专利汇可以提供一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 一种解决高磷浓度PSG 薄膜 表面雾状颗粒的工艺方法,其中,主要包括以下步骤:在反应腔室内的 等离子体 环境中通入 氧 气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的 能量 ,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷 原子 发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层 钝化 膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧反应。发明一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,有效的使在反应腔室中通入氧气使高 密度 等离子体与氧气混合,达到磷 硅 玻璃4的表面形成钝化膜,阻断 水 气与 硼 、磷 接触 造成结晶。,下面是一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法专利的具体信息内容。
1.一种解决高磷浓度PSG薄膜表面雾状颗粒的工艺方法,其特征在于,主要包括以下步骤:
在反应腔室内的等离子体环境中通入氧气,使所述等离子体与氧气混合,利用等离子体的能量,使得氧气与PSG薄膜中的不稳定的磷原子发生反应,形成位于PSG薄膜表面的一层钝化膜,以防止PSG薄膜中磷与空气中的氢、氧发生反应。
2.根据权利要求1所述的工艺方法,其特征在于,向所述反应腔室中通入氧气的过程中,在所述反应腔室的顶部所通入的氧气的流量为350sccm,在所述反应腔室的侧壁所通入的氧气的流量为150sccm,以保障所述反应腔室内氧气均匀分布。
3.根据权利要求1所述的工艺方法,其特征在于,所述掺杂磷的硅玻璃为高密度等离子体化学气象淀积法所生成,并且所掺杂的磷的浓度不低于9%。
4.根据权利要求1所述的工艺方法,其特征在于,在所述反应腔室中产生等离子体的过程中,在所述反应腔室的顶部所设置的射频功率为2500W,在所述反应腔室的侧壁所设置的射频功率为1000W,在所述反应腔室的底部所设置的射频功率为5500W,以保障所述反应腔室内等离子体均匀分布。
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