包括阳光控制层的透明复合材料及其形成方法
阅读：249发布：2021-08-29
专利汇可以提供包括阳光控制层的透明复合材料及其形成方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了透明 复合材料 ，其可包括有纹理基质和 阳光控制 层。阳光控制层的部分可位于通过有纹理基质的 侧壁 分开的不同高度处。部分可彼此电断开或包括高 电阻 的其他部分。在一个 实施例 中，阳光控制层可非共形沉积在有纹理基质上。阳光控制层可这样形成，使得在阳光控制层的部分之间没有横向间隙。在一个特定实施例中，透明复合材料可具有可见光和高频 信号 的良好透射，同时仍实现 近红外 线 辐射 的适当低的透射。，下面是包括阳光控制层的透明复合材料及其形成方法专利的具体信息内容。
1. 一种透明复合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于所述第 一表面和所述第二表面之间； 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第一部分上覆所述第一表面，并且所述 第二部分上覆所述第二表面，其中所述第二部分通过所述沟槽的侧壁与所述第一部分分 开;和 上覆延伸到所述沟槽内且上覆所述阳光控制层的第二部分的沟槽填充材料， 其中所述透明复合材料具有不大于5 %的雾度。
2. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于所述第 一表面和所述第二表面之间，其中所述有纹理基质具有第一折射率； 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中所述第一部分上覆所述第一表面，并且 所述第二部分上覆所述第二表面;和 在所述沟槽内且上覆所述阳光控制层的第二部分的沟槽填充材料，其中所述沟槽填充 材料具有第二折射率， 其中所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 03内。
3. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面、第二表面和侧壁的有纹理基质，其中： 所述侧壁从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，并且与在所述第一表面处相比较， 所述沟槽在与所述第一表面间隔开的点处更宽;和 所述第一表面位于与所述第二表面相比较不同的高度处，并且通过至少所述有纹理基 质的侧壁与所述第二表面分开;和 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第二部分通过所述有纹理基质的侧壁与 所述第一部分分开。
4. 一种透明复合材料，其包括： 具有第一表面、第二表面和侧壁的有纹理基质，其中： 所述侧壁从所述第一表面朝向所述第二表面延伸，并且具有至少50°的相应侧壁角度； 和 所述第一表面位于与所述第二表面相比较不同的高度处，并且通过至少所述有纹理基 质的侧壁与所述第二表面分开;和 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第二部分通过所述有纹理基质的侧壁与 所述第一部分分开。
5. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于所述第 一表面和所述第二表面之间；和 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第一部分具有在所述第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在所述第二表面上的第二厚度，其中如在所述沟槽的中心测量的， 所述第二厚度不大于所述第一厚度的70%。
6. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于所述第 一表面和所述第二表面之间，其中所述沟槽具有不大于4微米的宽度和大于1:1的深度：宽 度的纵横比；和 具有第一部分的阳光控制层，所述第一部分具有在所述第一表面上的第一厚度，并且 所述阳光控制层基本上无一沿所述沟槽内的第二表面放置。 其中所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 03内。
7. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面和第二表面的有纹理基质，其中所述第二表面彼此间隔开，并且位于与 所述第一表面相比较不同的高度处;和 阳光控制层包括上覆所述第一表面的连续层，其中所述阳光控制层的部分上覆所述第 二表面，其中所述连续层具有至少100欧姆/平方的有效方块电阻。
8. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面且限定沟槽的有纹理基质，所述沟槽从所述第一表面朝向所述有纹理基 质的沿所述沟槽的底部放置的第二表面延伸，其中所述沟槽具有在更接近于所述第一表面 的高度处的第一宽度，在更远离所述第一表面的高度处的第二宽度，并且所述第二宽度大 于所述第一宽度;和 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中根据顶视图，所述第一部分上覆所述第 一表面，并且所述第二部分上覆所述第二表面。
9. 一种透明复合材料，其包括： 具有第一表面、侧壁和第二表面的有纹理基质，所述第二表面位于与所述第一表面相 比较不同的高度处，其中所述侧壁从所述第一表面朝向所述第二表面延伸;和 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中所述第一部分上覆所述第一表面，所述 第二部分上覆所述第二表面， 其中所述透明复合材料： 具有大于1.05的光太阳能热增益系数(LTSHGC);和 使以1.8GHz频率的电磁辐射衰减不大于7dB，或使以4.5GHz频率的电磁辐射衰减不大 于15dB。
10. -种透明复合材料，其包括： 具有第一表面、侧壁和第二表面的有纹理基质，所述第二表面位于与所述第一表面相 比较不同的高度处，其中所述侧壁从所述第一表面朝向所述第二表面延伸;和 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中所述第一部分上覆所述第一表面，所述 第二部分上覆所述第二表面， 其中所述透明复合材料： 具有包括金属薄膜的阳光控制层;和 使以1.8GHz频率的电磁辐射衰减不大于7dB，或使以4.5GHz频率的电磁辐射衰减不大 于15dB。
11. 一种形成透明复合材料的方法，所述方法包括： 提供具有第一表面、侧壁和第二表面的有纹理基质，所述第二表面位于与所述第一表 面相比较不同的高度处，其中所述侧壁从所述第一表面朝向所述第二表面延伸;和 在所述有纹理基质上非共形沉积阳光控制层，其中在沿所述侧壁的点处的台阶覆盖率 不大于50%。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中提供所述基质包括： 涂布下面的基质； 用模子将层压花;和 在压花期间使层固化。
13. 根据前述权利要求中任一项所述的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料 具有不大于5%、不大于4%、不大于3%、不大于2%、或不大于1 %的雾度。
14. 根据前述权利要求中任一项所述的透明复合材料或方法，其还包括具有第二折射 率的沟槽填充材料，其中所述有纹理基质限定从所述第一表面延伸的沟槽，并且具有第一 折射率，所述沟槽填充材料在所述沟槽内；和： 所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 03内； 所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 02内；或 所述第一折射率在所述第二折射率的〇. 01内。
15. 根据权利要求1、2和4至14中任一项所述的透明复合材料或方法，其中与在所述第 一表面处相比较，所述沟槽在与所述第一表面间隔开的点处更宽。
包括阳光控制层的透明复合材料及其形成方法
技术领域
[0001] 本公开内容设及包括阳光控制层的透明复合材料及其形成方法。
背景技术
[0002] 更多的政府强制要求，并且消费者需要窗户减少来自太阳进入建筑物或车辆内部 的热传递。大多数热作为具有在800nm-2500nm范围内的波长的近红外线福射传递。阳光控 制层已使用多年，并且有效减少近红外线福射的透射，同时允许具有在400nm-700nm范围内 的波长的可见光的可接受透射。
[0003] 便携式电话、智能电话、平板电脑等等通常W通常在0.8G化-2.5GHz范围内的频率 且甚至更高的频率与蜂窝塔或其他基础设施设备无线通信。此类电话、计算机及其他蜂窝 设备的使用者需要能够使其装置通过建筑物和车辆的窗户无线通信。穿过玻璃或塑料片材 的无线传输可不伴随显著的信号损失而执行。虽然阳光控制层显著减少近红外线透射而不 显著减少可见光，但此类阳光控制层可显著衰减用于无线通信的电磁福射的传输。解决该 问题的许多尝试允许太多近红外线福射通过或具有复杂的制造方案。附图说明
[0004] 实施例通过举例的方式示出且并不受限于附图。
[0006] 图2包括根据一个实施例的有纹理基质和阳光控制层的一部分的横截面视图的图 /J、- 〇
[0007] 图3包括图2的阳光控制层的线路模型。[000引图4包括根据一个实施例的有纹理基质和阳光控制层的一部分的横截面视图的图 /J、- 0
[0009] 图5包括图4的阳光控制层的线路模型。
[0011] 图8包括根据一个替代实施例的工件的一部分的透视图的图示，所述工件包括支 撑基质和有纹理基质。
[0012] 图9包括根据另一个替代实施例的工件的一部分的顶视图的图示，所述工件包括 有纹理基质。
[0013] 图10和11分别包括根据一个实施例在形成阳光控制层后，图6和7的工件的横截面 视图和透视图的图示。
[0014] 图12包括根据一个实施例在用沟槽填充材料填充沟槽的剩余部分后，图10和11的 工件的横截面视图的图示。
[0015] 图13包括根据一个实施例的基本上完成的透明复合材料的横截面视图。
[0016] 图14包括根据一个替代实施例的工件的一部分的横截面视图的图示，所述工件包 括支撑基质和有纹理基质。
[0018] 图16包括根据一个替代实施例在选择性加宽本体层内的沟槽的部分后，图15的工 件的横截面视图的图示。
[0020] 图19包括用于测试穿过样品（测试下的装置）的射频信号的传输衰减的系统设置 的图示。
