本发明的实施例提供了一种平板显示装置,其中可以通过在密封件经过 的电极上形成电极保护层而避免电极阻抗增加,同时减少了不必要的压降, 避免了亮度的下降和图像均匀性的下降。
根据本发明的实施例,提供一种平板显示装置,其具有彼此相对放置并 且其间具有预定间隙的第一衬底和第二衬底,至少形成在第一衬底或第二衬 底其中之一上并且由透明导电氧化膜制成的电极,设置在第一衬底和第二衬 底之间并且相互连接第一衬底和第二衬底的密封件,形成在密封件与电极之 间并且形成在与密封件相重叠的电极部分上的电极保护层。
电极保护层可以由导电金属制成。特别是,电极保护层可以由至少一种 从下列组中选出的材料制成:
铝,铬,钼,
银,金,铂,钯,
铜,镍,钨, 钼钨
合金,钼锰合金,铅,以及锡。
可以使用真空沉淀法或丝网印刷术形成电极保护层。
电极保护层的宽度可以大于电极的宽度。
电极保护层的宽度可以小于或基本等于电极的宽度。电极保护层可以形 成为
单层,或是间隔地在电极上形成多个电极保护层。
透明导电氧化膜可以由铟锡氧化物制成。
根据本发明的另一实施例,提供一种平板显示装置的制造方法。该方法 包括:在至少第一衬底和第二衬底其中之一上形成具有电极垫的电极,该电 极由透明的导电氧化膜制成;在电极垫上形成电极保护层,该电极保护层由 导电金属制成;在电极保护层上以及第一衬底和第二衬底的周边上设置密封 件,并且把第一衬底和第二衬底相互连接。
附图说明
图1是根据本发明实施例的平板显示装置的局部透视图。
图2是根据本发明实施例的平板显示装置的局部横截面图。
图3是示出在根据本发明实施例的平板显示装置内形成电极保护层的局 部垂直横截面图。
图4是示出在根据本发明实施例的平板显示装置内形成电极保护层的局 部
水平横截面图。
图5是示出在根据本发明实施例的平板显示装置中电极保护层与电极垫 之间关系的局部垂直横截面图。
图6是示出制造根据本发明实施例的平板显示装置的
流程图。
图7和8是示出根据本发明替换实施例的平板显示装置的局部横截面 图。
图9A-9C是示出根据图7和8实施例的平板显示装置中电极保护层与电 极垫之间关系的局部垂直横截面图。
根据本发明的一个实施例,FEA型场发射装置如图1和2所示。场发射 装置包括彼此相对设置并且其间有预定间隙的第一衬底20和第二衬底22。 在第一衬底20和第二衬底22的周边之间放置密封衬底的密封件21。在第一 衬底20上以相互交叉的方式形成栅极24和阴极26,并且两者之间具有绝缘 层25。在阴极26与栅极24相交叉的部分上形成场发射区28。
场发射装置还包括形成在第二衬底22上的阳极32和以预定图案形成在 阳极32表面上的荧光膜34。
此外,场发射装置进一步包括设置在荧光膜34和金属膜52之间的黑膜 50,金属膜52形成在阳极32上用于
覆盖荧光膜34和黑膜50。
在本实施例中,阳极32由形成
透明导电膜的ITO制成,金属膜52由铝 (Al)薄膜制成。
阳极并不限制为上述的ITO,需要的话可以用金属(例如铝)制成。这 样的话,首先在第二衬底上形成荧光膜和黑膜,然后在第二衬底上形成由金 属制成的阳极,从而覆盖荧光膜和黑膜。
栅极24、阴极26和阳极32分别具有垫23、27、33,其由电极的一部 分形成用于电气连接到外部驱动电压提供单元上。在本实施例中,由于电极 24、26、32由ITO制成,因此垫也由ITO制成。
在使用密封件21密封第一衬底20和第二衬底22的情况下,在密封件 21的内部(由衬底形成的真空管的内部)以及外部(真空管的外部,其为第 一衬底或第二衬底上的区域)设置垫23、27、33,其具有与密封件重叠的区 域。
在垫23、27、33与密封件21相重叠的部分上,分别形成与垫23、27、 33以及密封件21相接触的电极保护层40、42、44。
