基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统
专利汇可以提供基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且基于N通道和P通道MOSFET的音圈 电机 高速驱动系统，涉及一种音圈电机的驱动系统，解决现有采用高压领域的集成桥 驱动器 存在资源浪费，且导致电机无法工作等问题，主要是针对音圈电机工作 电压 较低工作 频率 高的特点，采用两个N通道和两个P通道MOSFET及相关器件组成H桥电机驱动 电路 。该 发明 采用 逻辑电路 避免出现上电时桥的上下臂导通，采用高速CCD驱动器输出高频强驱动 信号 ；根据N和P通道MOSFET的开通及关闭时间不同的特点， 控制器 输出的驱动逻辑信号避免了在动态变化过程中上下臂同时导通；另外对驱动系统上电顺序进行了规定。本发明避免在音圈电机的动态驱动过程中 驱动桥 的上下臂导通功耗增大。，下面是基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统专利的具体信息内容。
1.基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统，包括控制器、组合逻辑保护电路、集成驱动器和H桥驱动电路；其特征是，所述控制器输出四路逻辑信号Ain、Bin、Cin和Din经组合逻辑保护电路处理后形成四路驱动逻辑信号A、B、C和D，将所述四路驱动逻辑信号A、B、C和D送入集成驱动器进行功率放大，获得四路驱动信号A_BUF、B_BUF、C_BUF和D_BUF，所述四路驱动信号A_BUF、B_BUF、C_BUF和D_BUF用于驱动H桥驱动电路，所述H桥驱动电路通过对所述四路驱动信号的高低电平和占空比进行调节，实现对音圈电机的方向和速度的控制；
所述组合逻辑保护电路输出的四路驱动逻辑信号要求满足以下条件：
驱动逻辑信号A和C相位相反，驱动逻辑信号B和D正脉冲宽度小于A和C的正脉冲宽度；
所述驱动逻辑信号B上升沿滞后驱动逻辑信号A的上升沿，驱动逻辑信号D的上升沿滞后驱动逻辑信号C的上升沿，且滞后的时间大于P型MOSFET从导通到截止的时间，所述驱动逻辑信号B的下降沿超前驱动逻辑信号A的下降沿，驱动逻辑信号D的下降沿超前驱动逻辑信号C的下降沿，且超前的时间大于N型MOSFET从导通到关断的过渡时间。
2.根据权利要求1所述的基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统，其特征在于，所述四路逻辑信号Ain、Bin、Cin和Din与四路驱动逻辑信号A、B、C和D的关系为如下：式中n为大于等于1的正整数；
A＝Ain
B的正脉冲宽度为Ain和Bin相与后的正脉冲缩短2n倍非门的延时时间
。
C＝Cin
D的正脉冲宽度为Cin和Din相与后的正脉冲缩短2n倍非门的延时时间。
3.根据权利要求1所述的基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统，其特征在于，所述的H桥驱动电路，由两组推拉结构的N通道MOSFET和P通道MOSFET以及四个续流二极管组成；H桥驱动电路的工作电压根据电机和负载特性选取，设定不超过15V。
4.根据权利要求1所述的基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统，所述H桥驱动电路的供电电源电压为VCC，且VCC小于等于15V；对应N型的MOSFET管，集成驱动器输出驱动信号低电平为0V，高电平为Vthn +1，所述Vthn为N型MOSFET的门限电压；对应P型的MOSFET管，集成驱动器输出驱动信号低电平为VCC-Vthp-1，高电平与H桥驱动电路的供电电源电压相同，所述Vthp为P型MOSFET的门限电压。
5.根据权利要求1所述的基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统，其特征在于，该驱动系统的上电顺序为：外部的主控系统进行控制器、组合逻辑保护电路和集成驱动器的上电，检测到控制器、组合逻辑保护电路和集成驱动器的工作电压偏差均小于
5％，并且控制器与主控系统通信，以及集成驱动器输出使MOSFET处于关断状态的固定逻辑电平时，进行H桥驱动电路的上电。
基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统
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