纳米粒子的制造
专利汇可以提供纳米粒子的制造专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种制造复合 纳米粒子 的加工装置，该装置包括移动具有第一材料和第一尺寸的纳米粒子(10)的带电电源部、在纳米粒子的路径的区域(42)中施加相同电势的装置、以及朝向所述区域且具有第二材料的物理气相淀积源(PVD)(40)，以便制造具有更大的第二尺寸且为第一和第二材料的合成物的纳米粒子。施加相同电势的装置可以包括围绕纳米粒子路径且分别具有连续减小的电势的一个或多个导电环(28)。物理气相淀积源可以是一个或多个溅射靶，或者 蒸发 源，或者其它PVD源。可以存在多个物理气相淀积源，以使淀积壳的区域更大。为了得到均一的壳，所有的物理气相淀积源可以淀积相同的材料。作为选择，不同的源能够形成复式壳或 合金 壳。，下面是纳米粒子的制造专利的具体信息内容。
1.一种纳米粒子加工装置，其包括一个充电的、移动的纳米粒子的源，所述纳米粒子具有第一材料和第一尺寸、在所述纳米粒子的路径的区域中施加相同电势的装置、以及朝向所述区域且具有第二材料的物理气相淀积源，以便制造具有更大的第二尺寸且为第一和第二材料的合成物的纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述施加相同电势的装置包括围绕所述纳米粒子路径的一个或多个导电环。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述相同电势沿移动中的纳米粒子的行进方向从最大减至最小。
4.根据依赖于权利要求2的权利要求3所述的装置，其中沿纳米粒子的路径存在具有连续减小的电势的多个导电环。
5.根据权利要求4所述的装置，其中每一个导电环通过电阻部件连接至相邻环。
6.根据权利要求5所述的装置，其中第一导电环连接至电压源。
7.根据权利要求6所述的装置，其中最后的导电环接地。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其中所述移动中纳米粒子带负电，并且所述被施加的电势为负。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中所述物理气相淀积源为溅射靶。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中所述物理气相淀积源为蒸发源。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的装置，其中存在多个物理气相淀积源。
12.根据权利要求11所述的装置，其中所有物理气相淀积源淀积相同的材料。
13.一种大体上参考附图所述和/或如附图所示的纳米粒子加工装置。
纳米粒子的制造
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
36朝向滞留区，并且将蒸发的材料喷向导电环28之间的滞留区。因此，在滞留区时，使纳米粒子与由此形成的第二材料云聚结，从而所获得的纳米粒子具有不同的芯部和壳结构。最后，纳米粒子在经过最后的环28i之后经由口42离开，并且可以常规的方式被收集。
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