号Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度。第一基准强度和第二基准强度可表示任何合适的关于可饱和吸收体的无缺陷区域的合计值，例如，平均值、中间值、或平均强度值。除了以上计算之外或者替代以上计算，可利用关于缺陷的查找表或其它预定数据。在该处理中，处理强度图像可描绘可饱和吸收体中的缺陷。

[0086] 图7说明根据本文中所述的至少一些实施例布置的、可用于控制图5的自动化机器500或类似的成像装备实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例通用计算设备。在基本配置702中，计算设备700通常可包括一个或多个处理器704和系统存储器706。存储器总线708可用于处理器704和系统存储器706之间的通信。

[0087] 取决于期望的配置，处理器704可以是任何类型，包括但不限于微处理器(μP)、微控制器(μC)、数字信号处理器(DSP)或它们的任何组合。处理器704可包括一个或多个等级的高速缓存，诸如等级高速缓存712、处理器核714和寄存器716。处理器核714可包括算术逻辑单元(ALU)、浮点单元(FPU)、数字信号处理核(DSP核)或它们的任何组合。示例存储器控制器718也可与处理器704一起使用，或者在一些实现中，存储器控制器715可以是处理器704的内部部分。

[0088] 取决于期望的配置，系统存储器706可以是任何类型，包括但不限于易失性存储器(诸如RAM)、非易失性存储器(诸如ROM、闪存等)或它们的任何组合。系统存储器706可包括操作系统720、一个或多个成像控制应用722和程序数据724。成像控制应用722可包括可被布置为控制图5的成像系统500的控制模块726、以及如以上所讨论的任何其它的处理、方法和功能。除了其它数据之外，程序数据724可包括用于控制成像系统500的各方面的材料数据728。该所述的基本配置702在图7中通过内部虚线内的那些部件而被示出。

[0089] 计算设备700可具有附加特征或功能以及促进基本配置702与任何所需的设备和接口之间的通信的附加接口。例如，总线/接口控制器730可用于促进基本配置702与一个或多个数据存储设备732之间经由存储接口总线734的通信。数据存储设备732可以是可移除存储设备736、不可移除存储设备738或它们的组合。可移除存储设备和不可移除存储设备的示例举几个例子来说可包括诸如软盘驱动器和硬盘驱动器(HDD)的磁盘设备、诸如压缩盘(CD)驱动器或数字通用盘(DVD)驱动器的光学盘驱动器、固态驱动器(SSD)和带驱动器。示例计算机存储介质可包括在任何用于存储信息的方法或技术中被实施的易失性的和非易失性的、可移除的和不可移除的介质，所述信息诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其它数据。

[0090] 系统存储器706、可移除存储设备736和不可移除存储设备738可以是计算机存储介质的示例。计算机存储介质可包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其它存储器技术、CD-ROM、数字通用盘(DVD)或其它光学存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其它磁性存储设备、或可用于存储期望的信息并且可被计算设备700访问的任何其它介质。任何这样的计算机存储介质可以是计算设备700的部分。

[0091] 计算设备700还可包括用于促进从各种接口设备(例如，输出设备742、外围接口744和通信设备766)到基本配置702的经由总线/接口控制器730的通信的接口总线740。输出设备742可包括图形处理单元748和音频处理单元750，其可被配置为经由一个或多个A/V端口752与诸如显示器或扬声器的各种外部设备进行通信。示例外围接口744包括串行接口控制器754或并行接口控制器756，其可被配置为经由一个或多个I/O端口758与诸如输入设备(例如，键盘、鼠标、笔、语音输入设备、触摸输入设备等)或其它外围设备(例如，打印机、扫描仪等)的外部设备进行通信。通信设备766可包括网络控制器760，其可被布置为促进与一个或多个其它计算设备762经由一个或多个通信端口764在网络通信链路上的通信。

