专利汇可以提供用于降低有源植入性医疗器械对诸如磁共振成像这样的医学过程的易感性的装置和过程专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种有源 植入性医疗器械 (AIMD)的穿通 端子 组合件包括从AIMD 电子 电路 延伸出的多条 导线 ,以及有损 铁 氧 体电感器,所述导线以非导电的关系穿过所述有损铁氧体电感器,用于通过由所述导线携带的 信号 的 相位 抵消来增加所述导线在选中的RF 频率 下的阻抗并且降低所述有损铁氧体电感器的磁通量磁芯饱和。还提供了一种用于对从一个AIMD延伸到体液或组织中的植入的导线的 电磁干扰 (EMI)进行滤波的过程,其中所述导线遭受偶发高功率电 磁场 ,例如由包括 磁共振成像 的医学诊断设备产生的高功率 电磁场 。,下面是用于降低有源植入性医疗器械对诸如磁共振成像这样的医学过程的易感性的装置和过程专利的具体信息内容。
1.一种用于有源植入性医疗器械(AIMD)的穿通端子组合件, 包括:
多条导线,所述多条导线从AIMD的电子电路延伸;以及
一个有损铁氧体电感器,所述导线以非导电的关系穿过所述有损 铁氧体电感器,用于通过由所述导线携带的信号的相位抵消来增加所 述导线在选中的RF频率下的阻抗并且降低所述有损铁氧体电感器的 磁通量磁芯饱和。
2.如权利要求1所述的组合件,其中所述有源植入性医疗器械 包括心脏起搏器、植入性去纤颤器、充血性心力衰竭器械、听觉植入、 神经激励器、药物唧筒、心室辅助器械、胰岛素唧筒、脊髓激励器、 植入性传感系统、人造心脏、失禁器械、骨骼生长激励器、胃起搏器 或修复器械。
3.如权利要求1所述的组合件,其中所述导线包括一条第一导 线,该第一导线从所述AIMD的电子电路经过所述AIMD的外壳延伸 到人体内的一个点;以及一条第二导线,该第二导线导电性地耦合到 所述AIMD外壳和所述AIMD电路的至少一部分。
4.如权利要求1所述的组合件,包括所述有损铁氧体电感器上 的一个保形涂层,其中所述保形涂层包括Paralene C、D、E或N。
5.如权利要求1所述的组合件,包括一个放置在所述有损铁氧 体电感器和所述导线之间的绝缘体。
6.如权利要求1所述的组合件,包括一个或多个额外的有损铁 氧体电感器,所述导线以非导电的关系延伸经过所述一个或多个额外 的有损铁氧体电感器。
7.如权利要求6所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器被 放置得靠近彼此。
8.如权利要求7所述的组合件,其中每个所述有损铁氧体电感 器由具有不同物理或电属性的材料构成。
9.如权利要求6所述的组合件,包括一个放置在所述导线和一 个套圈之间的密封绝缘体,其中所述有损铁氧体电感器被放置在所述 绝缘体的相反侧。
10.如权利要求1所述的组合件,包括一个放置在所述导线和一 个套圈之间的密封绝缘体,其中所述有损铁氧体电感器被粘合到所述 绝缘体,以形成束状结构。
11.如权利要求1所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器包 括一个孔隙,通过该孔隙可检测到一个泄漏检测气体。
12.如权利要求1所述的组合件,其中所述导线中的至少一条被 缠绕在所述有损铁氧体电感器周围以形成多匝,并且其中缠绕的导线 的相邻部分是彼此电绝缘的。
13。如权利要求12所述的组合件,其中所述有损绝缘体电感器 包括一个凹口,用于接收所述缠绕的导线。
14.如权利要求12所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括多个凹口在其中。
15.如权利要求12所述的组合件,其中至少两条导线被缠绕在 所述有损铁氧体电感器周围,以形成一匝或多匝,并且其中所述至少 两条导线的匝数不相等。
16.如权利要求1所述的组合件,包括用于在不将所述有损铁氧 体电感器碾压或粘合到另一个元件的情况下保持所述有损铁氧体电感 器与所述AIMD紧密关联的装置。
17.如权利要求16所述的装置,其中所述保持装置包括一个机 械锁、所述导线中的一个形变、一个硫化聚合体或粘附到所述导线的 一个金属丝粘合垫。
18.如权利要求18所述的组合件,其中所述导线中的至少两条 按相反方向经过所述有损铁氧体电感器。
19.如权利要求18所述的组合件,其中所述至少两条导线包括 用于所述有源植入性医疗器械的TIP和RING导线。
20.如权利要求1所述的组合件,包括一个抵消天线,其以非导 电的关系延伸经过所述有损铁氧体电感器。
21.如权利要求1所述的组合件,包括一个穿通滤波器电容器, 该穿通滤波器电容器具有导电性地耦合到所述导线中的至少一条的第 一组电极板,以及导电性地耦合到所述有源植入性医疗器械的一个外 壳、套圈或地平面的第二组电极板。
22.如权利要求21所述的组合件,其中所述组合件形成一个“L”、 “Pi”、“T”、“LL”、“5元件”或更高阶的“n元件”低通滤波器电路。
23.如权利要求21所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被粘合到所述电容器,以形成束状结构。
24.如权利要求21所述的组合件,其中所述电容器和所述有损 铁氧体电感器被至少部分地容纳在一个套圈内。
25.如权利要求24所述的组合件,包括一个放置在与所述电容 器相对的所述有损铁氧体电感器上的绝缘帽。
26.如权利要求21所述的组合件,包括一个第二有损铁氧体电 感器,所述导线以非导电的关系延伸经过所述第二有损铁氧体电感器, 其中所述有损铁氧体电感器被放置在所述电容器的相反侧。
27.如权利要求21所述的组合件,其中所述电容器被放置在所 述穿通端子组合件的体液侧。
28.如权利要求21所述的组合件,其中所述穿通电容器包括与 所述有损铁氧体电感器相关联的第一和第二穿通电容器。
29.如权利要求28所述的组合件,其中所述第一和第二穿通电 容器被放置在靠近所述有损铁氧体电感器的相对的表面处。
30.如权利要求29所述的组合件,其中所述电容器中至少一个 被内部接地。
31.如权利要求28所述的组合件,其中所述第一和第二电容器 各自包括导电性地耦合到所述导线中的至少一条的第一组电极板,以 及导电性地耦合到所述AIMD外壳、套圈或地平面的第二组电极板。
32.如权利要求31所述的组合件,其中所述第一电容器包括一 个外部接地的电容器,并且所述第二电容器包括一个内部接地的电容 器,所述穿通端子组合件还包括一个传导材料,其延伸经过所述第一 和第二穿通电容器,以将所述第二电容器的所述第二组电极板与所述 第一电容器的所述第二组电极板导电性地耦合。
33.如权利要求21所述的组合件,其中所述电容器的第二组电 极板外部接地到所述AIMD外壳、套圈或地平面,并且与所述AIMD 外壳、套圈或地平面导电性地耦合。
34.如权利要求21所述的组合件,其中所述电容器的第二组电 极板内部接地到所述AIMD外壳、套圈或地平面,并且与所述AIMD 外壳、套圈或地平面导电性地耦合。
35.如权利要求28所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括与所述电容器安排在一起的第一和第二有损铁氧体电感器,以形 成一个“LL1”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路,从而所述第一电 感器被放置在所述第一电容器的体液侧,并且所述第二电感器被放置 在所述第一和第二电容器之间。
