一种在密封玻璃基板上制作构件的工艺及由其所制作的等离子体面板
阅读：639发布：2023-01-27
专利汇可以提供一种在密封玻璃基板上制作构件的工艺及由其所制作的等离子体面板专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种构件制作方法，该构件包含第一和第二玻璃 基板 (2，3)，它们由 密封件 (14)一个相对另一个被密封。环 氧 树脂 或聚乙烯丁酸酯(PVB)类材料被用作密封件(14)。在第一和第二基板(2，3)被 定位 后，可使密封件(14)经受200℃到300℃之间的处理 温度 。这一过程可用于制作诸如 等离子体 板等平面显示屏。，下面是一种在密封玻璃基板上制作构件的工艺及由其所制作的等离子体面板专利的具体信息内容。
1.用于在密封玻璃基板上制作构件的工艺，所述构件包含第一 和第二玻璃基板(2，3)，其特征在于在至少一个基板(2，3)上制 得至少一个有机材料的介电层(5，6)，所述基板通过密封件(14) 一个相对于另一个被密封，环氧树脂或聚乙烯丁酸酯的材料用于密 封件(14)，且在第一和第二基板(2，3)被定位后在200℃到300 ℃之间的温度下对其进行处理。
2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于在所述密封步骤期 间，密封件(14)被加给上等于或大于1kg/cm2的压强。
3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于密封件(14)形成 薄层，这个密封件的厚度与被限定为该密封件内外边(14a，14b) 之间的间隔的宽度之间的比是1∶n，其中n为大于或等于20的整 数。
4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于基板(2、3)由碱石 灰玻璃制成。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的工艺，其特征在于还包 含借助第一和第二基板(2，3)之间包含的空间的入口的机构(16)对 到此空间抽真空的步骤，在抽真空后，借助以环氧树脂或聚乙烯丁 酸酯(PVB)为基础的材料密封这个入口的机构。
6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于使用冷沉积工艺在 所述介电层(5，6)上沉积介电材料薄层(51，61)。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的工艺，其特征在于在密 封件(14)和至少一个基板(2，3)之间夹有至少一层有机材料层。
8.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于在至少一个基板(2， 3)上沉积有机材料的介电层(5，6)，通过选择聚苯基喹喔啉(PPQ) 或聚酰亚胺(PI)形成所述层(5，6)。
9.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于在300℃到400℃ 的温度下使介电层(5，6)被稳定。
10.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于使介电层(5，6) 被形成具有3到20微米范围的厚度。
11.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于将着色剂加入到 用于形成介电层(5，6)的材料中。
12.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于将包含玻璃微粒 的填加物加入到用于形成介电层(5，6)的材料中。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的工艺，其特征在于还 包含制作由至少一个基板(3)所带的隆起部件或挡条(7)，所述隆 起元件或挡条由在低于400℃温度下焙烧的材料制成。
14.根据权利要求13所述的工艺，其特征在于所述用于制成隆 起部件(7)或挡条的材料为聚酰亚胺。
15.根据权利要求13所述的工艺，其特征在于把包含玻璃微粒 的填加剂加入到构成隆起部件(7)或挡条的材料中。
16.一种等离子体面板，它包含第一和第二基板(2，3)，它们 被密封件(14)所密封，其特征在于密封件(14)由环氧树脂或聚 乙烯丁酸酯材料制成，至少一个基板支撑至少一个有机材料层(5， 6)。
技术领域
本发明涉及一种在须密封的玻璃基板上制作构件的工艺，诸如 等离子体面板型平面显示屏或场发射显示(公知名为PED)装置。
背景技术
在此类的应用中，通过装配须彼此相对密封的两个玻璃基板制 成构件。基板的尺寸至少等于显示屏的工作面积，且其对角线的尺 寸可大于100cm。他们构成构件的基本组元。由于下面几个原因， 将玻璃选为基板材料。
首先，当基板构成显示屏的可视部分时，可视部分不可避免的 具有适宜的光学特性和机械特性。
其次，在制作上述类型构件过程的各个步骤中，某些情况下， 需将基板暴露在诸如600℃量级温度下。因此，一方面需要保证基 板材料能承受此温度，另一方面在制作过后还要符合其精确的原始 尺寸。
当前，只有无机玻璃能够方便地符合此类要求。
另外，上述在玻璃板上制作构件的过程中，为了形成结构元件 或为了产生叠层需要连续沉积叠层。具体地说需要叠加两层或多层 不同的材料层。在此情况下，各种叠加材料一般不具有相同的热膨 胀系数。伴随于此，当把它们暴露到高温中时，会使被叠加层受到 较高的机械应力。这些应力在两层之间的界面处呈切向作用，会在 层中产生断裂或微裂，这样会降低构件的性能或寿命。
为了更好地理解制作构件过程中产生的这些应力，将参考图1 到图5考虑由两个玻璃基板制成的彩色等离子体面板(PP)的实例。
所示出的PP为具有矩阵结构的AC类型。它的工作是基于在两 个相对介电层之间产生辉光放电，每层都覆盖有氧化镁层，所述各 层覆盖各个玻璃基板上的电极阵列。在申请人的申请No.97/07181 中特别对此种的面板进行了描述。
如图1中所述，每个基板为玻璃片的形式，其具有与屏的显示 尺寸比例相应的面积，再加上包含连接元件和用于密封基板的周边 部分(图2到图5)。这些基板2，3彼此相对放置，且相对的面(内 面)之间具有小的间隔，从而当他们结合在一起时，在其间可含有 放电气体。
用于形成PP的正面(相对于观察者)的第一基板2载有构成行 电极的第一排平行电极Y1-Y3。这些电极被埋入到介电材料的厚层 5中。此层本身覆盖有介电层51，例如氧化镁(MgO)，目的在于不 受到放电气体的影响。
第二基板3载有第二列平行电极X1-X5，同样被埋入到介电材 料的厚层6中，介电材料本身覆盖薄的介电层，目的在于不受放电 气体的影响。这些电极与第一列电极Y1-Y3垂直地放置，构成列电 极。
第二基板3另外还包含一组位于薄层上的直的挡条7，每个挡条 沿二相邻列电极X1-X5间的各中间轴设置。
