多孔膜的处理方法
专利汇可以提供多孔膜的处理方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开一种多孔膜的处理方法，在已进行双镶嵌构图和 腐蚀 后的多孔膜上进行 等离子体 或物理汽相淀积介质膜处理，淀积膜层厚度为50(埃)到1000的 硅 化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm孔。所淀积的硅化物膜是，例如， 二 氧 化硅 膜(SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。，下面是多孔膜的处理方法专利的具体信息内容。
1.多孔膜的处理方法，其特征是，包括以下步骤：
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体处理，淀积膜 层厚度为50到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm 孔，处理的条件是：
在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，
衬底的加热温度为200℃到400℃，
所加的射频功率为50W到200W，
形成膜层厚度为50到1000的硅化物膜，随后，
已形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽/氮化钽和铜膜。
2.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在反应室内的反应 气体为SiN4/N2O/N2/He/O2/Ar，OMCAT/N2O/N2/He/O2/Ar， 或TOMCAT/N2O/N2/He/O2/Ar。
3.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在已进行双镶嵌构 图和腐蚀后用湿腐蚀进行清洁处理，那么用等离子体处理淀积硅化物膜以 封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理后进行。
4.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在已进行双镶嵌构 图和腐蚀后用干腐蚀进行清洁处理，那么用等离子体处理淀积硅化物膜以 封闭露出孔的处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。
5.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露出 孔的硅化物膜是二氧化硅膜。
6.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露出 孔的硅化物膜是SiON膜。
7.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露出 孔的硅化物膜是SiN膜。
8.多孔膜的处理方法，其特征是包括以下步骤：
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行物理汽相淀积介质膜 处理，淀积膜层厚度为50到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸 为8nm到25nm孔，处理的条件是：
硅作为靶材料，
射频功率是50W到200W；
形成膜层厚度为50到1000的硅化物膜；随后，
形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽/氮化钽和铜膜。
9.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，二氧化硅作为靶 材料。
10.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，物理汽相淀积介 质膜是溅射淀积介质膜。
11.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，物理汽相淀积介 质膜是用真空镀膜方法淀积介质膜。
12.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，在已进行双镶嵌 构图和腐蚀后用湿腐蚀进行清洁处理，那么用物理汽相淀积硅化物膜以封 闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理后进行。
13.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，在已进行双镶嵌 构图和腐蚀后用干腐蚀进行清洁处理，那么用物理汽相淀积硅化物膜以封 闭露出孔的处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。
14.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露 出孔的介质膜是二氧化硅膜。
15.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露 出孔的介质膜是SiON膜。
16.按权利要求8的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露 出孔的介质膜是SiN膜。
技术领域
背景技术
发明内容
为了克服半导体器件中的多孔膜在构图后在构图的侧壁上的露出孔 在随后的工艺过程中吸潮和吸附化学物质而对半导体器件的性能造成负 面影响的缺陷，提出本发明。
本发明的目的是，提供一种多孔膜的处理方法，在已构图的多孔膜的 侧壁上淀积一层薄的硅化物膜，将在多孔膜构图中形成的开口的孔封闭， 由此防止开口的孔在随后的工艺中吸潮和吸附化学物质。
按本发明在多孔膜经双镶嵌构图和腐蚀后，在有连出孔的侧壁的上用 等离子体处理方法或物理汽相淀积方法形成一层薄的硅化物。由此，封闭 露出的孔。
等离子体处理方法中处理室内用的源气体可以包括硅烷(SiH4)，或 氮化硅，或者，OMCAT(八甲基环四硅氧烷)，TOMCAT(四甲基环四 硅氧烷)。
用物理汽相淀积介质膜的方法包括溅射淀积介质膜方法，溅射淀积介 质膜方法中用的靶材料可以是硅(Si)靶，或者是二氧化硅靶。物理汽相 淀积介质膜的方法也可以是其他的例如真空镀膜方法。
/氮化钽(TAN)和铜(Cu)膜。
多孔膜的孔的直径尺寸为8nm到25nm。多孔膜经双镶嵌构图和腐蚀 工艺后使用腐蚀清洁处理，如果进行湿腐蚀清洁处理，那么加硅化物薄膜 封闭露出孔的工艺在湿腐蚀清洁处理之前进行。如果多孔膜经双镶嵌构图 和腐蚀工艺后，进行干腐蚀清洁处理，那么加硅化物薄膜的封闭露出孔的 工艺在干腐蚀清洁处理之后进行。
附图说明
本申请书中包括的多个附图显示出本发明的多个实施例，本申请中包 括的附图是说明书的一个构成部分，附图与说明书和权利要求书一起用于 说明本发明的实质内容，用于更好地理解本发明。附图中相同或相似的构 成部分用相同的参考数字指示。附图中：
图1是双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜的示意图；
图2是在侧壁上露出的孔吸潮的电子显微镜照片；
图3是双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜的用等离子体处理或物理汽相淀 积介质膜处理后的示意图；和
图4是多孔膜的透射电子显微镜照片。
具体实施方式
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上用等离子体处理，淀积膜层 厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的8nm到25nm孔。
等离子体处理的条件是：
在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，
衬底的加热温度为200℃到400℃，
所加的射频(RF)功率为50W到200W。
形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，例如，二氧化硅膜 (SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。
随后，形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽 (TAN)和铜(Cu)膜。
