用于提高PIMD性能的RF滤波器
阅读：326发布：2021-04-01
专利汇可以提供用于提高PIMD性能的RF滤波器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种用于提高PIMD性能的RF 滤波器 ，所述滤波器包括：壳体，所述壳体具有至少一个空腔和保持在所述空腔中的介质 谐振器 ； 垫圈 ，所述垫圈成形为圆形板并且由连接至所述介质谐振器的上部分和下部分的金属制成；以及封盖，所述封盖连接至所述壳体。突出部可形成在所述垫圈的一侧上，以与所述封盖或所述壳体 接触 ，其中，所述垫圈突出部的高度可沿着远离中心的方向增加。，下面是用于提高PIMD性能的RF滤波器专利的具体信息内容。
1.一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，所述RF滤波器包括：
壳体，所述壳体中形成有至少一个空腔，所述壳体包括保持在所述空腔中的介质谐振器；
垫圈，所述垫圈连接至所述介质谐振器的上部分和下部分，所述垫圈成形为圆形板并且由金属材料制成；以及
封盖，所述封盖连接至所述壳体的上部分，
所述垫圈具有垫圈突出部，所述垫圈突出部形成在所述垫圈的一侧上，所述垫圈突出部的高度沿着远离中心的方向增加，并且所述垫圈用于与所述封盖或所述壳体接触。
2.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，连接至所述介质谐振器的所述上部分和所述下部分的至少一个所述垫圈具有从所述介质谐振器的一侧突出的螺钉。
3.根据权利要求2所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述螺钉的外周长上形成有阳螺纹，所述壳体或所述封盖中形成有槽或孔，所述槽或所述孔的内周长中形成有阴螺纹，所述阴螺纹对应所述螺钉的所述阳螺纹，
并且所述螺钉插入所述槽或所述孔中以与所述封盖或所述壳体连接。
4.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，通过焊接的方式来将所述介质谐振器和所述垫圈连接。
5.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的压紧构件，
其中，所述封盖中形成有插入区域，所述插入区域用于容纳从所述插入区域穿过的所述压紧构件，所述插入区域中形成有薄部，与所述封盖的主体的厚度相比，所述薄部的厚度更小，所述压紧构件用于穿过所述插入区域以压紧所述薄部，并且所述薄部用于与所述垫圈接触。
6.根据权利要求5所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述压紧构件包括弹性构件，所述弹性构件能够施加弹力。
7.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的调谐螺栓，
其中，所述调谐螺栓插入所述空腔中。
8.根据权利要求7所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述调谐螺栓由金属材料形成，并且所述调谐螺栓用于使得所述调谐螺栓的插入深度既可调节又可固定。
9.根据权利要求1所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述壳体和所述封盖的材料为金属。
10.一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，所述RF滤波器包括：
壳体，所述壳体中形成有至少一个空腔，所述壳体包括保持在所述空腔中的金属谐振器；
介质圆盘，所述介质圆盘连接至所述金属谐振器的上部分；
垫圈，所述垫圈连接至所述介质圆盘的上部分，所述垫圈具有环形形状并且由金属材料制成；以及
封盖，所述封盖连接至所述壳体的上部分，
所述垫圈具有垫圈突出部，所述垫圈突出部形成在所述垫圈的一侧上，所述垫圈突出部的高度沿着远离中心的方向增加，并且所述垫圈用于与所述封盖接触。
11.根据权利要求10所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，通过焊接的方式来将所述金属谐振器和所述介质圆盘连接，并且通过焊接的方式来将所述介质圆盘和所述垫圈连接。
12.根据权利要求10所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的压紧构件，
其中，所述封盖中形成有插入区域，所述插入区域用于容纳从所述插入区域穿过的所述压紧构件，所述插入区域中形成有薄部，与所述封盖的主体的厚度相比，所述薄部的厚度更小，所述压紧构件用于穿过所述插入区域以对压紧所述薄部，并且所述薄部用于与所述垫圈接触。
13.根据权利要求10所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述金属谐振器的下表面中形成有紧固孔，并且通过将紧固构件穿过所述紧固孔的方式来将所述金属谐振器固定至所述壳体。
