显示装置及制造显示装置的方法
阅读：749发布：2023-01-23
专利汇可以提供显示装置及制造显示装置的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及显示装置以及制造显示装置的方法。显示装置包括第一衬底、第二衬底和单元 密封件 ，其中，第一衬底中限定有显示区域和布置在显示区域外部的非显示区域，第二衬底与第一衬底面对，单元密封件布置在非显示区域上，其中，单元密封件包括使第一衬底与第二衬底彼此连接的接合丝。，下面是显示装置及制造显示装置的方法专利的具体信息内容。
1.显示装置，包括：
第一衬底，所述第一衬底中限定有显示区域和布置在所述显示区域外部的非显示区域；
第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底面对；以及
单元密封件，所述单元密封件布置在所述非显示区域上，
其中，所述单元密封件包括接合丝，所述接合丝使所述第一衬底与所述第二衬底彼此连接。
2.如权利要求1所述的显示装置，
其中，所述第一衬底和所述第二衬底中的每个包括玻璃，以及
其中，所述接合丝包括与所述第一衬底和所述第二衬底相同的材料。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接合丝具有100微米至200微米的范围内的宽度。
4.如权利要求1所述的显示装置，
其中，所述接合丝包括中心部分和围绕所述中心部分的周边部分。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述中心部分具有20微米至70微米的范围内的宽度。
6.如权利要求4所述的显示装置，其中，所述中心部分的折射率和所述周边部分的折射率彼此不同。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接合丝的中端的宽度大于所述接合丝的上端的宽度和所述接合丝的下端的宽度。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接合丝包括内接合丝和外接合丝。
9.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述内接合丝和所述外接合丝部分地彼此重叠。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述内接合丝和所述外接合丝的重叠区域的折射率和所述内接合丝的折射率彼此不同。
11.如权利要求8所述的显示装置，其中，所述内接合丝和所述外接合丝中的至少一个相对于所述第一衬底的厚度方向以预定的倾斜角度倾斜。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述内接合丝和所述外接合丝彼此交叉。
13.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接合丝包括：
第一接合丝，所述第一接合丝在与X轴平行的方向上延伸；
第二接合丝，所述第二接合丝在与Y轴平行的方向上延伸；以及
交叉部分，所述第一接合丝与所述第二接合丝在所述交叉部分处彼此交叉。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一接合丝和所述第二接合丝的交叉部分的宽度大于所述第一接合丝的宽度和所述第二接合丝的宽度。
15.如权利要求14所述的显示装置，
其中，所述第一接合丝的一端从所述交叉部分在与所述X轴平行的方向上突出，以及其中，所述第二接合丝的一端从所述交叉部分在与所述Y轴平行的方向上突出。
16.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述单元密封件还包括：
熔接密封件，所述熔接密封件连接到所述接合丝。
17.如权利要求16所述的显示装置，还包括：
驱动集成电路，所述驱动集成电路布置在所述非显示区域上；以及
多个导线，所述多个导线连接所述驱动集成电路与所述显示区域，
其中，所述熔接密封件与所述导线重叠。
18.制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
对包括单元的原始面板进行密封，其中，所述单元包括彼此面对的第一衬底和第二衬底；以及
形成单元密封件以对所述单元进行密封，
其中，形成所述单元密封件包括：
通过照射激光来形成连接所述第一衬底与所述第二衬底的接合丝。
19.如权利要求18所述的方法，
其中，所述激光包括从所述第二衬底朝向所述第一衬底照射的第一子激光，其中，所述第一子激光的第一焦点位于所述第一衬底内，以及
其中，所述第一子激光的焦深在-100微米至0微米的范围内。
20.如权利要求19所述的方法，
其中，所述激光还包括从所述第一衬底朝向所述第二衬底照射的第二子激光，其中，所述第二子激光的第二焦点位于所述第二衬底内，以及
其中，所述第二子激光的焦深在0微米至100微米的范围内。
21.如权利要求20所述的方法，其中，所述第一子激光和所述第二子激光中的至少一个以相对于所述第一衬底的厚度方向倾斜的预定倾斜角度照射。
22.如权利要求18所述的方法，还包括：
去除布置在所述第一衬底上的绝缘膜。
23.如权利要求18所述的方法，
其中，通过照射所述激光来形成连接所述第一衬底与所述第二衬底的所述接合丝包括：
通过在第一方向上照射所述激光来形成第一接合丝；以及
通过在第二方向上照射所述激光来形成第二接合丝，
其中，所述第一接合丝和所述第二接合丝彼此交叉以形成交叉部分。
24.如权利要求18所述的方法，还包括：
在所述单元中形成熔块，
其中，形成所述单元密封件的步骤包括：固化所述熔块以形成熔接密封件，以及其中，所述熔接密封件与所述接合丝彼此连接。
显示装置及制造显示装置的方法
[0001] 相关申请的交叉引用
技术领域
[0003] 本发明实施方式涉及显示装置以及制造显示装置的方法。
背景技术
[0004] 随着多媒体的发展，显示装置的重要性已经增加。相应地，已经开发了诸如液晶显示器(“LCD”)和有机发光显示器(“OLED”)的各种类型的显示装置。
[0005] 诸如LCD装置和OLED装置的显示装置的图像显示受到光传输的影响。具体地，光的透射比可能影响到显示品质，如显示装置的亮度。因此，显示装置的构成元件可至少部分地包括透明构件，例如玻璃构件。
[0006] 作为通过接合多个透明构件来形成多堆叠接合件的方法，可利用使用作为液体或糊状的粘合剂的密封剂来接合透明构件的方法和使用玻璃熔块或玻璃粉末接合透明构件的方法。在密封剂粘合中，第一玻璃构件和第二玻璃构件可通过在第一玻璃构件与第二玻璃构件之间施加液体或糊状的密封剂材料并固化液体或糊状的密封剂材料而被彼此接合。
[0007] 在玻璃熔块/玻璃粉末接合中，第一玻璃构件和第二玻璃构件可通过在第一玻璃构件与第二玻璃构件之间施加玻璃熔块/玻璃粉末材料并熔化和固化玻璃熔块/玻璃粉末材料而被彼此接合。
发明内容
[0008] 本发明实施方式涉及由单元密封件所占用的面积得到减小的显示装置。
[0009] 本发明实施方式涉及制造具有由单元密封件所占用的面积得到减小的显示装置的方法。
[0010] 根据本发明实施方式，显示装置包括第一衬底、第二衬底和单元密封件，其中，第一衬底中限定有显示区域和布置在显示区域外部的非显示区域，第二衬底与第一衬底面对，单元密封件布置在非显示区域中，其中，单元密封件包括使第一衬底与第二衬底彼此连接的接合丝。
[0011] 在实施方式中，第一衬底和第二衬底中的每个可包括玻璃，并且接合丝可包括与第一衬底和第二衬底相同的材料。
[0012] 在实施方式中，接合丝可具有约100微米(μm)至约200μm的范围内的宽度。
