专利汇可以提供利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且提供了一种利用化合物 半导体 的选择性蚀刻制造微透镜的方法和制造具有微透镜的光电器件的方法。形成微透镜包括对化合物半导体层进行构图和去除化合物半导体层的侧表面以形成大致为半球形的透镜。通过数字 合金 方法去除化合物半导体层的侧表面。具体而言,通过湿法蚀刻工艺去除化合物半导体层的侧表面。,下面是利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和集成有微透镜的光电器件的方法专利的具体信息内容。
1、一种制造微透镜的方法,包括:
在衬底上形成具有反应性金属的化合物半导体层;
蚀刻所述化合物半导体层,并形成化合物半导体层图案;以及
部分去除所述化合物半导体层图案的侧表面,并形成透镜层,
其中通过数字合金方法形成所述化合物半导体层,所述化合物半导体 层包括含有所述反应性金属的反应层和由不含反应性金属的化合物半导体 构成的半导体层,并且在所述化合物半导体层的上部位置所述反应性金属 的浓度较高。
2、根据权利要求1所述的方法,其中通过反复堆叠所述反应层和所述 半导体层形成所述化合物半导体层,并且所述反应层在所述化合物半导体 层的上部位置变得较厚。
3、根据权利要求1所述的方法,其中所述化合物半导体层由外延生长 工艺形成。
4、根据权利要求1所述的方法,在形成所述化合物半导体层之后,还 包括在所述化合物半导体层上形成掩蔽层,所述掩蔽层由相对于所述化合 物半导体层具有蚀刻选择性的材料形成。
5、根据权利要求4所述的方法,其中所述掩蔽层由外延生长工艺形成。
6、根据权利要求5所述的方法,还包括在形成所述透镜层之后去除保 留在所述透镜层上的所述掩蔽层。
7、根据权利要求1所述的方法,其中通过湿法蚀刻工艺执行所述化合 物半导体层图案的部分去除。
8、根据权利要求7所述的方法,其中所述反应性金属为铝(Al)。
9、根据权利要求8所述的方法,其中所述反应层由从AlGaAs、InGaAlAs 和InGaAlN构成的组中选择的一种形成,并且所述半导体层由从GaAs、 InGaAs和InGaN构成的组选择的一种形成。
10、根据权利要求9所述的方法,其中使用BOE(缓冲氧化物蚀刻剂) 作为蚀刻剂来执行所述湿法蚀刻工艺。
11、一种制造微透镜的方法,包括:
利用外延生长工艺,通过反复堆叠含有反应性金属的反应层和不含反 应性金属的半导体层在衬底上形成化合物半导体层,所述反应层在所述化 合物半导体层的上部位置较厚;
在所述化合物半导体层上形成掩蔽层以保护所述化合物半导体层的顶 表面;
选择性蚀刻所述化合物半导体层和所述掩蔽层,并形成化合物半导体 层图案和掩蔽层图案;
通过蚀刻所述化合物半导体层图案的侧表面形成透镜层,其中以高蚀 刻速率蚀刻所述化合物半导体层图案的上部,在该部分中所述反应性金属 的含量高,而以低蚀刻速率蚀刻所述化合物半导体层图案的下部,在该部 分中所述反应性金属的含量低;以及
去除保留在所述透镜层上的所述掩蔽层图案,并暴露所述透镜层。
12、根据权利要求11所述的方法,其中所述反应性金属为铝(Al)。
13、根据权利要求12所述的方法,其中通过使用BOE作为蚀刻剂的 湿法蚀刻工艺执行所述化合物半导体层图案的所述侧表面的蚀刻。
14、根据权利要求12所述的方法,其中所述反应层由从AlGaAs、 InGaAlAs和InGaAlN构成的组中选择的一种形成。
15、根据权利要求11所述的方法,其中通过在形成所述化合物半导体 层期间就地执行外延生长工艺来形成所述掩蔽层。
16、一种通过包括如下步骤的方法制造的微透镜:
在衬底上形成具有反应性金属的化合物半导体层;
蚀刻所述化合物半导体层,并形成化合物半导体层图案;以及
部分蚀刻所述化合物半导体层图案的侧表面,并形成透镜层,
其中通过数字合金方法形成所述化合物半导体层,并且所述化合物半 导体层包括含有所述反应性金属的反应层和由不含反应性金属的化合物半 导体构成的半导体层,且在所述化合物半导体层的上部位置所述反应性金 属的浓度较高。
17、根据权利要求16所述的微透镜,其中所述反应性金属是铝(Al), 并且所述反应层由从AlGaAs、InGaAlAs和InGaAlN构成的组中选择的一 种形成。
18、根据权利要求17所述的微透镜,其中所述透镜层通过使用BOE 作为蚀刻剂的湿法蚀刻工艺形成。
19、根据权利要求16所述的微透镜,其中所述化合物半导体层由外延 生长工艺形成。
本发明涉及制造微透镜和利用微透镜的光电器件的方法,更具体而言, 涉及利用化合物半导体的选择性蚀刻制造微透镜和具有微透镜的光电器件 的方法。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种具有支柱支撑的回音壁模式光子学器件及其制备方法和用途 | 2020-05-14 | 392 |
一种光子学微波I/Q下变频系统 | 2020-05-11 | 845 |
光子学晶体装置 | 2020-05-11 | 548 |
一种可调谐多输出微波信号的光子学产生装置 | 2020-05-13 | 883 |
正倒置一体化显微光子学系统 | 2020-05-12 | 911 |
一种纳米光子学多参数测量平台 | 2020-05-12 | 314 |
光子学晶体装置 | 2020-05-11 | 162 |
一种基于微波光子学的地面站系统的实现方法 | 2020-05-13 | 111 |
硅光子学中的III-V芯片制备和集成 | 2020-05-12 | 847 |
一种基于电光法珀腔的微波光子学频率测量装置 | 2020-05-14 | 384 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。