1.一种用于将材料沉积到分立衬底上的设备，所述设备包括：
集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到所述衬底上；
直列式工具，被配置为将至少一个有机层沉积到所述衬底上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
减压源，至少与所述直列式工具成真空联通放置，使得在所述有机层沉积到所述分立衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述衬底上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
2.根据权利要求1所述的设备，还包括热控制机构，该热控制机构与所述设备协作使得可以在所述衬底上沉积所述材料的期间控制所述集束型工具和所述直列式工具的至少一个中的温度。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述直列式工具包括：
有机材料沉积台；
与所述有机材料沉积台协作的有机材料固化台；以及
衬底传输器，被配置为至少在所述有机材料沉积台和所述有机材料固化台之间传送所述衬底。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述有机材料沉积台包括：
有机材料蒸发器；
与所述蒸发器成流体联通的有机材料沉积喷嘴；以及
布置在所述喷嘴周围的有机材料封隔系统。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述有机材料沉积台限定了可隔离内室。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述可隔离内室限定了包含所述有机材料封隔系统的第一区域、以及可通过可移动遮板与所述第一区域选择性隔离的第二区域。
7.根据权利要求6所述的设备，还包括与所述第二区域成热联通的冷却设备，所述冷却设备被配置为减少所述第一区域中产生的热负荷对所述第二区域的影响。
8.根据权利要求6所述的设备，还包括与所述可隔离内室成热联通放置的至少一个冷阱。
9.根据权利要求6所述的设备，还包括被流体地联结到所述第一和第二区域的至少一个的至少一个泵，所述至少一个泵被配置为在所述可隔离内室的所述第一和第二区域的至少一个中提供局部真空。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述至少一个泵包括涡轮分子泵。
11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述集束型工具还包括无机沉积台，该无机沉积台被配置为将第一层无机材料沉积到所述衬底上。
12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述减压源与所述集束型工具成真空联通放置，以使得在所述无机层沉积到所述分立衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境。
13.根据权利要求1所述的设备，还包括与所述直列式工具协作的有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述直列式工具的至少一部分工作。
14.一种用于将多层涂层沉积到分立衬底上的工具，所述工具包括：
多个外围台，所述多个外围台布置在大致中央的枢纽周围并与该中央枢纽相联结，以使得所述大致中央的枢纽可以在所述多个外围台之间传输衬底，所述多个外围台包括：
阻挡层形成台，被配置为将至少一个无机层沉积到衬底上；以及
至少一个有机层形成台，被配置为直列式工具，以将至少一个有机层沉积到所述衬底上；
减压源，与所述阻挡层形成台和所述有机层形成台中的至少一个成真空联通放置，以使得在所述多层涂层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；
温度控制装置，与所述阻挡层形成台和所述有机层形成台中的至少一个成热联通放置，以使得在所述多层涂层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间，所述温度控制装置工作以调整所述衬底的温度；以及
至少底切掩模，其设置在所述衬底上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
15.根据权利要求14所述的工具，其中，所述温度控制装置被配置为降低所述衬底的温度。
16.根据权利要求14所述的工具，还包括放置于所述工具中的至少一个掩模台，所述掩模台被配置为将至少一个掩模放置于所述衬底上。
17.根据权利要求14所述的工具，其中，所述至少一个有机层形成台包括单体沉积台、单体固化台和被配置为将所述衬底至少在所述单体沉积台和固化台之间移动的衬底传输器。
18.根据权利要求14所述的工具，还包括与所述直列式工具协作的有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述直列式工具的至少一部分工作。
19.一种用于将多层涂层沉积到分立衬底上的工具，所述工具包括：
单体层沉积台，被配置为直列式工具，以将至少一个有机层沉积到所述衬底上；
与所述单体层沉积台协作的阻挡层沉积台，所述阻挡层沉积台被配置为集束型工具，以将至少一个无机层沉积到所述衬底上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
减压源，与所述集束型工具和所述直列式工具中的至少一个成真空联通放置，使得在所述多层涂层沉积到所述分立衬底上的过程的至少一部分期间，所述减压源工作以在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述衬底上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
20.根据权利要求19所述的工具，还包括被配置为固化由所述单体层沉积台沉积的有机层的至少一个固化台。
21.根据权利要求19所述的工具，还包括至少一个污染减少设备以控制有机层制造材料从产生所述材料的所述单体层沉积台的迁移。
22.根据权利要求19所述的工具，还包括与所述工具协作的掩模台，所述掩模台被配置为将至少一个掩模放置于所述衬底上。
23.根据权利要求22所述的工具，其中，所述掩模台包括有机掩模放置设备和无机掩模放置设备。
24.根据权利要求19所述的工具，其中，所述单体层沉积台和所述阻挡层沉积台被配置为使所述衬底沿着它们内部各自的传输路径反向移动以使得所述多层涂层的多个层可以被沉积。
25.根据权利要求19所述的工具，还包括放置于所述单体层沉积台和所述阻挡层沉积台之间的环境隔离阀。