[0013] 在实施方式中，接合丝可包括中心部分和围绕中心部分的周边部分。
[0014] 在实施方式中，中心部分可具有约20μm至约70μm的范围内的宽度。
[0015] 在实施方式中，中心部分的折射率和周边部分的折射率可彼此不同。
[0016] 在实施方式中，接合丝的中端的宽度可大于接合丝的上端的宽度和接合丝的下端的宽度。
[0017] 在实施方式中，接合丝可包括内接合丝和外接合丝。
[0018] 在实施方式中，内接合丝和外接合丝可部分地彼此重叠。
[0019] 在实施方式中，内接合丝和外接合丝的重叠区域的折射率和内接合丝的折射率可彼此不同。
[0020] 在实施方式中，内接合丝和外接合丝中的至少一个可相对于第一衬底的厚度方向以预定倾斜角度倾斜。
[0021] 在实施方式中，内接合丝和外接合丝可彼此交叉。
[0022] 在实施方式中，接合丝可包括第一接合丝、第二接合丝和交叉部分，其中，第一接合丝在与X轴平行的方向上延伸，第二接合丝在与Y轴平行的方向上延伸，并且第一接合丝与第二接合丝在交叉部分处彼此交叉。
[0023] 在实施方式中，第一接合丝和第二接合丝的交叉部分的宽度可大于第一接合丝的宽度和第二接合丝的宽度。
[0024] 在实施方式中，第一接合丝的一端可从交叉部分在与X轴平行的方向上突出，并且第二接合丝的一端可从交叉部分在与Y轴平行的方向上突出。
[0025] 在实施方式中，单元密封件还可包括与接合丝连接的熔接密封件。
[0027] 根据本发明另一实施方式，制造显示装置的方法包括：对包括单元的原始面板进行密封，其中，单元包括彼此面对的第一衬底和第二衬底；以及形成单元密封件以对单元进行密封，其中，形成单元密封件包括：通过照射激光来形成连接第一衬底与第二衬底的接合丝。
[0028] 在实施方式中，激光可包括从第二衬底朝向第一衬底照射的第一子激光，第一子激光的第一焦点可位于第一衬底内，并且第一子激光的焦深可在约-100μm至约零(0)μm的范围内。
[0029] 在实施方式中，激光还可包括从第一衬底朝向第二衬底照射的第二子激光，第二子激光的第二焦点可位于第二衬底内，并且第二子激光的焦深可在约零(0)μm至约100μm的范围内。
[0030] 在实施方式中，第一子激光和第二子激光中的至少一个可以以相对于第一衬底的厚度方向倾斜的预定倾斜角度照射。
[0031] 在实施方式中，该方法还可包括：去除布置在第一衬底上的绝缘膜。
[0032] 在实施方式中，通过照射激光来形成连接第一衬底与第二衬底的接合丝可包括：通过在第一方向上照射激光来形成第一接合丝；以及通过在第二方向上照射激光来形成第二接合丝，其中，第一接合丝和第二接合丝彼此交叉以形成交叉部分。
[0034] 通过参照附图详细描述本发明示例性实施方式，本发明的上述和其它特征将变得更加明确，在附图中：
[0035] 图1是根据本发明实施方式的显示装置的示意性平面图；
[0036] 图2是沿图1的线I-I'取得的剖视图；
[0037] 图3是沿图1的线II-II'取得的剖视图；
[0038] 图4是图1的部分“A”的局部放大图；
[0039] 图5是根据本发明的可选实施方式的显示装置的剖视图；
[0040] 图6是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图；
[0041] 图7是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图；
[0042] 图8是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图；
[0043] 图9是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图；
[0044] 图10是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图；
[0045] 图11是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的示意性平面图；
[0046] 图12是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的示意性平面图；
[0047] 图13是沿图12的线III-III'取得的剖视图；
[0048] 图14是沿图12的线IV-IV'取得的剖视图；
[0049] 图15是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图；
[0050] 图16是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图；
[0051] 图17是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图；
[0052] 图18是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的剖视图；
[0053] 图19是用于说明根据本发明的可选实施方式的制造显示装置的方法的剖视图；
[0054] 图20是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的剖视图；
[0055] 图21是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的剖视图；
[0056] 图22是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图；以及
[0057] 图23是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图。
具体实施方式
[0058] 现在，将在下文中参照示出了各种实施方式的附图对本发明进行更加全面的描述。然而，本发明可以许多不同的形式实施，并且不应被解释为受限于本文中所阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员全面地传达本发明的范围。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的元件。
[0059] 在元件被描述为与另一元件有关的情况下，如在另一元件“上”或者“位于”不同的层或一层“上”的情况下，包括元件直接位于另一元件或层上的情况以及元件经由另一层或又一层位于另一元件上的情况两者。相反，在元件被描述为与另一个元件有关的情况下，如“直接在”另一个元件“上”或“直接位于”不同的层或一层“上”的情况下，指示元件位于另一元件或层上而在该元件与另一元件或层之间没有介于中间的元件或层的情况。在本发明的整个说明书中，相同的附图标记在所有附图中用于相同的元件。
[0060] 应理解，尽管措辞“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些元件、组件、区域、层和/或区段不应受这些措辞限制。这些措辞仅用于将一个元件、组件、区域、层或者区段与另一元件、组件、区域、层或者区段区分开。因此，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一区段”可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二区段。