36.如权利要求35所述的组合件,其中所述第一电感器的电感 与所述第二电感器相比相对较大,并且所述第一电容器的电容与所述 第二电容器相比相对较小。
37.如权利要求35所述的组合件,其中所述第一电感器的电感 与所述第二电感器相比相对较小,并且所述第一电容器的电容与所述 第二电容器相比相对较大。
38.如权利要求1所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器被 放置在所述穿通组合件的体液侧,作为一个“L”、“L2”、“T”、“LL”、 “5元件”或“n元件”低通滤波器电路的一部分。
39.如权利要求1所述的组合件,包括一个金属丝粘合垫,其导 电性地耦合到所述导线中的至少一条。
40.如权利要求1所述的组合件,其中所述电感器的一个表面被 配置为在所述导线中的至少一条与一个相邻的导体之间形成一个曲折 路径。
41.一种用于有源植入性医疗器械(AIMD)的穿通端子组合件, 包括:
一个穿通电容器,其具有第一和第二组电极板;
一条第一导电导线,其延伸经过所述电容器,并且导电性地耦合 到所述第一组电极板;
一条第二导电导线,其延伸经过所述电容器,并且导电性地耦合 到所述第二组电极板;以及
与所述电容器相关联的一个有损铁氧体电感器,所述导线以非导 电的关系穿过所述有损铁氧体电感器,所述电感器的一个表面被配置 成在所述导线中的至少一条与一个相邻导体之间形成一个曲折路径。
42.如权利要求41所述的组合件,其中所述组合件形成一个“L”、 “T”“LL”、“5元件”或“n元件”EMI滤波器电路。
43.如权利要求41所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 通过由所述导线携带的信号的相位抵消来增加所述导线在选中的RF 频率下的阻抗并且降低所述有损铁氧体电感器的磁通量磁芯饱和。
44.如权利要求41所述的组合件,其中所述有源植入性医疗器 械包括心脏起搏器、植入性去纤颤器、充血性心力衰竭器械、听觉植 入、神经激励器、药物唧筒、心室辅助器械、胰岛素唧筒、脊髓激励 器、植入性传感系统、人造心脏、失禁器械、骨骼生长激励器、胃起 搏器或修复器械。
45.如权利要求41所述的组合件,其中所述第一导线从所述 AIMD的电子电路经过所述AIMD的外壳延伸到人体内的一个点;所 述第二导线导电性地耦合到所述AIMD外壳和所述AIMD电路的至少 一部分。
46.如权利要求41所述的组合件,包括所述有损铁氧体电感器 上的一个保形涂层,其中所述保形涂层包括Paralene C、D、E或N。
47.如权利要求41所述的组合件,包括一个放置在所述有损铁 氧体电感器和所述导线之间的绝缘体。
48.如权利要求41所述的组合件,包括一个或多个额外的有损 铁氧体电感器,所述导线以非导电的关系延伸经过所述一个或多个额 外的有损铁氧体电感器。
49.如权利要求48所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被放置得靠近彼此。
50.如权利要求49所述的组合件,其中每个所述有损铁氧体电 感器由具有不同物理或电属性的材料构成。
51.如权利要求48所述的组合件,包括一个放置在所述导线和 一个套圈之间的密封绝缘体,其中所述有损铁氧体电感器被放置在所 述绝缘体的相反侧。
52.如权利要求41所述的组合件,包括一个放置在所述导线和 一个套圈之间的密封绝缘体,其中所述有损铁氧体电感器被粘合到所 述绝缘体,以形成束状结构。
53.如权利要求41所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括一个孔隙,通过该孔隙可检测到一个泄漏检测气体。
54.如权利要求41所述的组合件,其中所述导线中的至少一条 被缠绕在所述有损铁氧体电感器周围以形成多匝,并且其中缠绕的导 线的相邻部分是彼此电绝缘的。
55.如权利要求54所述的组合件,其中所述有损绝缘体电感器 包括一个凹口,用于接收所述缠绕的导线。
56.如权利要求54所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括多个凹口在其中。
57.如权利要求54所述的组合件,其中至少两条导线被缠绕在 所述有损铁氧体电感器周围,以形成一匝或多匝,并且其中所述至少 两条导线的匝数不相等。
58.如权利要求41所述的组合件,包括用于在不将所述有损铁 氧体电感器碾压或粘合到另一个元件的情况下保持所述有损铁氧体电 感器与所述AIMD紧密关联的装置。
59.如权利要求58所述的装置,其中所述保持装置包括一个机 械锁、所述导线中的一个形变、一个硫化聚合体或粘附到所述导线的 一个金属丝粘合垫。
60.如权利要求41所述的组合件,其中所述导线中的至少两条 按相反方向经过所述有损铁氧体电感器。
61.如权利要求60所述的组合件,其中所述至少两条导线包括 用于所述有源植入性医疗器械的TIP和RING导线。
62.如权利要求41所述的组合件,包括一个抵消天线,其以非 导电的关系延伸经过所述有损铁氧体电感器。
63.如权利要求41所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被粘合到所述电容器,以形成束状结构。
64.如权利要求41所述的组合件,其中所述电容器和所述有损 铁氧体电感器被至少部分地容纳在一个套圈内。
65.如权利要求64所述的组合件,包括一个放置在与所述电容 器相对的所述有损铁氧体电感器上的绝缘帽。
66.如权利要求41所述的组合件,包括一个第二有损铁氧体电 感器,所述导线以非导电的关系延伸经过所述第二有损铁氧体电感器, 其中所述有损铁氧体电感器被放置在所述电容器的相反侧。
67.如权利要求41所述的组合件,其中所述电容器被放置在所 述穿通端子组合件的体液侧。
68.如权利要求41所述的组合件,其中所述穿通电容器包括与 所述有损铁氧体电感器相关联的第一和第二穿通电容器。
69.如权利要求68所述的组合件,其中所述第一和第二穿通电 容器被放置在靠近所述有损铁氧体电感器的相对的表面处。
70.如权利要求69所述的组合件,其中所述电容器中至少一个 被内部接地。
71.如权利要求68所述的组合件,其中所述第一和第二电容器 各自包括导电性地耦合到所述导线中的至少一条的第一组电极板,以 及导电性地耦合到所述AIMD外壳、套圈或地平面的第二组电极板。
72.如权利要求71所述的组合件,其中所述第一电容器包括一 个外部接地的电容器,并且所述第二电容器包括一个内部接地的电容 器,所述穿通端子组合件还包括一个传导材料,其延伸经过所述第一 和第二穿通电容器,以将所述第二电容器的所述第二组电极板与所述 第一电容器的所述第二组电极板导电性地耦合。
73.如权利要求68所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括与所述电容器安排在一起的第一和第二有损铁氧体电感器,以形 成一个“LL1”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路,从而所述第一电 感器被放置在所述第一电容器的体液侧,并且所述第二电感器被放置 在所述第一和第二电容器之间。
74.如权利要求73所述的组合件,其中所述第一电感器的电感 与所述第二电感器相比相对较大,并且所述第一电容器的电容与所述 第二电容器相比相对较小。
75.如权利要求73所述的组合件,其中所述第一电感器的电感 与所述第二电感器相比相对较小,并且所述第一电容器的电容与所述 第二电容器相比相对较大。