14.根据权利要求12所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述压紧构件包括弹性构件，所述弹性构件能够施加弹力。
15.根据权利要求10所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述RF滤波器还包括连接至所述封盖的调谐螺栓。
16.根据权利要求15所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述调谐螺栓由金属材料形成，并且所述调谐螺栓用于使得所述调谐螺栓的插入深度既可调节又可固定。
17.根据权利要求10所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述壳体和所述封盖的材料为金属。
18.根据权利要求10所述的用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，所述金属谐振器的下表面上形成有谐振器突出部，并且所述金属谐振器用于与所述壳体接触。
用于提高PIMD性能的RF滤波器
技术领域
[0001] 本发明涉及一种RF滤波器，具体涉及一种用于提高PIMD性能的RF滤波器。
背景技术
[0002] 通信服务的进步需要更快的数据传输速度，而要得到更快的数据传输速度又需要增加系统带宽、提高接收敏感度并且最小化来自其它通信系统的干扰。因此，对提供带宽更宽、尺寸更小、插入损耗更低、以及拒波更高的性能的滤波器的需求持续增加。
[0003] 通常使用的是使用同轴谐振器的滤波器，这是由于，与使用介质谐振器的滤波器(诸如，陶瓷滤波器和单体滤波器)相比，使用同轴谐振器的滤波器在成本上具有优势。然而，当建立输出更低且尺寸更小的基站时，比如在小小区的情况下，现有的同轴谐振器在其可以具有的尺寸程度方面受到限制。同样，使用诸如TM模谐振器等尺寸更小的介质谐振器越来越受欢迎，特别是在实施超小滤波器时。然而，介质谐振器却具有以下缺点：由于在介质谐振器元件与壳体之间存在热膨胀系数差，由温度变化引起的热收缩和膨胀可导致介质谐振器元件变得不固定或是接触不充分，这又可能会导致滤波器的性能发生变化。
[0004] 此外，同轴谐振器可提供多种优点。例如，同轴谐振器有益于使小尺寸滤波器以更低的频率运行。同轴谐振器还可提高功率容量，这对小尺寸滤波器来说是很重要的。此时，在传统的同轴谐振器的罩盖与上表面之间的气隙可用介质圆盘替代，这可更容易地控制由温度变化引起的频移，这是由于可为介质圆盘选择合适的热膨胀系数。在一个示例中，供使用的经过改良的谐振器设计可包括介质圆盘，该介质圆盘放置在由金属制成的同轴谐振器的顶部。这可使更小的滤波器以低于1GHz的更低频率运行。然而，即便是有了将介质圆盘附接至同轴谐振器这样的设置，还是无法避免介质圆盘与壳体之间的热系数差。因此，因温度变化而发生的膨胀和收缩可能会引起介质圆盘的不充分固定或不充分接触，这又可能会导致滤波器的性能发生变化。
发明内容
[0005] [技术问题]
[0006] 为了解决在上述背景技术中说明的问题，本发明旨在提供一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，其中，可通过稳定的方式来将谐振器固定并且RF滤波器能够提高PIMD性能。
[0007] [技术解决方案]
[0008] 本发明的实施例提供了一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，该RF滤波器包括：壳体，该壳体中形成有至少一个空腔并且包括保持在空腔中的介质谐振器；垫圈，该垫圈连接至介质谐振器的上部分和下部分，其中，垫圈成形为圆形板并且由金属材料制成；以及封盖，该封盖连接至壳体的上部分。垫圈突出部可形成在垫圈的一侧上，其中，该垫圈突出部的高度沿着远离中心的方向增加，垫圈用于与封盖或壳体接触。
[0009] 螺钉可从连接至介质谐振器的上部分和下部分的至少一个垫圈的一侧突出。
[0011] 可通过焊接的方式来将介质谐振器和垫圈连接。
[0012] RF滤波器还可包括连接至封盖的压紧构件。封盖中可形成有插入区域，以在压紧构件从插入区域穿过时容纳压紧构件。插入区域中可形成有薄部，与封盖的主体的厚度相比，薄部的厚度更小。压紧构件可穿过插入区域以对压紧薄部，并且薄部用于与垫圈接触。
[0013] 压紧构件可包括弹性构件，该弹性构件能够施加弹力。
[0014] RF滤波器还可包括连接至封盖的调谐螺栓，其中，该调谐螺栓可插入空腔中。
[0015] 调谐螺栓可由金属材料形成，并且该调谐螺栓可用于使得调谐螺栓的插入深度既可调节又可固定。
[0016] 壳体和封盖的材料可包括金属。
[0017] 本发明的另一实施例提供了一种用于提高PIMD性能的RF滤波器，该RF滤波器包括：壳体，该壳体中形成有至少一个空腔并且包括保持在该空腔中的金属谐振器；介质圆盘，该介质圆盘连接至金属谐振器的上部分；垫圈，该垫圈连接至介质圆盘的上部分，其中，垫圈具有环形形状并且由金属材料制成；以及封盖，该封盖连接至壳体的上部分。垫圈突出部可形成在垫圈的一侧上，其中，该垫圈突出部的高度可沿着远离中心的方向增加，垫圈用于与封盖接触。