[0061] 本文中使用的术语是仅出于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。除非内容另有明确说明，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“至少一个(at least one)”不应被解释为限制“一(a)”或者“一(an)”。“或者(or)”表示“和/或(and/or)”。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。还应理解，当措辞“包含(comprise)”和/或“包含(comprising)”或者“包括(include)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时指定所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
[0062] 此外，在本文中可使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对措辞来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。应理解，除了附图中所描绘的定向之外，相对措辞旨在包括装置的不同定向。例如，如果附图之一中的装置翻转，则描述为位于其它元件的“下”侧上的元件将被定向在其它元件的“上”侧上。因此，示例性措辞“下”可根据附图的具体定向而包括“下”和“上”两种定向。相似地，如果附图之一中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“之下”的元件将定向为在其它元件“上方”。因此，示例性措辞“下方(below)”或“之下(beneath)”可包括上方和下方两种定向。
[0063] 如本文所使用的“约(about)”或者“近似(approximately)”包括标注值和在由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。
[0064] 除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解，除非在本文中明确地如此定义，否则术语，诸如常用词典中定义的那些，应被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或者过于正式的含义来解释。
[0065] 本文中参照作为理想化实施方式的示意性图示的剖视图对示例性实施方式进行描述。因而，将预期到由例如制造技术和/或者公差所导致的图示的形状的变化。因此，本文中所描述的实施方式不应被解释为受限于如本文中所示出的特定的区域形状，而是应包括由例如制造而导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可具有粗糙和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可为圆形的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制权利要求的范围。
[0066] 在下文中，将参照附图对本发明实施方式进行描述。
[0067] 图1是根据本发明实施方式的显示装置的示意性平面图。图2是沿图1的线I-I'取得的剖视图。图3是沿图1的线II-II'取得的剖视图。
[0068] 图4是图1的部分“A”的局部放大图。
[0069] 参照图1至图4，根据本发明的显示装置的实施方式包括第一衬底100、第二衬底290和单元密封件CS。
[0070] 在实施方式中，第一衬底100可包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的材料。在这种实施方式中，聚合物树脂可包括聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PA”)、聚芳酯(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚烯丙酯、聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、纤维素三乙酸酯(“CAT”)、醋酸丙酸纤维素(“CAP”)或它们的组合。
[0071] 第一衬底100可包括显示区域DA和非显示区域NDA。
[0073] 非显示区域NDA布置在显示区域DA的外部，并且被定义为不显示图像的区域。在实施方式中，非显示区域NDA可布置为围绕显示区域DA。虽然图1示出了非显示区域NDA围绕显示区域DA的实施方式，但是本发明不限于此。在可选的实施方式中，非显示区域NDA可布置为仅与显示区域DA的一侧或与所述一侧相对的另一侧相邻，或者可布置为分别与显示区域DA的一侧和其它相对的侧相邻。
[0075] 驱动集成电路130与显示区域DA之间可布置有多个导线160。多个导线160可电连接驱动集成电路130与显示区域DA。在实施方式中，从驱动集成电路130生成的信号可经由多个导线160传输到显示区域DA。
[0076] 在下文中，将参照图2对根据本发明的显示装置的实施方式的层叠结构进行描述。
[0077] 在实施方式中，如图2中所示，第一衬底100上可布置有缓冲层210。缓冲层210可有效地防止来自外部的水分和氧气穿透过第一衬底100。在这种实施方式中，缓冲层210可在第一衬底100上提供平坦化的或平坦的表面。在实施方式中，缓冲层210可包括氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiO2)膜和氮氧化硅(SiOxNy)膜中的至少一种。可选地，根据第一衬底100的类型、工艺条件等，缓冲层210可被省略。
[0078] 缓冲层210上可布置有包括半导体图案ACT的半导体层。半导体层将基于半导体图案ACT来进行描述。在实施方式中，半导体图案ACT可包括选自多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种或者由选自多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种形成，或者可通过将它们中的两种或更多种进行混合来形成。在实施方式中，半导体图案ACT可包括未掺杂杂质的沟道区ACTa、掺杂有杂质的源极区ACTb和掺杂有杂质的漏极区ACTc。源极区ACTb位于沟道区ACTa的一侧处，并且与随后要描述的源电极SE电连接。漏极区ACTc位于沟道区ACTa的另一侧处，并且与随后要描述的漏电极DE电连接。
[0079] 包括半导体图案ACT的半导体层上可布置有第一绝缘层220。在实施方式中，第一绝缘层220可为栅极绝缘层。在实施方式中，第一绝缘层220可包括选自诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的无机材料和诸如苯并环丁烯(“BCB”)、丙烯酸材料和聚酰亚胺的有机绝缘材料中的至少一种，或者可由选自诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的无机材料和诸如苯并环丁烯(“BCB”)、丙烯酸材料和聚酰亚胺的有机绝缘材料中的至少一种形成，或者可通过将它们中的两种或更多种进行混合来形成。
[0080] 第一绝缘层220上可布置有包括栅电极GE的栅极导体。栅电极GE可与半导体图案ACT重叠。栅极导体可包括包含铝合金的铝(Al)基金属、包含银合金的银(Ag)基金属、包含铜合金的铜(Cu)基金属、包含钼合金的钼(Mo)基金属、铬(Cr)、钛(Ti)和钽(Ta)中的至少一种。
