技术领域
本发明涉及一种纳米材料技术领域的的制备方法,具体是一种双壁碳纳米 管电磁屏蔽膜的制备方法。
背景技术
随着
电子技术的迅速发展,计算机、无线通讯得以广泛应用和密集配置,使 得空间充斥了不同
波长和
频率的
电磁波,这些电磁波严重干扰了电子产品的正常 使用,而且经医学证明,它还会对人体健康产生危害。所以电磁波已成为继大气 污染、
水污染、噪声污染后的一种新的污染源(电磁污染)。防止电磁波
辐射污染 以保护环境和人体健康,已经成为当前国际上迫切需要解决的问题,特别是解决 用于天气预报、电视
信号传输、通信
微波中转系统的X波段(8.2-12.4GHz)电磁 波尤为重要。
铁磁材料和金属良导体、
镀金属表面敷层型
薄膜材料等由于具有较好的导 电性和介电参数,使其成为如今广泛应用的电磁屏蔽材料,铁磁材料和金属良导 体其重量重、柔性差、易
腐蚀、不易加工等缺点明显,局限性较大。镀金属表面 敷层型薄膜材料表层导电薄膜附着
力不高,容易产生剥离,二次加工性能较差。 以导电
纤维为填充材料的填充复合型屏蔽材料由于重量相对较轻、耐腐蚀等特点 使其成为近年电磁屏蔽材料的研究热点,特别是碳
纳米管或
碳纤维填充型复合材 料。但导电纤维填充型
复合材料其导电填充物填充量高、且填充物分布很难达到 均匀,导致电磁屏蔽效果不是很好。
经对
现有技术的文献检索发现,Xu,H等在《Applied Physics Letters》 (应用物理快报)2007年第90卷183119页发表了题为《Microwave shielding of transparent and conducting single-walled carbon nanotube films》(透明导电单壁
碳纳米管薄膜的微波屏蔽)一文,文中评述:采用对分散 的
单壁碳纳米管溶液进行过滤的方法制备单壁碳纳米管薄膜,并对该膜进行电磁 屏蔽测试,显示其在高频段有28dB的电磁屏蔽效能。由于薄膜制备方法上的缺 陷,薄膜中含有较多的
表面活性剂及滤膜
吸附物,导致其
导电性能的下降,从而降 低了电磁屏蔽效能。另外,该薄膜很难操作,且制备面积不大,产量较低,很难 实现大规模生产。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种
双壁碳纳米管电磁屏蔽 膜的制备方法。本发明的原料简单易得,成本低廉,对环境无污染;采用惰性气 体保护,无明显易燃危险原料;产物易于处理,收率高,设备简单,可以半连续 化操作,适于大量生产。
本发明是通过以下技术方案实现的,本发明涉及一种双壁碳纳米管电磁屏 蔽膜的制备方法,包括如下步骤:
步骤一,在卧式
石英管反应器中进行反应,通入惰性气体,升温;
步骤二,将二茂铁和噻酚溶解于正己烷中,其中二茂铁浓度为2g/100ml, 噻酚浓度为0.6ml/100ml;
步骤三,将溶解有二茂铁和噻酚的正己烷通入速率控制为0.5ml/min,控制 惰性气体流量,反应进行5-40分钟,反应结束后取出基片,等基片冷却后从基 片上剥离出膜,即得双壁碳纳米管电磁屏蔽膜。
步骤一中,所述升温具体为升温到1100℃-1200℃。
步骤三中,所述惰性气体流量为20L/h-60L/h。
本发明采用正己烷做为碳源,二茂铁作为催化剂及噻酚作为生长促进剂, 以惰性气体为保护气体及载气。正己烷和催化剂同时供给,在高温区分解出碳和 纳米铁粒子,在高温区生成双壁碳纳米管。反应在卧式的石英管反应器中进行, 在气流的作用下高温区的双壁碳纳米管沉积在末端的基片上,沉积不同的时间可 得到不同厚度的碳纳米管膜。
本发明具有如下的有益效果:本发明工艺简单易行,很容易从基片上剥离 双壁碳纳米管膜,并方便的调节所需膜厚,从而得到不同表面
电阻的双壁碳纳米 管膜用于不同场合的电磁屏蔽。本发明制备的电磁屏蔽材料重量可忽略不计,本 发明的可得到面积超过30×15cm2且可任意操作的大面积双壁碳纳米管膜材料, 所得到的双壁碳纳米管膜
密度为0.1g/cm3,厚度为1μm-8μm,表面电阻为 8.35Ω/Sq-26.29Ω/Sq。该膜能直接用于电磁屏蔽,其在X波段的电磁屏蔽效能 可达61dB-67dB,其屏蔽效能大大高于常用的碳纳米管(碳纤维)填充型复合材 料(20-30dB)。本发明的原料简单易得,成本低廉,对环境无污染;采用惰性气 体保护,无明显易燃危险原料;产物易于处理,收率高,设备简单,可以半连续 化操作,适于大量生产。
具体实施方式
以下实例将结合
附图对本发明作进一步说明。本
实施例在以本发明技术方 案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和过程,但本发明的保护范围不限 于下述的实施例。下列实施例中未注明具体条件的实验方法,通常按照常规条件, 或按照制造厂商所建议的条件。