76.如权利要求41所述的组合件,其中所述电容器的第二组电 极板被外部接地到一个AIMD外壳、套圈或地平面,并且导电性地耦 合到所述AIMD外壳、套圈或地平面。
77.如权利要求41所述的组合件,其中所述电容器的第二组电 极板被内部接地到一个AIMD外壳、套圈或地平面,并且导电性地耦 合到所述AIMD外壳、套圈或地平面。
78.如权利要求41所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被放置在所述穿通组合件的体液侧,作为一个“L”、“L2”、“T”、“LL”、 “5元件”或“n元件”低通滤波器电路的一部分。
79.如权利要求41所述的组合件,包括一个金属丝粘合垫,其 导电性地耦合到所述导线中的至少一条。
80.一种用于有源植入性医疗器械(AIMD)的穿通端子组合件, 包括:
一个穿通电容器,其具有第一和第二组电极板,所述第二组电极 板导电性地耦合到所述AIMD的一个外壳、套圈或地平面;
一个有损铁氧体电感器,其与所述电容器紧密关联;
一条第一导电导线,其延伸经过所述电容器和所述有损铁氧体电 感器,所述第一导线以非导电的关系延伸经过所述有损铁氧体电感器, 并且导电性地耦合到所述第一组电极板;
一条第二导电导线,其以非导电的关系、并按与所述第一导电导 线相反的方向延伸经过所述有损铁氧体电感器。
81.如权利要求80所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 通过由所述导线携带的信号的相位抵消来增加所述导线在选中的RF 频率下的阻抗并且降低所述有损铁氧体电感器的磁通量磁芯饱和。
82.如权利要求81所述的组合件,其中所述电感器的一个表面 被配置成在所述导线中的至少一条与一个相邻导体之间形成一个曲折 路径。
83.如权利要求80所述的组合件,其中所述有源植入性医疗器 械包括心脏起搏器、植入性去纤颤器、充血性心力衰竭器械、听觉植 入、神经激励器、药物唧筒、心室辅助器械、胰岛素唧筒、脊髓激励 器、植入性传感系统、人造心脏、失禁器械、骨骼生长激励器、胃起 搏器或修复器械。
84.如权利要求80所述的组合件,其中所述第一导线从所述 AIMD的电子电路经过所述AIMD的外壳延伸到人体内的一个点,并 且所述第二导线导电性地耦合到所述AIMD外壳和所述AIMD电路的 至少一部分。
85.如权利要求80所述的组合件,包括所述有损铁氧体电感器 上的一个保形涂层,其中所述保形涂层包括Paralene C、D、E或N。
86.如权利要求80所述的组合件,包括一个放置在所述有损铁 氧体电感器和所述导线之间的绝缘体。
87.如权利要求80所述的组合件,包括一个或多个额外的有损 铁氧体电感器,所述导线以非导电的关系延伸经过所述一个或多个额 外的有损铁氧体电感器。
88.如权利要求87所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被放置得靠近彼此。
89.如权利要求88所述的组合件,其中每个所述有损铁氧体电 感器由具有不同物理或电属性的材料构成。
90.如权利要求87所述的组合件,包括一个放置在所述导线和 一个套圈之间的密封绝缘体,其中所述有损铁氧体电感器被放置在所 述绝缘体的相反侧。
91.如权利要求80所述的组合件,包括一个放置在所述导线和 一个套圈之间的密封绝缘体,其中所述有损铁氧体电感器被粘合到所 述绝缘体,以形成束状结构。
92.如权利要求80所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括一个孔隙,通过该孔隙可检测到一个泄漏检测气体。
93.如权利要求80所述的组合件,其中所述导线中的至少一条 被缠绕在所述有损铁氧体电感器周围以形成多匝,并且其中缠绕的导 线的相邻部分是彼此电绝缘的。
94.如权利要求93所述的组合件,其中所述有损绝缘体电感器 包括一个凹口,用于接收所述缠绕的导线。
95.如权利要求93所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 包括多个凹口在其中。
96.如权利要求93所述的组合件,其中至少两条导线被缠绕在 所述有损铁氧体电感器周围,以形成一匝或多匝,并且其中所述至少 两条导线的匝数不相等。
97.如权利要求80所述的组合件,包括用于在不将所述有损铁 氧体电感器碾压或粘合到另一个元件的情况下保持所述有损铁氧体电 感器与所述AIMD紧密关联的装置。
98.如权利要求97所述的装置,其中所述保持装置包括一个机 械锁、所述导线中的一个形变、一个硫化聚合体或粘附到所述导线的 一个金属丝粘合垫。
99.如权利要求80所述的组合件,其中所述导线中的至少两条 包括用于所述有源植入性医疗器械的TIP和RING导线。
100.如权利要求80所述的组合件,包括一个抵消天线,其以非 导电的关系延伸经过所述有损铁氧体电感器。
101.如权利要求80所述的组合件,其中所述组合件形成一个 “L”、“Pi”、“T”、“LL”、“5元件”或更高阶的“n元件”低通滤波器。
102.如权利要求80所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被粘合到所述电容器,以形成束状结构。
103.如权利要求80所述的组合件,其中所述电容器和所述有损 铁氧体电感器被至少部分地容纳在一个套圈内。
104.如权利要求103所述的组合件,包括一个放置在与所述电 容器相对的所述有损铁氧体电感器上的绝缘帽。
105.如权利要求80所述的组合件,包括一个第二有损铁氧体电 感器,所述导线以非导电的关系延伸经过所述第二有损铁氧体电感器, 其中所述有损铁氧体电感器被放置在所述电容器的相反侧。
106.如权利要求80所述的组合件,其中所述电容器被放置在所 述穿通端子组合件的体液侧。
107.如权利要求80所述的组合件,其中所述穿通电容器包括与 所述有损铁氧体电感器相关联的第一和第二穿通电容器。
108.如权利要求107所述的组合件,其中所述第一和第二穿通 电容器被放置在靠近所述有损铁氧体电感器的相对的表面处。
109.如权利要求108所述的组合件,其中所述电容器中至少一 个被内部接地。
110.如权利要求107所述的组合件,其中所述第一和第二电容 器各自包括导电性地耦合到所述导线中的至少一条的第一组电极板, 以及导电性地耦合到所述AIMD外壳、套圈或地平面的第二组电极板。
111.如权利要求110所述的组合件,其中所述第一电容器包括 一个外部接地的电容器,并且所述第二电容器包括一个内部接地的电 容器,所述穿通端子组合件还包括一个传导材料,其延伸经过所述第 一和第二穿通电容器,以将所述第二电容器的所述第二组电极板与所 述第一电容器的所述第二组电极板导电性地耦合。
112.如权利要求80所述的组合件,其中所述电容器的第二组电 极板被外部接地到所述AIMD外壳、套圈或地平面,并且导电性地耦 合到所述AIMD外壳、套圈或地平面。
113.如权利要求80所述的组合件,其中所述电容器的第二组电 极板被内部接地到所述AIMD外壳、套圈或地平面,并且导电性地耦 合到所述AIMD外壳、套圈或地平面。
114.如权利要求107所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感 器包括与所述电容器安排在一起的第一和第二有损铁氧体电感器,以 形成一个“LL1”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路,从而所述第一 电感器被放置在所述第一电容器的体液侧,并且所述第二电感器被放 置在所述第一和第二电容器之间。