[0081] 包括栅电极GE的栅极导体上可布置有第二绝缘层230。第二绝缘层230可由选自诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的无机材料和诸如BCB、丙烯酸材料和聚酰亚胺的有机绝缘材料中的至少一种形成，或者可通过将它们中的两种或更多种进行混合来形成。
[0082] 第二绝缘层230上可布置有包括源电极SE和漏电极DE的数据导体。源电极SE和漏电极DE在第二绝缘层230上布置为彼此间隔开。数据导体可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料中的至少一种。在实施方式中，数据导体可具有包括镍(Ni)、钴(Co)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铍(Be)、铌(Nb)、铁(Fe)、硒(Se)或钽(Ta)的单层结构或多层结构。在实施方式中，通过向上面所列金属添加选自钛(Ti)、锆(Zr)、钨(W)、钽(Ta)、铌(Nb)、铂(Pt)和铪(Hf)中的至少一种而形成的合金可用作源电极SE和漏电极DE的材料。
[0083] 半导体图案ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE构成或共同限定开关元件TR2。虽然图2示出了开关元件TR2是顶栅型开关元件的实施方式，但本发明不限于此。可选地，开关元件TR2可为底栅型开关元件。
[0084] 数据导体上可布置有平坦化层240。平坦化层240可通过去除高度差来增加将稍后描述的像素电极250和有机发光层270的发光效率。在实施方式中，平坦化层240可包括有机材料。在实施方式中，例如，平坦化层240可包括选自聚酰亚胺、聚丙烯酸和聚硅氧烷中的至少一种。在可选的实施方式中，平坦化层240可包括无机材料，或者可包括无机材料和有机材料的组合物。
[0085] 平坦化层240中可限定有暴露漏电极DE的至少一部分的第一接触孔CNT1。
[0086] 平坦化层240上可布置有像素电极250。像素电极250可电连接到由第一接触孔CNT1暴露的漏电极DE。在实施方式中，像素电极250可以是作为空穴注入电极的阳电极。在像素电极250为阳电极的这种实施方式中，像素电极250可包括具有高功函数的材料以便于空穴注入。像素电极250可为反射电极、半透射电极或透射电极。在实施方式中，像素电极250可包括反射材料。反射材料可包括选自银(Ag)、镁(Mg)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钨(W)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、镁-铟(Mg-In)和镁-银(Mg-Ag)中的至少一种。
[0087] 在实施方式中，像素电极250可形成为单层膜，但不限于此。可选地，像素电极250可形成为其中层叠有两种或更多种材料的多层膜。
[0088] 在实施方式中，在像素电极250可形成为多层膜或具有多层结构的情况下，像素电极250可包括反射膜和布置在反射膜上的透明或半透明电极。在可选的实施方式中，像素电极250可包括反射膜和布置在反射膜下方的透明或半透明电极。在一个实施方式中，例如，像素电极250可具有氧化铟锡(“ITO”)/Ag/ITO的三层结构，但本发明不限于此。
[0089] 这里，透明或半透明电极可包括选自ITO、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)中的至少一种。
[0090] 像素电极250上可布置有像素限定膜260。像素限定膜260中限定有暴露像素电极250的至少一部分的开口。像素限定膜260可包括有机材料或无机材料。在实施方式中，像素限定膜260可包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料。
[0091] 像素电极250和像素限定膜260上可布置有有机发光层270。在实施方式中，有机发光层270可布置在像素电极250的通过像素限定膜260的开口暴露的区域上。在实施方式中，有机发光层270可覆盖像素限定膜260的侧壁的至少一部分。
[0092] 在实施方式中，有机发光层270可发出红光、绿光和蓝光之一。在可选的实施方式中，有机发光层270可发出白光，或者可发出青光、品红光和黄光之一。在有机发光层270发出白光的实施方式中，有机发光层270包括白色发光材料，或者具有红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层的层叠结构，从而发出白光。
[0093] 有机发光层270和像素限定膜260上可布置有公共电极280。在实施方式中，公共电极280可完全形成或完全布置在有机发光层270和像素限定膜260上。在实施方式中，公共电极280可为阴电极。在实施方式中，公共电极280可包括选自Li、Ca、Lif/Ca、LiF/Al、Al、Ag和Mg的至少一种。在实施方式中，公共电极280可包括具有低功函数的材料或由具有低功函数的材料制成。在实施方式中，公共电极280可为透明或半透明电极，所述透明或半透明电极包括选自ITO、IZO、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、IGO和AZO中的至少一种。
[0094] 像素电极250、有机发光层270和公共电极280可构成或共同限定有机发光二极管OLED。然而，本发明不限于此，并且有机发光二极管OLED可具有包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)的多层结构。
[0095] 在实施方式中，如图1中所示，第二衬底290可通过单元密封件CS连接到第一衬底100。将在后面对单元密封件CS进行详细描述。
[0096] 在实施方式中，第二衬底290可为透明绝缘衬底。在这种实施方式中，在第二衬底290为透明绝缘衬底的情况下，透明绝缘衬底可为玻璃衬底、石英衬底或透明树脂衬底。
[0097] 返回参照图1，将对根据本发明的显示装置的实施方式的单元密封件CS进行描述。
[0098] 单元密封件CS可连接第一衬底100与第二衬底290。单元密封件CS可布置在非显示区域NDA中。在实施方式中，单元密封件CS可布置为围绕显示区域DA的外周。相应地，在这种实施方式中，显示区域DA可由第一衬底100、第二衬底290和单元密封件CS密封。
[0099] 单元密封件CS用于密封显示区域DA，并且在平面图中可具有闭合形状。
[0101] 在实施方式中，单元密封件CS可包括接合丝BF，或由接合丝BF限定。
[0102] 在下文中，将对包括接合丝BF的非显示区域NDA的层叠结构进行描述。
[0103] 在实施方式中，如图3中所示，第一衬底100上可布置有至少一个绝缘膜。在实施方式中，绝缘膜可包括第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3。
[0104] 在实施方式中，第一绝缘膜ILD1可包括与显示区域DA的缓冲层210相同的材料，或由与显示区域DA的缓冲层210相同的材料制成。在这种实施方式中，第一绝缘膜ILD1和缓冲层210可在相同的工艺中同时形成，但是第一绝缘膜ILD1和缓冲层210的制造方法不限于此。
[0105] 在实施方式中，第二绝缘膜ILD2可包括与显示区域DA的第一绝缘层220相同的材料，或由与显示区域DA的第一绝缘层220相同的材料制成。在这种实施方式中，第二绝缘膜ILD2和第一绝缘层220可在相同的工艺中同时形成。
[0106] 在实施方式中，第三绝缘膜ILD3可包括与显示区域DA的第二绝缘层230相同的材料，或由与显示区域DA的第二绝缘层230相同的材料制成。在这种实施方式中，第三绝缘膜ILD3和第二绝缘层230可在相同的工艺中同时形成。