[0021] 图20包括示出根据方块电阻的传输衰减(信号损失)的曲线图。
[0022] 技术人员应了解附图中的元件是为了简单和清楚而示出，并且不一定按比例标 绘。例如，附图中的一些元件的尺寸可相对于其他元件放大，W帮助改善本发明的实施例的 理解。
具体实施方式
[0024] 术语"有效方块电阻"预期意指如对于图案调整的材料或层的方块电阻。例如，当 在平坦表面上形成时，层可具有200欧姆/平方的方块电阻。在图案化后，层的宽度(在与厚 度垂直的方向上测量)可仅为如最初形成的层宽度的10%。有效方块电阻是方块电阻（200 欧姆/平方)对在图案化后剩下的层宽度的分数(0.1)的倍数，其对于该例子为2000欧姆/平 方。
[0025] 如本文使用的，可见光透射率(VLT)预期意指透射穿过窗户膜/玻璃系统的总可见 光与到达窗户膜/玻璃系统的总可见光的比率。
[0026] 可见光反射率(VLR)预期意指由窗户膜/玻璃系统反射的总可见光比到达窗户膜/ 玻璃系统的总可见光。
[0028] 太阳能热增益系数(SHGC)预期意指如使用下述等式测量的总太阳能(例如穿过窗 户膜/玻璃系统传递的热）：S服C= 1-TSER。
[0029] 选择性或光太阳能热增益系数化TSHGC)预期意指如使用下述等式测量的化T除W S服C的比率：S = LTS服C =化17 S服C。
[0030] VLT、VLR、TSER、細 GC 和 LT 細 GC 根据 ASTM 标准（参见例如 NFRC-100、NFRC-200 和 NFRC-300)进行计算。
[0031] 在本说明书中提供的性能值意欲对应于当将透明复合膜应用于3mm(l/8英寸)透 明玻璃片材时，或当由3mm(l/8英寸)透明玻璃片材制造透明复合材料时测量的值。
[0032] 如本文使用的，衰减是关于电磁福射经过介质例如窗户膜/玻璃系统的电磁福射 的强度损失。衰减可表示为关于相同衰减量的实际值(例如-5地)或绝对值(例如5地）。
[0033] 术语"包含"、"包括"、"具有"或它们的任何其他变体旨在涵盖非排他性的包括。例 如，包括一系列特征的过程、方法、制品或仪器不必仅限于那些特征，而是可包括未明确列 出的或该过程、方法、制品或仪器所固有的其他特征。此外，除非明确相反指出，"或"指包括 性的或，而非排他性的或。例如，条件A或B由如下任一者满足:A为真(或存在)且B为假(或不 存在），A为假(或不存在)且B为真(或存在），W及A和B均为真(或存在）。
[0034] "-种"或"一个"的使用用于描述本文描述的元件和部件。运仅为了便利，并提供 本发明的范围的一般含义。该描述应理解为包括一种或至少一种，并且单数还包括复数，或 反之亦然，除非其明确具有相反含义。
[0035] 除非另有定义，否则本文使用的所有技术和科学术语均具有与本发明所属领域普 通技术人员通常理解相同的含义。材料、方法和例子仅是举例说明性的并且不意在为限制 性的。就本文未描述的程度而言，关于具体材料和处理动作的许多细节是常规的，并且可在 阳光控制和窗户领域内的教课书及其他来源中找到。
[0036] 透明复合材料可包括有纹理基质和阳光控制层。阳光控制层的部分可在通过侧壁 彼此分开的不同高度处形成。在一个实施例中，在有纹理基质内的沟槽可在形成有纹理基 质时存在，或沟槽可在层内形成，或可通过将材料沉积在层上形成。沟槽底部和沟槽外的表 面之间的高度差可允许阳光控制层具有在沟槽内和外的不连续、间隔开的部分。在一个实 施例中，阳光控制层可非共形沉积在有纹理基质上。阳光控制层无需压碎、破碎或者具有激 光消融或W其他方式去除的部分W形成不连续、间隔开的部分。在垂直于透明复合材料的 主表面的方向上，阳光控制层无需具有任何侧面间隙，并且因此与其中所包括阳光控制层 在阳光控制层形成后破碎成小片的常规窗户膜形成对比，近红外线福射的透射显著减少。 具有纳米颗粒的常规阳光控制层可（1)具有足够的纳米颗粒，W提供良好的近红外（IR)性 能，但具有弱可见光透射，或(2)具有良好的可见光透射，但允许太多近IR福射透射。此外， 可形成仅具有一个阳光控制层的透明复合材料。因此，无需沉积和图案化多个阳光控制层。 透明复合材料可运样制造，使得雾度很低。雾度可使用来自BYKGardner的化ze-Gard™牌雾 度计仪器进行测量。在一个特定实施例中，雾度可根据ASTM D 1003进行测量。
[0037] 在解决特定实施例之前，解决与通过阳光控制层的高频信号衰减相关的问题。阳 光控制层中使用的一些材料例如Ag、Au、Cu、A1或一般而言的透明的传导氧化物(TC0)例如 氧化铜锡（IT0)、A1或Ga渗杂的氧化锋(ZnO)是高度传导性的。图1包括根据层的方块电阻， 通过层W1.8G化的频率的电磁福射传输的曲线图。如由曲线图可见的，信号衰减当方块电 阻减少时是显著的。特别地，传输在1欧姆/平方（在图1中注明为ΩΠ )时是-46地，在10欧 姆/平方时是-27地，并且在100欧姆/平方时是-10地。因此，太低的方块电阻不允许足够的 电磁福射传输用于无线通信。然而，传输在10,000欧姆/平方和更高时为0地至-1地。
[0038] 示例性实施例在下文描述，其示出而不是限制所附权利要求的范围。图2包括有纹 理基质200的一部分和阳光控制层的部分的横截面视图的图示。阳光控制层显著减少近IR 福射的透射，并且仍允许足够的可见光透射。在图2的实施例中，有纹理基质200具有沟槽 220,所述沟槽220具有基本上垂直的侧壁222。阳光控制层的部分242、244和246设置在沟槽 220外的有纹理基质200的顶表面上。阳光控制层的部分262和264设置在沟槽220的底表面 上。部分242、244和246通过沟槽的侧壁222与部分262和264分开。
[0039] 当图2的实施例电建模时，部分各自可具有相应的电阻化42、R244、化46、R262和R264,如 图3中所示。因为阳光控制层的部分242、244、246、262和264间隔开，所^此类部分表示为彼 此并非电连接的电阻器，并且因此是开路。如果跨越部分242和246之间的阳光控制层施加 电压差，则没有电流流动。参考图1，此类情况导致极高的方块电阻(显著大于100,000欧姆/ 平方），并且没有用于无线通信的信号的显著衰减。
[0040] 在另一个实施例中，有纹理基质可采取平台和在平台之间的互联沟槽的形式。在 该实施例中，电阻器R262和R264是连接的。沟槽的宽度可进行调整，W实现沟槽内的阳光控制 层的部分的所需有效方块电阻。例如，需要或期望更高的有效方块电阻时，沟槽可更窄。其 对应于在平台上的阳光控制层的部分的电阻器R242、R244和R246保持与彼此W及在互联沟槽 内的阳光控制层的部分电断开。
[0041] 图4包括一个替代实施例的图示，其中阳光控制层400是在有纹理基质200上形成 的连续层。在图4的实施例中，阳光控制层的部分442、444和446设置在沟槽220外的有纹理 基质200的顶表面上。阳光控制层的部分462和464设置在沟槽220的底表面上。在该实施例 中，部分452、454、456和458沿沟槽220的侧壁222设置，所述侧壁222在阳光控制层200的沿 沟槽的底表面放置的部分和位于沟槽220外的其他部分之间。部分452、454、456和458各自 的厚度基本上薄于部分442、444、446、462和464各自的厚度
[0042] 当图4的实施例电建模时，部分各自可具有相应的电阻R442、R444、R446、R452、R454、 R456、R4日8、R462和R464,如图5中所示。电阻器串联连接，因为阳光控制层400沿有纹理基质400 是连续的。因为部分452、454、456和458的厚度基本上薄于部分442、444、446、462和464， R452、R454、R456和R458各自基本上大于1?442、1?444、1?446、1?462和1?464各自，电路内的等效电阻由1?452、 R454、R45廓R458控制，所述R452、R454、R456和R458对应于侧壁部分452、454、456和458。因此，如果 跨越部分442和446之间的阳光控制层施加电压差，则电流将流动，但此类电流极低。参考图 1，此类情况对应于低于图2中的实施例的方块电阻，但由于薄侧壁部分452、454、456和458， 图4中的实施例可具有对应于至少1000欧姆/平方的有效方块电阻。通过阳光控制层400的 传输损失可不大于-1地。因此，如果阳光控制层的部分沉积在有纹理基质200的沟槽220的 侧壁上，则关于无线通信的传输损失仍可在可接受限度内。
[0043] 注意力现在指向关于制造过程的举例说明性、非限制性实施例，所述制造过程可 用于形成具有阳光控制层的透明复合材料。虽然许多讨论指向W待应用于窗户的膜形式的 透明复合材料，但可对该过程作出变化，使得阳光控制层在窗户内或窗户上形成。
[0044] 形成透明复合材料的方法可W提供有纹理基质开始。参考图6,有纹理基质600具 有彼此基本上平行的主表面602和604。有纹理基质600具有的厚度是主表面602和604之间 的距离，其处于如图6中所示的实施例的垂直方向。在一个实施例中，有纹理基质600的厚度 为至少llOnm、至少200nm、至少500nm、或至少1.1微米，并且在另一个实施例中，有纹理基质 的厚度不大于20微米、或不大于9微米、或不大于7微米。有纹理基质600可具有在上述最大 值和最小值中任意者的范围内，例如110皿至20微米、500nm至9微米、或1.1微米至7微米内 的厚度。
[0045] 有纹理基质600可包括有机材料或无机材料。在一个实施例中，有纹理基质600可 包括透明聚合物。透明聚合物可包括聚丙締酸醋、聚醋、聚碳酸醋、聚硅氧烷、聚酸、聚乙締 化合物、另一类合适的透明聚合物或其混合物。
[0046] 在一个特定实施例中，透明聚合物包括聚丙締酸醋。聚丙締酸醋可为聚(丙締酸甲 醋）、聚(丙締酸乙醋）、聚（丙締酸丙醋）、聚(丙締酸乙締醋）、聚（甲基丙締酸甲醋）、聚（甲基 丙締酸乙醋）、聚（甲基丙締酸丙醋）、聚（甲基丙締酸乙締醋）或其混合物。在另一个实施例 中，聚丙締酸醋可为两种、Ξ种或更多种丙締酸前体的共聚物。丙締酸前体可包括丙締酸甲 醋、丙締酸乙醋、丙締酸丙醋、丙締酸乙締醋、甲基丙締酸甲醋、甲基丙締酸乙醋、甲基丙締 酸丙醋、甲基丙締酸乙締醋。例如，共聚聚丙締酸醋可包括聚（甲基丙締酸甲醋甲基丙締酸 乙締醋）。在一个特定实施例中，透明聚合物包含聚（甲基丙締酸甲醋）。在一个其他特定实 施例中，透明聚合物基本上由聚（甲基丙締酸甲醋)组成。在一个进一步的实施例中，透明聚 合物包含聚（甲基丙締酸乙締醋）。在一个其他特定实施例中，透明聚合物基本上由聚（甲基 丙締酸乙締醋)组成。
