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一种石英晶片清洗装置

阅读:633发布:2023-02-27

专利汇可以提供一种石英晶片清洗装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本实用新型涉及一种 石英 晶片清洗装置,包括 腐蚀 槽, 控制器 , 定位 架,筛槽,上料机构, 烘干机 构,其特征在于:所述的控制器安装在定位座上,所述的筛槽安装在腐蚀槽内,所述的上料机构在腐蚀槽的一侧,所述的上料机构与筛槽连接,所述的烘干机构在筛槽的上方,所述的腐蚀槽一侧设有 槽口 一和槽口二。本实用新型通过石英晶片清洗装置的设置,实现了石英晶片的腐蚀和烘干,方便取出进行打磨,提高了效率,同时也提高石英晶片的 质量 。,下面是一种石英晶片清洗装置专利的具体信息内容。

1.一种石英晶片清洗装置,包括腐蚀槽,控制器定位架,筛槽,上料机构,烘干机构,其特征在于:所述的控制器安装在定位座上,所述的筛槽安装在腐蚀槽内,所述的上料机构在腐蚀槽的一侧,所述的上料机构与筛槽连接,所述的烘干机构在筛槽的上方,所述的腐蚀槽一侧设有槽口一和槽口二,所述的上料机构包括连接柱一,连接柱二,横杆液压缸一,液压杆一,液压缸二,液压杆二,连接轨,配合轨,所述的连接柱一安装在槽口一内,所述的连接柱二安装在槽口二内,所述的连接柱一一端与筛槽连接,所述的连接柱一另一端与横杆连接,所述的连接柱二一端与筛槽连接,所述的连接柱二另一端与横杆连接,所述的液压缸一和液压缸二安装在定位座上,所述的液压杆一一端与液压缸一连接,所述的液压杆一另一端与横杆连接,所述的液压杆二一端与液压缸二连接,所述的液压杆二另一端与横杆连接,所述的腐蚀槽外侧安装有配合轨,所述的横杆内侧安装有连接轨,所述的配合轨与连接轨配合,所述的烘干机构包括输送管,气,空气加热器,烘干端,所述的气泵,空气加热器安装在输送管上,所述的烘干端在输送管的一端。
2.如权利要求1所述的石英晶片清洗装置,其特征在于:所述的筛槽上设有筛孔。
3.如权利要求1所述的石英晶片清洗装置,其特征在于:所述的烘干端为半圆形,所述的烘干端上阵列有多个出气孔。
4.如权利要求1所述的石英晶片清洗装置,其特征在于:所述的槽口一和槽口二的上方设有定位杆一,所述的定位杆一下方设有上限位传感器
5.如权利要求1所述的石英晶片清洗装置,其特征在于:所述的槽口一和槽口二的下方设有定位杆二,所述的定位杆二上方设有下限位传感器。

说明书全文

一种石英晶片清洗装置

技术领域

[0001] 本实用新型涉及一种石英晶片清洗装置。

背景技术

[0002] 石英晶片在切割过程中会出现破坏层,表面破坏层的存在不仅大大增加了晶体振动能量的损耗,同时也带来了表面应弛豫效应。因此需要对破坏层进行腐蚀,并进行打磨,从而改善质量。实用新型内容
[0003] 为了克服现有技术的不足,本实用新型提供了一种石英晶片清洗装置。
[0004] 为解决上述问题,本实用新型所采用的技术方案是:
[0005] 一种石英晶片清洗装置,包括腐蚀槽,控制器定位架,筛槽,上料机构,烘干机构,其特征在于:所述的控制器安装在定位座上,所述的筛槽安装在腐蚀槽内,所述的上料机构在腐蚀槽的一侧,所述的上料机构与筛槽连接,所述的烘干机构在筛槽的上方,所述的腐蚀槽一侧设有槽口一和槽口二,所述的上料机构包括连接柱一,连接柱二,横杆液压缸一,液压杆一,液压缸二,液压杆二,连接轨,配合轨,所述的连接柱一安装在槽口一内,所述的连接柱二安装在槽口二内,所述的连接柱一一端与筛槽连接,所述的连接柱一另一端与横杆连接,所述的连接柱二一端与筛槽连接,所述的连接柱二另一端与横杆连接,所述的液压缸一和液压缸二安装在定位座上,所述的液压杆一一端与液压缸一连接,所述的液压杆一另一端与横杆连接,所述的液压杆二一端与液压缸二连接,所述的液压杆二另一端与横杆连接,所述的腐蚀槽外侧安装有配合轨,所述的横杆内侧安装有连接轨,所述的配合轨与连接轨配合,所述的烘干机构包括输送管,气,空气加热器,烘干端,所述的气泵,空气加热器安装在输送管上,所述的烘干端在输送管的一端。
[0006] 作为一种优选,所述的筛槽上设有筛孔。
[0007] 作为一种优选,所述的烘干端为半圆形,所述的烘干端上阵列有多个出气孔。
[0008] 作为一种优选,所述的槽口一和槽口二的上方设有定位杆一,所述的定位杆一下方设有上限位传感器
[0009] 作为一种优选,所述的槽口一和槽口二的下方设有定位杆二,所述的定位杆二上方设有下限位传感器。
[0010] 由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本实用新型通过石英晶片清洗装置的设置,实现了石英晶片的腐蚀和烘干,方便取出进行打磨,提高了效率,同时也提高石英晶片的质量。
[0011] 同时下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