[0018] 可通过焊接的方式来将金属谐振器和介质圆盘连接，并且可通过焊接的方式来将介质圆盘和垫圈连接。
[0019] RF滤波器还可包括连接至封盖的压紧构件。封盖中可形成有插入区域，以在压紧构件从插入区域穿过时容纳压紧构件。插入区域中可形成有薄部，与封盖的主体的厚度相比，薄部的厚度更小。压紧构件可穿过插入区域以对压紧薄部，并且薄部用于与垫圈接触。
[0020] 金属谐振器的下表面中可形成有紧固孔，并且可通过穿过紧固孔的紧固构件的方式来将该金属谐振器固定至壳体。
[0021] 压紧构件可包括弹性构件，该弹性构件能够施加弹力。
[0022] RF滤波器还可包括连接至封盖的调谐螺栓。
[0023] 调谐螺栓可由金属材料形成，并且该调谐螺栓可用于使得调谐螺栓的插入深度既可调节又可固定。
[0024] 壳体和封盖的材料可包括金属。
[0025] 金属谐振器的下表面上可形成有谐振器突出部，并且该金属谐振器可用于与壳体接触。
[0026] [有益效果]
[0028] 图1是根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的分解透视图。
[0029] 图2图示说明了根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中的介质谐振器的结构。
[0030] 图3是根据本发明的第一公开实施例的可在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用的压紧构件的分解透视图。
[0031] 图4是根据本发明的第一公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用压紧构件的区域的横截面图。
[0032] 图5是根据本发明的第一公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0033] 图6是根据本发明的第二公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0034] 图7是根据本发明的第三公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0035] 图8是根据本发明的第四公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0036] 图9是根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的分解透视图。
[0037] 图10图示说明了根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中的金属谐振器的结构。
[0038] 图11是根据本发明的第五公开实施例的可在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用的压紧构件的分解透视图。
[0039] 图12是根据本发明的第五公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用压紧构件的区域的横截面图。
[0040] 图13是根据本发明的第五公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0041] 图14是根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的内部的平面图。
具体实施方式
[0042] 由于本发明允许存在各种变化和多个实施例，将在附图中对特定的实施例进行图示说明并在书面形式的说明书中对其进行详细说明。然而，这并不旨在将本发明限于特定的实践模式，并且应该了解，不背离本发明的精神和技术范围的所有变化、等效物和取代物都包含在本发明中。在对附图进行说明时，使用相似的附图标记来表示相似的元件。
[0043] 然而，可使用诸如“第一”和“第二”等术语来对各种元件进行说明，这些元件不必限于上述术语。上述术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。例如，在不背离本发明的权利范围的情况下，可将第一元件称为第二元件，同样，可将第二元件称为第一元件。下面将参照附图对本发明的某些实施例进行更详细地说明。
[0044] 图1是根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的分解透视图。
[0045] 参照图1，根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可包括壳体100、封盖110、介质谐振器104和多个压紧构件200。
[0046] 壳体100可用作滤波器的主体，并且壳体内可形成有多个空腔102。尽管图1图示说明了形成有5个空腔102的示例，但如有必要可改变空腔102的数量。介质谐振器104可安装在每一个空腔102内。介质谐振器104可由介质材料制成并且可具有大体上呈圆柱形的形状。