[0047]在一个实施例中，透明聚合物包括聚醋。聚醋可包括聚对苯二甲酸乙二醇醋 (PET)、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚对苯二甲酸下二醇醋、聚异糞二甲酸乙二醇醋 (polyethylene isonaphthalate)或其任意组合。在一个特定实施例中，透明聚合物包含 PET。在另一个特定实施例中，透明聚合物基本上由PET组成。[004引在一个实施例中，透明聚合物包括聚酸。聚酸可为聚乙締酸、聚丙締酸、聚下締酸 或其任意组合。在另一个实施例中，聚酸可为两种、Ξ种或更多种多元醇的共聚物。例如，聚 酸可为1，2-乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-下二醇、1，3-下二醇、1，4-下二醇的共聚 物。
[0049] 在一个实施例中，透明聚合物可为聚乙締化合物。聚乙締化合物可为聚乙締醇、聚 乙締醋、聚乙締醇缩醒或其任意组合。在一个实施例中，聚乙締醇缩醒可包括聚乙締醇缩下 醒。在一个特定实施例中，透明聚合物基本上由聚乙締醇缩下醒组成。在另一个实施例中， 聚乙締化合物可为乙締醇衍生物和締控的共聚物。乙締醇衍生物可为乙酸乙締醋。在一个 实施例中，聚乙締化合物可为聚（乙締乙酸乙締醋）。
[0050] 在再一个进一步的实施例中，透明聚合物可具有与邻近层相等或在邻近层的0.03 单位内的折射率。例如，如果邻近层是具有在1.47至1.55之间的折射率的玻璃，则透明聚合 物可由在玻璃的折射率0.03单位内的材料制成。在一个实施例中，邻近层可具有1.49的折 射率，并且透明聚合物可为具有约1.49的折射率的材料。例如，透明聚合物可为具有1.49的 折射率的聚（甲基丙締酸甲醋）。在另一个实施例中，邻近层可具有1.55的折射率，并且透明 聚合物可为具有约1.57的折射率的材料。例如，透明聚合物可为具有1.57的折射率的聚(对 苯二甲酸乙二醇醋）。在一个更特定的实施例中，有纹理基质600包括聚甲基丙締酸烷基醋， 其中烷基具有1至3个碳原子。[0051 ]在其中关注雾度的一个特定实施例中，有纹理基质600不包括聚締控例如聚乙締， 至少部分是由于具有显著不同折射率的结晶相和无定形相引起高水平的雾度。在一个实施 例中，有纹理基质600可包括纳米颗粒，例如二氧化娃、Ti〇2、ITO、渗杂有訊的Sn化。纳米颗粒 旨在增加(在口 0、渗杂有訊的Sn化的情况下）、Ti化)或减少(在二氧化娃的情况下)有纹理基 质600的折射率。在另一个实施例中，有纹理基质600可包括玻璃、蓝宝石、尖晶石、或氮氧化 侣 ΓΑ10Ν")。
[0052]在另一个实施例中，有纹理基质600可具有大于1mm的厚度，并且可为自支撑的，并 且可不需要支撑基质例如支撑基质610。在许多实施例中，有纹理基质600显著薄于1mm，并 且可使用支撑基质610。支撑基质610的厚度和组成可基于应用进行确定。当所产生的透明 复合材料是待应用于窗户的膜时，支撑基质610可为柔性的。在一个实施例中，支撑基质610 可具有至少11微米、至少17微米、或至少25微米的厚度，并且在另一个实施例中，支撑基质 610的厚度可不大于900微米、不大于600微米、或不大于300微米。支撑基质610可具有在上 述最大值和最小值中任意者的范围内，例如11微米至900微米、17微米至600微米、或25微米 至300微米内的厚度。支撑基质610可包括先前就有纹理基质600而言描述的材料中的任一 种。在一个实施例中，支撑基质610具有与有纹理基质600不同的组成。例如，支撑基质610包 括阳T。
[0053] 有纹理基质600限定具有底表面624 W及在主表面602和底表面624之间的侧壁的 沟槽620。在如图6中所示的实施例中，底表面624与主表面602基本上平行，并且侧壁622具 有图6中由al地a(a)注明的侧壁角度。侧壁角度理想地为90%然而，侧壁角度不一定是90°。 侧壁角度可为至少50°、至少80°、至少85°、至少88°、或至少89°。侧壁角度可在上述最大值 和最小值中任意者的范围内，例如50°至90°、80°至90°、85°至90°、88°至90°、或89°至90。 内。在其中阳光控制层不在侧壁上形成或在沉积时相对薄的应用中，侧壁角度可为至少 85°，并且侧壁角度在85°至90°的范围内。在其中待减少雾度的一个特定实施例中，侧壁角 度可接近于90°，例如在88°至90°的范围内。尽管未示出，但沟槽620的拐角接近主表面602 或底表面624可为圆形的。
[0054] 沟槽620具有从对应于主表面602的高度到底表面620的高度测量的深度。沟槽620 的深度可显著大于后续形成的阳光控制层的厚度，使得阳光控制层的不连续、间隔开的部 分上覆主表面602和底表面624,或沿侧壁622的阳光控制层的厚度基本上薄于上覆主表面 602或底表面624的阳光控制层的部分。沟槽620可延伸完全穿过有纹理基质600的厚度，或 仅穿过有纹理基质600的厚度的一部分。在另一个实施例中，沟槽620可延伸穿过有纹理基 质620的基本上全部。在一个实施例中，沟槽620具有至少50皿、至少300皿、或至少1000皿的 深度，并且在另一个实施例中，深度不大于10微米、不大于4微米、或不大于1微米。沟槽的深 度可在上述最大值和最小值中任意者的范围内，例如50nm至10微米、300nm至4微米内。
[0055] 沟槽620的宽度可用于控制后续形成的阳光控制层的有效方块电阻。阳光控制层 的方块电阻沿具有大面积的平坦表面可为20欧姆/平方。如果层的宽度减少90%，则有效方 块电阻变成200欧姆/平方。因此，根据顶视图，在沟槽620内的面积与阳光控制层在其上形 成的总表面积的百分比可用于将有效方块电阻调整至关于阳光控制层的特定组成的所需 或期望值。在一个实施例中，根据顶视图，沿沟槽620的底表面624的面积与有纹理基质的表 面积的百分比不大于50%、不大于1%、或不大于0.01%，并且在另一个实施例中，百分比为 至少1χ10-5%、至少1χ10-4%、或至少1χ10-3%。沿沟槽620的底表面624的面积与有纹理基质 的表面积的百分比可在上述最大值和最小值中任意者的范围内，例如1χ10-5%至50%、 1x10-4% 至1 %、或1x10-3% 至.01% 内。
[0057] 在一个实施例中，沟槽的宽度在沿沟槽的中点处进行测量，并且不大于90微米、不 大于70微米、或不大于50微米、或不大于30微米、不大于9微米、且不大于5微米，并且在另一 个实施例中，宽度为至少0.11微米、至少1.1微米、至少2微米、至少3微米、至少4微米、至少5 微米、或至少11微米。宽度可在上述最大值和最小值中任意者的范围内，例如0.11微米至90 微米、1.1微米至70微米、至少5微米至50微米、或2微米至30微米、或3微米至9微米内。
[0058] 图7包括在加工中的运个点处的顶视图。注意到图6和7中的描述仅为了举例说明 示例性实施例，并且未按比例描绘。参考图7,沟槽620的底表面624对应于有纹理基质600的 暴露下表面。因此，在一个特定实施例中，仅限定单一沟槽，并且在有纹理基质600的暴露下 表面上方的有纹理基质的部分是其上表面对应于图6中的主表面602的平台。图7中所示的 实施例具有间距700，其为特征(平台宽度)和间隔（沟槽宽度）的总和。在一个实施例中，间 距700为至少0.11微米、至少0.5微米、或至少1.1微米或至少5微米、至少1. 1mm、至少2mm，并 且在另一个实施例中，间距700不大于9cm、不大于9mm、不大于5mm、不大于4mm、或不大于900 微米。间距700可在上述最大值和最小值中任意者的范围内，例如0.11微米至9cm、0.5微米 至9mm、1.1微米至5mm、或2mm至4mm内。
[0059] 有纹理基质可W许多不同方式形成，所述方式可部分取决于有纹理基质的材料和 有纹理基质的图案。在一个实施例中，有纹理基质可包括聚合物并且可使用模具或模子 (die)形成。在一个特定实施例中，可通过在支撑基质610上涂布聚合物层，且在聚合物层固 化时用模具将表面压花，形成有纹理基质600。固化可用福射例如紫外线福射或热（即热固 化)执行。在另一个实施例中，模具可置于支撑基质610上，并且有纹理基质可在支撑基质 610上注射成型。在一个进一步的实施例中，聚合物的层可形成且当在支撑基质610上或与 支撑基质610分开时转移成型为有纹理基质600。有纹理基质600具有平台和在平台之间的 互联沟槽。
[0060] 在如图8中所示的另一个实施例中，有纹理基质720可单独挤出或与支撑基质610 共挤出，W形成部分完成的工件。在该实施例中，模子可具有的形状对应于有纹理基质720 的形状，并且间隔开(非互联)的沟槽722和724可在其中挤出有纹理基质720的方向上延伸。 在一个进一步的实施例中，可形成如图9中所示的棋盘图案，所述图9包括部分完成的工件 的一部分的顶视图，所述部分完成的工件包括具有棋盘图案的有纹理基质800,所述棋盘图 案包括平台812和凹进822。有纹理基质800的图案可使用用于形成有纹理基质600的技术中 的任一种形成。
[0061] 其他技术可用于形成包括聚合物或另一种材料例如无机材料的有纹理基质。在一 个实施例中，初始基质具有大致平坦的表面，并且去除初始基质的一部分，W形成有纹理基 质。去除可使用激光束或离子束执行，或者可使用掩蔽和蚀刻技术执行。在另一个实施例 中，有纹理基质可使用添加（即添加材料)而不是减去（即去除材料)过程形成。在一个实施 例中，初始基质可具有在初始基质上选择性形成的透明材料，W形成有纹理基质。参考图7， 此类过程将形成在初始基质上的平台，W形成有纹理基质610。在一个特定实施例中，缕空 掩模可置于初始基质的表面上，并且透明材料可通过缕空掩模中的开口沉积，使得透明材 料的形状对应于形成平台中的开口的形状。可使用其他形成技术而不背离所附权利要求的 范围。
[0062] 下述加工顺序基于如图6和7中所示的有纹理基质600和支撑基质610。用于其他有 纹理基质例如图8和9中的有纹理基质的加工可基本上如就图6和7而言所述执行。
[0063] 阳光控制层可在有纹理基质600上形成，如图10中所示。阳光控制层包括沿主表面 602放置的部分802, W及沿沟槽620的底表面624放置的部分824。如图10和11中所示，阳光 控制层不沿侧壁622的基本上全部放置，并且因此在如图11中所示的实施例中，侧壁622的 部分在阳光控制层的部分802和824之间是暴露的。尽管阳光控制层可包括传导材料的一个 或多个层，但部分802与彼此和部分824间隔开。因此，部分802和824彼此并非电连接。根据 在与主表面602垂直的方向上的顶视图，部分802不上覆部分824。在另一个实施例中，仅小 部分例如小于5%的部分802上覆部分824。