[0092] 网络通信链路可以是通信介质的一个示例。通信介质通常可以被体现为计算机可读指令、数据结构、程序模块、或诸如载波或其它传输机制的调制数据信号中的其它数据，并且可包括任何信息递送介质。“调制数据信号”可以是具有其特性集合中的一个或多个或者被更改为对信号中的信息进行编码的信号。举例来说，而非限制，通信介质可包括诸如有线网络或直接连线连接的有线介质、诸如声学、射频(RF)、微波、红外(IR)和其它无线介质的无线介质。如本文中所使用的术语计算机可读介质可包括存储介质和通信介质两者。

[0093] 计算设备700可实现为物理服务器、虚拟服务器、计算云、或包括以上任何功能的混合设备的一部分。计算设备700还可实现为包括膝上型计算机和非膝上型计算机两种配置的个人计算机。此外，计算设备700可实现为联网系统，或者实现为通用或专用服务器的部分。

[0094] 用于包括计算设备700的联网系统的网络可包括任何拓扑的服务器、客户端、交换机、路由器、调制解调器、互联网服务提供器、以及任何适合的通信介质(例如，有线通信或无线通信)。根据实施例的系统可具有静态或动态网络拓扑。网络可包括诸如企业网络(例如，LAN、WAN、或WLAN)的安全网络、诸如无线开放网络(例如，IEEE 802.11无线网络)的不安全网络、或全球网络(例如，互联网)。网络还可包括可适于一起操作的多个不同的网络。这样的网络可被配置为提供本文中所述的节点之间的通信。举例来说，而非限制，这些网络可包括无线介质，诸如声、RF、红外和其它无线介质。此外，网络可以是同一网络或单独的网络的部分。

[0095] 图8说明根据本文中所述的至少一些实施例布置的、可用于控制图7的自动化机器或类似装备实现所述的检测可饱和吸收体中的缺陷的方法的示例计算机程序产品的代表性框图。在一些示例中，如图8中所示，计算机程序产品800可包括信号承载介质802，其还可包括当被例如处理器执行时可提供以上关于图5至图7描述的功能的机器可读指令804。例如，参照成像控制器590，图8中所示的任务中的一个或多个可响应于通过信号承载介质802传递到成像控制器590的机器可读指令804进行以执行与如本文中所述的使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像相关联的动作。这些指令中的一些可包括例如执行以下步骤的一条或多条指令：“控制照射源进行第一强度的明视场照射”；“控制成像设备获取第一反射强度图像”；“进行大于第一强度的第二强度的明视场照射，以至少部分使吸收率饱和”；“获取第二反射强度图像”；“确定入射强度比”；“确定反射强度比”；“产生反射强度比图”；“识别反射强度比可以等于或者基本上等于入射强度比的缺陷”；以及“识别在反射强度比>入射强度比的地方不存在缺陷”。

[0096] 在一些实现中，图8中所描绘的信号承载介质802可包含计算机可读介质806，诸如但不限于硬盘驱动器、压缩盘(CD)、数字通用盘(DVD)、数字带、存储器等。在一些实现中，信号承载介质802可记录介质808，诸如但不限于存储器、读/写(R/W)CD、R/W DVD等。在一些实现中，信号承载介质802可包含通信介质810，诸如但不限于数字和/或模拟通信介质(例如，光纤电缆、波导、有线通信链路、无线通信链路等)。例如，计算机程序产品800可通过RF信号承载介质802而被传递到处理器704，在这种情况下，信号承载介质802可被通信介质810(例如，符合IEEE 802.11标准的无线通信介质)传递。虽然将在与在个人计算机上的操作系统上运行的应用程序结合执行的程序模块的一般上下文下描述实施例，但是本领域技术人员将认识到，各方面还可与其它程序模块组合实现。

[0097] 一般地，程序模块包括例行程序、程序、部件、数据结构、以及执行特定任务或实现特定抽象数据类型的其它类型的结构。此外，本领域技术人员将意识到，实施例可在其它计算机系统配置的情况下实施，所述其它计算机系统配置包括手持设备、多处理器系统、基于微处理器的或可编程的消费类电子产品、迷你计算机、大型计算机和可比的计算设备。实施例还可在分布式计算环境下实施，在分布式计算环境下，任务可由可通过通信网络链接的远程处理设备执行。在分布式计算环境下，程序模块可位于本地存储器存储设备和远程存储器存储设备两者中。