[0107] 虽然图3示出了在非显示区域NDA中形成三个绝缘膜的实施方式，但是绝缘膜的数量不限于此。
[0108] 在可选的实施方式中，非显示区域NDA中可形成有选自第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3中的一个或两个。
[0109] 接合丝BF可布置在第一衬底100与第二衬底290之间。在实施方式中，接合丝BF可直接连接第一衬底100与第二衬底290。在这种实施方式中，接合丝BF可直接连接到第一衬底100和第二衬底290。在这种实施方式中，接合丝BF可物理地连接第一衬底100与第二衬底290。
[0110] 在实施方式中，第一衬底100和/或第二衬底290可包括玻璃或由玻璃制成。
[0111] 在这种实施方式中，接合丝BF可包括与形成第一衬底100和/或第二衬底290的玻璃相同的材料或由与形成第一衬底100和/或第二衬底290的玻璃相同的材料制成。
[0112] 在实施方式中，接合丝BF的宽度w1可在约100微米(μm)至约200μm的范围内。在这种实施方式中，接合丝BF的宽度w1基本上小于被包括熔块的传统密封构件所占的宽度。因此，在使用接合丝BF的这种实施方式中，能够减小非显示区域NDA的面积，并因此能够实现具有窄边框结构的显示装置。
[0113] 接合丝BF可在与Z轴或第一衬底100的厚度方向平行的方向上延伸。
[0114] 在实施方式中，接合丝BF可包括中心部分C和周边部分P。
[0115] 周边部分P可布置为围绕中心部分C。在实施方式中，如图4中所示，在截面上，周边部分P可布置在中心部分C的两侧上。
[0116] 在实施方式中，周边部分P和中心部分C可在不同温度下熔化和硬化。相应地，周边部分P和中心部分C可具有彼此不同的折射率。因此，在这种实施方式中，当从如图4中所示的平面图查看时，能够在视觉上识别周边部分P和中心部分C。在这种实施方式中，由于工艺温度差，周边部分P和中心部分C具有彼此不同的光学特性，由此使得周边部分P和中心部分C可彼此区分开并且在视觉上被辨别。
[0117] 在实施方式中，中心部分C的宽度s1可在约20μm至约70μm的范围内。这里，宽度可被定义为在基于Z轴方向上的平面图(例如，图1)的宽度方向上的距离。
[0118] 在实施方式中，接合丝BF的厚度g可在约4μm至约20μm的范围内。在实施方式中，第一衬底100与第二衬底290之间的单元间隙可为约20μm或更小。因此，接合丝BF可具有大于或等于第一衬底100与第二衬底290之间的单元间隙的厚度，并且可有效地连接第一衬底100与第二衬底290。
[0119] 在实施方式中，接合丝BF可与绝缘膜接触。
[0120] 在实施方式中，接合丝BF可从第一衬底100延伸穿过多个绝缘膜。在这种实施方式中，接合丝BF可穿透第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3。
[0121] 在这种实施方式中，接合丝BF的侧表面可与多个绝缘膜中的至少一个接触。
[0122] 在下文中，将对根据本发明的显示装置的可选实施方式进行描述。下面将描述的配置中的一些可与上述的根据本发明的显示装置的实施方式中的配置基本上相同，并且为了便于描述，其重复的详细描述可被省略。
[0123] 图5是根据本发明的可选实施方式的显示装置的剖视图。参照图5，在可选的实施方式中，接合丝BF可与绝缘膜间隔开。
[0124] 在实施方式中，接合丝BF可与第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3间隔开。
[0125] 该结构可为由去除多个绝缘膜并且形成接合丝BF的如随后将描述的制造方法所得到的结构。多个绝缘膜可能因在形成接合丝BF的工艺中所产生的热量而损坏。在绝缘膜与接合丝BF如上所述地彼此间隔开的这种实施方式中，能够有效地防止绝缘膜在接合丝BF的制造工艺中损坏。
[0126] 图6是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图。
[0127] 参照图6，在显示装置的实施方式中，接合丝BF_R的上端311、中端312和下端313的宽度可彼此不同。
[0128] 在实施方式中，接合丝BF_R可包括上端311、中端312和下端313。
[0129] 上端311可为接合丝BF_R连接到第二衬底290的部分，并且下端313可为接合丝BF_R连接到第一衬底100的部分。
[0130] 中端312可布置在上端311与下端313之间。中端312可为位于上端311与下端313之间并且接合丝BF_R具有最大宽度的部分。
[0131] 在实施方式中，中端312的宽度w4可在约60μm至约200μm的范围内。
[0132] 上端311的宽度w2和下端313的宽度w3中的每个可小于中端312的宽度w4。
[0133] 也就是说，接合丝BF_R可具有从中心到两端逐渐变得更窄的形状。
[0134] 在实施方式中，上端311的宽度w2可大于下端313的宽度w3。这种结构可在稍后要描述的制造方法中形成，其中与激光的焦点相邻的部分的宽度相对小于远离激光的焦点的部分的宽度。
[0135] 也就是说，这种宽度差可归因于通过将激光的焦点布置在与下端313相邻的第一衬底100中来形成接合丝BF_R的方法。
[0136] 图7是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图。
[0137] 参照图7，在实施方式中，接合丝可包括外接合丝BF_O和内接合丝BF_I。
[0138] 内接合丝BF_I是指其下端相对靠近显示区域DA的接合丝，并且外接合丝BF_O是指其下端距显示区域DA相对远的接合丝。
[0139] 在实施方式中，外接合丝BF_O和内接合丝BF_I可彼此间隔开。
[0140] 在实施方式中，外接合丝BF_O可包括中心部分CO和周边部分PO。在这种实施方式中，内接合丝BF_I可包括中心部分CI和周边部分PI。
[0141] 外接合丝BF_O和内接合丝BF_I可与上述的接合丝基本上相同。在这种实施方式中，外接合丝BF_O的中心部分CO和周边部分PO以及内接合丝BF_I的中心部分CI和周边部分PI可以与上面参照图3和图4描述的那些基本上相同。
[0142] 在实施方式中，外接合丝BF_O和内接合丝BF_I可在彼此平行的方向上延伸。在实施方式中，如图7中所示，外接合丝BF_O和内接合丝BF_I可在与Z轴平行的方向上平行地延伸。
[0143] 图8是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图。
[0144] 参照图8，在实施方式中，外接合丝BF_O和内接合丝BF_I可至少部分地彼此重叠。
[0145] 在实施方式中，外接合丝BF_O的周边部分PO和内接合丝BF_I的周边部分PI彼此重叠以形成重叠区域OA。
[0146] 在光学特性上，重叠区域OA可与外接合丝BF_O的周边部分PO和内接合丝BF_I的周边部分PI不同。在一个实施方式中，例如，重叠区域OA的折射率可与外接合丝BF_O的周边部分PO的折射率和内接合丝BF_I的周边部分PI的折射率不同。因此，重叠区域OA可与外接合丝BF_O的周边部分PO和内接合丝BF_I的周边部分PI区分开并且在视觉上被辨别。
[0147] 图9是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图。
[0148] 参照图9，在实施方式中，外接合丝BF_O和内接合丝BF_I中的至少一个可以以预定的倾斜角度延伸。