115.如权利要求114所述的组合件,其中所述第一电感器的电 感与所述第二电感器相比相对较大,并且所述第一电容器的电容与所 述第二电容器相比相对较小。
116.如权利要求114所述的组合件,其中所述第一电感器的电 感与所述第二电感器相比相对较小,并且所述第一电容器的电容与所 述第二电容器相比相对较大。
117.如权利要求80所述的组合件,其中所述有损铁氧体电感器 被放置在所述穿通组合件的体液侧,作为一个“L”、“L2”、“T”、“LL”、 “5元件”或“n元件”低通滤波器电路的一部分。
118.如权利要求80所述的组合件,包括一个金属丝粘合垫,其 导电性地耦合到所述导线中的至少一条。
119.一种用于对从一个有源植入性医疗器械(AIMD)延伸到体 液或组织中的一条植入导线中的电磁干扰(EMI)进行滤波的过程, 所述导线遭受偶发高功率电磁场,例如由包括磁共振成像的医疗诊断 设备产生的那些电磁场,所述过程包括以下步骤:
使所述导线经过一个电感性和电阻性低通滤波器元件,以增大 AIMD电子装置的EMI保护,并提高所述AIMD电路的输入阻抗, 从而降低由所述偶发高功率电磁场在所述植入导线中感应的电流,其 中所述电感性和电阻性低通滤波器元件具有至少1∶1的直径对厚度 比。
120.如权利要求119所述的过程,其中所述有源植入性医疗器 械包括心脏起搏器、植入性去纤颤器、充血性心力衰竭器械、听觉植 入、神经激励器、药物唧筒、心室辅助器械、胰岛素唧筒、脊髓激励 器、植入性传感系统、人造心脏、失禁器械、骨骼生长激励器、胃起 搏器或修复器械。
121.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:将所述电感 性和电阻性低通滤波器元件放置在一个穿通组合件的体液侧,作为一 个“L”、“L2”、“T”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路的一部分。
122.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:将一个金属 丝粘合垫导电性地耦合到所述导线。
123.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:在所述电感 性和电阻性低通滤波器元件的一个表面上形成所述导线和一个相邻导 体之间的一个曲折路径。
124.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:用一种 Paralene C、D、E或N材料涂覆所述电感性和电阻性低通滤波器元 件。
125.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:将一个绝缘 体放置在所述电感性和电阻性低通滤波器元件和所述导线之间。
126.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 经过一个或多个额外的电感性和电阻性低通滤波器元件。
127.如权利要求126所述的过程,包括以下步骤:将所述电感 性和电阻性低通滤波器元件放置得靠近彼此。
128.如权利要求127所述的过程,其中每个所述电感性和电阻 性低通滤波器元件由具有不同物理或电属性的材料构成。
129.如权利要求126所述的过程,包括以下步骤:将一个密封 绝缘体放置在所述导线和一个套圈之间,以使得所述电感性和电阻性 低通滤波器元件被放置在所述绝缘体的相反侧。
130.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:将一个密封 绝缘体放置在所述导线和一个套圈之间,并且将所述电感性和电阻性 低通滤波器元件粘合到所述绝缘体,以形成束状结构。
131.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:提供穿过所 述电感性和电阻性低通滤波器元件的一个孔隙,通过该孔隙可检测到 一个泄漏检测气体。
132.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 缠绕在所述电感性和电阻性低通滤波器元件周围以形成多匝。
133.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:在不将所述 电感性和电阻性低通滤波器元件碾压或粘合到另一个元件的情况下保 持所述电感性和电阻性低通滤波器元件与所述AIMD紧密关联。
134.如权利要求119所述的过程,包括以下步骤:使一条第二 导线穿过所述电感性和电阻性低通滤波器元件,以增大所述AIMD电 子装置的EMI保护,并提高所述AIMD电路的输入阻抗,从而降低 由所述偶发高功率电磁场在所述植入导线中感应的电流。
135.如权利要求134所述的过程,包括以下步骤:使所述第一 导线从所述AIMD电路经过所述AIMD的外壳到人体内的一点,并将 所述第二导线导电性地耦合到所述AIMD外壳和所述AIMD电路的至 少一部分。
136.如权利要求134所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 缠绕在所述电感性和电阻性低通滤波器元件周围,以使得导线的匝数 彼此不相等。
137.如权利要求134所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 按相反方向经过所述电感性和电阻性低通滤波器元件。
138.如权利要求134所述的过程,包括以下步骤:使一个抵消 天线经过所述电感性和电阻性低通滤波器元件。
139.如权利要求134所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 中的至少一条导电性地耦合到一个穿通滤波器电容器的第一组电极 板,并将所述穿通滤波器电容器的第二组电极板导电性地耦合到所述 有源植入性医疗器械的一个外壳、套圈或地平面。
140.如权利要求139所述的过程,包括以下步骤:形成一个“L”、 “Pi”、“T”、“LL”、“5元件”或更高阶的“n元件”低通滤波器电路。
141.如权利要求139所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器粘合到所述电感性和电阻性低通滤波器元件,以形成束状结构。
142.如权利要求139所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器和所述电感性和电阻性低通滤波器元件至少部分地容纳在所述套圈 内。
143.如权利要求142所述的过程,包括以下步骤:将一个绝缘 帽放置在与所述电容器相对的所述电感性和电阻性低通滤波器元件 上。
144.如权利要求139所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 以非导电的关系经过一个第二电感性和电阻性低通滤波器元件,并将 所述电感性和电阻性低通滤波器元件放置在所述电容器的相反侧。
145.如权利要求139所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器放置在一个穿通端子组合件的体液侧。
146.如权利要求139所述的过程,包括以下步骤:将一个第二 穿通电容器与所述电感性和电阻性低通滤波器元件相关联。
147.如权利要求146所述的过程,包括以下步骤:将所述穿通 电容器放置在靠近所述电感性和电阻性低通滤波器元件的相反侧处。
