高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法
专利汇可以提供高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了 电子 元器件生产领域的一种高压 二极管 芯片上胶层膜厚控制方法。对经化学清洗干燥后的已 烧结 高压二极管芯片按照工艺要求进行管芯表面涂敷聚酰胺胶（上胶），再放于阶梯式程控烘箱内进行干燥（聚酰胺胶 钝化 ）。从干燥后的生产批中 抽取 一根部件，置于金相 显微镜 的测试台上，调整显微镜焦距粗调、微调旋钮，分别对 钝化层 表面、芯片表面进行 定位 ，可以测量出钝化层的膜厚。本发明具有测量 精度 高和提高成品的合格率等优点。，下面是高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法专利的具体信息内容。
1.一种高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法，其特征在于：高压二极管芯片上胶涂膜工艺步骤如下：
1）按二极管芯片的型号在上胶机对应部位安装相应规格的导航模、涂布轮、回收轮和料钵；
2）开启上胶机上四个加热器,温度设定依次为:第一级75℃, 第二级60℃, 第三级50℃, 第四级60℃；
3）上胶机传送带速度为6.0~6.5米/秒, 在料钵中加入适量的聚酰胺胶涂料；
4）将装有待涂敷上胶的二极管芯片-引线烧结部件由氮气保管柜内移到上胶机始端工作台面，部件装在塑料模具内,每批十模；
5）上胶工序室内温度设定为25±5℃,湿度为 ≤39%；
6）将装有待涂敷上胶的部件模具置于梳料架上，用锯条模将待加工件逐条、逐模顺序梳下放于上胶机传送带上， 调节导航模、涂布轮、回收轮的宽度、高度、速度，待涂敷上胶的二极管芯片居于涂布轮\回收轮中央；
7）将铝盒置于涂布机末端工作台上, 自传送带上移下已涂布的二极管芯片-引线烧结部件，装进铝盒，每铝盒装满18条锯条模后，盖上盖子，放入N2保管车内；
8）整批装盒结束后，用N2保管车将制连同铝盒移入专
用阶梯式程控干燥箱内，干燥工艺规范:
80℃×1 h→110℃×（1±1/6）h→180℃×1.5 h
→260℃×10h；
从涂布干燥后的生产批中抽取一根部件测定钝化膜层厚度,
测定用部件夹在专用夹具上置于金相显微镜的测试台上；
厚度测量:打开金相显微镜的灯开关 ,调整显微镜焦距粗调旋钮，使部件清晰可见，调节测试台左右\前后指定螺丝,将上胶后的制品芯片放在视野内的中心线,调节显微镜焦距细调旋钮，分别使涂布层表面、对应硅片表面与显微镜视野中的中心线一致,记下两个数值，其差为钝化膜层厚度测量数值。
2.一种高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法，其特征在于：高压二极管芯片上胶涂膜厚度工艺控制规范为20~25μm。
高压二极管芯片上胶层膜厚控制方法
技术领域
背景技术
发明内容
1）按二极管芯片的型号在上胶机对应部位安装相应规格的导航模、涂布轮、回收轮和料钵；
2）开启上胶机上四个加热器,温度设定依次为:第一级75℃, 第二级60℃, 第三级
50℃, 第四级60℃；
3）上胶机传送带速度为6.0~6.5米/秒, 在料钵中加入适量的聚酰胺胶涂料；
4）将装有待涂敷上胶的二极管芯片-引线烧结部件由氮气保管柜内移到上胶机始端工作台面，二极管芯片装在模具内,每批十模；
5）上胶工序室内温度设定为25±5℃,湿度为 ≤39%；
6）将装有待涂敷上胶的部件模具置于梳料架上，用锯条模将待加工件逐条、逐模顺序梳下放于上胶机传送带上， 调节导航模、涂布轮、回收轮的宽度、高度、速度，待涂敷上胶的二极管芯片居于涂布轮\回收轮中央；
7）将铝盒置于涂布机末端工作台上, 自传送带上移下已涂布的二极管芯片-引线烧结部件，装进铝盒，每铝盒装满18条锯条模后，盖上盖子，放入N2保管车内；
8）整批装盒结束后，用N2保管车将制连同铝盒移入专
用阶梯式程控干燥箱内，干燥工艺规范:
80℃×1 h→110℃×（1±1/6）h→180℃×1.5 h
→260℃×10h；
9)从涂布干燥后的生产批中抽取一根部件测定钝化膜层厚度,
测定用部件夹在专用夹具上置于金相显微镜的测试台上；
10)厚度测量:打开金相显微镜的灯开关 ,调整显微镜焦距粗调旋钮，使部件清晰可见，调节测试台左右\前后指定螺丝,将上胶后的制品芯片放在视野内的中心线,调节显微镜焦距细调旋钮，分别使涂布层表面、对应硅片表面与显微镜视野中的中心线一致,记下两个数值，其差为钝化膜层厚度测量数值；高压二极管芯片上胶涂膜厚度工艺控制规范为20~25μm。
具体实施方式
对经化学清洗干燥后的已烧结高压二极管芯片按照工艺要求进行管芯表面涂敷聚酰胺胶（上胶），再放于阶梯式程控烘箱内进行干燥（聚酰胺胶钝化）。从干燥后的生产批中抽取一根部件，置于金相显微镜的测试台上，调整显微镜焦距粗调、微调旋钮，分别对钝化层表面、芯片表面进行定位，可以测量出钝化层的膜厚。
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