位于挡条7之间的第二基板3的表面覆盖有直接沉积到薄层上 的磷带8、9、10。每个磷带被包含在两个相邻的挡条7之间。三个 具有不同的发光颜色，如红、绿、兰色的连续相邻的磷带一起构成 各个图形。
磷带8、9、10包含在磷材料中凹陷的区域Ep1-Epn，其与相对 基板2的第一列电极的每个电极Y1-Y3竖直对应。这些区域被称为 “孔穴”，从而在第一和第二电极阵列的交叉点上直接使薄介电层暴 露到放电气中。这样可产生与这些点对应的放电单元。
因此，在所示出的实例中，第一行电极Y1和列电极X1-X5形 成的交叉部分限定一行单元，每个单元由孔穴以物理的方式被形成： 第一单元C1位于第一孔穴Ep1，第二单元C2位于第二孔穴Ep2，依 次类推，直至所示出的第五孔穴Ep5以物理方式形成第五单元C5。 第一、第二和第三孔穴Ep1、Ep2和Ep3分别位于绿色磷带8、红色 磷带9和兰色磷带10中。他们对应三个不同颜色的单色单元，三个 单元之间，可以形成一个单色单元。
挡条7具有两种功能。一方面，他们用于限制向产生辉光放电 的单元放电，特别是通过防止由于离子效应而造成的放电向行电极 Y1-Y3传播。由此他们可防止在单元之间产生交扰。另一方面，挡 条7可构成从一个单元相对相邻的单元向行电极Y1-Y3的辉光辐射 屏，从而避免了由于缺少颜色饱和所显现的交扰现象。
有如实例中所示出的，挡条7还具有隔离基板2、3的功能。在 此情况下，挡条的高度H1确定各板之间的分隔，板2载有挡条顶 部所支承的行电极Y1-Y3。
按照其他的设计，不通过挡条而通过分布在至少一个基板表面 上的隔离元件确定基板2、3之间的分离。这些分隔件也被称为隔离 件，使得可隔离出挡条上的空间，用于各单元周围更好的电离分布。
下面将参考图2到图5描述两个基板的几何形状和密封进行。
图2为把手当PP处于组装阶段时被叠加在第二基板3上的第一 基板2的简化平面示意图。
基板3和2的列电极X1、X2、X3等和行电极Y1、Y2、Y3等 轻微延伸出各个基板3和2的边缘，从而形成与电驱动电路(未示 出)的输出端连接区域Xa1、Xa2和Ya1、Ya2。电子驱动电路将所 各种电压(100到150伏量级)输送到电极，所述电压是为在行电 极和列电极间的交叉点处选择地激发、维持或终止辉光放电所需要 的。
第一基板2包含两个区域Ya1、Ya2，用于将电极Y1、Y2、Y3 等连接到与这些电极方向垂直的相对的各边。每个连接区域Ya1或 Ya2包含两个可供选择的延伸中一列电极的延伸，其中包括另一连 接区域Ya2或Ya1的延伸。
类似地，第二基板3包含两个区域Xa1、Xa2，用于将电极X1、 X2、X3等连接到与这些电极方向垂直的相对各边。这个基板的每 个连接区Xa1或Xa2包含两个可供选择的延伸中一行电极的延伸， 其中包括另一连接区域Xa2或Xa1的延伸。
为了便于连接，第一和第二基板2、3的各个纵横尺寸比率稍微 的不同，从而对每一个基板而言，存在一定的未被另一基板覆盖的 空余(分别为2a和3a)。对于一个给定的基板而言，这些空余2a、 3a位于两个相对的边缘处，该基板的电极就从该边缘延伸。
第一和第二基板2、3由围绕基板重叠区四周的玻璃压条14密 封(图3)。在所示的实例中，玻璃压条14位于第一基板2上。关 于该基板的密封周边位于沿与该基板2的行电极Y1、Y2、Y3平行 的两个边缘的位置，并在位于沿另外两个相对边缘的空余2a内侧。
应予说明的是，为了更清楚的表示出所述空余2a和3a的宽度， 采用夸张方式表示，实际上，所述空余只具有几毫米的宽度，而基 板的一边可量出几十个毫米。
图4是表示有关两个基板2、3插入密封件14的端视图。密封 的厚度对应于两个基板之间的间隔，这是由挡条的高度确定的。在 此图中，为了清楚，夸大了两个基板间的间隔，实际上对于几毫米 宽度而言，密封的厚度一般有大约100微米。
为了对密封件14周边内的两个基板之间所包含的放电空间抽真 空，其中一个基板(基板3，用于形成PP的背面)包括一个导管16。 导管16形成进入放电空间的机构。因此，它位于密封件14的周边 内侧但在电极阵列外侧的基板上一点。该导管由穿入基板中的孔构 成。其外部开口延伸出构成小突起的部分玻璃管。在抽真空并充以 低压放电气体后，通过融化开口而对突起进行密封。
图5以更精确的标尺示出与第二基板3接触的密封件14的轮廓。
由前面的描述可以理解，在制作和组装结束时，一方面在基板 上的叠加元件之间(电极、挡条、开孔、磷)，另一方面在被密封在 一起的第一和第二基板之间，PP的正确工作需要非常高的校准精 度。
此种对校准精度的高要求大大的使显示装置的结构复杂化，且 其限制更多。通过实例的方式，所述类型的PP，其具有一个显示屏， 该屏具有与107cm对角线对应的电视纵横尺寸比，并具有560线的 水平分辨率，装置PP需要的上述元件的校准精度为30ppm(百万分 之几)量级，即0.003％。
在玻璃基板上制作各种的叠加元件及对基板的密封包括必须在 高温下实行的焙烧步骤。但在这样的温度下，玻璃基板可能会产生 变形而降低精度。
通常，在沉积厚介电层5、6过程中，对基板2、3进行第一次 焙烧操作。这些厚介电层5、6埋有电极X1-X5或Y1-Y3，它们已 借助金属化步骤事先被沉积到各个基板上。通常，用于这些厚层的 介电材料为诸如铅硼硅酸盐的无机物。在沉积到基板上期间，为了 能进行液相沉积，呈悬浮的黏结玻璃熔料的形式。可按多种工艺实 现这种沉积，如屏蔽印刷、自旋沉积或旋转铸造等技术。
一旦已经沉积了这种介电层，对基板2、3进行焙烧步骤目的在 于燃烧掉黏结物并融化玻璃熔料。因此焙烧温度必须至少等于介电 物的熔点，在铅硼硅酸盐的情况下，为580℃。
在可能有特定隔离物的情况下，为了稳固挡条11，其中至少一 个基板进行第二次焙烧步骤。
通过先期连续的液相沉积在薄介电层上形成挡条。此先期形成 物包含光敏树脂和无机填充物，如无机玻璃，这一填充物是形成挡 条的材料。通常，需要在500℃温度下对此材料进行高温煅烧。然 后通过诸如喷镀、汽化或自旋沉积等各种工艺沉积该层。
通过先期对每个累加层连续地光刻工艺形成挡条图形，直到获 得所需的挡条高度。
一旦完成这些操作，在480℃到550℃范围内对这些连续的层焙 烧。焙烧步骤的目的在于消除光敏黏结物的痕迹，并融化形成挡条 的被煅烧粒子。
在挡条之间已经沉积磷带之后，需要对基板3的挡条进行第三 次焙烧。利用特定的磷光物质可获得三种发光颜色中的每一个，它 们以层的形式单独沉积到其他层上。通过光刻技术形成每个磷化层 的带状图形。焙烧的目的是燃烧掉光敏黏结物，并稳固磷化层。通 常在400℃到510℃之间实行。
在密封这些基板之间的气体放电间隙过程中，进行对两个基板 2、3的第四次焙烧步骤。
现有技术中是借助沉积到至少一个基板3周围的玻璃糊压条实 现密封，如前面参考图3到图5所述。通常，铅硼硅酸盐玻璃被用 做此种的糊状物。根据所使用的工艺，这种玻璃可为玻璃化或反玻 璃化形式。这种玻璃糊通常是借助灌注器沉积的。当把两个基板结 合在一起时，为了养护玻璃糊，需要对组件进行焙烧步骤，以便将 基板固定成它的确定结构。
在密封玻璃的熔点进行此密封步骤，这在420℃到450℃之间。