148.如权利要求147所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器中的至少一个内部接地。
149.如权利要求147所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 中的至少一条导电性地耦合到所述电容器内的第一组电极板,并将所 述电容器内的第二组电极板导电性地耦合到所述AIMD外壳、套圈或 地平面。
150.如权利要求149所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器中的一个外部接地,并将所述电容器中的另一个内部接地。
151.如权利要求146所述的过程,包括以下步骤:将一个第一 电感性和电阻性低通滤波器元件放置在所述第一电容器的体液侧,并 将一个第二电感性和电阻性低通滤波器元件放置在所述第一和第二电 容器之间,以形成一个“LL1”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路。
152.如权利要求151所述的过程,其中所述第一电感性和电阻 性低通滤波器元件的电感与所述第二电感性和电阻性低通滤波器元件 相比相对较大,并且所述第一电容器的电容与所述第二电容器相比相 对较小,以保护所述AIMD电路不受来自所述穿通电容器之一的由偶 发高功率电磁场或信号感应的能量回响的影响。
153.一种用于对从一个有源植入性医疗器械(AIMD)延伸到人 体内的不同点的多条导线中的电磁干扰(EMI)进行滤波的过程,包 括以下步骤:
使所述导线经过一个公共的电感性元件,以通过由所述导线承载 的信号的相位抵消来增大所述导线在选中的RF频率下的阻抗,并且 降低所述电感性元件的磁通量磁芯饱和。
154.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将所述电感 性元件放置在一个穿通组合件的体液侧,作为一个“L”、“L2”、“T”、 “LL”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路的一部分。
155.如权利要求154所述的过程,其中所述有源植入性医疗器 械包括心脏起搏器、植入性去纤颤器、充血性心力衰竭器械、听觉植 入、神经激励器、药物唧筒、心室辅助器械、胰岛素唧筒、脊髓激励 器、植入性传感系统、人造心脏、失禁器械、骨骼生长激励器、胃起 搏器或修复器械。
156.如权利要求154所述的过程,包括以下步骤:在所述电感 性元件的一个表面上形成所述导线中的至少一条和一个相邻导体之间 的一个曲折路径。
157.如权利要求154所述的过程,其中所述导线遭受偶发高功 率电磁场,例如由包括磁共振成像的医疗诊断设备产生的电磁场,并 且其中所述电感性元件具有至少1∶1的直径对厚度比。
158.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将一个金属 丝粘合垫导电性地耦合到所述导线中的至少一条。
159.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:用一种 Paralene C、D、E或N材料涂覆所述电感性元件。
160.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将一个绝缘 体放置在所述电感性元件和所述导线中的至少一条之间。
161.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 经过一个或多个额外的电感性元件。
162.如权利要求161所述的过程,包括以下步骤:将所述电感 性元件放置得靠近彼此。
163.如权利要求162所述的过程,其中每个所述电感性元件由 具有不同物理或电属性的材料构成。
164.如权利要求161所述的过程,包括以下步骤:将一个密封 绝缘体放置在所述导线和一个套圈之间,以使得所述电感性元件被放 置在所述绝缘体的相反侧。
165.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将一个密封 绝缘体放置在所述导线和一个套圈之间,并且将所述电感性元件粘合 到所述绝缘体,以形成束状结构。
166.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:提供经过所 述电感性元件的一个孔隙,通过该孔隙可检测到一个泄漏检测气体。
167.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 中的至少一条缠绕在所述电感性元件周围以形成多匝。
168.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:在不将所述 电感性元件碾压或粘合到另一个元件的情况下保持所述电感性元件与 所述AIMD紧密关联。
169.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:使一条第一 导线从所述AIMD的电子电路经过所述AIMD的外壳延伸到人体内的 一个点,并且将一条第二导线导电性地耦合到所述AIMD外壳和所述 AIMD电路的至少一部分。
170.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 缠绕在所述电感性元件周围,以使得导线的匝数彼此不相等。
171.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 按相反方向经过所述电感性元件。
172.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:使一个抵消 天线经过所述电感性元件。
173.如权利要求153所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 中的至少一条导电性地耦合到一个穿通电容器的第一组电极板,并将 所述穿通电容器的第二组电极板导电性地耦合到所述有源植入性医疗 器械的一个外壳、套圈或地平面。
174.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:形成一个“L ”、 “Pi”、“T”、“LL”、“5元件”或更高阶的“n元件”低通滤波器电路。
175.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器粘合到所述电感性元件,以形成束状结构。
176.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器和所述电感性元件至少部分地容纳在所述套圈内。
177.如权利要求176所述的过程,包括以下步骤:将一个绝缘 帽放置在与所述电容器相对的所述电感性元件上。
178.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 以非导电的关系经过一个第二电感性元件,并将所述电感性元件放置 在所述电容器的相反侧。
179.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器放置在一个穿通端子组合件的体液侧。
180.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:将一个第二 穿通电容器与所述电感性元件相关联。