[0064] 阳光控制层可使用技术形成，与垂直表面例如沟槽620的侧壁622相比较，所述技 术沿水平表面例如沟槽620的主表面602和底表面624更容易形成阳光控制层。阳光控制层 可非共形沉积在有纹理基质620上。在一个实施例中，非共形沉积使用物理气相沉积或化学 气相沉积技术在真空中执行。在一个特定实施例中，非共形沉积使用瓣射、离子束沉积、电 锻或等离子体增强化学气相沉积执行。在一个特定实施例中，阳光控制层可通过D切兹控、脉 冲DC、双脉冲DC或双脉冲AC瓣射形成，使用由金属或陶瓷金属氧化物制成的可旋转或平面 祀。需要或期望时，当瓣射时可使用准直器或另一种相似装置，W帮助阻止或减少阳光控制 层沿侧壁622的沉积。
[0065] 阳光控制层可沉积至运样的厚度，使得部分802不接触部分824。厚度可根据沟槽 的深度表示，其中厚度在与侧壁622间隔开的主表面602上进行测量减少邻近效应）。在 一个实施例中，阳光控制层具有的厚度不大于主表面602和底表面624之间的高度差的 80%、不大于50%、不大于40%、不大于30%、或不大于9%。在另一个实施例中，阳光控制层 具有的厚度为主表面602和底表面624之间的高度差的至少0.02 %、至少0.05 %、至少 0.2%、至少0.5 %、至少2 %、至少11 %、或至少20 %。主表面602和底表面624之间的高度差 的百分比可在上述最大值和最小值中任意者的范围内，例如主表面602和底表面624之间的 高度差的0.02%至80%、0.05%至30%、或0.2%至9%内。可替代地，阳光控制层的厚度可 W测量单位而不是在相对基础上表示。在一个实施例中，阳光控制层具有不大于1500nm、不 大于400nm、不大于160nm、不大于lOOnm的厚度，并且在另一个实施例中，阳光控制层具有至 少lOnm、至少20nm、至少40nm、或至少200nm的厚度。厚度可在上述最大值和最小值中任意者 的范围内，例如lOnm至1500nm、20nm至400nm、40nm至160nm、或50nm至lOOnm内。
[0066] 在阳光控制层内的层数目、组成和层厚度选择为允许可见光的大量透射，同时使 显著量的近IR福射衰减。在阳光控制层内的层可包括银基层、金属基层（除银基层外的其 他）、金属氧化物层、金属氮化物层，并且还可包括阻挡层。上文描述的一个或多个银基层中 的任一个可含有银，并且在特定实施例中，可基本上由银组成。如本文使用的，短语"基本上 由银组成"指含有至少95原子％银的银基层。在其他实施例中，一个或多个银基层可具有不 大于30原子％、不大于20原子％、或甚至不大于10原子％的另一种金属，所述另一种金属例 如金、销、钮、铜、侣、铜、锋或其任意组合。本文描述的一个或多个金属基层中的任一个可基 本上由金属组成。如本文使用的，短语"基本上由金属组成"指至少95原子％的金属。
[0067] -个或多个银基层中的任一个可具有至少0.1 nm、至少0.5nm、或甚至至少Inm的厚 度。此外，一个或多个银基层中的任一个可具有不大于约lOOnm、不大于50nm、不大于25nm、 或甚至不大于20nm的厚度。此外，一个或多个银基层中的任一个可具有在上述最大值和最 小值中任意者的范围内，例如〇.5nm至约25nm、或甚至Inm至20nm内的厚度。
[0068] 在一个实施例中，本文描述的一个或多个金属基层中的任一个可含有基本上纯的 金属，或在其他实施例中，金属合金。在其他实施例中，一个或多个金属基层中的任一个可 含有金属合金，例如含有基于金属基层的总重量，W至少70原子％浓度的主要金属和W小 于30原子％浓度的次要金属。本文描述的一个或多个金属基层中的任一个可含有包括金、 铁、侣、销、钮、铜、铜、锋或其组合的金属。在一个特定实施例中，本文描述的一个或多个金 属基层中的任一个可含有金。在其他特定实施例中，金属基层可基本上不含金。如本文使用 的，短语"基本上不含金"指含有小于5原子％金的金属基层。
[0069] 上文描述的一个或多个金属基层中的任一个可具有运样的厚度，其允许金属基层 是基本上透明的，并且对银基层提供足够的保护。在一个特定实施例中，上文描述的一个或 多个金属基层中的任一个可具有至少0.1皿、至少0.5皿、或甚至至少1皿的厚度。此外，上文 描述的一个或多个金属基层中的任一个可具有不大于lOOnm、不大于55nm、不大于5nm、或甚 至不大于约2nm的厚度。
[0070] 上文描述的一个或多个金属基层中的任一个可具有相同厚度或可具有不同厚度。 在一个特定实施例中，一个或多个金属基层各自具有基本上相同的厚度。如本文使用的， "基本上相同的厚度"指在彼此10%内的厚度。金属氧化物基层可邻近或甚至直接接触相对 银基层的金属基层的主表面设置。
[0071] 上文讨论的一个或多个金属氧化物层中的任一个可含有金属氧化物，例如氧化铁 (例如Ti〇2)、氧化侣、Bi〇2、PbO、师0、5记11〇、511〇2、51〇2、211〇或其任意组合。在一个特定实施 例中，金属氧化物层可含有氧化铁或氧化侣，且甚至基本上由氧化铁或氧化侣组成。金属氧 化物层可具有至少约0.5皿、至少Inm、或至少化m的厚度，并且在另一个实施例中，可具有不 大于lOOnm、不大于50nm、不大于20nm、或甚至不大于lOnm的厚度。此外，上文讨论的一个或 多个金属氧化物层中的任一个可具有在上述最大值和最小值中任意者的范围内，例如 0.5nm至lOOnm、或甚至2nm至50nm内的厚度。
[0072] 图12包括在沟槽填充材料1002填充沟槽620的剩余部分后的图示。在如图12中所 示的实施例中，沟槽填充材料1002还上覆阳光控制层的部分802。沟槽填充材料1002在部分 802上的厚度可为至少0.2微米、至少0.5微米、至少0.8微米或至少1.1微米，并且在另一个 实施例中，厚度不大于7微米、不大于5微米、不大于4微米、或不大于3微米。厚度可在上述最 大值和最小值中任意者的范围内，例如0.2微米至7微米、0.5微米至5微米、0.8微米至4微 米、或1.1微米至3微米内。在另一个实施例中，沟槽填充材料1002基本上无一上覆部分802。 在此类实施例中，沟槽填充材料1002的上表面可在主表面602的高度和接近沟槽602的部分 802的上表面之间的高度处。在其中关注雾度的一个实施例中，沟槽填充材料1002可填充沟 槽620且上覆部分802, W减少沟槽620内和紧在沟槽620上方的材料界面的数目，例如图12 中所示。
[0073] 在一个特定实施例中，当有纹理基质600和沟槽填充材料1002的折射率相同时，雾 度还可减少。如果沟槽填充材料1002的厚度小于300皿，则有纹理基质600和后续形成的透 明耐候层之间的折射率可相同。如果沟槽624的底部（图6)和支撑基质610之间的距离小于 300nm，则支撑基质610和沟槽填充材料1002的折射率可相同。
[0074] 沟槽填充材料1002可包括如先前就有纹理基质600而言描述的材料中的任一种。 在一个实施例中，沟槽填充材料1002包括粘合剂，例如层压粘合剂或压敏粘合剂。在一个实 施例中，沟槽填充材料1002可包括聚醋、丙締酸醋、聚乙酸乙締醋（"PVAc")、聚乙締醇缩下 醒、聚乙締醇（"PVA")、娃橡胶、另一种合适的粘合剂或其任意混合物。在另一个实施例中， 沟槽填充材料1002不是粘合剂。在此类实施例中，沟槽填充材料1002可包括纳米颗粒，例如 二氧化娃、Ti〇2、ITO、渗杂有Sb的Sn化。纳米颗粒旨在将沟槽填充材料1002的折射率增加(在 ΙΤΟ、渗杂有訊的Sn化的情况下）、Ti化)或减少(在二氧化娃的情况下)至有纹理基质600的材 料的折射率，并且因此减少雾度。在此类实施例中，沟槽填充材料1002可涂布且固化。该特 定实施例可能需要分开的粘附层，W允许沟槽填充材料1002粘附至后续附着的层，例如耐 候层。
[0075] 可执行用于有纹理基质600和沟槽填充材料1002的材料选择W实现特定性质。例 如，雾度可为关注问题，并且为了减少雾度，用于有纹理基质600和沟槽填充材料1002的材 料的折射率可在彼此的0.03内，在彼此的0.02内，或在彼此的0.01内。折射率在20°C下用福 射源进行测定，所述福射源发出在589皿处的光(黄光）。当折射率不同时，有纹理基质600的 材料的折射率可高于沟槽填充材料1002,或反之亦然。在一个特定实施例中，有纹理基质 600可包括具有约1.49的折射率的丙締酸醋，并且沟槽填充材料1002可包括具有约1.47的 折射率的PVAc。在另一个特定实施例中，有纹理基质600可包括具有约1.54的折射率的玻璃 (Si化），并且沟槽填充材料1002可包括具有约1.53的折射率的PVA。因此，在阅读本说明书 后，技术人员将能够确定用于有纹理基质600和沟槽填充材料1002的匹配材料对，W实现相 对低的雾度。
[0076] 图13包括基本上完成的透明复合材料1100的图示，所述透明复合材料1100可为设 计为应用于窗户（未示出）的透明膜。硬涂层1110在相对有纹理基质600的表面上沿支撑材 料610放置。硬涂层1110可提供耐磨性中的改善，使得支撑层610不太可能被划伤。硬涂层 1110可包括交联丙締酸醋、含有纳米颗粒例如Si化或Al2〇3的丙締酸醋、或其任意组合。硬涂 层1110可具有在1微米至5微米范围内的厚度。
[0077] 透明复合材料1100还可包括在沟槽填充材料1002上的透明耐候层1102。透明耐候 层1102帮助保护阳光控制层。透明耐候层1102具有可见光的高透射，并且对在长期暴露于 太阳下的泛黄或开裂相对抗性。透明耐候层1102可包括如先前就支撑基质610而言描述的 材料中的任一种。透明耐候层1102可具有在10微米至50微米范围内的厚度。当沟槽填充材 料1002是层压粘合剂或压敏粘合剂时，透明耐候层1102可应用于沟槽填充材料1002。当沟 槽填充材料1002并非粘合剂时，粘合剂例如压敏粘合剂可用于将透明耐候层1102粘附至沟 槽填充材料1002。
[0078] 粘附层1104设置在透明耐候层1102和剥离层1106之间。当沟槽填充材料1002是粘 合剂时，粘附层1104可包括如先前就沟槽填充材料1002而言描述的粘附材料和厚度中的任 一种。在另一个实施例中，粘附层1104可包括任何粘合剂，所述粘合剂为透明的且对于粘附 层1104的特定厚度具有对于可见光至少85%的透明度。在一个实施例中，粘附层是压敏粘 合剂。在一些情况下，一旦安装在窗户上，粘附层1104就是待由日光穿过的透明复合材料内 的第一层。在此类情况下，UV抗性层可用作粘附层1104例如丙締酸醋。可加入添加剂例如UV 吸收剂，W便增加整个透明复合材料1100的耐久性。剥离衬里1106在透明复合材料1100的 运送和处理期间保护粘附层1104。剥离衬里1106将在透明复合材料1100应用于窗户之前去 除。因此，剥离衬里1106的透射性质并不重要;剥离衬里1106对可见光可为不透明的或可为 半透明的。因此，剥离衬里1106的组成和厚度并非关键。在其中透明复合材料1100作为卷胆 存的一个特定实施例中，剥离衬里1106的厚度选择为允许透明复合材料1100为柔性的。在 另一个实施例中，不使用剥离衬里1106。例如，透明复合材料1100可在透明复合材料1100制 造后不久安装在窗户上。在应用粘附层1104后，透明复合材料1100可安装在窗户上。