[0012] 图1为本实用新型一种石英晶片排片装置的正视图。
[0013] 图2为本实用新型一种石英晶片排片装置的右视图。
[0014] 图3为本实用新型一种石英晶片排片装置的后视图。
[0015] 图4为本实用新型一种石英晶片排片装置的俯视图。
[0016] 图5为本实用新型一种石英晶片排片装置的轴视图。
[0017] 图6为本实用新型一种石英晶片排片装置的右剖视图。
[0018] 图7为本实用新型一种石英晶片排片装置的局部视图。
[0019] 图中:1、腐蚀槽,11、槽口一,12、槽口二,13、配合轨,2、控制器,3、定位架,4、筛槽,41、筛孔,5、上料机构,51、连接柱一,52、连接柱二,53、横杆,531、连接轨,54、液压缸一,55、液压杆一,56、液压缸二,57、液压杆二,6、烘干机构,61、输送管,62、气泵,63、空气加热器,
64、烘干端,641、出气孔,7、定位座,8、定位杆一,81、上限位传感器,9、定位杆二,91、下限位传感器。

具体实施方式

[0020] 实施例
[0021] 如图1-7所示,一种石英晶片清洗装置,包括腐蚀槽1,控制器2,定位架3,筛槽4,上料机构5,烘干机构6,其特征在于:所述的控制器2安装在定位座7上,所述的筛槽4安装在腐蚀槽1内,所述的上料机构5在腐蚀槽1的一侧,所述的上料机构5与筛槽4连接,所述的烘干机构6在筛槽4的上方,所述的腐蚀槽1一侧设有槽口一11和槽口二12,所述的上料机构5包括连接柱一51,连接柱二52,横杆53,液压缸一54,液压杆一55,液压缸二56,液压杆二57,连接轨531,配合轨13,所述的连接柱一51安装在槽口一11内,所述的连接柱二52安装在槽口二12内,所述的连接柱一51一端与筛槽4连接,所述的连接柱一51另一端与横杆53连接,所述的连接柱二52一端与筛槽4连接,所述的连接柱二52另一端与横杆56连接,所述的液压缸一54和液压缸二56安装在定位座7上,所述的液压杆一55一端与液压缸一54连接,所述的液压杆一55另一端与横杆53连接,所述的液压杆二57一端与液压缸二56连接,所述的液压杆二57另一端与横杆53连接,所述的腐蚀槽1外侧安装有配合轨13,所述的横杆53内侧安装有连接轨531,所述的配合轨13与连接轨531配合,所述的烘干机构6包括输送管61,气泵62,空气加热器63,烘干端64,所述的气泵62,空气加热器63安装在输送管61上,所述的烘干端64在输送管61的一端。
[0022] 进一步的,所述的筛槽4上设有筛孔41,通过筛孔41的设置,方便了腐蚀液的排出和石英晶片的淋干。
[0023] 进一步的,所述的烘干端64为半圆形,所述的烘干端64上阵列有多个出气孔641,通过将烘干端64设置为半圆形,可以增加出气孔641,从而增加烘干面积,提高了烘干效率。
[0024] 进一步的,所述的槽口一11和槽口二12的上方设有定位杆一8,所述的定位杆一8下方设有上限位传感器81,通过上限位传感器81的设置,实现了横杆53行程的上行位置度的限制。
[0025] 进一步的,所述的槽口一11和槽口二12的下方设有定位杆二9,所述的定位杆二9上方设有下限位传感器91,通过下限位传感器91的设置,实现了横杆53行程的下行位置度的限制。
[0026] 本实用新型中,将石英晶片放置在筛槽4内,腐蚀槽1内的腐蚀液将石英晶片的破坏层进行腐蚀,当腐蚀达到额定时长后,通过液压缸一54推动液压杆一55带动横杆53上行,通过液压缸二56推动液压杆二57带动横杆53上行,带动连接柱一51和连接柱二52上行,从而带动筛槽4上行,将腐蚀好的石英晶片从腐蚀液中提出,随后通过气泵62,空气加热器63的作业,是空气变成高压高温的空气,并通过烘干端64排出高温空气,高温空气对筛槽4内的石英晶片进行烘干,烘干作业完成后将石英晶片从筛槽4中取出,随着再进行重复腐蚀和烘干作业,为下一道打磨工艺做好准备。
[0027] 由于采用了上述技术方案,与现有技术相比,本实用新型通过石英晶片清洗装置的设置,实现了石英晶片的腐蚀和烘干,方便取出进行打磨,提高了效率,同时也提高石英晶片的质量。
[0028] 本实用新型不局限于上述最佳实施方式,任何人应该得知在本实用新型的启示下做出的结构变化,凡是与本实用新型具有相同或者相近似的技术方案,均属于本实用新型的保护范围。
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