181.如权利要求180所述的过程,包括以下步骤:将所述穿通 电容器放置在靠近所述电感性元件的相反侧处。
182.如权利要求181所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器中的至少一个内部接地。
183.如权利要求181所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 中的至少一条导电性地耦合到所述电容器内的第一组电极板,并将所 述电容器内的第二组电极板导电性地耦合到所述AIMD外壳、套圈或 地平面。
184.如权利要求183所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器中的一个外部接地,并将所述电容器中的另一个内部接地。
185.如权利要求180所述的过程,包括以下步骤:将一个第一 电感性元件放置在所述第一电容器的体液侧,并将一个第二电感性元 件放置在所述第一和第二电容器之间,以形成一个“LL1”、“5元件” 或“n元件”低通滤波器电路。
186.如权利要求185所述的过程,其中所述第一电感性元件的 电感与所述第二电感性元件相比相对较大,并且所述第一电容器的电 容与所述第二电容器相比相对较小,以保护所述AIMD电路不受来自 所述穿通电容器之一的由偶发高功率电磁场或信号感应的能量回响的 影响。
187.一种用于对从一个有源植入性医疗器械(AIMD)延伸到体 液或组织内的多条导线中的电磁干扰(EMI)进行滤波的过程,所述 导线遭受由AIMD电路或诸如包括磁共振成像(MRI)的医疗诊断设 备这样的外部源生成的偶发高功率电磁场或信号,所述过程包括以下 步骤:
将所述多条导线导电性地耦合到一个被优化用于电磁干扰 (EMI)滤波的穿通电容器内的各组电极板;以及
使所述导线经过放置在所述穿通电容器附近以及所述AIMD电 路和所述穿通电容器之间的一个公共的电感性元件,用于使由AIMD 电路或外部源生成的所述偶发高功率电磁场或信号在所述导线上感应 的信号与所述穿通电容器解耦,以保护所述AIMD电路不受来自所述 穿通电容器的由所述偶发高功率电磁场或信号感应的能量回响的影 响。
188.如权利要求187所述的过程,其中所述有源植入性医疗器 械包括心脏起搏器、植入性去纤颤器、充血性心力衰竭器械、听觉植 入、神经激励器、药物唧筒、心室辅助器械、胰岛素唧筒、脊髓激励 器、植入性传感系统、人造心脏、失禁器械、骨骼生长激励器、胃起 搏器或修复器械。
189.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将所述电感 性元件放置在一个穿通组合件的体液侧,作为一个“L”、“L2”、“T”、 “LL1”、“5元件”或“n元件”低通滤波器电路的一部分。
190.如权利要求189所述的过程,包括以下步骤:在所述电感 性元件的一个表面上形成所述导线中的至少一条和一个相邻导体之间 的一个曲折路径。
191.如权利要求181所述的过程,包括以下步骤:将一个金属 丝粘合垫导电性地耦合到所述导线中的至少一条。
192.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:用一种 Paralene C、D、E或N材料涂覆所述电感性元件。
193.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将一个绝缘 体放置在所述电感性元件和所述导线中的至少一条之间。
194.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 经过一个或多个额外的电感性元件。
195.如权利要求194所述的过程,包括以下步骤:将所述电感 性元件放置得靠近彼此,其中每个所述电感性元件由具有不同物理或 电属性的材料构成。
196.如权利要求194所述的过程,包括以下步骤:将一个密封 绝缘体放置在所述导线和一个套圈之间,以使得所述电感性元件被放 置在所述绝缘体的相反侧。
197.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将一个密封 绝缘体放置在所述导线和一个套圈之间,并且将所述电感性元件粘合 到所述绝缘体,以形成束状结构。
198.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:提供穿过所 述电感性元件的一个孔隙,通过该孔隙可检测到一个泄漏检测气体。
199.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 中的至少一条缠绕在所述电感性元件周围以形成多匝。
200.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:在不将所述 电感性元件碾压或粘合到另一个元件的情况下保持所述电感性元件与 所述AIMD紧密关联。
201.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:使一条第一 导线从所述AIMD的电子电路经过所述AIMD的外壳延伸到人体内的 一个点,并且将一条第二导线导电性地耦合到所述AIMD外壳和所述 AIMD电路的至少一部分。
202.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将所述导线 缠绕在所述电感性元件周围,以使得导线的匝数彼此不相等。
203.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 按相反方向经过所述电感性元件。
204.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:使一个抵消 天线经过所述电感性元件。
205.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器粘合到所述电感性元件,以形成束状结构。
206.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器和所述电感性元件至少部分地容纳在所述套圈内。
207.如权利要求206所述的过程,包括以下步骤:将一个绝缘 帽放置在与所述电容器相对的所述电感性元件上。
208.如权利要求187所述的过程,包括以下步骤:使所述导线 以非导电的关系经过一个第二电感性元件,并将所述电感性元件放置 在所述电容器的相反侧。
209.如权利要求173所述的过程,包括以下步骤:将一个第二 穿通电容器与所述电感性元件相关联。
210.如权利要求209所述的过程,包括以下步骤:将所述穿通 电容器放置在靠近所述电感性元件的相反侧处。
211.如权利要求210所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器中的至少一个内部接地。
212.如权利要求210所述的过程,包括以下步骤:将所述电容 器中的一个外部接地,并将所述电容器中的另一个内部接地。
213.如权利要求209所述的过程,包括以下步骤:将一个第一 电感性元件放置在所述第一电容器的体液侧,并将一个第二电感性元 件放置在所述第一和第二电容器之间,以形成一个“LL1”、“5元件” 或“n元件”低通滤波器电路。
214.如权利要求213所述的过程,其中所述第一电感性元件的 电感与所述第二电感性元件相比相对较大,并且所述第一电容器的电 容与所述第二电容器相比相对较小。