[0047] 垫圈350可连接至介质谐振器104的上部分，该垫圈350定位为与滤波器的封盖110接触。此处描述了在垫圈350与封盖110之间实现稳定接触的结构。
[0049] 可通过壳体100和安装在壳体100内的多个隔板限定出这多个空腔102。形成在壳体100中的空腔102和谐振器104的数量与滤波器的插入损耗和衰减性能相关联。空腔102和谐振器104的数量越多，可提供的衰减性能越高，但同时又会增加插入损耗。即，增加空腔和谐振器的数量可提供更好的衰减性能，但却会增加插入损耗，这就需要在衰减性能与插入损耗之间做出权衡。
[0050] 封盖110可连接至壳体100的上部分，该上部分可以是壳体100的开口侧。封盖110可连接至壳体100的上部分以形成壳体100的闭合结构。由于连接了封盖110，所以滤波器的内部可免受电磁波的影响。也可通过制备铝质基座结构并在该基座结构上进行镀银或镀铜处理来形成封盖110。
[0051] 可通过使用多种连接方法中的任一种来连接封盖110和壳体100。例如，可通过使用螺栓或通过焊接等方式来将封盖110连接至壳体100。
[0052] 封盖110中可形成有多个插入区域450，并且可在多个插入区域450中的每一个中都插入压紧构件200。
[0053] 滤波器的壳体100和封盖110可具有接地电位，并且，为了获得期望的电气性能并提供介质谐振器104的稳固紧固，有必要将垫圈350紧紧地压紧到封盖110上。压紧构件200可用于提供进行紧紧压紧所需的压力。
[0054] 插入区域450形成在封盖110中的位置可对应介质谐振器104的位置。插入区域450可形成在介质谐振器104之上，并且在安装有五个谐振器的情况下，封盖中可形成有五个插入区域450。
[0055] 每一个压紧构件200都可插入到插入区域450中，压紧构件200的数量对应插入区域450的数量。压紧构件200可插入到插入区域450中，使得压紧构件200可压紧封盖110并且由此提供封盖110与垫圈350之间的稳定接触。
[0056] 图2图示说明了根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中的介质谐振器的结构。
[0057] 参照图2，在根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，垫圈350可连接至介质谐振器104。可通过使用焊接来将垫圈350连接至介质谐振器104。因此，根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可具有通过使用焊接连接至介质谐振器104的垫圈350，从而减少PIMD的发生并提高PIMD性能。同样，可在介质谐振器104的顶部和底部进行金属电镀处理，例如，诸如镀银处理。
[0058] 垫圈350可由金属材料形成并且可成形为圆形板。同样，在垫圈350的一侧上，垫圈突出部355可形成为在封盖110的方向上突出，其中，垫圈突出部355可成形为使得垫圈突出部355的高度沿着远离中心的方向增加。由于垫圈突出部355的作用，垫圈350可形成为在外侧上的高度比在内侧上的高度更大。连接在一起的介质谐振器104和垫圈350的组合高度可对应壳体的内部的高度，从而使垫圈350与滤波器的封盖110接触。由于垫圈350的垫圈突出部355被封盖110压紧，所以可将连接至垫圈350的介质谐振器104牢牢地固定。
[0059] 同样，由于垫圈350的垫圈突出部335与封盖110接触，而不是整个上表面与封盖110接触，所以在垫圈350与封盖110之间的接触区域可以是线的形式而非平面的形式。因此，根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可构造为使得垫圈350和封盖110按照线性接触而非平面接触的方式啮合，由此提高了PIMD性能。
[0060] 图3是根据本发明的第一公开实施例的可在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用的压紧构件的分解透视图。
[0061] 参照图3，根据本发明的第一公开实施例的压紧构件200可包括插入部210和弹性构件212。
[0062] 压紧构件200可穿过封盖110的插入区域，其中，插入部210可具有圆柱形结构，该圆柱形结构的外周长上形成有阳螺纹。插入部210可由金属材料制成。
[0063] 弹性构件212可连接至插入部210的下部分。例如，弹性构件212可通过粘合连接至插入部210的下部分。当然，也可使用除了粘合之外的各种连接方法。
[0065] 图4是根据本发明的第一公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用压紧构件的区域的横截面图。
[0066] 参照图4，根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的封盖可包括主体400和薄部410。
