一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及制备方法
专利汇可以提供一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 专利 公布了一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及制备方法，探测器结构包括图形化蓝 宝石 衬底， 缓冲层 ，n型掺杂层，i型掺杂层，应 力 释放层，p型层，i型层，结构布置自下至上依次为图形化蓝宝石衬底、缓冲层、n型掺杂层、i型掺杂层、 应力 释放层、p型层、i型层；制备方法包括：对衬底进行清洗，在衬底表面进行淀积 石墨 处理，获取缓冲层和n型掺杂层，依次生长i型掺杂层，应力释放层，p型层，i型层。本 发明 可提供的背入射AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器优势：(1)应力释放层能够减少结构的位错 密度 ，降低器件出现龟裂的概率；(2) 二 氧 化 硅 作为 钝化 层，具有优良的绝缘特性，可以作为有效的 电极 隔离层，从而提高光电转换效率。，下面是一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及制备方法专利的具体信息内容。
1.一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器，其特征在于：包括图形化蓝宝石衬底(1)，缓冲层(2)，n型掺杂层(3)，i型掺杂层(4)，应力释放层(5)，p型层(6)，i型层(7)，所述图形化蓝宝石衬底(1)布置在器件的最下方，所述缓冲层(2)布置在图形化蓝宝石衬底(1)上方，所述n型掺杂层(3)布置在缓冲层(2)与i型掺杂层(4)之间，所述i型掺杂层(4)布置在n型掺杂层(3)与应力释放层(5)之间，所述应力释放层(5)布置在i型掺杂层(4)与p型层(6)之间，所述p型层(6)布置在应力释放层(5)与i型层(7)之间，所述i型层(7)布置在p型层(6)上方。
2.如权利要求1所述一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器，其特征在于：所述应力释放层(5)的厚度为10nm。
3.一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，首先对图形化蓝宝石衬底(1)进行清洗，依次在去离子水环境中超声清洗10分钟，丙酮环境中超声清洗10分钟，再使用去离子水冲洗，乙醇环境中超声清洗10分钟，最后使用去离子水冲洗，在N2氛围中吹干；在图形化蓝宝石衬底(1)表面进行淀积石墨处理，再置于充满N2氛围的快速热退火炉中在500℃条件下退火3分钟；在衬底上依次生长缓冲层(2)、n型掺杂层(3)，i型掺杂层(4)，应力释放层(5)，p型层(6)，i型层(7)；在p型层(6)侧壁淀积二氧化硅钝化层。
一种AlGaN基p-i-n日盲紫外探测器及制备方法
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