一旦基板2、3被密封，为消除放电空间中限定的空气，通过导 管16对其进行抽真空操作。接着，将低压(500到800mbar)混合 气体引入到此空间中，使其具备等离子体放电条件。然后通过融化 封闭导管16的玻璃突头而使其密封。
简言之，在大部分当前用于制作等离子体面板的工艺中，发现 有下面的焙烧步骤：
1.在接近580℃的温度下对介电层焙烧；
2.在480℃到550℃的温度下对挡条(具有任意的间隔)焙烧；
3.在400℃到510℃的温度下对磷化物焙烧；
4.为了密封PP，在接近450℃的温度下对玻璃糊压条焙烧。
每次的高温焙烧都会引起各基板变形，使各制作步骤中的精度 损失造成累积。因此，只对其中一个步骤降低焙烧温度也是可取的。
通常所用的玻璃基板均由碱石灰玻璃构成，其玻璃转化温度Tg 约为520℃。如果未使这类玻璃被预先稳固，在大约600℃的温度下 对其进行焙烧的过程中，其压实度大大增大400到600ppm的量。
在这种玻璃被用做基板之前，通过在大约580℃下对其进行最初 的焙烧，可使其稳定到某个点。然而，尽管经过这种最初的稳固化 过程，在480℃和更高温度下焙烧步骤期间，这种玻璃还是易于变 形。
近来，具有与碱石灰玻璃不同成分的玻璃已成为适用的，这种 玻璃能够在各焙烧步骤之后更好地保持最初的容许程度。这些玻璃 具有更高的玻璃转化温度Tg，范围在580℃到620℃之间。他们同 样需要被事先焙烧，以对其进行稳固，但这之后它们满足尺寸稳定 性的容许程度更好。因此它们尺寸或多或少保持恒定。剩余偏差小 于10到30ppm。然而，由于这种玻璃的成本很高，通常不采用它作 为用于诸如平面显示屏的原料。
首先，当基板构成显示屏的可视部分时，可视部分不可避免的 具有适宜的光学特性和机械特性。
其次，在制作上述类型构件过程的各个步骤中，某些情况下， 需将基板暴露在诸如600℃量级温度下。因此，一方面需要保证基 板材料能承受此温度，另一方面在制作过后还要符合其精确的原始 尺寸。
当前，只有无机玻璃能够方便地符合此类要求。
另外，上述在玻璃板上制作构件的过程中，为了形成结构元件 或为了产生叠层需要连续沉积叠层。具体地说需要叠加两层或多层 不同的材料层。在此情况下，各种叠加材料一般不具有相同的热膨 胀系数。伴随于此，当把它们暴露到高温中时，会使被叠加层受到 较高的机械应力。这些应力在两层之间的界面处呈切向作用，会在 层中产生断裂或微裂，这样会降低构件的性能或寿命。
为了更好地理解制作构件过程中产生的这些应力，将参考图1 到图5考虑由两个玻璃基板制成的彩色等离子体面板(PP)的实例。
所示出的PP为具有矩阵结构的AC类型。它的工作是基于在两 个相对介电层之间产生辉光放电，每层都覆盖有氧化镁层，所述各 层覆盖各个玻璃基板上的电极阵列。在申请人的申请No.97/07181 中特别对此种的面板进行了描述。
如图1中所述，每个基板为玻璃片的形式，其具有与屏的显示 尺寸比例相应的面积，再加上包含连接元件和用于密封基板的周边 部分(图2到图5)。这些基板2，3彼此相对放置，且相对的面(内 面)之间具有小的间隔，从而当他们结合在一起时，在其间可含有 放电气体。
用于形成PP的正面(相对于观察者)的第一基板2载有构成行 电极的第一排平行电极Y1-Y3。这些电极被埋入到介电材料的厚层 5中。此层本身覆盖有介电层51，例如氧化镁(MgO)，目的在于不 受到放电气体的影响。
第二基板3载有第二列平行电极X1-X5，同样被埋入到介电材 料的厚层6中，介电材料本身覆盖薄的介电层，目的在于不受放电 气体的影响。这些电极与第一列电极Y1-Y3垂直地放置，构成列电 极。
第二基板3另外还包含一组位于薄层上的直的挡条7，每个挡条 沿二相邻列电极X1-X5间的各中间轴设置。
位于挡条7之间的第二基板3的表面覆盖有直接沉积到薄层上 的磷带8、9、10。每个磷带被包含在两个相邻的挡条7之间。三个 具有不同的发光颜色，如红、绿、兰色的连续相邻的磷带一起构成 各个图形。
磷带8、9、10包含在磷材料中凹陷的区域Ep1-Epn，其与相对 基板2的第一列电极的每个电极Y1-Y3竖直对应。这些区域被称为 “孔穴”，从而在第一和第二电极阵列的交叉点上直接使薄介电层暴 露到放电气中。这样可产生与这些点对应的放电单元。
因此，在所示出的实例中，第一行电极Y1和列电极X1-X5形 成的交叉部分限定一行单元，每个单元由孔穴以物理的方式被形成： 第一单元C1位于第一孔穴Ep1，第二单元C2位于第二孔穴Ep2，依 次类推，直至所示出的第五孔穴Ep5以物理方式形成第五单元C5。 第一、第二和第三孔穴Ep1、Ep2和Ep3分别位于绿色磷带8、红色 磷带9和兰色磷带10中。他们对应三个不同颜色的单色单元，三个 单元之间，可以形成一个单色单元。
挡条7具有两种功能。一方面，他们用于限制向产生辉光放电 的单元放电，特别是通过防止由于离子效应而造成的放电向行电极 Y1-Y3传播。由此他们可防止在单元之间产生交扰。另一方面，挡 条7可构成从一个单元相对相邻的单元向行电极Y1-Y3的辉光辐射 屏，从而避免了由于缺少颜色饱和所显现的交扰现象。
有如实例中所示出的，挡条7还具有隔离基板2、3的功能。在 此情况下，挡条的高度H1确定各板之间的分隔，板2载有挡条顶 部所支承的行电极Y1-Y3。
按照其他的设计，不通过挡条而通过分布在至少一个基板表面 上的隔离元件确定基板2、3之间的分离。这些分隔件也被称为隔离 件，使得可隔离出挡条上的空间，用于各单元周围更好的电离分布。
下面将参考图2到图5描述两个基板的几何形状和密封进行。
图2为把手当PP处于组装阶段时被叠加在第二基板3上的第一 基板2的简化平面示意图。
基板3和2的列电极X1、X2、X3等和行电极Y1、Y2、Y3等 轻微延伸出各个基板3和2的边缘，从而形成与电驱动电路(未示 出)的输出端连接区域Xa1、Xa2和Ya1、Ya2。电子驱动电路将所 各种电压(100到150伏量级)输送到电极，所述电压是为在行电 极和列电极间的交叉点处选择地激发、维持或终止辉光放电所需要 的。
第一基板2包含两个区域Ya1、Ya2，用于将电极Y1、Y2、Y3 等连接到与这些电极方向垂直的相对的各边。每个连接区域Ya1或 Ya2包含两个可供选择的延伸中一列电极的延伸，其中包括另一连 接区域Ya2或Ya1的延伸。
类似地，第二基板3包含两个区域Xa1、Xa2，用于将电极X1、 X2、X3等连接到与这些电极方向垂直的相对各边。这个基板的每 个连接区Xa1或Xa2包含两个可供选择的延伸中一行电极的延伸， 其中包括另一连接区域Xa2或Xa1的延伸。
为了便于连接，第一和第二基板2、3的各个纵横尺寸比率稍微 的不同，从而对每一个基板而言，存在一定的未被另一基板覆盖的 空余(分别为2a和3a)。对于一个给定的基板而言，这些空余2a、 3a位于两个相对的边缘处，该基板的电极就从该边缘延伸。
第一和第二基板2、3由围绕基板重叠区四周的玻璃压条14密 封(图3)。在所示的实例中，玻璃压条14位于第一基板2上。关 于该基板的密封周边位于沿与该基板2的行电极Y1、Y2、Y3平行 的两个边缘的位置，并在位于沿另外两个相对边缘的空余2a内侧。
应予说明的是，为了更清楚的表示出所述空余2a和3a的宽度， 采用夸张方式表示，实际上，所述空余只具有几毫米的宽度，而基 板的一边可量出几十个毫米。