[0149] 图9示出了内接合丝BF_I倾斜的实施方式。这种结构可在稍后要描述的制造方法中形成，在该制造方法中，飞秒激光以预定的倾斜角度照射。
[0150] 内接合丝BF_I可相对于第一衬底100的厚度方向或Z轴倾斜预定角度(例如，锐角)。在内接合丝BF_I倾斜的这种实施方式中，与内接合丝BF_I的下端相比，内接合丝BF_I的上端可布置在外侧处。在这种实施方式中，与内接合丝BF_I的下端相比，内接合丝BF_I的上端可布置为更靠近外接合丝BF_O。
[0151] 图10是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的剖视图。
[0152] 参照图10，在实施方式中，外接合丝BF_O和内接合丝BF_I可彼此交叉地延伸。
[0153] 在这种实施方式中，内接合丝BF_I的中心部分CI和外接合丝BF_O的中心部分CO可彼此交叉以彼此重叠。
[0154] 在截面上，内接合丝BF_I和外接合丝BF_O可彼此交叉以具有X状的形状。在这种实施方式中，内接合丝BF_I的上端可布置在外接合丝BF_O的上端的外部。
[0155] 重叠区域OA1可形成在内接合丝BF_I与外接合丝BF_O彼此交叉的部分处。
[0156] 重叠区域OA1可在光学特性(例如，折射率)上与内接合丝BF_I和外接合丝BF_O不同。因此，重叠区域OA1可与内接合丝BF_I和外接合丝BF_O区分开并且在视觉上被辨别。当内接合丝BF_I与外接合丝BF_O彼此交叉时，第一衬底100和第二衬底290可更牢固地彼此连接。
[0157] 图11是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的示意性平面图。
[0158] 参照图11，在另一可选实施方式中，单元密封件CS1可包括彼此交叉的第一接合丝BF1、第二接合丝BF2、第三接合丝BF3和第四接合丝BF4。
[0159] 为了便于描述，非显示区域NDA可按照图11中所示的那样进行划分。
[0160] 非显示区域NDA可包括在图11中布置在显示区域DA的上侧上的上非显示区域NDA_T、在图11中布置在显示区域DA的下侧上的下非显示区域NDA_B、在图11中布置在显示区域DA的左侧上的左非显示区域NDA_L和在图11中布置在显示区域DA的右侧上的右非显示区域NDA_R。
[0161] 在这种实施方式中，如上所述，驱动集成电路130和多个导线160可形成在下非显示区域NDA_B中。
[0162] 在这种实施方式中，非显示区域NDA还可包括分别布置在四个拐角处的第一拐角非显示区域NDA_C1、第二拐角非显示区域NDA_C2、第三拐角非显示区域NDA_C3和第四拐角非显示区域NDA_C4。
[0163] 在实施方式中，第一接合丝BF1和第三接合丝BF3可在与X轴平行的方向上延伸。在这种实施方式中，当从平面图查看时，第一接合丝BF1和第三接合丝BF3中的每个可具有在与X轴平行的方向上延伸的条形状。
[0164] 第一接合丝BF1可布置在第一拐角非显示区域NDA_C1、上非显示区域NDA_T和第二拐角非显示区域NDA_C2上方或延伸以与第一拐角非显示区域NDA_C1、上非显示区域NDA_T和第二拐角非显示区域NDA_C2重叠，并且第三接合丝BF3可布置在第三拐角非显示区域NDA_C3、下非显示区域NDA_B和第四拐角非显示区域NDA_C4上方或延伸以与第三拐角非显示区域NDA_C3、下非显示区域NDA_B和第四拐角非显示区域NDA_C4重叠。
[0165] 在实施方式中，第二接合丝BF2和第四接合丝BF4可在与Y轴平行的方向上延伸。在这种实施方式中，当从平面图查看时，第二接合丝BF2和第四接合丝BF4中的每个可具有在与Y轴平行的方向上延伸的条形状。
[0166] 在实施方式中，第二接合丝BF2可布置在第二拐角非显示区域NDA_C2、右非显示区域NDA_R和第三拐角非显示区域NDA_C3上方或延伸以与第二拐角非显示区域NDA_C2、右非显示区域NDA_R和第三拐角非显示区域NDA_C3重叠，并且第四接合丝BF4可布置在第四拐角非显示区域NDA_C4、左非显示区域NDA_L和第一拐角非显示区域NDA_C1上方或延伸以与第四拐角非显示区域NDA_C4、左非显示区域NDA_L和第一拐角非显示区域NDA_C1重叠。
[0167] 在实施方式中，单元密封件CS1可包括通过使第一接合丝BF1和第四接合丝BF4交叉而形成(或由它们的交叉区域限定)的第一交叉部分410、通过使第一接合丝BF1和第二接合丝BF2交叉而形成的第二交叉部分420、通过使第二接合丝BF2和第三接合丝BF3交叉而形成的第三交叉部分430以及通过使第三接合丝BF3和第四接合丝BF4交叉而形成的第四交叉部分440。
[0168] 第一交叉部分410可布置在第一拐角非显示区域NDA_C1中，第二交叉部分420可布置在第二拐角非显示区域NDA_C2中，第三交叉部分430可布置在第三拐角非显示区域NDA_C3中，并且第四交叉部分440可布置在第四拐角非显示区域NDA_C4中。
[0169] 第一交叉部分410、第二交叉部分420、第三交叉部分430和第四交叉部分440可具有基本上相同的形状。在下文中，为了便于描述，将对第一交叉部分410进行详细描述。第一交叉部分410的描述也可应用于第二交叉部分420、第三交叉部分430和第四交叉部分440。
[0170] 在实施方式中，如图11中所示，第一交叉部分410的宽度c1可大于第一接合丝BF1的宽度f1和第四接合丝BF4的宽度f4。在这种实施方式中，第一接合丝BF1和第四接合丝BF4可延伸以在第一交叉部分410处彼此交叉。
[0171] 第一交叉部分410的外周可至少部分地被弯曲。
[0172] 第一接合丝BF1的一端和第四接合丝BF4的一端可以以固定的间距从第一交叉部分410突出。第一接合丝BF1的一端和第四接合丝BF4的一端可在彼此不同的方向上突出。在实施方式中，第一接合丝BF1的一端可在与X轴平行的方向上延伸，并且第四接合丝BF4的一端可在与Y轴平行的方向上延伸。
[0173] 这种突出特征可与第二交叉部分420、第三交叉部分430和第四交叉部分440处的突出特征相同。因此，当从平面图查看时，单元密封件CS1可具有“#”形状。
[0174] 图12是根据本发明的另一可选实施方式的显示装置的示意性平面图。图13是沿图12的线III-III'取得的剖视图。图14为沿图12的线IV-IV'取得的剖视图。
[0175] 参照图12，在另一可选实施方式中，单元密封件CS2可包括接合丝BF5和熔接密封件SLP。
[0176] 在实施方式中，熔接密封件SLP可布置在显示区域DA与驱动集成电路130之间。熔接密封件SLP可包括多个熔块。在这种实施方式中，熔接密封件SLP可为通过熔化多个熔块而形成的最终产物。
[0177] 熔接密封件SLP可在与X轴平行的方向上延伸。具体地，熔接密封件SLP可布置在第四拐角非显示区域NDA_C4、下非显示区域NDA_B和第三拐角非显示区域NDA_C3上方。
[0178] 当从平面图查看时，熔接密封件SLP可与导线160交叉。在实施方式中，熔接密封件SLP可至少部分地与导线160重叠。
[0179] 熔接密封件SLP的两端可连接到接合丝BF5。在实施方式中，熔接密封件SLP和接合丝BF5可在第三拐角非显示区域NDA_C3和第四拐角非显示区域NDA_C4中彼此接触。然而，本发明不限于此。在可选的实施方式中，熔接密封件SLP和接合丝BF5也可在下非显示区域NDA_B中彼此接触。
[0180] 熔接密封件SLP和接合丝BF5可形成闭合曲线，从而密封显示区域DA。在实施方式中，如图14中所示，接合丝BF5的一侧可与熔接密封件SLP接触。