26.根据权利要求19所述的工具，还包括至少一个表面处理室，所述至少一个表面处理室被配置为增强所述多层涂层的单个层粘附到所述衬底或所述多层涂层的相邻层上的能力。
27.根据权利要求26所述的工具，其中，所述表面处理室被放置于所述单体层沉积台中。
28.根据权利要求27所述的工具，其中，所述表面处理室包括等离子体能量源。
29.根据权利要求27所述的工具，其中，所述表面处理室包括热蒸发设备。
30.根据权利要求29所述的工具，其中，所述热蒸发设备被配置为沉积非氧化物材料。
31.根据权利要求30所述的工具，其中，所述非氧化物材料包括氟化锂或氟化镁中的至少一种。
32.根据权利要求19所述的工具，其中，所述阻挡层沉积台被配置为在所述单体层沉积台放置有机层之前将无机层放置到所述衬底上。
33.根据权利要求19所述的工具，其中，真空源被配置为在所述无机层沉积期间提供与所述有机层沉积期间不同的真空水平。
34.根据权利要求19所述的工具，还包括有机材料测定和安全系统，其与所述单体层沉积台协作，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述单体层沉积台的至少一部分工作。
35.一种封装工具，被配置为将多层涂层沉积到放置于分立衬底上的有机发光二极管上，所述封装工具包括：
集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式工具，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
真空源，所述真空源至少被联结到所述直列式工具上，以使得在将有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分期间，所述真空源工作以在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述有机发光二极管上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触所述有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
36.根据权利要求35所述的封装工具，还包括被联结到所述集束型工具和所述直列式工具的至少一个上的热控制机构。
37.根据权利要求35所述的封装工具，其中，所述封装工具被配置为使得所述无机层或有机层均可以被首先涂敷到所述有机发光二极管上。
38.根据权利要求35所述封装工具，还包括与所述直列式工具协作的有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作，以使得在收到用户输入并满足所述硬件密钥中所编码的安全标准之后，所述有机材料测定和安全系统指示所述直列式工具的至少一部分工作。
39.一种用于将多层涂层沉积到衬底上的方法，所述方法包括：
配置工具以使该工具包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述衬底上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述衬底上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；以及
减压源，所述减压源至少与所述直列式部分成真空联通放置；
将所述衬底加载到所述工具中；
将所述无机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；
操作所述减压源以在所述有机层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；
将所述有机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；以及固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述衬底上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述衬底上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述衬底上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
40.根据权利要求39所述的方法，还包括在将所述多层涂层的第一层形成在所述衬底上之前处理所述衬底的至少一个表面，以增强所述衬底与所述多层涂层的第一层之间的粘附力。
41.根据权利要求39所述的方法，还包括：
在沉积所述无机层之前将无机掩模放置于所述衬底之上；以及
在沉积所述有机层之前将有机掩模放置于所述衬底上。
42.根据权利要求41所述的方法，还包括堆叠多个掩模以制作底切掩模。
43.根据权利要求41所述的方法，还包括在所述固化之前去除所述有机掩模。
44.根据权利要求39所述的方法，还包括冷却所述工具的至少一部分以实现对所述有机层沉积的控制。
45.根据权利要求39所述的方法，其中，在所述有机层的至少一部分沉积到所述衬底上之前沉积所述无机层的至少一部分，以使得所述衬底上的第一沉积层为无机层。
46.根据权利要求39所述的方法，其中，在所述有机层的至少一部分沉积到所述衬底上之后沉积所述无机层的至少一部分，以使得所述衬底上的第一沉积层为有机层。
47.根据权利要求39所述的方法，还包括操作热控制机构，以使得可以在所述沉积期间控制所述集束型部分和所述直列式部分的至少一个中的温度。
48.根据权利要求39所述的方法，还包括操作有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作。
49.一种用多层涂层封装放置于分立衬底上的有机发光二极管的方法，所述方法包括：
配置封装工具，以使所述封装工具包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；以及
真空源，所述真空源至少被联结到所述直列式部分；
将所述有机发光二极管加载到所述封装工具中；
当所述有机发光二极管位于无机层沉积台中时，将所述无机层的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
当所述有机发光二极管位于有机层沉积台中时，将所述有机层的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