[0098] 实施例可实现为计算机实现处理(方法)、计算系统，或者实现为制造品，诸如计算机程序产品或计算机可读介质。计算机程序产品可以是可被计算机系统读取的并且对包括用于使计算机或计算系统执行示例处理的指令的计算机程序进行编码的计算机存储介质。计算机可读存储介质可以例如经由以下中的一个或多个实现：易失性计算机存储器、非易失性存储器、硬盘驱动器、闪存驱动器、软盘、或压缩盘、以及可比的介质。

[0099] 在整个本说明书中，术语“平台”可以是用于提供配置环境的软件和硬件部件的组合，其可促进出于各种目的的对软件/硬件产品和服务的配置。平台的示例包括但不限于，在多个服务器上执行的托管的服务、在单个计算设备上执行的应用、以及可比的系统。术语“服务器”一般地是指通常在联网环境下执行一个或多个软件程序的计算设备。然而，服务器还可以实现为在一个或多个计算设备上执行的虚拟服务器(软件程序)，其被视为网络上的服务器。下面提供关于这些技术和示例操作的更多细节。

[0100] 一些示例实施例可包括使可饱和吸收体中的一个或多个缺陷成像的各种方法。示例方法可包括：获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述可饱和吸收体上的位置的第一反射强度，并获取可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度。第二入射强度可大于第一入射强度一个足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。示例方法还可包括：确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比；确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比；通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图；并将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷。

[0101] 在各种示例中，所述方法可包括识别在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺陷。反射强度比图可以是所述一个或多个缺陷的图像。可饱和吸收体可包括以下中的一个或多个：石墨烯、半导体和金属。入射强度比可以为大约2:1至大约200:1。电磁辐射的第一入射强度和第二入射强度可以具有每平方厘米大约0.1兆瓦至每平方厘米大约100兆瓦的峰值。电磁辐射的第一入射强度和第二入射强度可以具有每平方厘米大约0.1瓦至每平方厘米大约500瓦的平均值。电磁辐射可以具有大约1纳米至大约1微米的波长。电磁辐射可以是单色的。电磁辐射可以由以下中的一个提供：激光器、发光二极管、氙灯和/或微波源。

[0102] 在一些示例中，所述方法可包括根据以下公式从第一反射强度和第二反射强度计算处理强度：

[0103] IC＝IA–(Ia/Ib)IB

[0104] 其中：IC可表示处理强度；IA可表示第一反射强度；IB可表示第二反射强度；Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度。

[0105] 在几个示例中，所述方法可包括：获取可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；并根据以下公式计算校正的处理强度：

[0106] IC’＝IC–ID＝IA–(Ia/Ib)·IB-ID

[0107] 其中：IC’可表示校正的处理强度；ID可表示可饱和吸收体在第三入射强度下的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。校正的处理强度可以是针对可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的。

[0108] 在各种示例中，所述方法可包括通过利用以下中的一个或多个获取第一反射强度和第二反射强度：二维电荷耦合器件、线性电荷耦合器件、二维互补金属-氧化物-半导体器件、线性互补金属-氧化物-半导体器件和光电倍增管。

[0109] 在一些示例中，所述方法可包括通过以下中的一个获取第一反射强度和第二反射强度：光栅扫描、线扫描、凝视阵列成像、共焦成像和时域成像。可饱和吸收体可以基本上是平面的。

[0110] 在各种示例中，所述方法可包括识别可饱和吸收体上的反射强度比可以基本上等于入射强度比的一个或多个位置处的一个或多个缺陷。所述方法可包括利用缺陷查找表来识别可饱和吸收体上的所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷。

[0111] 在一些示例中，所述方法可包括从可饱和吸收体上的检测到的缺陷的位置推断基板中的缺陷的位置，其中，可饱和吸收体可位于基板上。可饱和吸收体可以是石墨烯。

[0112] 在几个示例中，所述方法可包括根据以下公式从第一反射强度和第二反射强度计算处理强度：

[0113] IC.2＝IB–(Ia/Ib)IA

[0114] 其中：IC.2可表示处理强度；IA可表示第一反射强度；IB可表示第二反射强度；Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度。所述方法还可包括：获取可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；并根据以下公式计算校正的处理强度：