[0067] 主体400可具有特定的厚度，并且薄部410可形成在主体400的特定部分处，该薄部410的厚度小于主体400的厚度。通过形成与主体400相比厚度更小的薄部410，可在主体400中形成插入区域450，压紧构件200可插入在该插入区域450中。
[0068] 参照图4，薄部410可成形为圆形板。薄部410的厚度可设置到根据由压紧构件200施加的压紧可发生变形的程度。插入区域450的内周长中可形成有螺纹，该螺纹形成的原因是主体400和薄部410之间存在厚度差。
[0069] 图5是根据本发明的第一公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0070] 参照图5，压紧构件200可插入在通过主体400与滤波器封盖的薄部410之间的厚度差而形成的插入区域450中。可通过螺钉连接的方式来将压紧构件200插入到插入区域450中。通过使用形成在插入区域450的内周长中的螺纹和形成在插入部210的外周长上的螺纹，可使插入部210旋转并插入到插入区域中。可执行插入部210的旋转，直到将插入部210完全放置在插入区域450中。
[0071] 尽管在附图中未作图示说明，但封盖110中可形成有孔，用于连接调谐螺栓。可通过螺钉连接的方式来将调谐螺栓穿过封盖110。可通过旋转来插入调谐螺栓，并且可基于旋转度来调整调谐螺栓的插入深度。调谐螺栓可插入到壳体100中，该调谐螺栓用于调谐滤波器的性能。通过调整调谐螺栓的插入深度，能够调谐滤波器的谐振频率。当通过调谐来获得期望的谐振频率时，可通过使用螺母来固定调谐螺栓的位置。
[0072] 当压紧构件200被插入在插入区域450中时，连接至插入部210的下部分的弹性构件212可压紧插入区域450的薄部410。由于薄部410可具有根据施加的压力使形状变形的厚度，所以可直接根据弹性构件212的压紧来将薄部往向下的方向引导。还可以在插入部210的下部分形成压紧突出部211，以压紧弹性构件212的特定区域，从而使压紧突出部211在弹性构件212上施加压力。
[0073] 例如，由硅橡胶制成的弹性构件212可提供弹力，从而能够连续地压紧在薄部410上。
[0074] 可通过焊接的方式将垫圈350a连接至介质谐振器104的上端，并且也可通过焊接的方式将垫圈350b连接至下端。封盖110的薄部410可与垫圈350a的垫圈突出部355接触。介质谐振器104的高度可与壳体100的内部的高度相似。可将垫圈350b焊接至介质谐振器104的下端以使封盖110的薄部410与垫圈350a的垫圈突出部355接触，并且可根据垫圈350a、350b的厚度在壳体100中形成缺口。
[0075] 在薄部410被插入到插入区域450中时，压紧构件200的弹性构件212可压紧薄部410，并且由于压紧构件200实施的压紧，可按照更稳定的方式使垫圈突出部355与薄部410接触。此外，为了进行有效的压紧，压紧突出部211可定位为与垫圈突出部355对齐。
[0076] 由于压紧构件200的弹性构件212由弹性材料(例如，诸如硅橡胶)制成，所以，由于弹性构件212具有恢复力，弹性构件212能够连续地压紧薄部410。因此，即便是向滤波器施加振动等，垫圈350a也可按照稳定的方式与薄部410维持接触。
[0077] 如上所述，根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可具有焊接至介质谐振器104的上端和下端的垫圈350a、350b并且可具有连接至封盖110的压紧构件200，从而使弹性构件212压紧薄部410。结果，可将在介质谐振器104的上端的垫圈350a固定为与薄部410紧密接触，而可将在介质谐振器104下端的垫圈350b固定为与壳体100紧密接触。
[0078] 尽管图5图示说明了介质谐振器104和垫圈350与封盖110在一个空腔内接触的方式，但可在每一个空腔中形成如图5所示的结构。
[0079] 根据本发明的第二公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可包括垫圈，该垫圈上形成有螺钉。
[0080] 图6是根据本发明的第二公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0081] 参照图6，在根据本发明的第二公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，在连接至介质谐振器104的下端的垫圈350’上可形成有螺钉357，该螺钉357中形成有螺纹。螺钉357可形成为沿着与垫圈突出部355相同的方向突出并延伸。同样，壳体100中可形成有孔，该孔中的螺纹的形状与螺钉357对应，并且可将螺钉357插入到形成在壳体100中的该孔中。因此，可通过螺钉357的方式将在介质谐振器104的下端的垫圈350’牢牢地固定至壳体100，同时可通过与根据本发明的第一公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器相同的结构来将在介质谐振器104的上端的垫圈350固定至封盖110。
[0082] 由此，可将焊接至垫圈350、350’的介质谐振器104牢牢地固定至壳体100和封盖110。