操作所述真空源以在所述有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分期间在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述有机发光二极管上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述有机发光二极管上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述有机发光二极管上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
50.根据权利要求49所述的方法，其中，所述有机层和无机层的沉积被重复至少一次。
51.根据权利要求50所述的方法，其中，所述有机层和无机层的沉积可以按任意次序执行。
52.根据权利要求49所述的方法，其中，用于所述有机层的有机材料以蒸汽形式被导入到所述有机层沉积台中。
53.根据权利要求52所述的方法，其中，所述有机材料为聚合物前体。
54.根据权利要求52所述的方法，其中，所述有机材料为单体。
55.根据权利要求49所述的方法，其中，用于所述无机层的无机材料为陶瓷。
56.根据权利要求49所述的方法，其中，所沉积的所述有机层的所述固化包括紫外线固化。
57.根据权利要求49所述的方法，其中，首先涂敷的层为无机层。
58.根据权利要求49所述的方法，其中，最后涂敷的层为无机层。
59.根据权利要求49所述的方法，还包括在所沉积的至少一个所述无机层上沉积有机层之前，对所沉积的所述至少一个所述无机层进行处理。
60.根据权利要求59所述的方法，其中，所述处理包括对所述无机层施加等离子体源。
61.根据权利要求49所述的方法，还包括操作有机材料测定和安全系统，所述有机材料测定和安全系统包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器、至少一个计算机可加载算法和被配置为运行所述算法的基于微处理器的控制器协作。
62.一种封装工具，该封装工具被配置为将多层涂层沉积到放置于分立衬底上的有机发光二极管上，所述封装工具包括：
集束型工具，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式工具，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式工具被操作地联结到所述集束型工具；
有机材料测定和安全系统，包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；以及
验证设备，所述验证设备与所述容器协作，以使得在满足至少一个安全标准时，所述验证设备允许所述容器与所述直列式工具之间成流体联通；
真空源，至少被联结到所述直列式工具上，以使得在将有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分的期间，所述真空源工作以在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及
至少底切掩模，其设置在所述有机发光二极管上以便避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触所述有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。
63.一种用于将多层涂层沉积到衬底上的方法，所述方法包括：
配置工具以使该工具包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述衬底上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述衬底上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；
基于微处理器的控制器，至少与所述直列式部分成信号联通；
有机材料测定和安全系统，包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；和
验证设备，所述验证设备与所述容器和所述基于微处理器的控制器协作，以使得在满足至少一个安全标准时，所述验证设备和所述基于微处理器的控制器允许所述容器与所述直列式部分之间成流体联通；以及
减压源，至少与所述直列式部分成真空联通放置；
将所述衬底加载到所述工具中；
将所述无机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；
操作所述减压源以在所述有机层沉积到所述衬底上的过程的至少一部分期间在所述衬底周围产生至少部分被抽真空的环境；
将所述有机层的至少一部分作为所述多层涂层的成分沉积到所述衬底上；以及固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述衬底上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述衬底上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述衬底上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触衬底的底切掩模的一部分相接触。
64.根据权利要求63所述的方法，其中，所述验证设备为硬件密钥。
65.一种用多层涂层封装放置于分立衬底上的有机发光二极管的方法，所述方法包括：
配置封装工具以包括：
集束型部分，被配置为将至少一个无机层沉积到所述有机发光二极管上；
直列式部分，被配置为将至少一个有机层沉积到所述有机发光二极管上，所述直列式部分被操作地联结到所述集束型部分；
基于微处理器的控制器；
有机材料测定和安全系统，包括：
内部包括一定量的有机材料的容器；和
硬件密钥，所述硬件密钥与所述容器和所述基于微处理器的控制器协作，以使得在满足至少一个安全标准时，所述硬件密钥和所述基于微处理器的控制器允许所述容器与所述直列式部分之间成流体联通；以及
真空源，至少被联结到所述直列式部分；
将所述有机发光二极管加载到所述封装工具中；
当所述有机发光二极管在无机层沉积台中时，将所述无机材料的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
当所述有机发光二极管在有机层沉积台中时，将所述有机材料的至少一部分沉积到所述有机发光二极管上；
操作所述真空源以在所述有机层沉积到所述有机发光二极管上的过程的至少一部分的期间在所述有机发光二极管周围产生至少部分被抽真空的环境；以及固化所沉积的所述有机层，
其中所述方法还包括在沉积所述无机层或沉积所述有机层前，将至少底切掩模设置在所述有机发光二极管上，和
其中所述将至少一部分所述无机层沉积到所述有机发光二极管上或者所述将至少一部分所述有机层沉积到所述有机发光二极管上包括避免由蔓延到底切掩模所限定的遮蔽区域中的沉积的无机或有机层的一部分与实质上接触有机发光二极管的底切掩模的一部分相接触。