如果在已进行双镶嵌构图和腐蚀后进行清洁处理，如果是用湿腐蚀进 行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理 后进行。如果是用干腐蚀进行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的 处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。
[第二实施例]
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上用等离子体处理，淀积膜层 厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到 25nm孔。
等离子体处理的条件是：
在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，
衬底的加热温度为200℃到400℃，
所加的射频(RF)功率为50W到200W。
形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，例如二氧化硅膜 (SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。
随后，形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽 (TAN)和铜(Cu)膜。
本实施例与第一实施例基本相同，只是反应室内的反应气体用SiN4 代替第一实施例中用的SiH4。
如果在已进行双镶嵌构图和腐蚀后进行清洁处理，如果是用湿腐蚀进 行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理 后进行。如果是用干腐蚀进行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的 处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。
[第三实施例]
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上用等离子体处理，淀积膜层 厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到 25nm孔。
等离子体处理的条件是：
在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，
衬底的加热温度为200℃到400℃，
所加的射频(RF)功率为50W到200W。
形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，例如，二氧化硅 膜(SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。
随后，形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽 (TaN)和铜(Cu)膜。
本实施例与第一实施例基本相同，只是反应室内的反应气体用 OMCAT(八甲基环四硅氧烷)TOMCAT(四甲基环四硅氧烷)第一实施 例中用的SiH4。
如果在已进行双镶嵌构图和腐蚀后进行清洁处理，如果是用湿腐蚀进 行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理 后进行。如果是用干腐蚀进行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的 处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。
[第四实施例]
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上用物理汽相淀积介质处理， 形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺 寸为8nm到25nm孔。
物理汽相淀积介质处理是用溅射方法淀积介质薄膜。溅射方法淀积介 质薄膜的条件是：
反应室内的气体是O2/N2，Ar，
硅(Si)作为靶材料，
射频功率是50W到200W。
形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，例如，二氧化硅 膜(SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。
随后，形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽 (TaN)和铜(Cu)膜。
如果在已进行双镶嵌构图和腐蚀后进行清洁处理，如果是用湿腐蚀进 行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理 后进行。如果是用干腐蚀进行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的 处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。
[第五实施例]
在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上用物理汽相淀积介质处理， 形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺 寸为8nm到25nm孔。
物理汽相淀积介质处理是用溅射方法淀积介质薄膜。溅射方法淀积介 质薄膜的条件是：
反应室内的气体是O2/N2，Ar，
二氧化硅(SiO2))作为靶材料，
射频功率是50W到200W。
形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，例如，二氧化硅 膜(SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。
随后，形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽 (TaN)和铜(Cu)膜。
本实施例与第四实施例基本相同，只是溅射的靶材料用二氧化硅 (SiO2)代替第一实施例中用的硅(Si)靶。
如果在已进行双镶嵌构图和腐蚀后进行清洁处理，如果是用湿腐蚀进 行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理 后进行。如果是用干腐蚀进行清洁处理，那么加硅化物膜以封闭露出孔的 处理在于腐蚀进行清洁处理之前进行。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本 行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和 说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前 提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本 发明的范围内。本发明要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界 定。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种玻璃的光刻腐蚀印刷工艺 | 2021-05-24 | 5 |
| 等离子显示屏前面板的制作方法 | 2021-10-05 | 3 |
| 一种无油墨印刷包装品制作方法 | 2021-11-23 | 5 |
| 一种表面等离激元晶体及其制备方法 | 2022-02-03 | 6 |
| 采用原位生长石墨烯包覆金属膜的复合透明电极制备方法 | 2021-08-30 | 4 |
| 一种真空电镀底漆及其制备方法、真空电镀工艺 | 2021-12-02 | 6 |
| 多孔膜的处理方法 | 2022-06-05 | 2 |
| 一种带硬化耐磨层的石墨模具及其制备方法和应用 | 2021-12-16 | 0 |
| 高分子聚合膜药用瓶塞镀膜设备 | 2021-06-30 | 2 |
| 一种高效能的LED透镜 | 2020-11-11 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
-
2 壳体及其制作方法
-
9 LED调光灯
-
10 一种一体化真空镀膜机