[0079] 在一个不同实施例中，透明复合材料可在窗户上或使用窗户进行制造。在一个特 定实施例中，支撑基质610和硬涂层610可替换为窗户。窗户可包括玻璃、蓝宝石、尖晶石、 A10N或前述的任何复合材料例如透明防护壳(armor)。有纹理基质600可在窗户表面上形成 或应用于窗户表面。阳光控制层可如先前描述的形成。可使用如先前描述的沟槽填充材料 1002和透明耐候层1104。在该实施例中，透明耐候层1104可具有最高达1000微米的厚度。硬 涂层随后将在透明耐候层1104上形成，其中硬涂层具有如先前就硬涂层1110而言描述的组 成和厚度。
[0080] 在另一个不同实施例中，窗户还可替换有纹理基质600。在该实施例中，窗户的表 面可通过掩蔽层覆盖，并且窗户的一部分可蚀刻或W其他方式去除，W形成具有如先前就 有纹理基质600而言描述的平台和沟槽的表面。在去除掩模后，阳光控制层、透明耐候层和 硬涂层的制造与先前实施例中所述基本上相同。在一个进一步的实施例中，可通过使用缕 空掩模，且将透明材料选择性沉积到窗户上W实现有纹理基质，使窗户具有纹理。在一个进 一步的实施例中，有纹理基质600可包括玻璃。在形成阳光控制层后，沟槽的剩余部分可填 充有沟槽填充材料，其包括渗杂有纳米颗粒的聚乙締醇缩下醒(PVB)，W增加沟槽填充材料 的折射率，W更接近于玻璃或与玻璃相同。
[0081] 参考图4,当在特定实施例中形成阳光控制层时，可发生沿侧壁的一定沉积。此类 侧壁沉积不是问题，条件是阳光控制层的侧壁部分的电阻足够高。如本文使用的，台阶覆盖 率(St邱coverage)是如与侧壁垂直测量的沿侧壁的层最小厚度除W除去任何拓扑学变化 沿水平表面空间的层厚度的百分比。在一个实施例中，例如图4中所示的那种，台阶覆盖率 可不大于50 %。在另一个实施例中，台阶覆盖率可小于20 %、小于9 %、小于5 %、或小于 0.9%。当台阶覆盖率为0%时，层沿侧壁是不连续的。因此，图2示出了其中台阶覆盖率为 0 %的一个实施例。
[0082] 尽管90°的侧壁角度不应具有任何侧壁沉积，但即使侧壁角度为90°，阳光控制层 的一些也可变得沉积在侧壁上。如果需要或期望阳光控制层的不连续性，则沟槽的形状可 运样改变，使得在沟槽顶部处的沟槽宽度小于在与沟槽顶部间隔开的位置处的沟槽宽度。 参考图14,有纹理基质1200具有主表面1202和1204, W及具有模形形状的沟槽1220。沟槽 1220具有侧壁1222,其具有为纯角的侧壁角度alpha(a)。侧壁角度可在90°至120°的范围 内。有纹理基质600可通过具有模子的挤出形成，所述模子具有对应于模形形状沟槽1220的 图案。
[0083] 在另一个实施例中，可形成具有底切部分的沟槽。参考图15,本体层1300和覆盖层 1310在支撑基质610上形成。在一个特定实施例中，支撑基质610可为窗户，本体层1300可包 括渗杂玻璃，并且覆盖层1310可包括无渗杂玻璃层。掩蔽层1340可在覆盖层1310上形成且 图案化，W形成对应于其中形成沟槽1320的位置的开口。覆盖层1310和本体层1300可各向 异性地蚀刻，W形成具有基本上垂直的侧壁的沟槽1320。工件可暴露于各向同性蚀刻剂，其 蚀刻本体层1400更快于覆盖层1410,如图16中所示。在一个特定实施例中，本体层1400可为 憐渗杂玻璃，并且蚀刻剂可为HF酸溶液，因为当暴露于HF酸溶液时，憐渗杂玻璃比未渗杂玻 璃更快速蚀刻。因此，本体层1400内的沟槽1420的宽度1440宽于覆盖层1410内的沟槽1420 的宽度1410。掩蔽层1340可在暴露于HF酸溶液之前或之后去除。
[0084] 图17和18包括使用压花技术形成的有纹理基质和非共形沉积在有纹理基质上的 金属层的扫描电子显微镜图像。沟槽具有2.2微米至2.4微米的宽度和小于5微米的深度。沟 槽的深度可在3.5至4.5微米的范围内。在其他实施例中，关于宽度和深度的值可为不同的。
[0085] 对于图14和16至18中描述且示出的实施例各自，阳光控制层和沟槽填充材料1002 如先前描述的形成。由于沟槽的形状，阳光控制层具有不连续部分。特别地，与在有纹理基 质的顶表面处相比较，沟槽在与顶表面间隔开的点处更宽。在图14中，在底部处的沟槽宽度 与在沟槽顶部和底部之间的中间位置的高度处是相同的。在图16中，与在沟槽顶部和底部 之间的中间位置的高度处相比较，沟槽在沟槽的底部处更宽。在图18中，沟槽从在沟槽内垂 直延伸的中屯、线(与有纹理基质的顶表面垂直)向外弯曲，使得宽度在沟槽顶部和底部之间 的高度处最大。图14、16和18中的沟槽轮廓中的任一种可用于形成阳光控制层，使得阳光控 制层沿沟槽的壁将是不连续的。
[0086] 另一片玻璃可粘附至如图14至18中所述和示出的实施例。PVB层可应用于玻璃层， 并且将玻璃层和有纹理基质与阳光控制层按压在一起。PVB层可包括纳米颗粒，W允许PVB 的折射率更好地匹配玻璃层。
[0087] 如本文描述的实施例具有超过其他结构和过程的优点。当在垂直于表面的方向上 察看时，在阳光控制层的覆盖中不存在横向间隙。例如肝2005-104793中公开的常规窗户膜 可沉积阳光控制层，随后将层压碎或W其他方式破坏或破碎，W使阳光控制层破坏成分开 的小片，W便使阳光控制层的部分彼此电断开。其他常规窗户膜可包括具有纳米颗粒的膜。 另外其他的常规窗户膜的阳光控制层的部分可通过激光消融或其他去除技术去除。在阳光 控制层的部分之间的横向间隙（分开的小片、纳米颗粒或激光消融的阳光控制层)可允许显 著的近I姆畐射通过常规窗户膜。
[0088] 在另一个实施例中，在有纹理基质内的沟槽的宽度和纵横比（深度与宽度的比率） 是运样的，使得阳光控制层无一或更小厚度的阳光控制层沿沟槽的底表面形成。在一个特 定实施例中，有纹理基质可W相对于祀的速度移动，使得阳光控制层的很少或无一沿沟槽 的底表面形成。在一个进一步的实施例中，工件可相对于祀倾斜，使得瓣射材料W与有纹理 基质的主表面并非垂直的角度沉积。在另一个特定实施例中，沟槽的宽度可小于5微米、小 于4微米、小于3微米、小于1.5微米、小于1微米、或小于0.5微米，并且在一个进一步的特定 实施例中，纵横比为至少1:1、至少1.5:1、至少2:1、至少4:1或至少8:1。如在沟槽的中屯、内 测量的，沿沟槽底部的厚度不大于在邻近平台上的阳光控制层厚度的70%、50%、30%或 9%。
[0089] 如上所述，新型透明复合材料包括在其上形成阳光控制层的有纹理基质。如形成 的，阳光控制层包括彼此间隔开且电断开的部分，或此类部分具有足够高的有效方块电阻， 使得高频信号的衰减是可接受的低的。因此，根据本文描述的实施例的透明复合材料不具 有在阳光控制层的部分之间的横向间隙，并且因此充分适合减少近IR福射的透射。因此，如 本文描述的实施例可能能够实现至少1.05、至少1.3、至少1.4、至少1.5、或至少1.6的 LTSHGC，W及对于W1.8G化、4細Z、6G化或之间的任何频率例如4.5G化的电磁福射，不大于 lOdB、不大于8dB、或不大于7地、不大于5dB、不大于3dB、或不大于1地的衰减。因此，可实现 可见光和高频的良好透射，同时维持近IR福射的低透射。在一个实施例中，VLT高于70%， SHGC低于47%，并且.8G化的电磁福射的衰减不大于10地、或不大于7地、不大于5地、不 大于3dB、或不大于IdB。在一个实施例中，VLT高于73%，SHGC低于69%，并且W1.8G化的电 磁福射的衰减不大于10地、或不大于7地、不大于5dB、不大于3dB、或不大于IdB。如本文描述 的形成透明复合材料的过程不设及形成多层图案化的阳光控制层，并且因此需要更少的加 工操作。此外，根据顶视图，平台的大小和沟槽的宽度可运样加 W选择，使得透明复合材料 具有对人眼（不放大）的均匀外观。因此，不形成透明复合材料的行或列或者略微更亮或更 暗的部分。
[0090] 透明复合材料的雾度可通过下述保持很低：具有彼此平行的所有水平界面，使垂 直界面保持接近于90° (如相对于水平界面测量的），并且在此类垂直界面处，匹配在垂直界 面的相对侧处的材料的折射率。因此，如图12中所示的实施例充分适合于实现低雾度。如果 略微更高的雾度是可接受的，则界面无需是垂直的，例如图14的实施例中所示，沿垂直界面 的材料的折射率无需如此紧密匹配(对于沿垂直界面的材料的折射率之间的差异，大于 0.03)，或其任意组合。因此，界面的定向和材料的选择可受对其使用透明复合材料的特定 应用影响。
[0091] 许多不同方面和实施例是可能的。运些方面和实施例中的一些在本文中得到描 述。在阅读本说明书后，技术人员应了解运些方面和实施例仅是举例说明性的，并且不限制 本发明的范围。实施例可根据如下文列出的项目中的任何一个或多个。
[0092] 项目1.一种透明复合材料，其包括：
[0093] 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于第 一表面和第二表面之间；
[0094] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第一部分上覆沟槽的第一表面，并 且所述第二部分上覆沟槽的第二表面，其中所述第二部分通过沟槽的侧壁与所述第一部分 分开;和[00M]上覆延伸到沟槽内且上覆阳光控制层的第二部分的沟槽填充材料，
[0096] 其中所述透明复合材料具有不大于5%的雾度。
[0097] 项目2. -种透明复合材料，其包括：
[0098] 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于第 一表面和第二表面之间，其中所述有纹理基质具有第一折射率；
[0099] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中所述第一部分上覆第一表面，并且 所述第二部分上覆第二表面;和
[0100] 在沟槽内且上覆阳光控制层的第二部分的沟槽填充材料，其中所述沟槽填充材料 具有第二折射率。[0101 ]项目3. -种透明复合材料，其包括：
[0102] 具有第一表面、第二表面和侧壁的有纹理基质，其中：
[0103] 所述侧壁从第一表面朝向第二表面延伸，并且与在第一表面处相比较，所述沟槽 在与第一表面间隔开的点处更宽;和
[0104] 所述第一表面位于与所述第二表面相比较不同的高度处，并且通过至少有纹理基 质的侧壁与第二表面分开;和
[0105] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第二部分通过有纹理基质的侧壁与 所述第一部分分开。