图4是表示有关两个基板2、3插入密封件14的端视图。密封 的厚度对应于两个基板之间的间隔，这是由挡条的高度确定的。在 此图中，为了清楚，夸大了两个基板间的间隔，实际上对于几毫米 宽度而言，密封的厚度一般有大约100微米。
为了对密封件14周边内的两个基板之间所包含的放电空间抽真 空，其中一个基板(基板3，用于形成PP的背面)包括一个导管16。 导管16形成进入放电空间的机构。因此，它位于密封件14的周边 内侧但在电极阵列外侧的基板上一点。该导管由穿入基板中的孔构 成。其外部开口延伸出构成小突起的部分玻璃管。在抽真空并充以 低压放电气体后，通过融化开口而对突起进行密封。
图5以更精确的标尺示出与第二基板3接触的密封件14的轮廓。
由前面的描述可以理解，在制作和组装结束时，一方面在基板 上的叠加元件之间(电极、挡条、开孔、磷)，另一方面在被密封在 一起的第一和第二基板之间，PP的正确工作需要非常高的校准精 度。
此种对校准精度的高要求大大的使显示装置的结构复杂化，且 其限制更多。通过实例的方式，所述类型的PP，其具有一个显示屏， 该屏具有与107cm对角线对应的电视纵横尺寸比，并具有560线的 水平分辨率，装置PP需要的上述元件的校准精度为30ppm(百万分 之几)量级，即0.003％。
在玻璃基板上制作各种的叠加元件及对基板的密封包括必须在 高温下实行的焙烧步骤。但在这样的温度下，玻璃基板可能会产生 变形而降低精度。
通常，在沉积厚介电层5、6过程中，对基板2、3进行第一次 焙烧操作。这些厚介电层5、6埋有电极X1-X5或Y1-Y3，它们已 借助金属化步骤事先被沉积到各个基板上。通常，用于这些厚层的 介电材料为诸如铅硼硅酸盐的无机物。在沉积到基板上期间，为了 能进行液相沉积，呈悬浮的黏结玻璃熔料的形式。可按多种工艺实 现这种沉积，如屏蔽印刷、自旋沉积或旋转铸造等技术。
一旦已经沉积了这种介电层，对基板2、3进行焙烧步骤目的在 于燃烧掉黏结物并融化玻璃熔料。因此焙烧温度必须至少等于介电 物的熔点，在铅硼硅酸盐的情况下，为580℃。
在可能有特定隔离物的情况下，为了稳固挡条11，其中至少一 个基板进行第二次焙烧步骤。
通过先期连续的液相沉积在薄介电层上形成挡条。此先期形成 物包含光敏树脂和无机填充物，如无机玻璃，这一填充物是形成挡 条的材料。通常，需要在500℃温度下对此材料进行高温煅烧。然 后通过诸如喷镀、汽化或自旋沉积等各种工艺沉积该层。
通过先期对每个累加层连续地光刻工艺形成挡条图形，直到获 得所需的挡条高度。
一旦完成这些操作，在480℃到550℃范围内对这些连续的层焙 烧。焙烧步骤的目的在于消除光敏黏结物的痕迹，并融化形成挡条 的被煅烧粒子。
在挡条之间已经沉积磷带之后，需要对基板3的挡条进行第三 次焙烧。利用特定的磷光物质可获得三种发光颜色中的每一个，它 们以层的形式单独沉积到其他层上。通过光刻技术形成每个磷化层 的带状图形。焙烧的目的是燃烧掉光敏黏结物，并稳固磷化层。通 常在400℃到510℃之间实行。
在密封这些基板之间的气体放电间隙过程中，进行对两个基板 2、3的第四次焙烧步骤。
现有技术中是借助沉积到至少一个基板3周围的玻璃糊压条实 现密封，如前面参考图3到图5所述。通常，铅硼硅酸盐玻璃被用 做此种的糊状物。根据所使用的工艺，这种玻璃可为玻璃化或反玻 璃化形式。这种玻璃糊通常是借助灌注器沉积的。当把两个基板结 合在一起时，为了养护玻璃糊，需要对组件进行焙烧步骤，以便将 基板固定成它的确定结构。
在密封玻璃的熔点进行此密封步骤，这在420℃到450℃之间。
一旦基板2、3被密封，为消除放电空间中限定的空气，通过导 管16对其进行抽真空操作。接着，将低压(500到800mbar)混合 气体引入到此空间中，使其具备等离子体放电条件。然后通过融化 封闭导管16的玻璃突头而使其密封。
简言之，在大部分当前用于制作等离子体面板的工艺中，发现 有下面的焙烧步骤：
1.在接近580℃的温度下对介电层焙烧；
2.在480℃到550℃的温度下对挡条(具有任意的间隔)焙烧；
3.在400℃到510℃的温度下对磷化物焙烧；
4.为了密封PP，在接近450℃的温度下对玻璃糊压条焙烧。
每次的高温焙烧都会引起各基板变形，使各制作步骤中的精度 损失造成累积。因此，只对其中一个步骤降低焙烧温度也是可取的。
通常所用的玻璃基板均由碱石灰玻璃构成，其玻璃转化温度Tg 约为520℃。如果未使这类玻璃被预先稳固，在大约600℃的温度下 对其进行焙烧的过程中，其压实度大大增大400到600ppm的量。
在这种玻璃被用做基板之前，通过在大约580℃下对其进行最初 的焙烧，可使其稳定到某个点。然而，尽管经过这种最初的稳固化 过程，在480℃和更高温度下焙烧步骤期间，这种玻璃还是易于变 形。
近来，具有与碱石灰玻璃不同成分的玻璃已成为适用的，这种 玻璃能够在各焙烧步骤之后更好地保持最初的容许程度。这些玻璃 具有更高的玻璃转化温度Tg，范围在580℃到620℃之间。他们同 样需要被事先焙烧，以对其进行稳固，但这之后它们满足尺寸稳定 性的容许程度更好。因此它们尺寸或多或少保持恒定。剩余偏差小 于10到30ppm。然而，由于这种玻璃的成本很高，通常不采用它作 为用于诸如平面显示屏的原料。
发明内容
针对这些问题，本发明的目的在于防止玻璃基板上形成的结构 元件或构件的各层中，特别是在比如AC等离子体面板情况下在厚 介电层上形成的氧化镁薄介电层中形成断裂或微裂。
为此，本发明提出一种制作如平面屏等构件的工艺，这类屏包 含第一和第二基板，通过密封将一个基板关于另一基板密封，所述 工艺使得能够在比现有技术所用温度低的温度下密封所述基板。
根据本发明，通过在将第一和第二基板已经进行定位后，采用 环氧树脂或聚乙烯丁酸酯(PVB)密封材料，在200℃到300℃之间 进行密封得到在该密封温度下的这种制品。
换句话说，本发明使得能够相对于采用玻璃制成密封条实行普 通密封工艺降低150℃到200℃的温度，于是需要在450℃量级的温 度下进行融化。
已经证明这种温度降低对分层沉积元件，特别是在等离子体面 板情况下对于形成放电表面的无机介电材料(例如氧化镁)薄层的 断裂或微裂具有重要的影响。
这是因为，由于玻璃、厚介电层和氧化镁之间热膨胀系数之间 不同，当温度达到约400℃的时候，薄的氧化镁层中可能产生断裂。 因此，借助本发明，低温密封使得能够远离这一极限。
另外，根据本发明，在密封步骤的养护温度下，传统的碱石灰 玻璃保持或多或少的稳定。这种养护也是一个非常重要的步骤，因 为这种养护会影响第一和第二基板的相对位置。
于是，本发明的工艺在改善构件的几何精度方面起重要的作用， 而不必相应地舍弃使用碱石灰玻璃作为基板的材料。
最好使用聚乙烯丁酸酯(PVB)类材料，因为这种材料在上述 处理温度下漏气很少。
看来作为首要的分析，本发明使用环氧树脂或PVB用于密封材 料可获得更为惊人的效果，这是因为由于这些材料通常可透过水蒸 气。水蒸气透过密封的扩散必然会污染被密封的空间，例如在等离 子体面板的情况下包含放电气体的空间，从而会损害构件的工作。
然而，本申请人意外的发现，这种材料的固有渗透性不会降低 玻璃基板的密封质量。