[0181] 虽然图12示出了接合丝BF5连续地形成的实施方式，但本发明不限于此。在可选的实施方式中，如图11中所示，接合丝BF5可包括在一个方向上延伸的多个接合丝。接合丝中的每个可独立地形成，然后被彼此连接。在这种实施方式中，显示装置可具有图11的实施方式中的第三接合丝BF3被熔接密封件SLP替代的结构。
[0182] 参照图13，熔接密封件SLP可布置在绝缘膜上。图13示出了熔接密封件SLP与第一绝缘膜ILD1、第二绝缘膜ILD2和第三绝缘膜ILD3重叠的实施方式，但是与熔接密封件SLP重叠的绝缘膜的数量不限于此。在可选的实施方式中，熔接密封件可布置为与一个或两个绝缘膜重叠。
[0183] 熔接密封件SLP可用于连接第一衬底100与第二衬底290。
[0184] 与用于形成熔接密封件的工艺温度相比，形成接合丝的工艺温度相对高。也就是说，如果接合丝形成在存在有导线的位置处，则导线可能因用于形成接合丝的高工艺温度而损坏。在实施方式中，熔接密封件用于与导线重叠的部分，并且接合丝用于剩余的部分，以使得在实现窄边框结构的同时能够有效地防止导线因热量而损坏。
[0185] 在下文中，将对根据本发明的制造显示装置的方法的实施方式进行描述。下面将描述的配置中的一些可与上述的显示装置的实施方式中的配置基本相同，并且为了便于描述，其重复的详细描述可被省略。
[0186] 图15是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图。
[0187] 图16是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图。
[0188] 参照图15和图16，根据本发明的制造显示装置的方法的实施方式可包括：对包括单元CE的原始面板OS进行密封，其中，该单元CE包括彼此面对的第一衬底100和第二衬底290；以及形成单元密封件CS以密封单元CE。这里，形成单元密封件CS的工艺可包括：形成用于连接第一衬底100与第二衬底290的接合丝BF。
[0189] 在实施方式中，原始面板OS可包括彼此面对的上衬底(未示出)和下衬底(未示出)。在这种实施方式中，显示装置的第一衬底100可为原始面板OS的下衬底的一部分，并且显示装置的第二衬底290可为原始面板OS的上衬底的一部分。
[0190] 原始面板OS可包括多个单元CE。一个单元CE可构成根据本发明的显示装置的实施方式。多个单元CE可以以具有多个行和多个列的矩阵形式排列。
[0191] 密封构件S1可沿着原始面板OS的边缘布置在多个单元CE的外部。也就是说，原始面板OS可通过固化密封构件S1来密封。当原始面板OS被密封时，本文中的多个单元CE也被密封，由此使得能够有效地防止氧气或水分从外部渗透。
[0192] 随后，参照图16，可执行形成对单元CE进行密封的单元密封件CS的工艺。
[0193] 单元密封件CS可与上述的实施方式中的单元密封件CS基本相同。
[0194] 形成单元密封件CS的工艺可包括：通过照射第一子激光L1形成连接第一衬底100与第二衬底290的接合丝BF。
[0195] 下面将参照图17和图18对通过照射第一子激光L1形成连接第一衬底100与第二衬底290的接合丝BF的步骤进行详细描述。
[0196] 图17是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图。
[0197] 图18是用于说明根据本发明实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
[0198] 参照图17，在实施方式中，照射第一子激光L1的工艺可包括连续地照射第一子激光L1以形成具有闭合多边形形状的单元密封件CS。
[0199] 在实施方式中，第一子激光L1可为飞秒激光。如本文中所使用的，“飞秒激光”是指脉冲宽度在200飞秒至500飞秒的范围内的激光。
[0200] 在实施方式中，可连续地照射第一子激光L1。在这种实施方式中，如图17中所示，第一子激光L1的照射可在起始点SP处开始，沿着显示区域DA的外周进行，并且在起始点SP处结束(参见箭头①)。因此，能够形成具有闭合多边形形状的单元密封件CS。单元密封件CS的形状可与上述的显示装置的实施方式中的形状相同。
[0201] 参照图18，第一子激光L1可从第二衬底290上方朝向第一衬底100照射。第一子激光L1的焦点F1可设置在第一衬底100内。
[0202] 为了便于描述，将定义焦深的基准。第一衬底100的上表面可被定义为具有“0”的焦深的点。此外，在第一衬底100内部，在距第一衬底100的上表面的距离为Z的点处的焦深可被定义为-Z。
[0203] 在实施方式中，第一子激光L1的焦深可在约-100μm至约零(0)μm的范围内。
[0204] 在这种实施方式中，在第一子激光L1的焦深在约-100μm至约零(0)μm的情况下，当照射第一子激光L1时，可在第一焦点F1周围提供高能量。所提供的能量可对第一衬底100和第二衬底290进行等离子处理。经等离子处理的第一衬底100的一部分和经等离子处理的第二衬底290的一部分可熔化并生长。在这种实施方式中，经等离子处理的第二衬底290的一部分可在Z轴的负方向上熔化并生长，并且经等离子处理的第一衬底100的一部分可在Z轴的正方向上熔化并生长，由此使得经等离子处理的第二衬底290的一部分和经等离子处理的第一衬底100的一部分可彼此相遇。在这种实施方式中，经等离子处理的第二衬底290的一部分和经等离子处理的第一衬底100的一部分可彼此相遇以形成接合丝BF的中心部分C(参见图3)。
[0205] 在经等离子处理的中心部分C周围产生热量，并且该热量可熔化中心部分C的周边。因此，接合丝BF的周边部分P可形成为围绕中心部分C。与接合丝BF的中心部分C相似地，接合丝BF的周边部分P也可连接第一衬底100与第二衬底290。
[0206] 然而，由于周边部分P和中心部分C的熔化温度彼此不同，因此两者的光学特性可彼此不同。在一个实施方式中，例如，周边部分P和中心部分C的折射率彼此不同，由此使得周边部分P和中心部分C可在视觉上被辨别并彼此区分开。
[0207] 由于所形成的接合丝BF的具体形状与上述的显示装置的实施方式中的具体形状基本相同，因此将省略其任何重复的详细描述。
[0208] 在下文中，将对根据本发明的制造显示装置的方法的可选实施方式进行描述。
[0209] 图19是用于说明根据本发明的可选实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
[0210] 参照图19，根据本发明的制造显示装置的方法的实施方式还可包括：去除形成在第一衬底100上的绝缘膜。
[0211] 在实施方式中，至少部分地去除形成在第一衬底100上的绝缘膜的工艺可在照射第一子激光L1之前执行。第一子激光L1可从第一子激光源SO1提供。在这种实施方式中，如上所述，第一子激光L1引起高温，并因此可对第一焦点F1附近的结构施加热损伤。因此，如图19中所示，形成在第一衬底100上的绝缘膜ILD1、ILD2和ILD3可被去除以防止这种热损伤。
[0212] 在这种实施方式中，第一焦点F1可不与形成在第一衬底100上的绝缘膜重叠。
[0213] 在这种实施方式中，在去除绝缘膜之后照射第一子激光L1的情况下，有效地防止绝缘膜因热量而损坏。
[0214] 图20是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
[0215] 参照图20，通过照射激光来形成连接第一衬底100与第二衬底290的接合丝BF的工艺可包括：从第二衬底290上方向第一衬底100照射第一子激光L1并且从第一衬底100下方向第二衬底290照射第二子激光L2。