[0106] 项目4. 一种透明复合材料，其包括：
[0107] 具有第一表面、第二表面和侧壁的有纹理基质，其中：
[0108] 所述侧壁从第一表面朝向第二表面延伸，并且具有至少50°的相应侧壁角度;和
[0109] 所述第一表面位于与所述第二表面相比较不同的高度处，并且通过至少有纹理基 质的侧壁与第二表面分开;和
[0110] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第二部分通过有纹理基质的侧壁与 所述第一部分分开。[011。 项目5. -种透明复合材料，其包括：
[0112] 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于第 一表面和第二表面之间；和
[0113] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第一部分具有在第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在第二表面上的第二厚度，其中如在沟槽的中屯、测量的，所述第二 厚度不大于所述第一厚度的70%。
[0114] 项目6. -种透明复合材料，其包括：
[0115] 具有第一表面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽的有纹理基质，所述侧壁位于第 一表面和第二表面之间，其中所述沟槽具有不大于4微米的宽度和大于1:1的深度：宽度的 纵横比；和
[0116] 具有第一部分的阳光控制层，所述第一部分具有在第一表面上的第一厚度，并且 所述阳光控制层基本上无一沿沟槽内的第二表面放置。
[0117] 其中所述第一折射率在所述第二折射率的0.03内。[011引项目7. -种透明复合材料，其包括：
[0119] 具有第一表面和第二表面的有纹理基质，其中所述第二表面彼此间隔开，并且位 于与所述第一表面相比较不同的高度处;和
[0120] 阳光控制层包括上覆所述第一表面的连续层，其中所述阳光控制层的部分上覆第 二表面，其中所述连续层具有至少100欧姆/平方的有效方块电阻。[0121 ]项目8. -种透明复合材料，其包括：
[0122] 具有第一表面且限定沟槽的有纹理基质，所述沟槽从第一表面朝向有纹理基质的 沿沟槽的底部放置的第二表面延伸，其中所述沟槽具有在更接近于第一表面的高度处的第 一宽度，在更远离第一表面的高度处的第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度;和
[0123] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中根据顶视图，所述第一部分上覆第 一表面，并且所述第二部分上覆第二表面。
[0124] 项目9. 一种透明复合材料，其包括：
[0125] 具有第一表面、侧壁和第二表面的有纹理基质，所述第二表面位于与所述第一表 面相比较不同的高度处，其中所述侧壁从第一表面朝向第二表面延伸;和
[0126] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中所述第一部分上覆第一表面，所述 第二部分上覆第二表面，
[0127] 其中所述透明复合材料：[01 %]具有大于1.05的光太阳能热增益系数化TS服C);和
[0129]使W1.8G化频率的电磁福射衰减不大于7dB，或使W4.5G化频率的电磁福射衰减 不大于15地。
[0130] 项目10. -种透明复合材料，其包括：
[0131] 具有第一表面、侧壁和第二表面的有纹理基质，所述第二表面位于与所述第一表 面相比较不同的高度处，其中所述侧壁从第一表面朝向第二表面延伸;和
[0132] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，其中所述第一部分上覆第一表面，所述 第二部分上覆第二表面，
[0133] 其中所述透明复合材料：
[0134] 具有包括金属薄膜的阳光控制层;和
[0135] 使W1.8G化频率的电磁福射衰减不大于7dB，或使W4.5G化频率的电磁福射衰减 不大于15地。
[0136] 项目11. 一种形成透明复合材料的方法，其包括：
[0137] 提供具有第一表面、侧壁和第二表面的有纹理基质，所述第二表面位于与所述第 一表面相比较不同的高度处，其中所述侧壁从第一表面朝向第二表面延伸;和
[0138] 在所述有纹理基质上非共形沉积阳光控制层，其中在沿所述侧壁的点处的台阶覆 盖率不大于50%。
[0139] 项目12.项目11的方法，其中所述阳光控制层具有上覆第一表面的第一部分和位 于第二表面上的第二部分。
[0140] 项目13.项目11或12的方法，其中非共形沉积使用物理气相沉积或化学气相沉积 技术在真空中执行。
[0142] 项目15.项目11至14中任一项的方法，其还包括去除沿侧壁放置的阳光控制层的 部分，其中在去除所述阳光控制层的部分后，所述阳光控制层的第一部分和第二部分彼此 不连接。
[0143] 项目16.项目11至15中任一项的方法，其中提供有纹理基质包括使用对应于有纹 理基质的模具或模子。
[0144] 项目17.项目16的方法，其中提供有纹理基质包括使用模子挤出聚合物。
[0145] 项目18.项目16的方法，其中提供基质包括使用模具使聚合物注射成型。
[0146] 项目19.项目16的方法，其中提供基质包括使用模具使聚合物转移成型。
[0147] 项目20.项目16的方法，其中提供基质包括：[014引涂布下面的基质；
[0149] 用模子将层压花;和
[0150] 在压花期间使层固化。
[0151] 项目21.项目11至15中任一项的方法，其中提供有纹理基质包括：
[0152] 提供具有大致平坦的第一表面的初始基质;和
[0153] 去除所述初始基质的一部分，W形成有纹理基质。
[0154] 项目22.项目11至15中任一项的方法，其中提供有纹理基质包括：
[0155] 提供具有大致平坦的第一表面的初始基质;和
[0156] 在所述初始基质的第一表面上选择性形成透明材料，W形成有纹理基质。
[0157] 项目23.项目22的方法，其中选择性沉积包括：
[0158] 将缕空掩模放置在所述初始基质的第一表面上;和
[0159] 通过所述缕空掩模中的开口沉积透明材料，使得在所述初始基质的第一表面上的 所述透明材料的形状对应于所述开口的形状。
[0160] 项目24.项目11至15中任一项的方法，其中形成有纹理基质包括：
[0161] 在支撑基质上形成第一层；
[0162] 在所述第一层上形成第二层；
[0163] 在所述第二层上形成图案化的掩蔽层;和
[0164] 用蚀刻剂蚀刻所述第一层，所述蚀刻剂W大于第二层的蚀刻速率蚀刻第一层。
[0165] 项目25.项目11至24中任一项的方法，其还包括相对于祀移动所述有纹理基质，使 得阳光控制层无一沿第二表面形成，或沿第二表面的阳光控制层厚度不大于沿第一表面的 阳光控制层厚度的70 %。
[0166] 项目26.项目11至25中任一项的方法，其还包括相对于祀平铺所述有纹理基质，使 得阳光控制层无一沿第二表面形成，或沿第二表面的阳光控制层厚度不大于沿第一表面的 阳光控制层厚度的70 %。
[0167] 项目27.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述侧壁具有相应的侧 壁角度，其为至少50°、至少80°、至少85°、至少88°、或至少89°。
[0168] 项目28.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述侧壁具有相应的侧 壁角度，其在50°至90°、80°至90°、85°至90°、88°至90°、或89°至90°的范围内。
[0169] 项目29.项目1至26中任一项的透明复合材料或方法，其中所述侧壁具有大于90° 的相应侧壁角度。
[0170] 项目30.项目29的透明复合材料或方法，其中所述侧壁具有在90.5至120°范围内 的相应侧壁角度。
[0171] 项目31.项目1、2和4至30中任一项的透明复合材料或方法，其中与在第一表面处 相比较，所述沟槽在与所述第一表面间隔开的点处更宽。
[0172] 项目32.项目3或31的透明复合材料或方法，其中根据横截面视图，所述沟槽从沟 槽的中屯、线向外弯曲。
[0173] 项目33.项目3或31的透明复合材料或方法，其中根据横截面视图，与沟槽的顶部 相比较，所述沟槽在沟槽的底部处更宽。
[0174] 项目34.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中：
[0175] 所述有纹理基质限定从所述第一表面延伸的沟槽;和
[0176] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第一部分具有在第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在第二表面上的第二厚度，其中如在沟槽的中屯、测量的，所述第二 厚度不大于所述第一厚度的70%、不大于50%、不大于30%、或不大于9%。
[0177] 项目35.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中：
[0178] 所述有纹理基质限定从所述第一表面延伸的沟槽;和
[0179] 具有第一部分和第二部分的阳光控制层，所述第一部分具有在第一表面上的第一 厚度，所述第二部分具有在第二表面上的第二厚度，其中如在沟槽的中屯、测量的，所述第二 厚度为所述第一厚度的至少1 %。
[0180] 项目36.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中有纹理基质具有第一表 面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽，所述侧壁位于第一表面和第二表面之间，其中所述 沟槽具有不大于5微米、不大于4微米、不大于3微米、不大于2.5微米、不大于1.5微米、不大 于0.9微米、或不大于0.5微米的宽度。
[0181] 项目37.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中有纹理基质具有第一表 面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽，所述侧壁位于第一表面和第二表面之间，其中所述 沟槽具有至少0.3微米或至少0.5微米的宽度。
