一种方块电阻的测量方法
阅读：774发布：2020-05-12
专利汇可以提供一种方块电阻的测量方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 方 块 电阻 的测量方法，该方法包括设置搭桥图形和至少一对 电极 ，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每 对电极 中包括相互不连通的两块电极，所述两块电极通过所述搭桥图形连接；测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。本发明通过测量两块电极之间的电阻，即可确定 石墨 烯的方块电阻，无需使用非 接触 式测量设备进行方块电阻的测量，可用于 图案化 石墨烯 的量产检测。，下面是一种方块电阻的测量方法专利的具体信息内容。
1.一种方块电阻的测量方法，其特征在于，包括：
设置搭桥图形和至少一对电极，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，所述两块电极通过所述搭桥图形连接；
测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，分别将每对电极中的两块电极通过搭桥图形进行连接之后，该方法还包括：
形成覆盖所述电极与所述搭桥图形的保护层；
对所述保护层在对应各电极的位置处进行过孔工艺，并分别形成暴露相应电极的过孔；
所述测量每对电极中两块电极之间的电阻，具体包括：
通过所述过孔测量每对电极中两块电极之间的电阻。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，暴露各电极的过孔大小相同，且各过孔暴露的电极的位置相对电极被搭桥图形连接一侧边缘的距离相等。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述电极为金属电极。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属电极的材料为金、铂金或银，设置的金属电极的对数为一对。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括：
当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形时；
按照公式Rs＝R*d/L，确定连接每对金属电极的搭桥图形的方块电阻；
将所述确定的金属电极的搭桥图形的方块电阻作为所述待测试材料的方块电阻；
其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R为每对金属电极中两块金属电极之间测量得到的电阻，d为连接每对金属电极的搭桥图形的宽度，L为位于两块金属电极之间的搭桥图形的长度。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属电极的材料为钼、铝、钕、铜或金属合金，设置的金属电极的对数为至少两对。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，设置的金属电极的对数为两对。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括：
当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形，且各搭桥图形位于两块金属电极之间的长度不等时；
按照公式 分别确定每两对金属电极的搭桥图形的方块电阻；
将所述确定的金属电极的搭桥图形的方块电阻作为所述待测试材料的方块电阻；
其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R1为第一对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d1为连接第一对金属电极的搭桥图形的宽度，l1为位于第一对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度，R2为第二对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d2为连接第二对金属电极的搭桥图形的宽度，l2为位于第二对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测试材料为纳米碳材料。
一种方块电阻的测量方法
技术领域
[0001] 本发明涉及方块电阻测量领域，尤其涉及一种方块电阻的测量方法。
背景技术
[0003] 但将碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料应用在量产中，需要实现简单、快速、准确的检测，以保证产品特性。由于碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料形成的导电薄膜很薄，一般只有0.35nm左右，因此不能用传统的四探针法测量其方块电阻，需要使用非接触式的方块电阻测量设备测量其方块电阻，然而使用非接触式的方块电阻测量设备进行方块电阻的测量，增加了采购设备的成本，并且碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料应用在量产中，一般会进行图案化处理，很有必要评价经过图案化处理后的方块电阻是否受到影响，因此，提供一种快速、准确的测量方块电阻的方法，势在必行。