[0083] 在根据本发明的第三公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，具有螺钉的垫圈也可连接至介质谐振器的上端。
[0084] 图7是根据本发明的第三公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0085] 参照图7，在根据本发明的第三公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，在垫圈350’a、350’b上可形成有螺钉357，该螺钉357中形成有螺纹。螺钉357可形成为沿着与垫圈突出部355相同的方向突出并延伸。同样，在壳体100和封盖110或插入部210’中可形成有孔，该孔中的螺纹的形状与螺钉357对应，并且螺钉357可插入到形成在壳体100和封盖110或插入部210’中的孔中。因此，可通过螺钉357的方式将在介质谐振器104的下端的垫圈
350’b牢牢地固定至壳体100，同时可通过与封盖110或插入部210’连接的方式来将在介质谐振器104的上端的垫圈350’a固定。
350’b牢牢地固定至壳体100，同时可通过与封盖110或插入部210’连接的方式来将在介质谐振器104的上端的垫圈350’a固定。
[0086] 在根据本发明的第三公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，插入部210’可具有螺母的形状，而弹性构件212和薄部410中可形成有孔。当垫圈350’a的螺钉357穿过插入部210’时，插入部210’可压紧在弹性构件212上，该弹性构件212可压紧在薄部410上，因此，该薄部410可按照稳定的方式与垫圈350’a的垫圈突出部355维持接触，使得垫圈350’a可固定至封盖110。
[0087] 由此，可将焊接至垫圈350’a、350’b的介质谐振器104牢牢地固定至壳体100和封盖110。
[0088] 图8是根据本发明的第四公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0089] 参照图8，在根据本发明的第四公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，可以不在连接至介质谐振器104的下端的垫圈350上形成螺钉，而仅在连接至介质谐振器104的上端的垫圈350’上形成螺钉357。
[0090] 因此，在根据本发明的第四公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，可通过与针对第一公开实施例说明的结构相似的结构来将介质谐振器104固定至壳体100并与其保持接触，并且通过与针对第三公开实施例说明的结构相似的结构来将介质谐振器104固定至封盖110并与其保持接触。
[0091] 图9是根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的分解透视图。
[0092] 参照图9，根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可包括壳体600、封盖610、金属谐振器604和多个压紧构件700。
[0093] 壳体600可用作滤波器的主体，并且壳体内可形成有多个空腔602。尽管图9图示说明了形成有5个空腔602的示例，但如有必要可改变空腔602的数量。金属谐振器604可安装在每一个空腔602内。金属谐振器604可由金属材料制成并且可构造为具有大体上呈圆柱形的形状，其内部形成有圆柱槽。
[0094] 介质圆盘800可连接至金属谐振器604的上部分。介质圆盘800可用于增加在金属谐振器604与滤波器的封盖610之间形成的电容。通过使用介质圆盘800来增加电容，能够制造尺寸更小的金属谐振器604。垫圈850可连接至介质圆盘800的上部分，该垫圈850定位为与滤波器的封盖610接触。此处描述了在垫圈850和封盖610之间实现稳定接触的结构。
[0095] 可通过将铝材料用作基座并且在该基座上进行镀银处理来制作壳体600。可进行镀银以提供高导电性。当然，也可使用镀有除了银之外的金属(例如，诸如铜)的壳体600。
[0096] 可通过壳体600和安装在壳体600内的多个隔板限定出这多个空腔602。形成在壳体600中的空腔602和谐振器604的数量与滤波器的插入损耗和衰减性能相关联。空腔602和谐振器604的数量越多，可提供的衰减性能越高，但同时又会增加插入损耗。即，增加空腔和谐振器的数量可提供更好的衰减性能，但却会增加插入损耗，这就需要在衰减性能与插入损耗之间做出权衡。
[0097] 封盖610可连接至壳体600的上部分，该上部分可以是壳体600的开口侧。封盖610可连接至壳体600的上部分以形成壳体600的闭合结构。由于连接了封盖610，所以滤波器的内部可免受电磁波的影响。也可通过制备铝质基座结构并在该基座结构上进行镀银或镀铜处理来形成封盖610。
