一种硅片晶圆切割后检验工艺
专利汇可以提供一种硅片晶圆切割后检验工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种 硅 片 晶圆 切割后检验工艺，包括 正面 检测：将已划圆片正面朝上放在高倍 显微镜 下按照抽样要求找到其中一个检查 位置 ，在这个位置检查10颗芯片的外观 质量 ，一个抽样位置检查完后移至下一个位置，直到所有位置检查结束； 反面 检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的 滤纸 ，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台XY轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查 视野 范围内的芯片情况；检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕需要在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片。本发明的一种 硅片 晶圆切割后检验工艺，检测内容全面，易操作，这样可以严格控制产品质量。，下面是一种硅片晶圆切割后检验工艺专利的具体信息内容。
1.一种硅片晶圆切割后检验工艺，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、正面检测：将已划圆片正面朝上放在高倍显微镜下按照抽样要求找到其中一个检查位置，在这个位置检查10颗芯片的外观质量，一个抽样位置检查完后移至下一个位置，直到所有位置检查结束，所述高倍显微镜的放大倍数≥100X；
步骤2、反面检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的滤纸，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台XY轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查视野范围内的芯片情况，所述高倍显微镜的放大倍数≥150X；
步骤3、检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕需要在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆切割后检验工艺，其特征在于，在步骤1和步骤2中所要进行检测的内容是：检查是否有腐蚀、碎角、背崩、污染、擦伤、划偏等。
3.根据权利3所述的一种硅片晶圆切割后检验工艺，其特征在于，检测完后用油性笔点出不良芯片，并记录在生产表单上。
一种硅片晶圆切割后检验工艺
技术领域
背景技术
发明内容
步骤2、反面检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的滤纸，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台XY轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查视野范围内的芯片情况，所述高倍显微镜的放大倍数≥150X；
步骤3、检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕需要在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片。
具体实施方式
步骤1、正面检测：将已划圆片正面朝上放在高倍显微镜下按照抽样要求找到其中一个检查位置，在这个位置检查10颗芯片的外观质量，一个抽样位置检查完后移至下一个位置，直到所有位置检查结束，所述高倍显微镜的放大倍数≥100X；
步骤2、反面检测：在高倍显微镜载物台上放上一张干净的滤纸，将已划圆片背面朝上放在该滤纸上移动显微镜载物台，使物镜对准圆片中心，移动镜检台XY轴从圆片的边缘看到另一边缘，检查视野范围内的芯片情况，所述高倍显微镜的放大倍数≥150X；
步骤3、检查发现问题，必须报告当班管理人员并全检，检查完毕需要在蓝膜上签注“检”字以区分已检圆片和未检圆片。
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