发明内容
[0004] 本发明的目的是提供一种方块电阻的测量方法，以快速准确的测量方块电阻。
[0005] 一方面，提供一种方块电阻的测量方法，包括：
[0007] 测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。
[0008] 本发明提供的方块电阻的测量方法，通过搭桥图形将相互不连通的两块电极连接，通过测量两块电极之间的电阻，确定方块电阻，无需使用非接触式测量设备进行方块电阻的测量，即可快速的测量得到例如石墨烯、纳米材料等形成的导电薄膜的方块电阻，将本发明实施例提供的方块电阻的测量方法导入量产，可以在工艺流程过程中快速检测每片基板中待测量薄膜的方块电阻，及时发现电阻异常甚至断线等不良情况并返工，可以提高良率，降低成本。
[0009] 较佳的，分别将每对电极中的两块电极通过搭桥图形进行连接之后，该方法还包括：
[0010] 形成覆盖所述电极与所述搭桥图形的保护层；
[0011] 对所述保护层在对应各电极的位置处进行过孔工艺，并分别形成暴露相应电极的过孔；
[0012] 所述测量每对电极中两块电极之间的电阻，具体包括：
[0013] 通过所述过孔测量每对电极中两块电极之间的电阻。
[0015] 进一步的，本发明实施例中暴露各电极的过孔大小相同，且各过孔暴露的电极的位置相对电极被搭桥图形连接一侧边缘的距离相等，以将电极电阻抵消，提高测量精度。
[0016] 较佳的，本发明实施例中所述电极为金属电极，以提高测量精度。
[0017] 进一步的，本发明实施例中，所述金属电极的材料为金、铂金或银，设置的金属电极的对数为一对，以简化测量过程。
[0018] 较佳的，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括：
[0019] 当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形时；
[0020] 按照公式Rs=R*d/L，确定连接每对金属电极的搭桥图形的方块电阻；
[0021] 对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为方块电阻；
[0022] 其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R为每对金属电极中两块金属电极之间测量得到的电阻，d为连接每对金属电极的搭桥图形的宽度，L为位于两块金属电极之间的搭桥图形的长度。
[0023] 具体的，本发明实施例中对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为方块电阻，能够进一步提高方块电阻的计算精度。
[0025] 进一步的，本发明实施例中设置的金属电极的对数为两对。
[0026] 较佳的，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括：
[0027] 当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形，且各搭桥图形位于两块金属电极之间的长度不等时；
[0028] 按照公式 分别确定每两对金属电极的搭桥图形的方块电阻；
[0029] 对确定得到搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻；
[0030] 其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R1为第一对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d1为连接第一对金属电极的搭桥图形的宽度，l1为位于第一对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度，R2为第二对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d2为连接第二对金属电极的搭桥图形的宽度，l2为位于第二对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度。
[0031] 本发明实施例中以两对电极之间测得的方块电阻做差，并对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻，能够进一步提高方块电阻的计算精度。
[0033] 图1为本发明实施例提供的方块电阻测量方法流程图；
[0034] 图2为本发明实施例提供的方块电阻测量方法又一流程图；
[0035] 图3A-图3C为本发明实施例提供的方块电阻测量实施过程示意图；
[0036] 图4为本发明实施例中通过过孔测量电极之间电阻的示意图；
[0037] 图5为本发明实施例提供的方块电阻测量方法再一流程图；
[0038] 图6A-图6B为本发明实施例提供的方块电阻测量又一实施过程示意图。
具体实施方式