[0182] 项目38.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中有纹理基质具有第一表 面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽，所述侧壁位于第一表面和第二表面之间，其中所述 沟槽具有大于1:1、至少1.5:1、至少2:1、至少4:1、或至少8:1的深度:宽度的纵横比。
[0183] 项目39.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中有纹理基质具有第一表 面和第二表面且限定具有侧壁的沟槽，所述侧壁位于第一表面和第二表面之间，其中所述 沟槽具有不大于1000:1的深度:宽度的纵横比。
[0184] 项目40.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料具有 不大于5%、不大于4%、不大于3%、不大于2%、或不大于1%的雾度。
[0185] 项目41.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料具有 至少0.01 %的雾度。
[0186] 项目42.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其还包括具有第二折射率的 沟槽填充材料，其中所述有纹理基质限定从第一表面延伸的沟槽，并且具有第一折射率，所 述沟槽填充材料在沟槽内；和：
[0187] 所述第一折射率在所述第二折射率的0.03内；
[0188] 所述第一折射率在所述第二折射率的0.02内；或
[0189] 所述第一折射率在所述第二折射率的0.01内。
[0190] 项目43.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层包括上 覆第一表面的连续层，其中所述连续层具有至少100欧姆/平方、至少200欧姆/平方、至少 400欧姆/平方、至少700欧姆/平方、至少1000欧姆/平方、或至少2000欧姆/平方的有效方块 电阻。
[0191] 项目44.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层包括上 覆第一表面的连续层，其中所述连续层具有不大于1M欧姆/平方的有效方块电阻。
[0192] 项目45.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料具有 大于1.05、大于1.3、大于1.4、大于1.5、或大于1.6的光太阳能热增益系数化TS服C)。
[0193] 项目46.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料具有 不大于2.3的光太阳能热增益系数化TS服C)。
[0194] 项目47.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料使W 1.8G化频率的电磁福射衰减不大于7dB、不大于5dB、不大于3dB、或不大于IdB，或者使W 4.5G化频率的电磁福射衰减不大于10地、不大于9地、不大于8地、或不大于7地。[01%]项目48.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述透明复合材料使W 1.8G化频率的电磁福射衰减至少0.01地。
[0196]项目49.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中在所述有纹理基质的第 一表面和所述有纹理基质的第二表面之间的高度差为至少50nm、至少300nm、或至少 lOOOnm。
[0197] 项目50.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中在所述有纹理基质的第 一表面和所述有纹理基质的第二表面之间的高度差不大于10微米、不大于4微米、不大于1 微米。
[0198] 项目51.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中在所述有纹理基质的第 一表面和所述有纹理基质的第二表面之间的高度差在50nm至10微米、300nm至4微米的范围 内。
[0199] 项目52.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质具有不 大于9cm、不大于9mm、不大于5mm、不大于4mm、或不大于900微米的间距。
[0200] 项目53.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质具有至 少0.11微米、至少0.5微米、至少1.1微米、或至少2微米的间距。
[0201] 项目54.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质具有在 0.11微米至9cm、0.5微米至9mm、1.1微米至5微米、或至少2微米至4微米范围内的间距。
[0202] 项目55.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有不大于10微米、不大于6微米、或不大于5微米的深度的沟槽。
[0203] 项目56.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有至少0.05微米、至少0.3微米、至少1微米、或至少2微米的深度的沟槽。
[0204] 项目57.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有在0.3微米至10微米、1微米至6微米、或2微米至5微米范围内的深度的沟槽。
[0205] 项目58.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有宽度和深度的沟槽，其中所述宽度在沿所述深度的中点处进行测量，其中所述宽度不大 于90微米、不大于70微米、不大于50微米、不大于30微米、不大于9微米、或不大于5微米。
[0206] 项目59.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有宽度和深度的沟槽，其中所述宽度在沿所述深度的中点处进行测量，其中所述宽度为至 少0.11微米、至少1.1微米、至少2微米、至少3微米、至少4微米、至少5微米、或至少11微米。
[0207] 项目60.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有宽度和深度的沟槽，其中所述宽度在沿所述深度的中点处进行测量，其中所述宽度在 0.11微米至90微米、1.1微米至70微米、5微米至50微米、或2微米至30微米、或3微米至9微米 的范围内。
[0208] 项目61.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定具 有底表面的沟槽，其中根据顶视图，沿所述沟槽的底表面的面积除W所述有纹理基质的表 面积的百分比不大于50%、不大于0.1 %、或不大于0.01 %。
[0209] 项目62.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定沟 槽，其中所述第二表面是所述沟槽的底表面，其中根据顶视图，沿所述沟槽的底表面的面积 除W所述有纹理基质的表面积的百分比为至少1χ10-5%、至少1χ10-4%、或至少1χ10- 3%。
[0210] 项目63.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质限定沟 槽，其中所述第二表面是底表面，其中根据顶视图，沿所述沟槽的底表面的面积除W所述有 纹理基质的表面积的百分比在1別〇4%至50%、1^0^%至1%、或^10^%至0.01%的范围 内。[ow]项目64.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层具有的 厚度不大于所述有纹理基质的第一表面和所述有纹理基质的第二表面之间的高度差的 80%、不大于50%、不大于40%、不大于30%、不大于90%、或不大于9%。
[0212] 项目65.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层具有的 厚度为所述有纹理基质的第一表面和所述有纹理基质的第二表面之间的高度差的至少 0.02%、至少0.05%、至少0.2%、至少0.5%、至少2%、至少11 %、或至少20%。
[0213] 项目66.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层具有的 厚度在所述有纹理基质的第一表面和所述有纹理基质的第二表面之间的高度差的0.02% 至80%、0/05%至30%、或0.2%至9%范围内。
[0214] 项目67.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层具有在 所述第一表面上的厚度，其不大于1500nm、不大于400nm、不大于160nm、或不大于lOOnm。
[0215] 项目68.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层具有在 所述第一表面上的厚度，其为至少lOnm、至少20nm、至少40nm、或至少200nm。
[0216] 项目69.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层具有在 所述第一表面上的厚度，其在10皿至1500皿、20皿至400皿、40皿至160皿、或50皿至200皿的 范围内。
[0217] 项目70.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中：
[0218] 所述第一表面是所述有纹理基质的第一主表面；
[0219] 所述有纹理基质具有相对所述第一主表面的第二主表面;和
[0220] 所述有纹理基质的厚度对应于所述第一主表面和第二主表面之间的距离。
[0221] 项目71.项目70的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质的厚度为至少 llOnm、至少200nm、至少500nm、或至少1.1微米。
[0222] 项目72.项目70或71的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质的厚度不大于 20微米、不大于9微米、不大于7微米。
