含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法
专利汇可以提供含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种含有空穴阻挡层的锑化镓基2-4um 量子阱 激光器 结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一N 型GaSb衬底；一N型GaSb 缓冲层 ，该缓冲层生长在衬底上；一N型AlGaAsSb 覆盖 层 ，该覆盖层生长在N型GaSb缓冲层上；一AlGaAsSb下 波导 层，该下波导层生长在N型AlGaAsSb覆盖层上；一AlGaAsSb下势垒层，该下势垒层生长在AlGaAsSb下波导层上；一InPSb空穴阻挡层，该空穴阻挡层生长在AlGaAsSb下势垒层上；一InGaAsSb量子阱层，该量子阱层生长在InPSb空穴阻挡层上；一AlGaAsSb上势垒层，该上势垒层生长在InGaAsSb量子阱层上；一AlGaAsSb上波导层，该上波导层生长在AlGaAsSb上势垒层上；一P型AlGaAsSb覆盖层，该覆盖层生长在AlGaAsSb上波导层上；一P型GaSb欧姆 接触 层，该接触层生长在P型AlGaAsSb覆盖层上。，下面是含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法专利的具体信息内容。
1.一种含有空穴阻挡层锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：先在N型GaSb衬底上以较高温度生长N型GaSb缓冲层和N型AlGaAsSb覆盖层；
步骤2：降温后以较低温度依次生长AlGaAsSb下波导层、AlGaAsSb下势垒层、InPSb空穴阻挡层、InGaAsSb量子层、AlGaAsSb上势垒层、AlGaAsSb上波导层；
步骤3：升温后以较高温度依次生长P型AlGaAsSb覆盖层和P型GaSb欧姆接触层；
步骤4：退火处理，完成外延生长。
2.按权利要求1所述的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法，其特征在于，在较高温度生长N型GaSb缓冲层和N型AlGaAsSb覆盖层。
3.按权利要求1所述的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法，其特征在于，量子阱区和覆盖层生长温度不同。
4.按权利要求1所述的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法，其特征在于，量子阱区插入一层空穴阻挡层，其厚度为4-8nm。
5.按权利要求1所述的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法，其特征在于，需退火处理。
6.按权利要求2所述的在较高温度生长N型GaSb缓冲层和N型AlGaAsSb覆盖层，其特征在于，温度范围为500℃到600℃，优选的500℃到550℃。
7.按权利要求3所述的量子阱区和覆盖层生长温度不同，其特征在于，量子阱区的生长温度为400℃到500℃。
含有空穴阻挡层的锑化镓基量子阱激光器的外延生长方法
技术领域
背景技术
2）低频脉冲或连续工作
3）多波长、窄线宽
4）波长随温度变化偏移较小
5）阈值电流低
6）输出功率要求低，达到mW量级即可
而锑化物红外半导体激光器完全可以满足以上市场要求。
发明内容
步骤2：降温后以较低温度依次生长AlGaAsSb下波导层、AlGaAsSb下势垒层、InPSb空穴阻挡层、InGaAsSb量子层、AlGaAsSb上势垒层、AlGaAsSb上波导层；
步骤3：升温后以较高温度依次生长P型AlGaAsSb覆盖层和P型GaSb欧姆接触层；
步骤4：退火处理，完成外延生长。
附图说明
具体实施方式
一N型缓冲层102，生长在衬底101上，起到平整衬底损伤，平滑表面的作用；
一N型AlGaAsSb覆盖层103，生长在N型缓冲层102上，起到覆盖波导的作用；
一AlGaAsSb下波导层104，生长在N型AlGaAsSb覆盖层103上，起导引光的作用；
一AlGaAsSb下势垒层105，生长在AlGaAsSb下波导层104上，起量子阱势垒的作用；
一InPSb空穴阻挡层106，生长在AlGaAsSb下势垒层105上，起阻挡空穴的作用，也是本发明的核心内容；
一InGaAsSb量子阱层107，生长在InPSb空穴阻挡层106上，起量子阱的作用；
一AlGaAsSb上势垒层108，生长在InGaAsSb量子阱层107上，起量子阱势垒的作用；
一AlGaAsSb上波导层109，生长在AlGaAsSb上势垒层108上，起导引光的作用；
一P型AlGaAsSb覆盖层110，生长在AlGaAsSb上波导层109上，起到覆盖波导的作用；
一P型GaSb欧姆接触层111，生长在P型AlGaAsSb覆盖层110上，起到P型欧姆接触层的作用。
1500nm；
步骤2：降温后以440℃依次生长AlGaAsSb下波导层200nm、AlGaAsSb下势垒层20nm、InPSb空穴阻挡层6nm、InGaAsSb量子层10nm、AlGaAsSb上势垒层20nm、AlGaAsSb上波导层
200nm；
步骤3：升温后以520℃依次生长P型AlGaAsSb覆盖层1500nm和P型GaSb欧姆接触层
300nm；
步骤4：退火处理，完成外延生长。
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