[0115] IC.2’＝IC–ID＝IB–(Ia/Ib)·IA-ID

[0116] 其中：IC.2’可表示校正的处理强度；ID可表示可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。校正的处理强度可以是针对可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的。

[0117] 在各种示例中，基板可包括金属、半导体、陶瓷或聚合物。所述方法可包括识别基板中的反射强度比可以基本上等于入射强度比的一个或多个位置处的缺陷。

[0118] 在各种示例中，可提供具有存储于其上的用于检测缺陷的机器可执行指令的计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质可包括控制照射源选择性地将第一入射强度的明视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体上的位置的机器可执行指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度的指令。还可包括控制照射源选择性地将第二入射强度的明视场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。第二入射强度可大于第一入射强度一个足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度的指令。还可包括确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比的指令。可包括确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比的指令。还可包括通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生所述可饱和吸收体的反射强度比图的指令。反射强度比图可以是可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的图像。还可包括将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的指令。可包括识别在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺陷的指令。

[0119] 在一些示例中，所述计算机可读存储介质可包括识别可饱和吸收体上的反射强度比可以基本上等于入射强度比的一个或多个位置处的一个或多个缺陷的指令。所述计算机可读存储可包括缺陷查找表。可包括利用缺陷查找表识别可饱和吸收体上的所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的指令。

[0120] 在几个示例中，所述计算机可读存储介质可包括控制照射源选择性地将第三入射强度的暗视场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度的指令。还可包括根据以下公式从第一反射强度、第二反射强度和第三反射强度计算处理强度和校正的处理强度的指令：

[0121] IC＝IA–(Ia/Ib)IB

[0122] IC’＝IC–ID＝IA–(Ia/Ib)IB-ID

[0123] 其中：IC可表示处理强度；IA可表示第一反射强度；IB可表示第二反射强度；Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度；IC’可表示校正的处理强度。校正的处理强度可以是针对可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的。ID可表示可饱和吸收体在第三入射强度下的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。

[0124] 在各种示例中，所述计算机可读存储介质还可包括执行以下步骤的机器可执行指令：控制照射源选择性地将第三入射强度的暗视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体的所述位置；控制成像设备获取可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；并根据以下公式从第一反射强度、第二反射强度和第三反射强度计算处理强度和校正的处理强度：

[0125] IC.2＝IB–(Ia/Ib)·IA

[0126] IC.2’＝IC–ID＝IB–(Ia/Ib)IA-ID

[0127] 其中：IC.2可表示处理强度；IA可表示第一反射强度；IB可表示第二反射强度；Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度；IC.2’可表示校正的处理强度，其中校正的处理强度可以是针对可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的；ID可表示可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。

[0128] 可提供用于检测缺陷的各种示例系统。这些系统可包括：样品台，其被构造为固定样品；照射源，其被构造为选择性地在可选强度的直接明视场和暗视场电磁辐射下照射样品台；成像设备，其被构造为选择性地获取样品的明视场反射强度和暗视场反射强度；以及微处理器，其耦接到样品台、照射源和成像设备。微处理器可经由机器可执行指令进行配置。可包括控制照射源选择性地将第一入射强度的明视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体上的位置的指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第一反射强度的指令。还可包括控制照射源选择性地将第二入射强度的明视场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。第二入射强度可大于第一入射强度一个足以至少部分使可饱和吸收体的吸收率值饱和的量。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的关于所述位置的第二反射强度的指令。还可包括确定对应于第二入射强度除以第一入射强度的入射强度比的指令。可包括确定关于所述位置的、对应于第二反射强度除以第一反射强度的反射强度比的指令。还可包括通过确定关于可饱和吸收体上的多个位置的反射强度比来产生关于可饱和吸收体的反射强度比图的指令。反射强度比图可以是可饱和吸收体中的一个或多个缺陷的图像。还可包括将反射强度比与入射强度比进行比较以识别所述多个位置中的一个或多个处的一个或多个缺陷的指令。可包括识别在可饱和吸收体上的反射强度比可大于入射强度比的位置处不存在缺陷的指令。