心脏起搏器、植入性去纤颤器和其他类型的有源植入性医疗器械 与磁共振成像(MRI)和其他类型的医院诊断设备的兼容性成了严重 问题。如果到美国的主要心脏起搏器的网站,包括St.Jude Medical、 Medtronic和Guidant,则可看到MRI的使用一般而言是禁忌起搏器 和植入性去纤颤器的。此外参见“Safety Aspects of Cardiac Pacemakers in Magnetic Resonance Imaging(磁共振成像中的心脏起 搏器的安全方面)”,由Roger Christoph Luchinger向苏黎世瑞士联 邦技术学院(Swiss Federal Institute of Technology Zurich)提交的学 位论文。由C.Gabriel、S.Gabriel和E.Cortout所著的“Dielectric Properties of Biological Tissues:I.Literature Survey(生物组织的介 电属性:I.文献调查)”;由S.Gabriel、R.W.Lau和C.Gabriel所 著的“Dielectric Properties of Biological Tissues:II.Measurements and the Frequency Range 0 Hz to 20 GHz(生物组织的介电属性:II. 测量和频率范围0Hz到20GHz)”;由S.Gabriel、R.W.Lau和C. Gabriel所著的“Dielectric Properties of Biological Tissues:III. Parametric Models for the Dielectric Spectrum of Tissues(生物组织 的介电属性:III.组织的介电频谱的参数模型)”;以及“Advanced Engineering Electromagnetics(高级工程电磁学)”,C.A.Balanis, Wiley,1989,在这里通过引用将所有这些文献都包含进来。
但是,对文献的广泛回顾指出MRI确实常与起搏器患者一起使 用。在佩带有心脏起搏器的患者中MRI的安全和可行性是越来越重要 的问题。MRI对患者的起搏器系统的作用仅在某些病例报告中被回顾 性地分析。许多论文指出新一代起搏器上的MRI可被传导到达0.5特 斯拉(T)。MRI是医学的最有价值的诊断工具之一。对于起搏器患 者的绝对禁忌意味着起搏器和ICD佩带者被排除在了MRI之外。对 于胸腔和腹部区域的扫描尤其是这样。由于MRI作为对器官和其他身 体组织成像的诊断工具的惊人价值,许多医师就冒险在起搏器患者上 执行MRI。文献指出在此情况下医师应该采取的许多防范措施,包括 限制MRI磁场的功率,将起搏器编程为固定或异步起搏模式(簧片开 关的激活),然后在过程完成后对起搏器和患者仔细地重新编程和评 估。已有关于MRI过程之后发生在许多天以后的心脏起搏器的潜在问 题的报告。
有三种类型的电磁场被用于MRI单元中。第一类是主静态磁场, 其用于对准身体组织中的质子。在目前可用的临床用MRI单元中,磁 场强度从0.5到1.5特斯拉变化。某些较新的MRI系统磁场可高至4 至5特斯拉。这约是地球磁场强度的100000倍。静态磁场可在任何植 入在患者内的磁材料上感应强大的机械力。这将会包括心脏起搏器本 身和/或导线系统内的某些元件。不太可能(除了突然的系统关断以外) 静态MRI磁场可感应电流到起搏器导线系统中,从而感应电流到起搏 器本身中。要感应电流,磁场必须在其切割导体时是时变的,或者导 体本身必须在磁场内移动,这是物理学的一个基本原理。这里所描述 的有损铁氧体电感器或环形厚片概念并非旨在提供对诸如由磁共振成 像产生的静态磁场的保护。
由磁共振成像产生的第二类场是脉冲RF场,它是由体线圈或头 线圈生成的。这种场是用于改变来自组织的质子和非法MRI信号的能 量状态的。RF场在中心区域是均一的,并且具有两个主要的分量: (1)磁场在实际平面中圆形极化;以及(2)电场通过Maxwell方程 与磁场关联。一般而言,RF场在测量期间被打开和关闭,并且根据 静态磁场强度通常具有21MHz到64MHz到128MHz的频率。
第三类电磁场是时变磁梯度场,这种场是用于空间本地化的。这 些场沿不同方向和操作频率在1kHz的量级上改变其强度。X、Y和Z 方向上的磁场梯度矢量是由三组正交放置的线圈产生的,并且仅在测 量期间才被打开。
在本领域中,穿通端子引脚组合件一般而言是公知的,用于经由 电子仪器的外壳或外箱来连接电信号。例如,在植入性医疗器械,例 如心脏起搏器、去纤颤器等中,端子引脚组合件包括一个或多个由一 个绝缘结构所支持的导电端子引脚,用于电信号从医疗器械外部到内 部的穿通通过。已知许多不同的绝缘结构和有关安放方法被用于医疗 器械中,其中绝缘结构提供密封,以防止患者的体液进入医疗器械外 壳中,其中否则的话这种体液会干扰医疗器械的内部电子元件的操作, 和/或导致医疗器械的内部电子元件的损坏。
过去,采用了两种主要的技术来制造密封。一种技术涉及氧化铝 绝缘体的使用,其被敷镀金属,以接受铜焊材料。此氧化铝绝缘体被 铜焊到一个或多个端子引脚,以及到钛金属套圈等。氧化铝绝缘体支 持一个或多个端子引脚与套圈形成绝缘隔开的关系,该套圈适应于适 当地安放在医疗器械的外壳中形成的进入开口内。在其他技术中,密 封包括基于玻璃的密封,其形成压缩或匹配的熔合玻璃密封,用于在 外金属套圈内支持一个或多个端子引脚。
穿通端子引脚通常连接到一条或多条导线,在心脏起搏器的示例 中,这些导线感测来自患者心脏的信号,并且还将来自医疗器械的电 子起搏脉冲耦合到患者的心脏。不幸的是,这些导线可充当收集杂散 电磁干扰(EMI)信号的天线,经由端子引脚传输到医疗器械的内部。 这种不合需要的EMI信号可扰乱医疗设备的正确操作,导致故障或失 灵。例如,已有记载的是,从蜂窝电话发散出的杂散EMI信号可抑制 起搏器操作,导致异步起搏、跟踪和遗漏的搏动。为了针对解决此问 题,密封的穿通端子引脚组合件已被设计成包括一个穿通电容器,用 于以防止这种不合需要的信号进入植入性医疗器械的外壳的方式来解 耦EMI信号。例如,参见美国专利号4,424,551;5,333,095;5,751,539; 5,905,627;5,973,906;6,008,980和6,566,978。这些现有技术穿通电容 器EMI滤波器一般提供对450到3000MHz之间的频率范围中的EMI 的高度衰减。
虽然穿通电容器滤波器组合件提供了本领域的显著进步,但是剩 余的关注区域是像MRI这样的强大的低频发射器。正如先前提到的, 穿通电容器,正如现有技术中所描述的那样,是通过提供到地面(植 入性医疗器械的整体电磁屏蔽)的低阻抗,从而在这种高频信号进入 并扰乱灵敏的起搏器电子电路之前将其旁路,来工作的。但是当起搏 器导线系统被暴露到例如由MRI所感应的强大的时变电磁场,最不希 望的就是在导线系统中产生低阻抗。导线系统中的低阻抗只会增加将 会在导线中流动的电流,从而在起搏器TIP到RING接口处产生额外 的导线加热和/或心肌组织坏死。因此,将会希望在某些关键频率实际 上升高导线系统的阻抗,从而降低导线系统中的不合需要的电流。