[0039] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0040] 实施例一
[0041] 本发明实施例一提供一种方块电阻的测量方法，图1所示为本发明实施例一提供的方块电阻的测量方法流程图，如图1所示，该方法包括：
[0042] S101：设置搭桥图形和相互不连通的至少一对电极，搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，两块电极通过搭桥图形连接。
[0043] 具体的，本发明实施例中设置搭桥图形和电极的顺序不分先后，可先设置相互不连通的至少一对电极，然后利用待测试材料形成搭桥图形，分别将每对电极中的两块电极连接，也可以预先形成搭桥图形，然后在搭桥图形上设置电极，使两块电极通过待测试材料形成的搭桥图形连接。
[0044] S102：测量每对电极中通过搭桥图形连接的两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定待测量材料的方块电阻。
[0045] 本发明提供的方块电阻的测量方法，通过搭桥图形，将相互不连通的两块电极连接，通过测量两块电极之间的电阻，确定方块电阻，无需使用非接触式测量设备直接对导电薄膜进行测量，即可测量得到导电薄膜的方块电阻，操作精度要求较低，实现简单，可用于图案化导电薄膜的量产检测，以在工艺流程过程中快速检测每片基板中待测量薄膜的方块电阻，及时发现电阻异常甚至断线等不良情况并返工，可以提高良率，降低成本。
[0046] 本发明实施例提供的方块电阻的测量方法，适用于碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料形成的导电薄膜进行方块电阻的测量，通过碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料形成的搭桥图形将两块相互不连通的电极进行连接，并测量两块电极之间的电阻，进而获得待测量导电薄膜的方块电阻。本发明实施例以下以石墨烯为例，对方块电阻的测量进行说明，对于碳纳米管和富勒烯等材料的方块电阻的测量过程雷同，在此不再赘述。
[0047] 实际应用中，由于工艺环境、测量精度要求等都不相同，本发明实施例中提供的方块电阻的测量方法可根据实际情况选择不同的测量方法，本发明以下实施例将结合实际应用对实施例一涉及的方块电阻的测量方法进行详细说明。
[0048] 实施例二
[0049] 本发明实施例二作为实施例一的一个较佳实施例，以电极材料选用金属电极为例进行说明。
[0050] 本发明实施例中，金属电极的材料选择可根据实际测量的精度要求进行选择，本发明实施例中优选金、铂金或银等金属材料，使得金属电极与石墨烯之间的接触电阻较小，以降低石墨烯方块电阻的测量误差。
[0051] 本发明实施例中为简化计算，设置在金属电极之间的搭桥图形优选具有设定长度和宽度的规则几何图形。
[0052] 图2所示为本发明实施例提供的测量方块电阻的实现流程图，包括：
[0053] S201：设置至少一对金属电极，金属电极的材料为金、铂金或银等金属材料。
[0054] 具体的，本发明实施例中可在衬底基板上设置至少一对金属电极，每对金属电极中包括两块相互不连通的金属电极，该金属电极选用金、铂金或银等金属材料，使得金属电极与石墨烯之间的接触电阻较小，以降低石墨烯方块电阻的测量误差。
[0056] 进一步的，本发明实施例中金属电极的材料选用和石墨烯方块电阻之间的接触电阻较小的金、铂金或银等金属材料，在方块电阻测量精度要求较低的应用场景下，可以通过设置一对金属电极，并进行相应的测量与运算，得到石墨烯的方块电阻，图3A所示为设置一对金属电极的示意图。
[0057] S202：形成石墨烯薄膜，并对石墨烯薄膜进行图案化处理，形成连接S201中金属电极的搭桥图形。
[0058] 本发明实施例中可采用例如转印的方式形成一层石墨烯薄膜，采用诸如光刻或者切割等图案化处理工艺形成搭桥图形，石墨烯薄膜的形成方式以及搭桥图形的形成方式不做限定，只要能够实现通过搭桥图形将每对电极中的两块电极进行连接即可。
[0059] 本发明实施例中石墨烯薄膜形成的搭桥图形优选具有设定长度和宽度的规则几何图形，可设计为如图3B所示的长条形搭桥图形。当然本发明实施例中搭桥图形的形状并不局限于图3B所示的形状，还可根据实际的应用场景，设计为图3C所示的搭桥图形。
[0060] 进一步的，本发明实施例中为简化计算，优选石墨烯形成的搭桥图形在两块金属电极之间为宽度均匀的规则几何图形(如图3B所示)，本发明实施例中将搭桥图形的宽度记为d。
[0061] S203：测量每对金属电极中两块金属电极之间的电阻，根据测量得到的电阻及搭桥图形的形状，确定连接每对金属电极的搭桥图形的方块电阻。
[0062] 具体的，本发明实施例中石墨烯薄膜形成的搭桥连接两块金属电极，通过测量两块金属电极之间的电阻，经过计算可得出连接该两块金属的石墨烯薄膜的方块电阻。
[0063] 本发明实施例中测量两块金属电极之间的电阻可采用现有的任何实现测量电阻的方式，本发明实施例中将两块金属电极之间测量得到的电阻值记为R，则连接每对金属电极的搭桥图形的方块电阻可按照如下公式进行计算得到：
[0064] Rs=R*d/L；
[0065] 其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R为每对金属电极中两块金属电极之间测量得到的电阻，d为连接每对金属电极的搭桥图形的宽度，L为位于两块金属电极之间的搭桥图形的长度。