[0129] 在几个示例中，可包括控制照射源选择性地将第三入射强度的暗视场电磁辐射导向可饱和吸收体上的所述位置的指令。可包括控制成像设备获取可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度的指令。还可包括根据以下公式从第一反射强度、第二反射强度和第三反射强度计算处理强度和校正的处理强度的指令：

[0130] IC＝IA–(Ia/Ib)IB

[0131] IC’＝IC–ID＝IA–(Ia/Ib)IB-ID

[0132] 其中：IC可表示处理强度；IA可表示第一反射强度；IB可表示第二反射强度；Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度；IC’可表示校正的处理强度。校正的处理强度可以是针对可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的。ID可表示可饱和吸收体在第三入射强度下的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。

[0133] 在各种示例中，可包括执行以下步骤的指令：控制照射源选择性地将第三入射强度的暗视场电磁辐射导向样品台处的可饱和吸收体的所述位置；控制成像设备获取可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度；并根据以下公式从第一反射强度、第二反射强度和第三反射强度计算处理强度和校正的处理强度：

[0134] IC.2＝IB–(Ia/Ib)·IA

[0135] IC.2’＝IC–ID＝IB–(Ia/Ib)IA-ID

[0136] 其中：IC.2可表示处理强度；IA可表示第一反射强度；IB可表示第二反射强度；Ia可表示可饱和吸收体在第一入射强度的明视场电磁辐射下的第一基准反射强度；Ib可表示可饱和吸收体在第二入射强度的明视场电磁辐射下的第二基准反射强度；IC.2’可表示校正的处理强度，其中校正的处理强度可以是针对可饱和吸收体上的不饱和表面碎片校正的；以及ID可表示可饱和吸收体在第三入射强度的暗视场电磁辐射下的关于所述位置的第三反射强度。

[0137] 在各种示例中，照射源可包括以下中的一个：激光器、发光二极管、氙灯和/或微波源。成像设备可包括以下中的一个或多个：二维电荷耦合器件、线性电荷耦合器件、二维互补金属-氧化物-半导体器件、线性互补金属-氧化物-半导体器件和/或光电倍增管。

[0138] 在几个示例中，所述系统还可包括样品操纵器，其操作地耦接到微处理器，并且被构造为将可饱和吸收体放置在基板上。微处理器可经由控制样品操纵器操纵可饱和吸收体的机器可执行指令进行进一步配置。

[0139] 在一些示例中，所述系统还可包括加热器，其操作地耦接到微处理器和样品台，其中微处理器可经由控制加热器对样品台处的可饱和吸收体进行加热的机器可执行指令进行进一步配置。

[0140] 如本文中所使用的术语“一个”意指“一个或多个”，除非单数被明文规定。例如，对“一个基底”的论述可包括两个或更多个基底的混合、以及单个基底。

[0141] 如本文中所使用的，“大约”将被本领域的普通技术人员所理解，并且将根据使用它的上下文而一定程度地变化。如果存在本领域的普通技术人员不清楚的术语的使用，则考虑到使用它的上下文，“大约”将意指高达、加上或减去该特定术语的10％。

[0142] 如本文中所使用的，“基本上”将被本领域的普通技术人员所理解，并且将根据使用它的上下文而一定程度地变化。如果存在本领域的普通技术人员不清楚的术语的使用，则考虑到使用它的上下文，“大约”将意指高达、加上或减去该特定术语的10％。例如，“基本上相等”的值可以在高达加上或减去该值的10％内是相同的。

[0143] 如本文中所使用的，术语“可选的”和“可选地”意指随后描述的情况可能或者不可能发生，以使得该描述包括该情况发生的实例和该情况不发生的实例。

[0144] 系统的各方面的硬件实现和软件实现之间区别很小：硬件或软件的使用一般地(但不总是，因为在某些上下文下，硬件和软件之间的选择可能变得重要)表示成本对效率权衡的设计选择。存在通过其可实现本文中所述的处理和/或系统和/或其它技术的各种媒介物(例如，硬件、软件和/或固件)，并且优选媒介物将随着部署这些处理和/或系统和/或其它技术的上下文而变化。例如，如果实施者确定速度和精度是最重要的，则实施者可主要选择硬件和/或固件媒介物；如果灵活性是最重要的，则实施者可主要选择软件实现；或者，再一次可替代地，实施者可选择硬件、软件和/或固件的某一组合。