[0098] 可通过使用多种连接方法中的任一种来连接封盖610和壳体600。例如，可通过使用螺栓或通过焊接等方式来将封盖610连接至壳体600。
[0099] 封盖610中可形成有多个插入区域950，并且可在多个插入区域950中的每一个中都插入压紧构件700。
[0100] 滤波器的壳体600和封盖610可具有接地电位，并且，为了获得期望的电气性能并提供介质圆盘800的稳固紧固，有必要将垫圈850紧紧地压紧到封盖610上。压紧构件700可用于提供进行紧紧的压紧所需的压力。
[0101] 插入区域950形成在封盖610中的位置可对应金属谐振器604的位置。插入区域950可形成在金属谐振器604之上，并且在安装有五个金属谐振器的情况下，封盖中可形成有五个插入区域950。
[0102] 每一个压紧构件700都可插入到插入区域950中，压紧构件700的数量对应插入区域950的数量。压紧构件700可插入到插入区域950中，使得压紧构件700可压紧封盖610并且由此提供封盖610与垫圈850之间的稳定接触。
[0103] 图10图示说明了根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的金属谐振器的结构。
[0104] 参照图10，在根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器中，介质圆盘800可连接至金属谐振器604。可通过使用焊接来将介质圆盘800连接至金属谐振器604。由此，根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可具有通过使用焊接连接至金属谐振器604的介质圆盘800，从而减少PIMD(无源互调失真)的发生并防止性能退化。同样，可在介质圆盘800的顶部和底部进行金属电镀处理，例如，诸如镀银处理。
[0105] 介质圆盘800可具有环形形状并且其中形成有孔。介质圆盘内的孔和形成在金属谐振器604中的孔或槽是随后进行说明的调谐螺栓要插入的地方。
[0106] 介质圆盘800可以是具有高介电常数的介质，并且由于陶瓷介质的介电常数高，所以可增加形成在金属谐振器604与封盖610之间的电容。金属谐振器604与空腔602的尺寸可通过滤波器的工作频率来确定。工作频率越低，金属谐振器604与空腔602所需的尺寸越大。
[0107] 介质圆盘800可增加在封盖610与金属谐振器604之间的电容，从而，与没有介质圆盘800的情况相比，可减小金属谐振器604与空腔602的尺寸。
[0108] 可在介质圆盘800的上部分上连接垫圈850。可通过使用焊接来将垫圈850连接至介质圆盘800的上部分。由此，根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可具有通过使用焊接连接至介质圆盘800的垫圈850，从而减少PIMD的发生并防止性能退化。同样，可在介质圆盘800的顶部和底部进行金属电镀处理，例如，诸如镀银处理。
[0109] 垫圈850可由金属材料形成并可具有环形形状，在垫圈850内形成有孔。同样，在垫圈850的一侧上，垫圈突出部855可形成为在封盖610的方向上突出，其中，垫圈突出部855可成形为使得垫圈突出部855的高度沿着远离中心的方向增加。由于垫圈突出部855的作用，垫圈850可形成为在外侧上的高度比在内侧上的高度更大。连接在一起的金属谐振器604、介质圆盘800和垫圈850的组合高度可对应壳体的内部的高度，从而使垫圈850与滤波器的封盖610接触。由于垫圈850的垫圈突出部855被封盖610压紧，所以可将介质圆盘800和连接至垫圈850的金属谐振器604牢牢地固定。
[0110] 同样，由于垫圈850的垫圈突出部855与封盖610接触，而不是整个上表面与封盖610接触，所以在垫圈850与封盖610之间的接触区域可以是线的形式而非平面的形式。因此，根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器可构造为使得垫圈850和封盖610按照线性接触而非平面接触的方式啮合，由此提高PIMD性能。
[0111] 同样，金属谐振器604的下表面中可形成有紧固孔655。紧固构件650可插入到该紧固孔655中以将金属谐振器604固定到壳体上。
[0112] 图11是根据本发明的第五公开实施例的可在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用的压紧构件的分解透视图。
[0113] 参照图11，根据本发明的第五公开实施例的压紧构件700可包括插入部710、弹性构件712和调谐螺栓714。
[0114] 压紧构件700可穿过封盖610的插入区域，其中，插入部710可具有圆柱形结构，该圆柱形结构的外周长上形成有阳螺纹。插入部710可由金属材料制成。
[0115] 插入部710的中心部分中可形成有插入孔720，并且调谐螺栓714可连接在该插入孔720处。插入部710的插入孔720的内周长中可形成有螺纹，并且调谐螺栓714的外周长上也可形成有螺纹，从而可通过螺钉连接的方式将调谐螺栓穿过插入孔720。可通过旋转来将调谐螺栓714穿过插入孔720，并且可基于旋转度来调整插入深度。