如图2所示,在第一衬底20和第二衬底22之间,可以进一步设置金属 网格型格栅电极36,其中以预定图案设置多个穿过横梁的孔37。在格栅电 极36和第一以及第二衬底20、22的表面之间设置隔件39,用于在衬底之间 保持恒定间距。为了简化,在图1中没有示出格栅电极36和隔件39。
栅极24和阴极26可以形成为条形图案,并且设置成基本上相互垂直。 例如,栅极24沿着图1中的Y轴方向形成为条形图案,阴极26沿着图1 中的X轴方向形成为条形图案。
在栅极24和阴极26之间,在第一衬底20的整个面积上形成绝缘层25。
在栅极24和阴极26相互交叉的各个区域,在阴极26的边沿形成
电子 放射区28。
电子放射区28用作厚度均匀的表面电子源,并且由在大约10到100伏 的低压驱动条件下放射电子井(electron well)的
碳材料制成。
作为形成电子放射区28的碳材料,可以选用从
石墨、钻石类碳(DLC)、 碳毫微管(CNT)、C60(fullerene)等中选出的一种材料,或是从中选出的 两种或多种材料的组合。尤其是,由于碳毫微管端部的
曲率半径可以小到只 有几毫微米而且碳毫微管在大约1至10V/um的低
电场中发射电气井,因此 碳毫微管是理想的电子放射材料。
另一方面,电子发射区28可以由毫微米大小的材料制成,诸如毫微管、 毫微
纤维、毫微线等。
电子发射区28并不限定为上面提到的实施例,而是也可以形成为各种 形状,诸如锥形、楔形、边沿薄膜形等。
在如上所述的本实施例中,栅极24形成在第一衬底20上,阴极26形 成在其间具有绝缘层25的栅极24上。但是,也可以先在第一衬底上形成阴 极,然后在其间具有绝缘层的阴极上形成栅极。按照这种方式,穿过栅极的 孔和绝缘层在阴极和栅极之间形成交叉,电子放射区形成在通过孔暴露出的 阴极表面上。
在阴极26与荧光膜34相互垂直相对并且其间的内部空间被排空的地 方,使用密封件21密封具有上述结构的第一衬底20和第二衬底22,并留有 预定的间隙,由此保持真空。
为了保持第一衬底20和第二衬底22之间的恒定间隙,在第一衬底20 和第二衬底22之间以预定间隔设置隔件39。在一个示范性实施例中,隔件 39用于避开
像素和电子束路径的
位置。
形成在第一衬底20上用于给栅极24和阴极26施加电压的电极垫23、 27,以及形成在第二衬底22上用于给阳极32施加电压的电极垫33可以由 ITO制成。
形成在电极垫23、27、33上的电极保护层40、42、44可以由导电金属 制成。
作为形成电极保护层40、42、44的导电金属,可以使用从以下组中选 出的一种材料:铝(AL)、铬(Cr)、钼(Mo)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、 钯(Pd)、铜(Cu)、镍(Ni)、钨(W)、钼/钨(Mo/W)、钼/锰(Mo/Mn)、 石墨(Pb)、锡(Sn)或从中选出的两种或多种材料的组合。
电极保护层40、42、44可以使用真空沉积法或丝网印刷术形成。
当使用丝网印刷术形成电极保护层40、42、44时,可以使用导电金属 浆。
在一个示例性实施例中,采用直径为几微米(um)或更小的细小颗粒作 为制成浆的导电金属,从而使用丝网印刷术形成电极保护层40、42、44。
如图4所示,在本实施例中,电极保护层40、42、44的宽度D可以充 分大于密封件21的宽度C,从而完全防止电极垫23、27、33与密封件21 相接触。在这里,宽度C和宽度D是沿图1的Y轴方向测量的。
还是如图4所示,电极保护层40、42、44的宽度B可以充分大于电极 垫23、27、33的宽度A,从而完全防止电极垫23、27、33与密封件21相 接触。电极保护层40、42、44可以用于覆盖电极垫23、27、33的上面和两 个侧面。在这里,宽A和宽B是沿图1的X轴方向测量的。