[0145] 前述的详细描述已经通过使用框图、流程图和/或示例阐述了所述设备和/或处理的各种实施例。只要这样的框图、流程图和/或示例包含一个或多个功能和/或操作，本领域技术人员将理解，这样的框图、流程图或示例内的每个功能和/或操作可单个地和/或共同地用范围广泛的硬件、软件、固件或它们的实际任何组合来实现。在一个实施例中，本文中所述的主题的几个部分可经由专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)或其它集成格式来实现。然而，本领域技术人员将认识到，本文中所公开的实施例的一些方面整个地或部分地可等同地在集成电路中实现，实现为在一个或多个计算机上运行的一个或多个计算机程序(例如，在一个或多个计算机系统上运行的一个或多个程序)，实现为在一个或多个处理器上运行的一个或多个程序(例如，在一个或多个微处理器上运行的一个或多个程序)，实现为固件，或者实现它们的实际任何组合，并且根据本公开，设计电路和/或编写用于软件和/或固件的代码将在本领域技术人员的熟练技能内。

[0146] 在本申请中所述的特定实施例(意图使其作为各方面的例证)方面，本公开不应当是受限的。如对本领域技术人员来说将显而易见的，在不脱离其精神和范围的情况下可以做出许多修改和改变。通过前述描述，本公开范围内的功能等价的方法和装置(除本文中所列举的那些之外)对于本领域技术人员来说将是显而易见的。意图使这样的修改和改变落在所附权利要求的范围内。本公开仅由所附权利要求的各项以及这样的权利要求所赋予的等同物的全部范围一起来限定。应当理解，本公开并不限于特定的方法、系统或部件(当然其可以变化)。还应当理解，本文中所使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，且并不意图是限制性的。

[0147] 另外，本领域技术人员将意识到，本文中所述的主题的机制能够以各种形式作为程序产品分布，并且本文中所述的主题的说明性实施例不管用于实际实现该分布的信号承载介质的具体类型如何都适用。信号承载介质的示例包括但不限于以下：可记录类型的介质，诸如软盘、硬盘驱动器、压缩盘(CD)、数字通用盘(DVD)、数字带、计算机存储器等；以及传输类型的介质，诸如数字和/或模拟通信介质(例如，光纤电缆、波导、有线通信链路、无线通信链路等)。

[0148] 本领域技术人员将认识到，以本文中所阐述的方式描述设备和/或处理、其后使用工程实践将这样的所述的设备和/或处理集成到数据处理系统中在本领域内是常见的。也就是说，本文中所述的设备和/或处理的至少一部分可经由合理量的实验集成到数据处理系统中。本领域技术人员将认识到，典型的数据处理系统一般包括以下中的一个或多个：系统单元壳体、视频显示设备、诸如易失性和非易失性存储器的存储器、诸如微处理器和数字信号处理器的处理器、诸如操作系统的计算实体、驱动器、图形用户界面、以及应用程序、诸如触控板或触摸屏的一个或多个交互设备、和/或包括反馈回路的控制系统。

[0149] 典型的成像系统可利用任何合适的市售部件来实现，诸如通常见于数据计算/通信和/或网络计算/通信系统中的那些部件。本文中所述的主题有时说明包含在不同的其它部件内的或者与不同的其它部件耦接在一起的不同部件。要理解，这样的描绘的架构仅仅是示例，事实上，可实施实现相同功能的许多其它的架构。从概念的意义上来讲，实现相同功能的部件的任何布置是有效“关联的”，以使得期望的功能被实现。因此，本文中组合实现特定功能的任何两个部件可被看作彼此“关联”，以使得不管架构或中间部件如何期望的功能都被实现。同样地，相关联的任何两个部件也可被视为彼此“可操作地连接”或“可操作地耦接”来实现期望的功能，并且能够如此关联的任何两个组件也可被视为彼此“可操作地可耦接”来实现期望的功能。可操作地可耦接的具体示例包括但不限于物理地可连接和/或物理交互部件、和/或无线地可交互和/或无线地交互部件、和/或逻辑地交互和/或逻辑地可交互部件。