[0216] 第一子激光L1可与上面参照图19描述的第一子激光L1基本相同。
[0217] 第二子激光L2可从第二子激光源SO2提供。
[0218] 第二子激光L2可为与第一子激光L1相同的飞秒激光。
[0219] 第二子激光L2可从第一衬底100下方朝向第二衬底290照射。在这种实施方式中，第二子激光L2的第二焦点F2可设置在第二衬底290内。
[0220] 为了便于描述，将定义焦深的基准。第二衬底290的下表面可被定义为具有“0”的焦深的点。此外，在第二衬底290内部，在距第二衬底290的下表面的距离为Z的点处的焦深可被定义为+Z。
[0221] 在实施方式中，第二子激光L2的焦深可在约0μm至约100μm的范围内。
[0222] 在这种实施方式中，在第二子激光L2的焦深在约0μm至约100μm的情况下，当照射第二子激光L2时，可在第二焦点F2周围提供高能量。所提供的能量可对第一衬底100和第二衬底290进行等离子处理。经等离子处理的第一衬底100的一部分和经等离子处理的第二衬底290的一部分可熔化并生长。在这种实施方式中，经等离子处理的第二衬底290的一部分可在Z轴的负方向上熔化并生长，并且经等离子处理的第一衬底100的一部分可在Z轴的正方向上熔化并生长，由此使得经等离子处理的第二衬底290的一部分和经等离子处理的第一衬底100的一部分可彼此相遇。在这种实施方式中，经等离子处理的第二衬底290的一部分和经等离子处理的第一衬底100的一部分可彼此相遇以形成接合丝BF的中心部分C(参见图3)。
[0223] 在经等离子处理的中心部分C周围产生热量，并且该热量可熔化中心部分C的周边。因此，接合丝BF的周边部分P可形成为围绕中心部分C。与接合丝BF的中心部分C相似地，接合丝BF的周边部分P也可连接第一衬底100与第二衬底290。
[0224] 然而，由于周边部分P和中心部分C的熔化温度彼此不同，因此两者的光学特性可彼此不同。在一个实施方式中，例如，周边部分P和中心部分C的折射率彼此不同，由此使得周边部分P和中心部分C可在视觉上被辨别并彼此区分开。
[0225] 与第二焦点F2相比，第一焦点F1可形成在外侧处。
[0226] 因此，外接合丝BF_O可由第一子激光L1形成，并且内接合丝BF_I可由第二子激光L2形成。
[0227] 在实施方式中，第一子激光源SO1和第二子激光源SO2可被独立地驱动。
[0228] 在可选的实施方式中，第一子激光源SO1和第二子激光源SO2可通过使用分束器(未示出)分离一个激光源来形成。在这种实施方式中，从激光源提供的一个激光可通过分束器分离成第一子激光L1和第二子激光L2。
[0229] 根据图20的实施方式的制造显示装置的方法的最终产物可与上面参照图7描述的显示装置的最终产物基本相同。
[0230] 在可选的实施方式中，第一焦点F1和第二焦点F2可在X轴方向上彼此靠近。在这种实施方式中，当第一焦点F1和第二焦点F2彼此靠近时，如图8中所示，内接合丝BF_I和外接合丝BF_O彼此重叠以形成重叠区域OA。
[0231] 图21是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
[0232] 参照图21，第一子激光L1和/或第二子激光L2可以以预定的倾斜角度照射。
[0233] 图21示出了第二子激光L2从Z轴方向以第一角度θ1照射的情况。在实施方式中，例如，第一角度θ1可为锐角。
[0234] 图21的实施方式的最终产物可与上面参照图9描述的显示装置的最终产物基本相同。
[0235] 图22是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图。
[0236] 参照图22，在实施方式中，通过照射激光来形成连接第一衬底100与第二衬底290的接合丝BF1至BF4的工艺可包括：间歇地照射激光。
[0237] 在实施方式中，可间歇地照射激光。
[0238] 在这种实施方式中，可形成多个接合丝。在实施方式中，如图22中所示，多个接合丝可包括第一接合丝BF1、第二接合丝BF2、第三接合丝BF3和第四接合丝BF4。
[0239] 首先，第一接合丝BF1和第三接合丝BF3可通过在与X轴平行的方向上照射激光来形成(参见②和④的箭头)。
[0240] 第一接合丝BF1和第三接合丝BF3的形成可通过操作两个激光源来同时执行，或者可通过操作单个激光源来顺序地执行。
[0241] 随后，第二接合丝BF2和第四接合丝BF4可通过在与Y轴平行的方向上照射激光来形成(参见③和⑤的箭头)。
[0242] 第二接合丝BF2和第四接合丝BF4的形成可通过操作两个激光源来同时执行，或者可通过操作单个激光源来顺序地执行。
[0243] 为了描述的便利，图22中示出了形成第一接合丝BF1和第三接合丝BF3并且然后形成第二接合丝BF2和第四接合丝BF4的实施方式，但是形成丝的顺序不限于此。在可选的实施方式中，可形成第二接合丝BF2和第四接合丝BF4，并且然后可形成第一接合丝BF1和第三接合丝BF3。
[0244] 在与X轴平行的方向上照射的激光的路径和在与Y轴平行的方向上照射的激光的路径可彼此部分地交叉。因此，所得到的接合丝中的每个可与相邻的接合丝交叉。因此，如图11中所示，可形成第一交叉部分410至第四交叉部分440。
[0245] 图23是用于说明根据本发明的另一可选实施方式的制造显示装置的方法的示意性平面图。
[0246] 参照图23，在实施方式中，形成对单元CE进行密封的单元密封件CS的步骤可包括：形成熔接密封件SLP。
[0247] 在这种实施方式中，制造显示装置的方法还可包括：在单元CE中形成熔块。形成熔块的工艺可在对包括多个单元CE的原始面板OS进行密封的工艺之前执行。
[0248] 熔块可形成在显示区域DA与驱动集成电路130之间。在这种实施方式中，熔块可形成为横穿布置在显示区域DA与驱动集成电路130之间的多个导线160。
[0249] 随后，可执行固化熔块以形成熔接密封件SLP的工艺。熔块的固化可通过普通的激光照射来执行，而不是通过飞秒激光照射来执行，或者可通过红外照射来执行。
[0250] 随后，可执行通过照射激光来形成用于连接第一衬底100与第二衬底290的接合丝BF5的工艺。如图23中所示，可通过照射第一子激光L1来形成接合丝BF5。
[0251] 在这种实施方式中，激光的照射可在熔接密封件SLP的作为起始点的一端处开始，沿着显示区域DA的外周进行，并且在熔接密封件SLP的另一端处停止(参见箭头⑥)。
[0252] 因此，包括熔接密封件SLP和接合丝BF5的单元密封件CS可具有闭合多边形形状。
[0253] 单元密封件CS的形状可与上述显示装置的实施方式中的形状相同。
[0254] 通过参照图23描述的方法的最终产物可与上面参照图12描述的显示装置基本相同。
[0255] 在实施方式中，可在顺序上改变形成熔接密封件SLP的工艺和形成接合丝BF5的工艺。在这种实施方式中，可首先形成连接熔块的两端的接合丝BF5，并且然后可固化熔块。
[0256] 如上所述，根据本发明实施方式，能够减小由单元密封件所占用的面积。因此，能够实现具有窄边框结构的显示装置。
[0257] 本发明的效果不受上文限制，并且可包括本文中所预期的其它各种效果。
[0259] 虽然已参照本发明示例性实施方式具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下可在本发明中做出形式和细节上的各种改变。示例性实施方式应仅以描述性的含义进行考虑，而不是出于限制的目的。
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