栅极24,电极垫23,电极保护层40如图3、4、5所示。
在制造平板显示装置的方法实施例中,如图1、2和6所示,使用ITO (图6中的P10)首先在第一衬底20和第二衬底22的内表面上形成电极24、 26、32和电极垫23、27、33。然后,在比接触密封件21的部分大的面积内, 在电极垫23、27、33上沉积或印刷导电材料,由此形成电极保护层40、42、 44(图6中的P20)。此后,使用密封件21(图6中的P30)密封第一衬底 20和第二衬底22的四周。
在形成电极保护层40、42、44的步骤P20中,可以使用譬如铝(Al)、 铬(Cr)、钼(Mo)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、 镍(Ni)、钨(W)、钼/钨(Mo/W)、钼/锰(Mo/Mn)、石墨(Pb)、锡(Sn), 或其中的两种或多种材料的组合。
电极保护层40、42、44由一种导电金属材料或是两种或多种导电金属 材料的混合物通过采用真空沉淀法或丝网印刷术形成。当使用丝网印刷术形 成电极保护层40、42、44时,使用导电材料的浆。
使用玻璃料在大约300摄制度或更高的温度下完成密封步骤P30。
在密封步骤P30中,采用大约300摄制度或是更高的高温。虽然电极保 护层40、42、44与用作密封件21的玻璃料直接接触,但是由ITO制成的电 极垫23、27、33并不与用作密封件21的玻璃料直接接触,所以
热分解是很 少量的并且几乎没有阻抗不增加的。
根据本发明平板显示装置以及制造平板装置的方法实施例,即使是在 300摄氏度或是更高的温度下进行排气步骤和使用密封件的密封步骤,由 ITO薄膜制成的电极垫也能被电极保护层保护。因此,电极垫的阻抗和具有 电极垫的电极不会增加,由此防止出现不必要的压降。
结果,由于平板显示装置的亮度以及驱动电压没有降低,因此可以增强 图像质量的均匀性。
虽然采用FEA型场发射装置作为示例,但是本发明的实施例并不限制 为这种类型的装置。另外,本发明的实施例可以应用于不同类型的平板显示 装置,譬如PDP、有机电致发光装置(OLED)、LCD等。
虽然在上述实施例中已经描述了形成在第一衬底和第二衬底上的电极 以及电极的电极垫由ITO制成,在电极垫上形成电极保护层,但是本发明并 不限制为该实施例,而是也可以应用于这样的情况:至少一个电极要形成在 第一衬底或第二衬底上的电极和至少一个电极的电极垫由ITO制成,并且在 电极垫上形成电极保护层。
例如,图7示出其中仅形成在第一衬底60上的栅极62和栅极62的电 极垫64由ITO制成,同时在该电极垫64上形成电极保护层66的情况。
在另一实施例中,图8示出其中只有形成在第二衬底68上的阳极70和 阳极70的电极垫72由ITO制成,并且在电极垫72上形成电极保护层74的 情况。
此外,图9A-9C是示出根据本发明的电极保护层的各种图案的横截面 图,其是从图1的Y轴方向看去的。在附图中,举例示出了形成在第一衬底 上的栅极的电极垫和形成在电极垫上的电极保护层。
图9A示出其中形成在第一衬底80上的栅极电极垫82的宽基本上等于 形成在电极垫82上的电极保护层84的宽。
图9B和9C示出在电极垫88和栅极的电极保护层90基本上形成在第 一衬底86上的条件下,电极保护层90的宽小于电极垫88的宽。
这样,电极保护层90可以形成为
单体(见图9B),或形成为具有间隔 的多个部分(见图9C)。
虽然已经描述了本发明的示例性实施例,但是本发明并不限于所述示例 性实施例,在不脱离本发明
权利要求书、
说明书和附图的范围的前提下,可 以对所述实施例进行多种形式的
变形。因此,本领域技术人员应该认识到, 这些变形落入本发明范围。