可取的是，密封相对于其宽度很薄，此宽度被限定为其内外边 缘之间的间隔。采用此结构，密封的露出部分与从密封的一个边缘 到另一边缘的距离的比值较小，这有助于防渗透。此比值为1∶n的 量级，其中n为20或更大，最好大于30，或甚至大于40。
最好在密封步骤期间对密封施加压力。此压力可等于或大于 1kg/cm2，或甚至大于2kg/cm2。
当构件的制作需要通过入口装置对第一和第二基板之间的空间 进行抽空时，比如通过设置在其中一个基板上的导管，也可用比如 环氧树脂或聚乙烯丁酸酯等有机材料对该装置进行密封。
应予说明的是，根据本发明的使用由有机材料构成的密封同样 可使用有机材料形成各结构层或构件的各元件。就像养护密封的步 骤那样，通过只需在较低温度下的热处理技术制作这些结构层或元 件。
因此，至少可将一层有机材料插入到密封和至少一个基板之间。 密封可直接或间接地抵压在至少一个有机材料层上，如覆盖等离子 体面板的基板的介电层。
另外根据本发明的一个最佳实施例，当至少一个基板需要一个 要被沉积的介电层时，通过沉积步骤，将此介电层制成一个薄层， 有机材料所需的稳固温度低于基板的变形温度。
在符合此要求的介电材料中，可以举出聚苯基喹喔啉(PPQ) 或聚酰亚胺(PI)。这些材料在300℃到400℃期间可稳定超过20到 60分钟的时间。结果，在这一稳固介电层的步骤期间，基板的原始 尺寸不会变化。这些介电层的厚度可为3到20微米，最好的厚度为 5到15微米。
如此形成的介电层具有透明的天然外表。根据用途可将着色剂 加入到介电材料中。作为一个实例，可获得表面为白色的介电层(或 几个介电层)，特别是在等离子体面板的情况下，可增大发光效率。 通过向介电层中加入钛的氧化物可获得这种白色外表。
另外，为了保持介电层透明，可向上述介电材料中加入包含玻 璃微粒在内的填充物。特别是在暴露光敏材料的操作的情况下，这 种情况特别有用。
可取的是，采用比如喷涂或喷枪沉积等冷加工工艺，可在这种 介电层上沉积比如氧化镁等薄层介电材料。
当构件的制作还包含在至少一个基板处所带的隆起部件或元件 的制品时，如等离子体面板情况下的挡条，本发明的最佳的实施方 式按无需在400℃以上焙烧的工艺制作这些元件。
为此，诸如聚酰亚胺等有机材料可被用做这些元件。这些材料 是光敏的。
可将这些有机化合物填充至少一种无机填加物，以便调整颜色 和/或它的蠕变强度。在这些元件受到大的应力情况下，例如在PP 的挡条在抽空期间受到高压时，如此获得的强度的增大是很有益的。
在介电层的情况下，包含玻璃微粒的填充物可被加入到隆起元 件的合成材料中，以便在露出光敏材料的操作期间可保持所述层优 良的透明性。
本发明还涉及一种显示装置，例如等离子体面板或场发射显示 装置，它包含第一和第二基板，通过密封物使它们一个相对于另一 个被密封，其特征在于密封是由环氧树脂或聚乙烯丁酸酯的材料制 成的。
附图说明
通过下面结合相应的附图对本发明的实施例的描述，会对本发 明的其它优点和特征有更清楚的了解，这些实施例完全是按非限定 举例的方式给出的，其中：
图1已经描述的是公知的具有矩阵结构的AC型彩色等离子体 面板的总体视图；
图2是表示图1等离子体面板的两个基板相对位置关系的简化 平面视图；
图3是图2中示出的一个基板的简化平面视图，表示密封的位 置；
图4为在图2中所示出的两个基板的端视图；
图5为图4的围绕密封部分的放大视图。
为此，本发明提出一种制作如平面屏等构件的工艺，这类屏包 含第一和第二基板，通过密封将一个基板关于另一基板密封，所述 工艺使得能够在比现有技术所用温度低的温度下密封所述基板。
根据本发明，通过在将第一和第二基板已经进行定位后，采用 环氧树脂或聚乙烯丁酸酯(PVB)密封材料，在200℃到300℃之间 进行密封得到在该密封温度下的这种制品。
换句话说，本发明使得能够相对于采用玻璃制成密封条实行普 通密封工艺降低150℃到200℃的温度，于是需要在450℃量级的温 度下进行融化。
已经证明这种温度降低对分层沉积元件，特别是在等离子体面 板情况下对于形成放电表面的无机介电材料(例如氧化镁)薄层的 断裂或微裂具有重要的影响。
这是因为，由于玻璃、厚介电层和氧化镁之间热膨胀系数之间 不同，当温度达到约400℃的时候，薄的氧化镁层中可能产生断裂。 因此，借助本发明，低温密封使得能够远离这一极限。
另外，根据本发明，在密封步骤的养护温度下，传统的碱石灰 玻璃保持或多或少的稳定。这种养护也是一个非常重要的步骤，因 为这种养护会影响第一和第二基板的相对位置。
于是，本发明的工艺在改善构件的几何精度方面起重要的作用， 而不必相应地舍弃使用碱石灰玻璃作为基板的材料。
最好使用聚乙烯丁酸酯(PVB)类材料，因为这种材料在上述 处理温度下漏气很少。
看来作为首要的分析，本发明使用环氧树脂或PVB用于密封材 料可获得更为惊人的效果，这是因为由于这些材料通常可透过水蒸 气。水蒸气透过密封的扩散必然会污染被密封的空间，例如在等离 子体面板的情况下包含放电气体的空间，从而会损害构件的工作。
然而，本申请人意外的发现，这种材料的固有渗透性不会降低 玻璃基板的密封质量。
可取的是，密封相对于其宽度很薄，此宽度被限定为其内外边 缘之间的间隔。采用此结构，密封的露出部分与从密封的一个边缘 到另一边缘的距离的比值较小，这有助于防渗透。此比值为1∶n的 量级，其中n为20或更大，最好大于30，或甚至大于40。
最好在密封步骤期间对密封施加压力。此压力可等于或大于 1kg/cm2，或甚至大于2kg/cm2。
当构件的制作需要通过入口装置对第一和第二基板之间的空间 进行抽空时，比如通过设置在其中一个基板上的导管，也可用比如 环氧树脂或聚乙烯丁酸酯等有机材料对该装置进行密封。
应予说明的是，根据本发明的使用由有机材料构成的密封同样 可使用有机材料形成各结构层或构件的各元件。就像养护密封的步 骤那样，通过只需在较低温度下的热处理技术制作这些结构层或元 件。
因此，至少可将一层有机材料插入到密封和至少一个基板之间。 密封可直接或间接地抵压在至少一个有机材料层上，如覆盖等离子 体面板的基板的介电层。
另外根据本发明的一个最佳实施例，当至少一个基板需要一个 要被沉积的介电层时，通过沉积步骤，将此介电层制成一个薄层， 有机材料所需的稳固温度低于基板的变形温度。
在符合此要求的介电材料中，可以举出聚苯基喹喔啉(PPQ) 或聚酰亚胺(PI)。这些材料在300℃到400℃期间可稳定超过20到 60分钟的时间。结果，在这一稳固介电层的步骤期间，基板的原始 尺寸不会变化。这些介电层的厚度可为3到20微米，最好的厚度为 5到15微米。
如此形成的介电层具有透明的天然外表。根据用途可将着色剂 加入到介电材料中。作为一个实例，可获得表面为白色的介电层(或 几个介电层)，特别是在等离子体面板的情况下，可增大发光效率。 通过向介电层中加入钛的氧化物可获得这种白色外表。
另外，为了保持介电层透明，可向上述介电材料中加入包含玻 璃微粒在内的填充物。特别是在暴露光敏材料的操作的情况下，这 种情况特别有用。
可取的是，采用比如喷涂或喷枪沉积等冷加工工艺，可在这种 介电层上沉积比如氧化镁等薄层介电材料。
