一种制备垂直阵列碳纳米管的方法
专利汇可以提供一种制备垂直阵列碳纳米管的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 属于 纳米技术 领域，具体为一种制备垂直阵列 碳 纳米管 的方法，制备步骤如下：（1）用去离子 水 配置金属盐溶液A；（2）将 片层 状 钛 酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得 混合液 ；（3）在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂，后继续搅拌0.5-4h，静置1-2h得混合物；（4）将步骤（3）所得混合物进行 焙烧 、筛分、还原后得初催化剂；（5）初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列 碳纳米管 。，下面是一种制备垂直阵列碳纳米管的方法专利的具体信息内容。
1.一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，制备步骤如下：（1）用去离子水配置金属盐溶液A；（2）将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液；（3）在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂，后继续搅拌0.5-4h，静置1-2h得混合物；（4）将步骤（3）所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂；（5）初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。
2.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述还原的温度为500-650℃，所述还原的时间为5-10min，所述还原的环境为在氢气氛围下。
3.如权利要求2所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述氢气的量为需要还原物质的质量分数的10%；优选的，所述筛分为过20-100目筛，优选20-50目筛。
4.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述钛酸盐为钛酸钾；优选的，所述钛酸盐的加入量是金属盐质量的20-100%；优选的所述钛酸盐的加入量是金属盐质量的40-70%。
5.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述溶液A为质量分数为0.5-60%的溶液A。
6.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述金属盐为铁、镍、钴、锰、铂、铝、镁、钼的盐酸盐、硝酸盐、乙酸盐、草酸盐中的一种或者多种。
7.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述沉淀剂为氨水、碳酸铵、碳酸氢铵、氢氧化钠中的一种或多种；所述沉淀剂的加入量为为片层钛酸盐重量的80%-150%。
8.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述焙烧方式为带液焙烧或固液分离后焙烧，所述焙烧温度为300℃-600℃，焙烧时间为3-5h；优选的，所述焙烧温度为400℃-450℃。
9.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述CVD反应采用的是固定床、移动床、流化床中的一种或者他们的组合床；所述CVD反应采用的碳源为甲烷、乙烷、乙烯、丙烷、丙烯、苯、甲苯、二甲苯中的一种或者多种；所述CVD反应采用所用得惰性气体为氩气、氮气、氢气中的一种或多种。
10.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法，其特征在于，所述CVD反应的反应温度为600℃-1100℃；优选的，所述CVD反应的反应温度为650℃-900℃。
一种制备垂直阵列碳纳米管的方法
技术领域
背景技术
（2）将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液；（3）在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂，后继续搅拌0.5-4h，静置1-2h得混合物；（4）将步骤（3）所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂；（5）初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。
附图说明
基于本发明实施例。本领域其他技术人员所获得的其余实施例，均属于本发明的保护范围之内。
所述CVD反应采用的是直径500mm，长度为1400mm的石英流化床；所述CVD反应采用的碳源为乙烯；所述CVD反应采用所用得惰性气体为氮气；氮气与乙烯流量控制为2:1；
所述CVD反应的反应温度为650-660℃；
所述CVD反应的反应时间为50min；
CVD反应后保持氮气，自然降温至400℃时通空气10min，卸料的样品；
样品经盐酸浸泡过夜后60℃酸洗6h，检测纯度99.42%，四探针电阻率为45mΩcm。
450℃下焙烧4h，焙烧后的物质过20目筛，过筛后的物质在650℃下通氢气5min还原得初催化剂；（5）初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管；
所述CVD反应采用的是直径500mm，长度为1400mm的石英流化床；所述CVD反应采用的碳源为丙烯；所述CVD反应采用所用得惰性气体为氮气；所述氮气与乙烯流量比为1:1，所述CVD反应的温度为670℃，所述CVD反应的时间为60min；
所述CVD反应保持氮气，自然降温至370℃时通空气15min，卸料得样品；
所述样品经盐酸硝酸浸泡过夜后70℃酸洗5h得垂直阵列碳纳米管，检测纯度99.57%，四探针电阻率为49mΩcm。
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