钝化的处理方法
专利汇可以提供钝化的处理方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 钝化 的处理方法，该方法包括：采用酸性溶液清洗 硅 晶片；在 氧 化炉中，采用热氧化方法在该硅晶片上生成氧化硅层；在该氧化硅层上生成半绝缘 多晶硅 层，其中，该半绝缘多晶硅中的氧含量大于或等于2%，且小于或等于35%。本发明的钝化的处理方法有效地提高了半绝缘多晶硅层氧含量的均匀性，减少了硅表面的 缺陷 和杂质 密度 ，从而能够有效地减少表面态密度，降低了漏 电流 ，进而提高了器件的可靠性。，下面是钝化的处理方法专利的具体信息内容。
1.一种钝化的处理方法，其特征在于，包括：
采用酸性溶液清洗硅晶片；
在氧化炉中，采用热氧化方法在所述硅晶片上生成氧化硅层；
在所述氧化硅层上生成半绝缘多晶硅层；
其中，所述半绝缘多晶硅中的氧含量大于或等于2%，且小于或等于35%。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在氧化炉中，采用热氧化方法在所述硅晶片上生成氧化硅层，包括：
在所述氧化炉中充入保护气体，以将所述氧化炉中的温度升温到退火温度，并保持所述退火温度对所述硅晶片进行退火处理；
在所述氧化炉中充入氧气，以将所述氧化炉中的温度由所述退火温度升温到氧化温度，并保持所述氧化温度对所述硅晶片进行热氧化处理，使得所述硅晶片上生成所述氧化硅层；
在所述氧化炉中充入惰性气体，以将所述硅晶片的温度由所述氧化温度降温到室温。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包括：
采用低压力化学气相沉积法或者低压力化学气相沉积法的方法在所述半绝缘多晶硅层上生成氧化硅层，并在所述氧化硅层上生成氮化硅层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液包括如下一种或者几种的组合：硫酸、硝酸和氢氟酸。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述保护气体包括：惰性气体、氨气和氢气；所述惰性气体包括氩气和氮气。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述惰性气体和所述氢气的气体流量比范围为10：1至2：1；所述氨气和所述氢气的气体流量比范围为1：1至2：1。
7.根据权利要求2或5所述的方法，其特征在于，所述保护气体的流量范围是0.1升/分钟至20升/分钟。
8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述保持所述氧化温度对所述硅晶片进行热氧化处理，包括：
保持所述氧化温度对所述硅晶片进行干氧氧化或者湿氧氧化处理。
9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述退火温度大于或等于700℃，且小于或等于950℃；所述氧化温度大于或等于800℃，且小于或等于1200℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化方法中气压大于或等于
0.5bar，且小于或等于1bar。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述氧化硅层上生成半绝缘多晶硅层，包括：
采用PECVD或者LPCVD的方法在所述氧化硅层上生成半绝缘多晶硅层。
钝化的处理方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
0.5bar至1bar。
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