[0116] 弹性构件712可连接至插入部710的下部分。例如，弹性构件712可通过粘合连接至插入部710的下部分。当然，也可使用除了粘合之外的各种连接方法。
[0117] 弹性构件712可具有圆形形状，中心形成有孔。弹性构件712可以是用于压紧封盖610的组件，并且，例如，可使用硅材料的橡胶来制造弹性构件712。
[0118] 图12是根据本发明的第五公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中应用压紧构件的区域的横截面图。
[0119] 参照图12，根据本发明的实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的封盖可包括主体900、薄部910和孔920。
[0120] 主体900可具有特定的厚度，并且薄部910可形成在主体900的特定部分处，该薄部910的厚度小于主体900的厚度。通过形成与主体900相比厚度更小的薄部910，可在主体900中形成插入区域950，压紧构件700可插入在该插入区域950中。
[0121] 参照图12，薄部910可具有环形形状并且具有形成在薄部910的中心部分中的孔920。薄部910的厚度可设置到根据由压紧构件700施加的压紧可发生变形的程度。薄部910优选地采用圆环的形状，并且孔920也优选为圆形形状。
[0122] 通过主体900和薄部910之间的厚度差而形成的插入区域950的内周长中可形成有螺纹。
[0123] 图13是根据本发明的第五公开实施例的在用于提高PIMD性能的RF滤波器中的空腔的横截面图。
[0124] 参照图13，压紧构件700可插入在通过主体900与滤波器封盖的薄部910之间的厚度差而形成的插入区域950中。可通过螺钉连接的方式将压紧构件700插入到插入区域950中。通过使用形成在插入区域950的内周长中的螺纹和形成在插入部710的外周长上的螺纹，可使压紧构件700的插入部710旋转并插入到插入区域中。可执行插入部710的旋转，直到将插入部710完全放置在插入区域950中。
[0125] 在形成在插入区域950的孔920中，可插入调谐螺栓714。可通过孔920将调谐螺栓714插入到壳体600中，该调谐螺栓714用于调谐滤波器的谐振频率。通过调整调谐螺栓714的插入深度，能够调谐滤波器的谐振频率。当通过调谐来获得期望的谐振频率时，可通过使用螺母716来固定调谐螺栓714的位置。
[0126] 当将压紧构件700插入在插入区域950中时，连接至插入部710的下部分的弹性构件712可压紧插入区域950的薄部910。由于薄部910可具有根据施加的压力使形状变形的厚度，所以可根据弹性构件712的压紧来将薄部往向下的方向引导。还可以在插入部710的下部分形成压紧突出部711，以压紧弹性构件712的特定区域，从而使压紧突出部711在弹性构件712上施加压力。
[0127] 例如，由硅橡胶制成的弹性构件712可提供弹力，从而能够连续地压紧在薄部910上。
[0128] 封盖610的薄部910可与垫圈850的垫圈突出部855接触。金属谐振器604的高度可与壳体600的内部的高度相似。
[0129] 为了使封盖610的薄部910能与垫圈850的垫圈突出部855接触，在壳体600的位于金属谐振器604下方的部分处可形成有壳体突出部670，并且在金属谐振器604的下表面上也可形成有谐振器突出部660。具体地，谐振器突出部660可促进金属谐振器604相对于壳体600的牢固固定。此外，与垫圈850相似，提供相对于壳体600的线性接触而非平面接触的结构可提高PIMD性能。
[0130] 在薄部910被插入到插入区域950中时，压紧构件700的弹性构件712可压紧薄部910，并且由于压紧构件700实施的压紧，可按照更稳定的方式使垫圈突出部855与薄部910接触。此外，为了进行有效的压紧，压紧突出部711可定位为与垫圈突出部855的位置对齐。
[0131] 由于压紧构件700的弹性构件712由弹性材料(例如，诸如硅橡胶)制成，所以，由于弹性构件712具有恢复力，弹性构件712能够连续地压紧薄部910。因此，即便是向滤波器施加振动等，垫圈850也可按照稳定的方式与薄部910维持接触。
[0132] 同样，紧固构件650可插入到金属谐振器604的紧固孔655中，以将金属谐振器604固定到壳体上。
[0133] 尽管图13图示说明了金属谐振器604和介质圆盘800在一个空腔内维持接触并且垫圈850和封盖610在一个空腔内维持接触的方式，但可在每一个空腔中形成如图13所示的结构。
[0134] 图14是根据本发明的第五公开实施例的用于提高PIMD性能的RF滤波器的内部的平面图。
[0136] 图14图示说明了有五个空腔602和五个谐振器604并且通过在每个空腔中进行谐振来执行滤波的示例。金属谐振器604可包括在每个空腔602中，并且在每个空腔中实现的谐振频率可由金属谐振器604的尺寸和形式来确定。
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