专利汇可以提供硅台面半导体器件的PN结保护方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且硅 台面 半导体 器件的 PN结 保护方法,涉及半导体器件的PN结保护工艺技术领域,在完成了扩散工序的 硅片 表面采用气相沉积法 覆盖 SIPOS 薄膜 ,并采用掩膜的方法,去除多余的SIPOS薄膜,只在PN结表面保留SIPOS薄膜;再将玻璃粉的稀释 混合液 涂敷在硅片表面,低温 焙烧 后,去除多余的玻璃粉,再将硅片置于扩散炉内,在O2气氛中 烧结 。本 发明 采用半绝缘 多晶硅 (SIPOS) 叠加 玻璃 钝化 膜代替传统单一的玻璃钝化膜直接对台面半导体器件进行PN结表面保护的工艺方法,以提高钝化效果。,下面是硅台面半导体器件的PN结保护方法专利的具体信息内容。
1.硅台面半导体器件的PN结保护方法,包括以下步骤:
1)在完成了扩散工序的硅片表面采用气相沉积法覆盖SIPOS薄膜:将完成扩散和台面成型的硅片清洗干净并甩干后,装入载片舟,在CVD炉内温度为650±20℃的条件下,无氧条件下,将SiH4、N2O的混合液进行汽化处理,然后将硅片载片舟拉出,取下硅片;
再采用掩膜的方法,去除多余的SIPOS薄膜,只在PN结表面保留SIPOS薄膜:采用化学清洗剂对硅片进行清洗并甩干后,再在硅片的表面覆盖厚度为2~3μm的光刻胶,将硅片装入片架,并置于90±5℃的烘箱内处理30±5分钟,取出片架,选择性曝光、显影,再将硅片片架置于150±5℃的烘箱内处理30±5分钟后取出;再经腐蚀窗口、去除光光刻胶,则在硅片的PN结表面沉积了SIPOS薄膜;
2)采用化学清洗剂对硅片进行清洗并甩干后,在硅片的表面均匀涂敷玻璃粉的稀释混合液层,并装入载片舟,在扩散炉中低温焙烧20±2分钟;
其特征在于:
步骤1)中,经CVD炉处理60±5分钟后,在硅片上覆盖的SIPOS薄膜厚度为1~2μm;
所述SiH4、N2O的混合液的混合投料质量比为85~90 :10~15;
步骤2)中,所述低温焙烧时的温度为470±5℃,并在O2气氛中焙烧;在扩散炉中低温焙烧后,再将载片舟拉出扩散炉,去除硅片表面多余的玻璃粉,再将硅片装上载片舟,置于炉内温度为820±5℃的扩散炉中,在O2气氛中烧结20±2分钟,然后取出硅片;所述玻璃粉的稀释混合液由乙基纤维素和玻璃粉以2.5 :1的质量比混合组成。
2.根据权利要求1所述硅台面半导体器件的PN结保护方法,其特征在于所述化学清洗剂的组分为:HNO3、HF和冰乙酸,各成分的质量比为10 :1 :1。
3.根据权利要求1所述硅台面半导体器件的PN结保护方法,其特征在于所述化学清洗剂的组分为:氨水、双氧水和水,各成分的质量比为 1 :2 :5。
4.根据权利要求1所述硅台面半导体器件的PN结保护方法,其特征在于在硅片的表面涂敷的玻璃粉的稀释混合液层的厚度为15~20μm。
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