当构件的制作还包含在至少一个基板处所带的隆起部件或元件 的制品时，如等离子体面板情况下的挡条，本发明的最佳的实施方 式按无需在400℃以上焙烧的工艺制作这些元件。
为此，诸如聚酰亚胺等有机材料可被用做这些元件。这些材料 是光敏的。
可将这些有机化合物填充至少一种无机填加物，以便调整颜色 和/或它的蠕变强度。在这些元件受到大的应力情况下，例如在PP 的挡条在抽空期间受到高压时，如此获得的强度的增大是很有益的。
在介电层的情况下，包含玻璃微粒的填充物可被加入到隆起元 件的合成材料中，以便在露出光敏材料的操作期间可保持所述层优 良的透明性。
本发明还涉及一种显示装置，例如等离子体面板或场发射显示 装置，它包含第一和第二基板，通过密封物使它们一个相对于另一 个被密封，其特征在于密封是由环氧树脂或聚乙烯丁酸酯的材料制 成的。
附图说明
通过下面结合相应的附图对本发明的实施例的描述，会对本发 明的其它优点和特征有更清楚的了解，这些实施例完全是按非限定 举例的方式给出的，其中：
图1已经描述的是公知的具有矩阵结构的AC型彩色等离子体 面板的总体视图；
图2是表示图1等离子体面板的两个基板相对位置关系的简化 平面视图；
图3是图2中示出的一个基板的简化平面视图，表示密封的位 置；
图4为在图2中所示出的两个基板的端视图；
图5为图4的围绕密封部分的放大视图。
具体实施方式
参照图1到5的描述，给出本发明工艺的实例落在AC型彩色 等离子体面板(PP)的范围内。这种描述被认为包含下面的各实例， 为了简化起见而不再重复；而只对具体的差别进行描述。
该工艺以准备基板2、3开始。这些基板为光学质量或接近该质 量水平的片状碱石灰玻璃。在PP制品具有104cm对角线长度的相 应纵横尺寸比的情况下，这种玻璃片的厚度为3mm量级。
在所讨论的实例中，制作PP的操作都不需要在400-440℃以上 进行焙烧的步骤。因此，不会使玻璃基板2、3承受应力而造成远离 其原始尺寸的变形。另外，在此实例中的基板并不进行目的在于对 其进行稳定的热处理，虽然这种处理同样在本发明的范围之内。
首先将电极阵列X1、X2、X3等和Y1、Y2、Y3等沉积到各个 基板3和2中的一个表面上。在此操作期间，还得到电极的突出端， 以保证与电子驱动电路的相连(图2和图3)。
使用传统的沉积方法沉积这些电极。例如，可使用光刻沉积。 电极具有包含两种不同金属有叠层结构，，例如，铬-铜-铬序列。这 种序列的每一层都被分开冷沉积。然而，当情况可能时，可通过焙 烧步骤沉积单独一层铝或银制成电极。
在沉积了金属化层以后，对基板进行焙烧，目的在于稳定玻璃 表面上的电极。通常在较低温度下实行这种焙烧步骤，并不损害基 板的原始几何精度。
接着，进行在各个基板2、3上沉积介电层5、6的步骤。这些 层覆盖基板的整个工作表面，并被埋入电极阵列。
为了通过在较低温度下的养护步骤稳定这些层，由作为薄层沉 积的有机材料制作它们。层的厚度特别与相对介电常数εr有关。厚 度通常在2到20微米范围内，多数情况下，对于2到4之间的相对 介电常数εr而言，在5到12微米之间。
这种材料可为聚苯基喹喔啉(PPQ)或聚酰亚胺(PI)族的材料。 然而，为此目的而采用任何可沉积作为薄层的有机材料也是可能的。
本例中的有机材料层为具有下面特性的聚酰亚胺：
-透过可见光
-厚度在5到12微米之间，给定的相对介电常数εr在2到4之 间
-对于厚度5微米的层电压强度大于400伏
-与基板玻璃的膨胀系数兼容
采用公知工艺：丝网印刷、浸入涂覆(dip coating)或辊式涂覆 (roller coating)，以液相沉积有机材料。液相包含在适宜溶剂中的 有机材料的填加剂。为了能够通过照相制版进行处理，进而可包含 光敏剂。
对如此获得的薄层首先在100℃的温度下进行干燥，例如通过热 风刀(hot-air knife)。
接着，在300℃到400℃之间的稳定步骤中对基板上的层进行养 护。这一稳定步骤的时间大约为20到60分钟。
根据需要，通过向先期的有机材料中加入着色剂而使介电层呈 现黑或白甚至彩色的外表。因此，向有机材料中加入钛的氧化物而 可获得有助于增大PP的发光效率的白色介电层。
本例中，在两个基板2、3的每一个的各介电层5和6上沉积氧 化镁的薄的表面层51和61(图1)。通过冷加工工艺，如喷涂或喷 枪沉积工艺沉积厚度为0.5微米量级的这些表面层51和61。氧化镁 具有化学稳定性和二次发射系数，他们适于用作与放电气体界面的 角色，并在等离子体放电期间能够很好地承受弧光。
一旦沉积出介电材料层，然后就得到挡条7。在所讨论的实例中， 这些挡条只存在于第二基板3上。
在先期的光敏有机材料层上通过照相制版技术得到所述挡条。 此类的材料可为聚酰亚胺。
本例中，由装有聚酰亚胺的溶剂制备为所述层所用的液相。或 者是由于聚酰亚胺和/或溶剂的固有特性，或者是由于加入光敏剂， 这种液相是足够光敏的，使得能够采用照相制版技术。能够充分满 足这种功能的聚酰亚胺基光敏有机化合物是商业上适用的。
如果需要，在对面板进行抽真空阶段(这期间的压强可达约106 帕，即10kg/cm2)，为了调整有机材料的颜色或它的蠕变强度，可 给有机材料填加有矿物填加物。为了在暴露光敏材料的操作步骤期 间维持各层的良好透明性，也可加入包含玻璃微粒的填加物。
上述液相被沉积到第二基板3的介电层6上，从而形成厚度为20 微米量级的层。可采用与沉积介电层相同的沉积工艺制得这种层， 例如通过丝网印刷、浸入涂覆等沉积。
然后在大约100℃的温度下使用热风刀干燥这种有机层。
接着，在有机层上覆盖光刻掩膜，此掩膜具有与拟被印刷的挡 条图形对应的细长缝隙图样。将掩膜所暴露的这些部分暴露到紫外 辐射中，以遮掩它们，使之抵抗显影。然后用水对所述层显影，水 中已经加入了碳酸盐，然后使用热风刀对表面进行干燥。
然后可获得与有机材料层的厚度(即大约20微米)对应的高度 的挡条图象的凸纹图样。
为了达到所需的挡条高度，这就是说100微米的量级，所有上 述步骤，从以液相沉积有机材料层直到曝光后的显影，都重复进行 所需的多次，每次重复都增大层的高度或厚度。
根据重复的次数，可调整丝网印刷掩膜的竖直位置或掩膜的深 度，以便考虑到玻璃片上的已存在的沉积层的增长。
在光刻步骤后，在相对于基板变形温度的较低温度下，在养护 步骤中使如此获得的挡条结构得到养护。通常在300℃到400℃下进 行大约20到60分钟的这种养护。
为了有益于有机材料，还可使用光子处理增加挡条结构的稳定 性，例如通过将其暴露到紫外光中。可用此处理代替上述养护或补 充这种养护。
一旦得到挡条，通过光刻沉积磷化物层。在图1中所示的PP中， 这些层形成条带，每个条带占据两个相邻挡条7之间的面积。连续 的带构成三个相邻条带组的重复图样，三个相邻条带中的每一个分 别具有绿、红和蓝的发光颜色。
以包含光敏树脂和磷化物材料精细颗粒的液态形式制备与一种 发光颜色(例如绿色)对应的磷化物。
通过使用与沉积挡条7相同的技术将此液相以层的形式散布在 基板3的整个内表面上。
采用与沉积挡条7同样的工艺，使这种液体以层的形式被扩散 到基板3的整个内表面上。