[0150] 关于基本上任何复数和/或单数术语在本文中的使用，本领域技术人员可以按照其适用于的情景和/或应用而从复数转化到单数和/或从单数转化到复数。为了清楚起见，在本文中可能明确地阐述了各种单数/复数变换。

[0151] 本领域技术人员将理解的是，总之，本文中且尤其是所附权利要求(例如所附权利要求的主体)中所使用的术语通常意图是“开放的”术语(例如术语“包括”应当被解释为“包括但不限于”，术语“具有”应当被解释为“至少具有”，术语“包含”应当被解释为“包含但不限于”，等等)。本领域技术人员将进一步理解的是，如果所引入的权利要求叙述的特定数字是有意的，这样的意图将被明确叙述在权利要求中，并且在没有这样的叙述的情况下不存在这样的意图。例如，作为理解的辅助，下面所附的权利要求可以包含引入性短语“至少一个”和“一个或多个”的使用以引入权利要求叙述。然而，这样的短语的使用不应被解释为暗示着通过不定冠词“一”或“一个”引入权利要求叙述将包含这样引入的权利要求叙述的任何特定权利要求限定到包含只有一个这样的叙述的实施例，即使当该同一权利要求包括引入性短语“一个或多个”或“至少一个”以及诸如“一”或“一个”的不定冠词时也是这样(例如，“一”和/或“一个”应当被解释为意味着“至少一个”或“一个或多个”)；对于用来引入权利要求叙述的定冠词的使用来说情况是同样的。此外，即使明确记载了所引入的权利要求叙述的特定数字，本领域技术人员也将认识到，这样的记载应当被解释为意味着至少所记载的数字(例如，在没有其它修饰的情况下，“两个叙述”的直率叙述意味着至少两个叙述或者两个或更多叙述)。

[0152] 此外，在其中使用类似于“A、B和C等中的至少一个”的惯例的那些实例中，通常这样的构造意图是本领域技术人员将理解该惯例的意义(例如，“具有A、B和C等中的至少一个的系统”将包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B一起、具有A和C一起、具有B和C一起以及/或者具有A、B和C一起等的系统)。本领域技术人员将进一步理解的是，实际上任何转折性词语和/或提供两个或更多替换术语的短语无论是在说明书、权利要求中还是在附图中都应当被理解为构想包括这些术语中的一个、这些术语中的任一个或这些术语两个的可能性。例如，短语“A或B”将被理解为包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。

[0153] 此外，在就马库什群组描述公开的特征或方面的情况下，本领域技术人员将认识到，由此也就马库什群组的任何单个成员或成员的子群组描述了公开。如本领域技术人员将理解的，出于任何和所有目的，诸如在提供书面描述方面，本文中所公开的所有范围也涵盖任何和所有可能的子范围以及其子范围的组合。任何所列出的范围可被容易地理解为充分描述并使能被分解成至少相等的两半、三份、四份、五份、十份等的该同一范围。作为一非限制示例，本文中所讨论的每个范围都可被容易地分解成下三分之一、中间三分之一和上三分之一，等等。如本领域技术人员也将理解的，诸如“高达”、“至少”、“大于”、“少于”等的所有语言都包括所述的该数字并且指代随后可被分解成如上所讨论的子范围的范围。最后，如本领域技术人员将理解的，范围包括每个单个成员。因此，例如，具有1-3个单元的群组指代具有1个、2个或3个单元的群组。相似地，具有1-5个单元的群组指代具有1个、2个、3个、4个或5个单元的群组，以此类推。虽然本文中已经描述了各个方面和实施例，但是其它方面和实施例对于本领域技术人员将是显而易见的。

[0154] 本文中所公开的各个方面和实施例是出于例证的目的，而非意图限制，其中真实范围和精神由权利要求来指明。

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