[0066] 需要说明的是，本发明实施例中上述进行搭桥图形方块电阻的测量计算方式，是以图3B所示的搭桥图形的形状为例进行举例说明的，对于搭桥图形为不规则图形的方块电阻的测量，可根据实际情况确定不规则搭桥图形的实际长度和宽度，并按照不规则图形电阻的测量计算方式对两块金属电极之间的搭桥图形的方块电阻进行确定。
[0067] S204：对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻。
[0068] 具体的，本发明实施例中对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻，能够进一步提高方块电阻的计算精度。
[0069] 本发明实施例中还可通过公式ρ=Rs·d计算得到石墨烯薄膜电阻率，其中，ρ为电阻率，Rs为方块电阻，d为搭桥图形的宽度。
[0070] 需要说明的是，本发明实施例中若在方块电阻测量精度要求较低的应用场景下，可直接按照S203中涉及的公式进行方块电阻的计算，将确定的电极的搭桥图形的方块电阻直接作为石墨烯的方块电阻。
[0071] 优选的，本发明实施例中，在形成连接不连通的两块电极的石墨烯搭桥图形之后，还包括如下步骤：
[0072] A：形成覆盖电极与搭桥图形的保护层。
[0073] 具体的，本发明实施例中保护层的材料可以选用有机材料，也可以选用无机材料，选用有机材料形成有机保护层时可采用诸如涂胶、曝光、显影和后烘的工艺步骤形成，选用无机材料形成无机保护层时可采用注诸如成膜、涂胶、曝光、显影、刻蚀和玻璃的工艺步骤形成。本发明实施例中选用无机材料形成无机保护层时，优选利用氮化硅材料形成氮化硅层，作为保护层。
[0074] 本发明实施例中在电极以及石墨烯形成的搭桥图形上形成保护层，能够对电极以及石墨烯形成的搭桥进行保护，防止发生氧化反应或者发生磕碰等，造成石墨烯的方块电阻发生变化，影响测量结果，以提高测量精度。
[0075] B：对形成的保护层在对应各电极的位置处进行过孔工艺，并分别形成暴露相应电极的过孔。
[0076] 具体的，本发明实施例中暴露各电极的过孔大小相同，且各过孔暴露的电极的位置相对电极被搭桥图形连接一侧边缘的距离相等，形成有保护层并且保护层在对应每一电极位置处设置有暴露电极的过孔示意图如图4所示。
[0077] 本发明实施例中暴露各电极的过孔大小相同，且各过孔暴露的电极的位置相对电极被搭桥图形连接一侧边缘的距离相等，能够提高方块电阻的测量精度。
[0078] 需要说明的是，本发明实施例中电极材料选用金、铂金或银等金属材料，使得接触电极与石墨烯之间的接触电阻较小，方块电阻的测量结果的误差较小，故本发明实施例中保护层上开设的过孔的位置可以灵活进行选择，只要保证暴露电极，在进行两块电极之间的电阻值测量时，选用通过该过孔进行两块电极之间的电阻测量即可。
[0079] 本发明实施例提供的方块电阻的测量方法，通过设置电阻值比较低的两块电极，并通过石墨烯形成的搭桥图形，将相互不连通的两块电极连接，通过测量两块电极之间的电阻，确定石墨烯的方块电阻，两块电极的电阻值可以忽略不计，故测量精度较高，并且无需使用非接触式测量设备直接对石墨烯进行测量即可测量得到石墨烯的方块电阻，操作精度要求较低，实现简单，可用于图案化石墨烯的量产检测。
[0080] 实施例二通过设置一对电极实现方块电阻的测量，实现过程简单，测量精度较高，但是此方案对电极的材料要求比较严格，需要选用金、铂金或银金属材料，材料选择受限，并且在显示面板制作过程中很少使用金、铂金和银等材料，故本发明实施例三提供另一较佳的实施例。
[0081] 实施例三
[0082] 本发明实施例三作为实施例一的另一个较佳实施例，以电极材料选用显示面板制作工程中比较常用的钼、铝、钕、铜或金属合金等金属材料为例进行说明。
[0083] 图5所示为本发明实施例提供的再一方块电阻的测量方法流程图，如图5所示，包括：
[0084] S301：设置至少两对金属电极，每对金属电极中包括两块相互不连通的金属电极。在使用同样电极的前提下，设置至少两对电极与设置一对电极相比，可以减小测量的误差，因此测量的精确度高。
[0085] 具体的，本发明实施例中，为提高测量的精确度可以选用金、铂金或银等与石墨烯之间的接触电阻较小的金属材料。但是金、铂金或银成本高，为了降低成本，本发明实施例中可选用显示面板制作过程中比较常用的诸如钼、铝、钕、铜或金属合金等金属材料，并且可采用与显示面板制作过程中涉及的同步工艺，在显示面板非显示区域形成本发明涉及的至少两对金属电极。
[0086] 需要说明的是，本发明实施例中选用钼、铝、钕、铜或金属合金等金属材料虽然使得测量的精确度有所降低，但是测量成本也相应降低。本实施例以钼、铝、钕、铜或金属合金等金属材料做示例性说明，但是在实际使用中，可以在权衡成本和精确度之后选择电极材料。
[0087] 本发明实施例中以形成两对金属电极为例进行说明，如图6A所示，形成的每对金属电极中包括两块金属电极，每对金属电极中的两块金属电极相互不连通。
[0088] S302：形成石墨烯薄膜，并经过图案化处理形成搭桥图形，分别将每一对金属电极中的两块金属电极进行连接，如图6B所示。