在所述层被干燥以后，使基板3的内表面上覆盖光刻掩膜，掩 膜只露出从基准点开始的挡条7之间的每个第三条表面条带，而另 外两个条带和挡条的顶部都被遮盖。在露出的条带中，掩膜还掩盖 与磷化物中的缝隙Ep1-Ep2对应的表面部分。通过透过掩膜加给紫外 辐射使被露出的部分被光敏化。
使所述的层显影，以去除所有的未被露出的部分，从而在两个 相邻的挡条之间的每个第三条的位置留下具有相同发光颜色的介电 磷化物带9。
对另两个磷化物层重复这些操作。以液相形式基板3的整个表 面上沉积每个新层，同时包含前面已经被沉积的磷化物带。对于光 敏化步骤，使用相同的掩膜，但使其被放置得偏离前面所用的一个 条带的宽度，从而形成不同颜色的连续条带图样。
在沉积三个磷化物后，在380℃到440℃之间的温度范围内焙烧 它们。最好采用不超过420℃的温度。
接着，进行对第一和第二基板2和3的组装和密封步骤。
该过程从制备密封件14开始。根据本发明，此密封由环氧树脂 或聚乙烯丁酸酯(PVB)材料构成，它们使得能够在200℃到300℃ 占据的较低的温度下进行处理。此类材料是商业上适用的，特别适 合汽车窗户的叠层玻璃板的夹层。
密封件14的形状和位置基本上与上述的参考图3到图5描述的 相同。具体地说，当挡条也作为隔离物时由其高度所确定的密封件 14的厚度为100微米量级。密封件14的宽度(图5中内边14a和 外边14b之间的距离)为几个毫米的量级，例如在特定的情况下为 5mm。因此应予说明的是，这里的密封宽度大约比其厚度大50倍。
可用各种工艺将密封件14沉积到其中一个基板上(或者最好在 两个基板上)。
可以按切割成密封条形状柔性环氧树脂膜或PVB膜，这就是说 按限定拟被密封的气隙的周边形状限定边框的形状(图3)的形式 制备密封件14。在此情况下，或者热加工或者冷加工，在一个基板 上直接在介电表面5或6上沉积所述的膜。膜的厚度可稍微大于两 个基板之间所需的间隔，这是因为由于基板产生的压力会使膜压缩。
也可制备糊状形式的密封(环氧树脂或PVB)材料，采用注射 (或用类似的技术)使其能够直接沉积在其中的一个基板(或两个 基板)上。通过接收这种层的基板和用于加给这种层的喷头之间的 相对位移(比如通过机械臂)可形成密封材料层。然后可使这种相对位 移被编程，以符合基板的周边尺寸(图3到图5)。
在此情况下，还可沉积具有超厚的密封材料，通过加压使这种 层被自动压缩从而保证正确的高度。
接着，使两个基板2、3被叠置，二基板间夹有密封件14。然后 使这种组件经受200℃到300℃之间温度下的处理，目的在于加工密 封材料并将其加到所述基板的接触面上。这一处理过程需要大约30 到60分钟的时间。在此操作期间，对密封所加的压力约为2到 4kg/cm2。
接着，关于密封件14内部的两基板之间包含的空间抽真空。
通过导管16(图3到图5)在180℃到250℃的温度下进行抽真 空。使用各种方法(例如使用吸气剂)加速此过程，使此过程为几 个小时。
已经发现，用于密封的材料，无论其是环氧树脂或PVB，都可 满意的承受此温度下的抽真空操作。
在抽真空和用放电气体填充空间后，密封导管16。利用沉积用 于密封的材料，也即某种环氧树脂或PVB关闭导管16，可以实现 导管16的密封。在此情况下，可将材料注入到导管16中，形成突 起，从而在管中形成插塞，形成突起。在200℃到300℃的温度下通 过使用例如热气刀可对管密封材料进行局部热处理，而使其稳定。
在所给出的实例中，可以指出的是，为了进行各种工艺步骤(沉 积厚介电层、挡条、磷化物，以及密封)，都要所使用的材料保持在 低于400-440℃的稳定温度下。对于低于440℃的温度，在几小时内 碱石灰玻璃的尺寸不发生变化。对于碱石灰玻璃，即使不被稳定， 同样完全可以用于制作AC型彩色等离子体面板或其他的需要类似 承受能力的工艺进行制作。
本发明对所给的举例是按非限限定方式的，既包含所讨论的元 件类型，也边框所选材料和所用各种制作步骤的工艺。应予说明的 是，与基板上的介电层沉积相关和与挡条的制作相关的技术都可用 传统使用的方法进行替换，同样在本发明的范围内，即使他们需要 高于所规定的温度。这是因为，正如在介绍中所描述的，本发明的 目的首先在于在稳定各基板的密封过程中，通过降低处理温度可减 少基板的变形效应。选择用于介电层或挡条的材料，从而降低这些 材料被稳定的温度，同时可附带改善提供给所述基板以本发明在光 学方面的稳定性。
该工艺以准备基板2、3开始。这些基板为光学质量或接近该质 量水平的片状碱石灰玻璃。在PP制品具有104cm对角线长度的相 应纵横尺寸比的情况下，这种玻璃片的厚度为3mm量级。
在所讨论的实例中，制作PP的操作都不需要在400-440℃以上 进行焙烧的步骤。因此，不会使玻璃基板2、3承受应力而造成远离 其原始尺寸的变形。另外，在此实例中的基板并不进行目的在于对 其进行稳定的热处理，虽然这种处理同样在本发明的范围之内。
首先将电极阵列X1、X2、X3等和Y1、Y2、Y3等沉积到各个 基板3和2中的一个表面上。在此操作期间，还得到电极的突出端， 以保证与电子驱动电路的相连(图2和图3)。
使用传统的沉积方法沉积这些电极。例如，可使用光刻沉积。 电极具有包含两种不同金属有叠层结构，，例如，铬-铜-铬序列。这 种序列的每一层都被分开冷沉积。然而，当情况可能时，可通过焙 烧步骤沉积单独一层铝或银制成电极。
在沉积了金属化层以后，对基板进行焙烧，目的在于稳定玻璃 表面上的电极。通常在较低温度下实行这种焙烧步骤，并不损害基 板的原始几何精度。
接着，进行在各个基板2、3上沉积介电层5、6的步骤。这些 层覆盖基板的整个工作表面，并被埋入电极阵列。
为了通过在较低温度下的养护步骤稳定这些层，由作为薄层沉 积的有机材料制作它们。层的厚度特别与相对介电常数εr有关。厚 度通常在2到20微米范围内，多数情况下，对于2到4之间的相对 介电常数εr而言，在5到12微米之间。
这种材料可为聚苯基喹喔啉(PPQ)或聚酰亚胺(PI)族的材料。 然而，为此目的而采用任何可沉积作为薄层的有机材料也是可能的。
本例中的有机材料层为具有下面特性的聚酰亚胺：
-透过可见光
-厚度在5到12微米之间，给定的相对介电常数εr在2到4之 间
-对于厚度5微米的层电压强度大于400伏
-与基板玻璃的膨胀系数兼容
采用公知工艺：丝网印刷、浸入涂覆(dip coating)或辊式涂覆 (roller coating)，以液相沉积有机材料。液相包含在适宜溶剂中的 有机材料的填加剂。为了能够通过照相制版进行处理，进而可包含 光敏剂。
对如此获得的薄层首先在100℃的温度下进行干燥，例如通过热 风刀(hot-air knife)。
接着，在300℃到400℃之间的稳定步骤中对基板上的层进行养 护。这一稳定步骤的时间大约为20到60分钟。
根据需要，通过向先期的有机材料中加入着色剂而使介电层呈 现黑或白甚至彩色的外表。因此，向有机材料中加入钛的氧化物而 可获得有助于增大PP的发光效率的白色介电层。
本例中，在两个基板2、3的每一个的各介电层5和6上沉积氧 化镁的薄的表面层51和61(图1)。通过冷加工工艺，如喷涂或喷 枪沉积工艺沉积厚度为0.5微米量级的这些表面层51和61。氧化镁 具有化学稳定性和二次发射系数，他们适于用作与放电气体界面的 角色，并在等离子体放电期间能够很好地承受弧光。