实施例1
准备好厚度0.5mm、长度30cm、宽度6.5cm
铝箔,然后让其经无水
乙醇清 洗,再用体积分数为10%的HCl浸泡以除去
氧化层,之后卷成圆柱形筒状放入卧 式石英反应管的反应末端(石英反应管直径20mm),然后反应管末端用
橡胶塞封 闭,在橡胶塞上仅留一小出气口。实验装置安装完毕后,卧式石英反应管通入氩 气保护,升温到1150℃,升温速率为20℃/min,然后由电子
泵通入溶解有二茂 铁、噻酚的正己烷溶液,二茂铁浓度为2g/100ml,噻酚浓度为0.6ml/100ml,通 入速率为0.5ml/min,调节氩气的流量为60L/h,反应时间持续5分钟。反应结 束后,取出基片,等基片冷却至25℃后从基片上剥离出膜,所得膜为双壁碳纳 米管膜,膜面积为30×6cm2,膜厚为1μm,表面电阻为25.83Ω/Sq,密度0.1g/cm3, 电磁屏蔽效能在X波段为18dB-21dB。
实施例2
准备好厚度0.5mm、长度30cm、宽度9.5cm铝箔,然后让其经无水乙醇清 洗,再用体积分数为10%的HCl浸泡以除去氧化层,之后卷成圆柱形筒状放入卧 式石英反应管的反应末端(石英反应管直径30mm),然后反应管末端用橡胶塞封 闭,在橡胶塞上仅留一小出气口。实验装置安装完毕后,卧式石英反应管通入氩 气保护,升温到1100℃,升温速率为20℃/min,然后由电子泵通入溶解有二茂 铁、噻酚的正己烷溶液,二茂铁浓度为2g/100ml,噻酚浓度为0.6ml/100ml,通 入速率为0.5ml/min,调节氩气的流量为40L/h,反应时间持续5分钟。反应结 束后,取出基片,等基片冷却至25℃后从基片上剥离出膜,所得膜为双壁碳纳 米管膜,膜面积为30×9cm2,膜厚为1μm,表面电阻为26.29Ω/Sq,密度0.1g/cm3, 电磁屏蔽效能在X波段为17dB-20dB。
实施例3
准备好厚度0.5mm、长度30cm、宽度16cm铝箔,然后让其经无水乙醇清洗, 再用体积分数为10%的HCl浸泡以除去氧化层,之后卷成圆柱形筒状放入卧式石 英反应管的反应末端(石英反应管直径50mm),然后反应管末端用橡胶塞封闭, 在橡胶塞上仅留一小出气口。实验装置安装完毕后,卧式石英反应管通入氩气保 护,升温到1200℃,升温速率为20℃/min,然后由电子泵通入溶解有二茂铁、 噻酚的正己烷溶液,二茂铁浓度为2g/100ml,噻酚浓度为0.6ml/100ml,通入速 率为0.5ml/min,调节氮气的流量为20L/h,反应时间持续10分钟。反应时间 后,取出基片,等基片冷却后从基片上剥离出膜,所得膜为双壁碳纳米管膜,膜 面积为30×16cm2,膜厚为2μm,表面电阻为17.36Ω/Sq,密度0.1g/cm3,电磁 屏蔽效能在X波段为25dB-31dB。
实施例4
准备好厚度0.5mm、长度30cm、宽度13cm铝箔,然后让其经无水乙醇清洗, 再用体积分数为10%的HCl浸泡以除去氧化层,之后卷成圆柱形筒状放入卧式石 英反应管的反应末端(石英反应管直径40mm),然后反应管末端用橡胶塞封闭, 在橡胶塞上仅留一小出气口。实验装置安装完毕后,卧式石英反应管通入氩气保 护,升温到1100℃,升温速率为20℃/min,然后由电子泵通入溶解有二茂铁、 噻酚的正己烷溶液,二茂铁浓度为2g/100ml,噻酚浓度为0.6ml/100ml,通入速 率为0.5ml/min,调节氩气的流量为60L/h,反应时间持续20分钟。反应结束 后,取出基片,等基片冷却后从基片上剥离出膜,所得膜为双壁碳纳米管膜,膜 面积为30×13cm2,膜厚为4μm,表面电阻为10.10Ω/Sq,密度0.1g/cm3,电磁 屏蔽效能在X波段为32dB-40dB。
实施例5
准备好厚度0.5mm、长度30cm、宽度16cm铝箔,然后让其经无水乙醇清洗, 再用体积分数为10%的HCl浸泡以除去氧化层,之后卷成圆柱形筒状放入卧式石 英反应管的反应末端(石英反应管直径50mm),然后反应管末端用橡胶塞封闭, 在橡胶塞上仅留一小出气口。实验装置安装完毕后,卧式石英反应管通入氩气保 护,升温到1150℃,升温速率为20℃/min,然后由电子泵通入溶解有二茂铁、 噻酚的正己烷溶液,二茂铁浓度为2g/100ml,噻酚浓度为0.6ml/100ml,通入速 率为0.5ml/min,调节氩气的流量为40L/h,反应时间持续40分钟。反应时间 后,取出基片,等基片冷却至常温后从基片上剥离出膜,所得膜为双壁碳纳米管 膜,膜面积为30×16cm2,膜厚为8μm,表面电阻为8.35Ω/Sq,密度0.1g/cm3, 电磁屏蔽效能在X波段为61dB-67dB。