[0223] 项目73.项目69至72中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质的厚 度在llOnm至20微米、500nm至9微米、或1.1微米至7微米的范围内。
[0224] 项目74.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其还包括支撑基质，其中所述 有纹理基质设置在支撑基质和阳光控制层之间。
[0225] 项目75.项目74的透明复合材料或方法，其中所述支撑基质的厚度为至少11微米、 至少17微米、或至少25微米。
[0226] 项目76.项目74或75的透明复合材料或方法，其中所述支撑基质的厚度不大于900 微米、不大于600微米、或不大于300微米。
[0227] 项目77.项目74至76中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质的厚 度在11微米至900微米、17微米至600微米、或25微米至300微米的范围内。
[0228] 项目78.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其还包括沟槽填充材料，其 中：
[0229] 所述有纹理基质限定具有侧壁的沟槽，所述侧壁位于第一表面和第二表面之间； 和
[0230] 所述沟槽填充材料在沟槽内并且上覆阳光控制层的第二部分。[0231 ]项目79.项目78的透明复合材料或方法，其中所述沟槽填充材料上覆第一表面，并 且在所述第一表面上的所述沟槽填充材料的厚度为至少0.2微米、至少0.5微米、至少0.8微 米、或至少1.1微米。
[0232] 项目80.项目78或79的透明复合材料或方法，其中所述沟槽填充材料上覆第一表 面，并且在所述第一表面上的所述沟槽填充材料的厚度不大于7微米、不大于5微米、不大于 4微米、或不大于3微米。
[0233] 项目81.项目78至80中任一项的透明复合材料或方法，其中所述沟槽填充材料上 覆第一表面，并且在所述第一表面上的所述沟槽填充材料的厚度在0.2微米至7微米、0.5微 米至5微米、0.8微米至4微米、或1.1微米至3微米的范围内。
[0234] 项目82.项目78至81中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含 不同于所述沟槽填充材料的第一材料。
[0235] 项目83.项目82的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含丙締酸醋，并且 所述沟槽填充材料包含乙酸醋。
[0236] 项目84.项目82的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含玻璃，并且所述 沟槽填充材料包含聚乙締醇。
[0237] 项目85.项目82的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含玻璃，并且所述 沟槽填充材料包含具有纳米颗粒的聚乙締醇缩下醒，与不具有所述纳米颗粒的聚乙締醇缩 下醒相比较，所述纳米颗粒帮助更紧密地匹配玻璃的折射率。
[0238] 项目86.项目1至16、21至83和85中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹 理基质包含无机材料。
[0239] 项目87,项目86中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含玻璃、 蓝宝石、尖晶石或氮氧化侣。
[0240] 项目88.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述沟槽填充材料包含 层压粘合剂或压敏粘合剂。
[0241] 项目89.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述沟槽填充材料包含 聚醋、丙締酸醋、聚乙酸乙締醋、聚乙締醇缩下醒、聚乙締醇、娃橡胶或其任意混合物。
[0242] 项目90.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述沟槽填充材料包含 纳米颗粒。
[0243] 项目91.项目90的透明复合材料或方法，其中所述纳米颗粒包括二氧化娃、Ti〇2、 氧化铜锡或渗杂有Sb的Sn化。
[0244] 项目92.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含透 明聚合物。
[0245] 项目93.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包含聚 丙締酸醋、聚醋、聚碳酸醋、聚硅氧烷、聚酸或聚乙締化合物。
[0246] 项目94.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层包含金 属、金属合金、金属氧化物或金属合金。
[0247] 项目95.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述阳光控制层包括一 个或多个Ag层，和：
[0248] (1)-个或多个金、销、钮、铜、侣、铜、锋或其任意组合层；
[0249] (2)-个或多个氧化铁（例如 Ti〇2)、氧化侣、Bi〇2、饥 0、师 0、SnZnO、Sn〇2、Si〇2、ZnO 或其任意组合层;或 [0巧0] (1)和（2)两者。
[0251] 项目96.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其还包括在所述有纹理基质 下面的支撑基质。
[0252] 项目97.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其还包括硬涂层，其中所述有 纹理基质设置在阳光控制层和硬涂层之间。
[0253] 项目98.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其还包括剥离层，其中所述阳 光控制层设置在有纹理基质和剥离层之间。
[0254] 项目99.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包括平 台和在所述平台之间的互联沟槽。
[0255] 项目100.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质包括间 隔开的沟槽。
[0256] 项目101.前述项目中任一项的透明复合材料或方法，其中所述有纹理基质具有平 台和凹进的棋盘图案。
[0257] 应当指出并非需要上文一般描述或实例中描述的所有活动，特定活动的一部分可 能是不需要的，并且除所述那些之外，可执行一种或多种另外的活动。再进一步地，活动列 出的次序不一定是它们执行的次序。[0巧引 实例
[0259] 实例仅作为举例说明而给出，并且不限制如所附权利要求中限定的本发明范围。 实例证实可形成包括阳光控制层的透明复合材料，其具有良好的太阳能性能，而不具有关 于高频信号的过度信号传输衰减。
[0260] 实例1使用50微米(2密耳）的透明聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)基质执行。可用紫 外线福射固化的丙締酸醋树脂(UV-丙締酸醋树脂)应用于PET基质的一侧上，并且通过在UV 固化期间使用图案化印章进行压花。图案化印章包括具有通过光致抗蚀剂的光刻制备的图 案的娃片。在PET基质上压花的图案化UV-丙締酸醋树脂具有下述尺寸的格栅图案:3mm的间 距、2.2微米的沟槽宽度;和4微米的沟槽深度。
[0261] 随后，使用试点分批瓣射工具，在压花结构之上瓣射阳光控制层。在进入真空沉积 室之前，PET基质用胶带粘至一片平坦玻璃。阳光控制层包括具有下述组成的多重膜，并且 W下述顺序形成:30nm Ti〇2/单层厚度。
[0262] 实例2不同于实例1之处仅在于沟槽宽度，其为4微米而不是2.2微米。
[0263] 实例3不同于实例1之处仅在于UV-丙締酸醋树脂不进行压花。因此，实例3没有图 案。
[0264] 实例4不同于实例2之处仅在于阳光控制层的组合物的顺序。在实例4中，阳光控制 层包括具有下述组成的多重膜，并且W下述顺序形成:
[0265] 实例5不同于实例3之处仅在于阳光控制层的组成顺序。在实例5中，阳光控制层包 括具有下述组成的多重膜，并且W下述顺序形成:
[0266] 方块电阻使用非接触方块电阻使用仪器例如Nagy系统进行测量。
[0267]射频信号传输的测量在如图19中所示的专口设计的传输设置上进行。两个卿趴天 线W垂直极化配置彼此相对固定。网络分析器用作信号源和接收器。网络分析器连接至W 4.5G化操作的发射和接收天线。使用发射天线，生成电磁场，其假定在被测装置(DUT)的位 置处为平面波。此类测量设置的校准用经过在其中不含样品的开口的信号执行，即通过空 气传输。所有下述测量因此对应于就传播通过空气的信号而言的通过样品的传输值(在测 量设置的开口的限度内）。下表1包括收集的数据。[0%引 表1
[0269]
[0270] 实例1、2和4根据如本文描述的概念进行构建，并且实例3和5是比较实例。图20包 括根据方块电阻的传输衰减的曲线图。明确观察到的是根据上述尺寸的图案格栅的添加允 许射频传输中的显著改善(〉-15地衰减），并且因此与在非图案化层上形成的阳光控制层相 反，当窗户具有在图案化层上形成的阳光控制层时，关于高频无线通信的信号强度中的损 失显著减少。
[0271] 益处、其他优点和问题解决方案已在上文就具体实施例而言进行描述。然而，所述 益处、优点、问题解决方案和可引起任何益处、优点或解决方案发生或变得更显著的任何一 个或多个特征不应解释为任何或所有权利要求的关键、所需或基本特征。
[0272] 本文描述的实施例的详述和例证预期提供各个实施例的结构的一般理解。详述和 例证不旨在充当仪器和系统的所有元件和特征的穷举和广泛描述，所述仪器和系统使用本 文描述的结构或方法。为了清楚起见，本文在分开的实施例的背景下描述的某些特征还可 在单个实施例中组合提供。相反，为了简洁起见，在单个实施例的背景下描述的各个特征也 可分开或W任何子组合提供。此外，提及W范围陈述的值包括该范围内的每个和每一个值。 仅在阅读本说明书后，许多其他实施例对于本领域技术人员可为显而易见的。其他实施例 可使用且来源于本公开内容，使得可作出结构替换、逻辑替换或另一种变化，而不背离本公 开内容的范围。相应地，本公开内容应视为举例说明性的而不是限制性的。
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