一旦沉积出介电材料层，然后就得到挡条7。在所讨论的实例中， 这些挡条只存在于第二基板3上。
在先期的光敏有机材料层上通过照相制版技术得到所述挡条。 此类的材料可为聚酰亚胺。
本例中，由装有聚酰亚胺的溶剂制备为所述层所用的液相。或 者是由于聚酰亚胺和/或溶剂的固有特性，或者是由于加入光敏剂， 这种液相是足够光敏的，使得能够采用照相制版技术。能够充分满 足这种功能的聚酰亚胺基光敏有机化合物是商业上适用的。
如果需要，在对面板进行抽真空阶段(这期间的压强可达约106 帕，即10kg/cm2)，为了调整有机材料的颜色或它的蠕变强度，可 给有机材料填加有矿物填加物。为了在暴露光敏材料的操作步骤期 间维持各层的良好透明性，也可加入包含玻璃微粒的填加物。
上述液相被沉积到第二基板3的介电层6上，从而形成厚度为20 微米量级的层。可采用与沉积介电层相同的沉积工艺制得这种层， 例如通过丝网印刷、浸入涂覆等沉积。
然后在大约100℃的温度下使用热风刀干燥这种有机层。
接着，在有机层上覆盖光刻掩膜，此掩膜具有与拟被印刷的挡 条图形对应的细长缝隙图样。将掩膜所暴露的这些部分暴露到紫外 辐射中，以遮掩它们，使之抵抗显影。然后用水对所述层显影，水 中已经加入了碳酸盐，然后使用热风刀对表面进行干燥。
然后可获得与有机材料层的厚度(即大约20微米)对应的高度 的挡条图象的凸纹图样。
为了达到所需的挡条高度，这就是说100微米的量级，所有上 述步骤，从以液相沉积有机材料层直到曝光后的显影，都重复进行 所需的多次，每次重复都增大层的高度或厚度。
根据重复的次数，可调整丝网印刷掩膜的竖直位置或掩膜的深 度，以便考虑到玻璃片上的已存在的沉积层的增长。
在光刻步骤后，在相对于基板变形温度的较低温度下，在养护 步骤中使如此获得的挡条结构得到养护。通常在300℃到400℃下进 行大约20到60分钟的这种养护。
为了有益于有机材料，还可使用光子处理增加挡条结构的稳定 性，例如通过将其暴露到紫外光中。可用此处理代替上述养护或补 充这种养护。
一旦得到挡条，通过光刻沉积磷化物层。在图1中所示的PP中， 这些层形成条带，每个条带占据两个相邻挡条7之间的面积。连续 的带构成三个相邻条带组的重复图样，三个相邻条带中的每一个分 别具有绿、红和蓝的发光颜色。
以包含光敏树脂和磷化物材料精细颗粒的液态形式制备与一种 发光颜色(例如绿色)对应的磷化物。
通过使用与沉积挡条7相同的技术将此液相以层的形式散布在 基板3的整个内表面上。
采用与沉积挡条7同样的工艺，使这种液体以层的形式被扩散 到基板3的整个内表面上。
在所述层被干燥以后，使基板3的内表面上覆盖光刻掩膜，掩 膜只露出从基准点开始的挡条7之间的每个第三条表面条带，而另 外两个条带和挡条的顶部都被遮盖。在露出的条带中，掩膜还掩盖 与磷化物中的缝隙Ep1-Ep2对应的表面部分。通过透过掩膜加给紫外 辐射使被露出的部分被光敏化。
使所述的层显影，以去除所有的未被露出的部分，从而在两个 相邻的挡条之间的每个第三条的位置留下具有相同发光颜色的介电 磷化物带9。
对另两个磷化物层重复这些操作。以液相形式基板3的整个表 面上沉积每个新层，同时包含前面已经被沉积的磷化物带。对于光 敏化步骤，使用相同的掩膜，但使其被放置得偏离前面所用的一个 条带的宽度，从而形成不同颜色的连续条带图样。
在沉积三个磷化物后，在380℃到440℃之间的温度范围内焙烧 它们。最好采用不超过420℃的温度。
接着，进行对第一和第二基板2和3的组装和密封步骤。
该过程从制备密封件14开始。根据本发明，此密封由环氧树脂 或聚乙烯丁酸酯(PVB)材料构成，它们使得能够在200℃到300℃ 占据的较低的温度下进行处理。此类材料是商业上适用的，特别适 合汽车窗户的叠层玻璃板的夹层。
密封件14的形状和位置基本上与上述的参考图3到图5描述的 相同。具体地说，当挡条也作为隔离物时由其高度所确定的密封件 14的厚度为100微米量级。密封件14的宽度(图5中内边14a和 外边14b之间的距离)为几个毫米的量级，例如在特定的情况下为 5mm。因此应予说明的是，这里的密封宽度大约比其厚度大50倍。
可用各种工艺将密封件14沉积到其中一个基板上(或者最好在 两个基板上)。
可以按切割成密封条形状柔性环氧树脂膜或PVB膜，这就是说 按限定拟被密封的气隙的周边形状限定边框的形状(图3)的形式 制备密封件14。在此情况下，或者热加工或者冷加工，在一个基板 上直接在介电表面5或6上沉积所述的膜。膜的厚度可稍微大于两 个基板之间所需的间隔，这是因为由于基板产生的压力会使膜压缩。
也可制备糊状形式的密封(环氧树脂或PVB)材料，采用注射 (或用类似的技术)使其能够直接沉积在其中的一个基板(或两个 基板)上。通过接收这种层的基板和用于加给这种层的喷头之间的 相对位移(比如通过机械臂)可形成密封材料层。然后可使这种相对位 移被编程，以符合基板的周边尺寸(图3到图5)。
在此情况下，还可沉积具有超厚的密封材料，通过加压使这种 层被自动压缩从而保证正确的高度。
接着，使两个基板2、3被叠置，二基板间夹有密封件14。然后 使这种组件经受200℃到300℃之间温度下的处理，目的在于加工密 封材料并将其加到所述基板的接触面上。这一处理过程需要大约30 到60分钟的时间。在此操作期间，对密封所加的压力约为2到 4kg/cm2。
接着，关于密封件14内部的两基板之间包含的空间抽真空。
通过导管16(图3到图5)在180℃到250℃的温度下进行抽真 空。使用各种方法(例如使用吸气剂)加速此过程，使此过程为几 个小时。
已经发现，用于密封的材料，无论其是环氧树脂或PVB，都可 满意的承受此温度下的抽真空操作。
在抽真空和用放电气体填充空间后，密封导管16。利用沉积用 于密封的材料，也即某种环氧树脂或PVB关闭导管16，可以实现 导管16的密封。在此情况下，可将材料注入到导管16中，形成突 起，从而在管中形成插塞，形成突起。在200℃到300℃的温度下通 过使用例如热气刀可对管密封材料进行局部热处理，而使其稳定。
在所给出的实例中，可以指出的是，为了进行各种工艺步骤(沉 积厚介电层、挡条、磷化物，以及密封)，都要所使用的材料保持在 低于400-440℃的稳定温度下。对于低于440℃的温度，在几小时内 碱石灰玻璃的尺寸不发生变化。对于碱石灰玻璃，即使不被稳定， 同样完全可以用于制作AC型彩色等离子体面板或其他的需要类似 承受能力的工艺进行制作。
本发明对所给的举例是按非限限定方式的，既包含所讨论的元 件类型，也边框所选材料和所用各种制作步骤的工艺。应予说明的 是，与基板上的介电层沉积相关和与挡条的制作相关的技术都可用 传统使用的方法进行替换，同样在本发明的范围内，即使他们需要 高于所规定的温度。这是因为，正如在介绍中所描述的，本发明的 目的首先在于在稳定各基板的密封过程中，通过降低处理温度可减 少基板的变形效应。选择用于介电层或挡条的材料，从而降低这些 材料被稳定的温度，同时可附带改善提供给所述基板以本发明在光 学方面的稳定性。
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