[0089] 具体的，本发明实施例中每对金属电极中的两块金属电极通过石墨烯薄膜形成的搭桥图形以长条形为例，连接第一对金属电极中两块金属电极的长条形搭桥图形的宽度为d1，连接第二对金属电极中两块金属电极的长条形搭桥的宽度为d2。位于第一对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度为l1，位于第二对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度为l2，l1与l2不相等。
[0090] S303：分别测量每对金属电极中通过搭桥图形连接的两块金属电极之间的电阻，根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，分别确定每两对金属电极的搭桥图形的方块电阻。
[0091] 具体的，本发明实施例中每对金属电极中的两块金属电极通过石墨烯搭桥图形进行连接，并且本发明实施例中设置至少两对金属电极，位于各对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度不等，按照公式 确定每两对金属电极的搭桥图形的方块电阻，以降低金属电极的电阻对测量方块电阻的影响。
[0092] 上述公式中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R1为第一对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d1为连接第一对金属电极的搭桥图形的宽度，l1为位于第一对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度，R2为第二对金属电极中两块金属电极之间的电阻，d2为连接第二对金属电极的搭桥图形的宽度，l2为位于第二对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度。
[0093] 需要说明的是，本发明实施例中上述进行搭桥图形方块电阻的测量计算方式，是以图6B所示的搭桥图形的形状为例进行举例说明的，对于搭桥图形为不规则图形的方块电阻的测量，可根据实际情况确定不规则搭桥图形的实际长度和宽度，并按照不规则图形电阻的测量计算方式对两块金属电极之间的搭桥图形的方块电阻进行确定。
[0094] S304：对确定得到搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻。
[0095] 本发明实施例三提供的石墨烯方块电阻的测量方法，设置的金属电极材料选用制作显示面板比较常用的钼、铝、钕、铜或金属合金等金属材料，选材范围比较广，并且可在制作显示面板过程中，在面板的非显示区域设置金属电极和/或石墨烯的搭桥图形，使得测量方块电阻的实现更为简单易行。
[0096] 进一步优选的，本发明实施例中在形成连接不连通的两块金属电极的石墨烯搭桥图形之后，还可形成覆盖金属电极与搭桥图形的保护层，通过该保护层对金属电极以及石墨烯薄膜进行保护，以避免金属电极和/或石墨烯受到破坏或者发生氧化反应，影响测量的电阻精度，并对保护层进行过孔工艺，通过在保护层上对应每一金属电极位置处开设的过孔进行每对金属电极中两块金属电极之间的电阻测量，具体的实现流程可参阅图5的相关描述，在此不再赘述。
[0097] 具体的，本发明实施例中保护层的材料可以选用有机材料，也可以选用无机材料，选用有机材料形成有机保护层时可采用诸如涂胶、曝光、显影和后烘的工艺步骤形成，选用无机材料形成无机保护层时可采用注诸如成膜、涂胶、曝光、显影、刻蚀和玻璃的工艺步骤形成。本发明实施例中选用无机材料形成无机保护层时，优选利用氮化硅材料形成氮化硅层，作为保护层。
[0098] 本发明实施例中在每对金属电极以及石墨烯形成的搭桥图形上形成保护层，能够对金属电极以及石墨烯形成的搭桥进行保护，防止发生氧化反应或者被划伤等，造成石墨烯的方块电阻发生变化，影响测量结果，以提高测量精度。
[0099] 更进一步的，本发明实施例中形成的保护层在对应每一金属电极位置处设置有暴露金属电极的过孔，通过该过孔测量每一对金属电极中两块金属电极之间的电阻。
[0100] 本发明实施例中的金属电极的材料为钼、铝、钕、铜或金属合金，故金属电极的电阻比较大，本发明实施例中为避免金属电极的电阻对测量得到的方块电阻的精度造成影响，本发明实施例中优选每块金属电极为正方形或者长方形，并且保护层上开设的过孔大小相同，且每一过孔相对金属电极连接石墨烯搭桥图形一侧边缘的距离相等，进而使得进行方块电阻计算时，能够将金属电极的电阻平均抵消掉，提高方块电阻的测量精度。
[0101] 需要说明的是，本发明实施例中若在方块电阻测量精度要求较低的应用场景下，可通过设计两对金属电极，每对金属电极中两块金属电极之间的搭桥图形的长度不等，并直接按照S303中涉及的公式进行方块电阻的计算，将确定的金属电极的搭桥图形的方块电阻直接作为石墨烯的方块电阻。
[0102] 进一步需要说明的是，本发明上述实施例涉及的方块电阻的测量方法仅仅是作为较佳的实施例进行举例说明，任何基于本发明提供的通过设置石墨烯薄膜的搭桥连通两块电极，并通过测量两块电极之间的电阻的方法，都在本发明的保护范围内。
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