注意到电压和EMI如何被感应到一个植入性导线系统中是有指 导意义的。在极低频率(VLF)下,电压是在电流循环经过患者身体 时在到心脏起搏器的输入端处感应的。由于起搏器罐和例如TIP电极 之间的矢量位移,身体组织上的电压降可能由于欧姆定律和循环的RF 信号而被感测到。在较高的频率下,植入的导线系统实际上充当天线, 沿着这些天线的长度电流被感应。由于身体组织的阻尼作用,这些天 线不是非常高效;但是这通常能被身体共振所偏移。在极高频率(例 如蜂窝电话频率)下,EMI信号只被感应到导线系统的第一区域中(例 如心脏起搏器的顶盖块处)。这与所涉及的信号的波长以及它们在何 处有效耦合到系统有关。耦合到植入导线系统的磁场是基于环面积的。 例如,在心脏起搏器中,由于导线从心脏起搏器外壳到其位于右心室 的末梢TIP,因此存在由导线形成的环。返回路径是经过体液和组织, 一般从右心室中的TIP电极直接回到起搏器外箱或外壳。这形成了一 个封闭的区域,该区域可以根据患者的X射线以平方厘米为单位来测 量。发明人经由其委员会PC 69参加了医疗仪器进步协会(Association for the Advancement of Medical Instrumentation,AAMI),该协会 的主席是美国食品及药物管理局(United States Food and Drug Administration,FDA)的Mitchell Shein。此委员会被称为起搏器EMC 特别工作组(Pacemaker EMC Task Force)。此委员会的一个最近的 成就是访问了美国的各种起搏器中心,并且跟踪了患者X射线并实际 测量了这些环面积。最近发布了报告,指出平均环面积为200至225 平方厘米。这是一个平均数,并且可能遭受重大统计变动。例如,在 带腹部植入的较大的成人患者中,植入的环的面积大得多(大于450 平方厘米)。
现在涉及MRI的特定情况,磁梯度场将经过封闭的环区域被感 应。但是,由体线圈生成的脉冲RF场,也将会被天线动作感应到导 线系统中。
MRI有许多潜在的问题,包括:
(1) 起搏器簧片开关的闭合。当起搏器被放到MRI扫描器附近 时,簧片开关能够闭合,这将起搏器放到了固定速率或异步起搏模式 中。异步起搏可能与患者的基本心脏韵律竞争。这是为什么患者一般 被建议不经历MRI的原因。固定速率或异步起搏对于大多数患者不是 问题。但是,在有诸如心肌萎缩这样的不稳定状况的患者中,在异步 起搏期间很可能有心室纤维颤动的危险。在许多现代起搏器中,磁簧 片开关功能是可编程的。如果磁簧片开关响应被关闭,则甚至在强磁 场中同步起搏仍是可能的。不能排除通过梯度场打开和重新关闭主磁 场中的簧片开关的可能性。但是,一般认为由于强大的静态磁场簧片, 开关将会保持关闭。磁度场处的某些簧片开关朝向能够重复地关闭和 重新打开簧片开关在理论上也是可能的。
(2) 簧片开关损坏。对簧片开关的直接损坏在理论上是可能的, 但尚未在任何已知文献中被报告。在由苏黎世的Roger Christoph Luchinger所著的一篇文章中,他报告了簧片开关被暴露到MRI设备 的静态磁场的测试。在长期暴露到这些静态磁场之后,簧片开关在接 近与测试前相同的场强度下正常运行。
(3) 起搏器位移。起搏器的某些部件,例如电池和簧片开关, 包括铁磁材料,从而在MRI期间经受机械力。响应于磁力或磁矩,起 搏器位移可能发生。
(4) 射频场。在MRI的关注频率下,RE能量可被吸收并转换 成热量。在MRI期间由RF脉冲所存储的功率是复数功率,并且取决 于RF脉冲的功率和持续时间、发送频率、每单位时间施加的RF脉 冲数目、以及所使用的RF发射器线圈的配置类型。加热量还取决于 所成像的组织体积、组织的电阻系数以及所成像的解剖学区域的配置。 MRI环境中加热的原因有两方面:(a)耦合到导线的RF场可能出 现,这导致了相当强的本地加热;以及(b)在RF传输期间感应的电 流可能引起植入导线的末梢TIP电极附近的本地欧姆定律加热。MRI 扫描器中的RF场可产生足够的能量,以感应足以损坏某些邻近心肌 组织的导线电流。还观察了各种烧蚀。此加热的作用不容易通过在 MRI期间进行监控来检测到。关于加热已发生的指示包括起搏阈值的 增大、心肌穿孔和导线刺穿或者甚至由疤痕组织引起的心律不齐。MRI 的这种长期的加热作用尚未被好好研究。
(5) 由所施加的射频场引起的起搏速率改变。已观察到RF场 可能导致不合需要的快速起搏(QRS复数)速率。存在两种被提出来 解释快速起搏的机制:直接干扰起搏器电子装置或起搏器重新编程(或 重置)。在这两种情况中,都将会需要升高阻抗、使得穿通电容器更 高效并且向AIMD电子装置提供非常高度的保护。这将会使得起搏器 起搏速率的变化和/或起搏器重新编程不大可能发生。
(6) 时变磁梯度场。时变梯度对MRI磁场的总强度的贡献是可 忽略的,但是,起搏器系统可能受影响,因为这些场是被迅速施加和 去除的。磁场变化的时间速率与多少电磁力可被感应到导线系统中直 接关联,从而与多少电流可被感应到导线系统中直接关联。Luchinger 报告:即使使用目前的具有达50特斯拉每秒的时变场的梯度系统,感 应的电流也很可能保持在心脏纤维性颤动的生物阈值之下。由时变磁 梯度场感应的电压的理论上限为20伏特。这样一个电压保持超过0.1 毫秒会是足够直接使心脏起搏的能量。
(7) 加热。由时变磁梯度场感应的电流可能导致本地加热。研 究者认为所计算出的梯度场的加热作用与由RF场所引起的相比小得 多,因此可以被忽略。
植入性心脏复律去纤颤器(ICD)还可能有其他问题。ICD使用 不同的且较大的电池,这将会导致较高的磁场力。ICD中的可编程灵 敏度通常远高于起搏器的,因此,ICD可能错误地检测心室快速性心 律失常并且不适当地施行治疗。在这种情况下,治疗可包括反心动过 速起搏、心脏倒转术或心脏去纤颤(高压电击)疗法。MRI磁场可能 阻碍危险的心室心律失常或纤维颤动的检测。也可能有ICD导线的加 热问题,这些问题被预期为与起搏器导致的加热问题相当。血管壁的 烧蚀是另一个让人担忧的问题。
总之,已经有许多研究显示佩带有诸如心脏起搏器这样的植入性 医疗器械的MRI患者可能由于潜在的有害作用而处于危险之中。但 是,有许多轶闻报告显示MRI对于起搏器患者的四肢成像可能是安全 的(仅当MRI被认为是绝对的诊断需要时)。MRI系统对于起搏器 和ICD的功能的作用取决于各种因素,包括静态磁场的强度、脉冲序 列(所使用的梯度和RF场)、被成像的解剖区域以及许多其他因素。 使之进一步复杂的是每个制造商的起搏器和ICD设计的行为表现是 不同的这一事实。许多专家仍断定用于起搏器患者的MRI不应被认为 是安全的。荒谬的是,这也不意味着患者不应该接收MRI。给定起搏 器患者的状况,医生必须做出评估,并且相对于MRI这一强大的诊断 工具的好处衡量MRI潜在的危险。随着MRI技术的进步,包括以更 迅速的影像施加到较细的组织切片的较高的场梯度随时间的变化,情 况将会继续发展并变得更复杂。此矛盾的一个示例是被怀疑患有肺癌 的起搏器患者。对这种肿瘤的治疗可能要求定向成像,而定向成像只 有经过精细聚焦的MRI才可能进行。在患者生命确实处于危险之中的 情况下,医师可能会做出执行MRI的决定,不顾所有先前所描述的起 搏器系统的附带危险。
很明显,MRI将会继续被用于佩带有植入性医疗器械的患者中。 存在起搏器患者可能暴露到的许多其他医学程序,包括电烙手术、碎 石术等。因此,需要电路保护设备,这种设备将会增进有源植入性医 疗器械系统对诸如MRI这样的诊断程序的免疫性。由于最近新的更高 功率的发射器在市场中的增殖,还需要向AIMD提供增强的滤波。这 些发射器包括配件市场蜂窝电话放大器、相关联的更高增益的天线和 射频识别(RFID)读取器和扫描器。本发明满足了所有这些需要并且 提供了其他有关优点。
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