GaN基T形源场板功率器件及其制作方法
阅读：258发布：2023-02-14
专利汇可以提供GaN基T形源场板功率器件及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种GaN基T形源场板功率器件及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿 电压 时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、 钝化 层(9)和保护层(12)，源极(4)与漏极(5)淀积在势垒层上， 台面 (6)制作在势垒层的侧面，栅极(8)淀积在绝缘介质层上， 钝化层 内刻有凹槽(10)，T形源场板(11)淀积在钝化层与保护层之间，T形源场板下端完全填充凹槽(10)，且T形源场板(11)与源极(4)电气连接。本发明具有工艺简单、 击穿电压 高、可靠性高与成品率高的优点。，下面是GaN基T形源场板功率器件及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种GaN基T形源场板功率器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，势垒层(3)的上面淀积有源极(4)与漏极(5)，势垒层(3)的侧面刻有台面(6)，且台面的深度大于势垒层的厚度，绝缘介质层(7)上面淀积有栅极(8)，其特征在于，钝化层(9)内刻有凹槽(10)，钝化层(9)与保护层(12)之间淀积有T形源场板(11)，该T形源场板与源极(4)电气连接，且下端完全填充在凹槽(10)内。
2.根据权利要求1所述的GaN基T形源场板功率器件，其特征在于凹槽(10)的深度s为0.14～8.6μm，宽度b为0.47～6.9μm；凹槽(10)底部与绝缘介质层(7)之间的距离d为0.063～0.36μm；绝缘介质层(7)的厚度e为1～100nm。
3.根据权利要求1所述的GaN基T形源场板功率器件，其特征在于凹槽(10)靠近栅极
0.5
一侧边缘与栅极(8)靠近漏极一侧边缘之间的距离a为s×(d+e×ε2/ε1) ，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度，ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数；凹槽靠近漏极一侧边缘与T形源场板靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～8.3μm。
4.根据权利要求1所述的GaN基T形源场板功率器件，其特征在于衬底(1)采用蓝宝石或碳化硅或硅材料。
5.一种制作GaN基T形源场板功率器件的方法，包括如下过程：
1)在衬底(1)上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成过渡层(2)；
2)在过渡层上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成势垒层(3)；
3)在势垒层(3)上第一次制作掩膜，利用该掩膜在势垒层(3)的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极(4)和漏极(5)；
4)在势垒层(3)上第二次制作掩膜，利用该掩膜在源极左侧、漏极右侧的势垒层上进行刻蚀，且刻蚀区深度大于势垒层厚度，形成台面(6)；
5)在源极上部、漏极上部及源极和漏极之间的势垒层上部淀积厚度e为1～100nm的绝缘介质，制作绝缘介质层(7)；
6)在绝缘介质层(7)上第三次制作掩膜，利用该掩膜在源极和漏极之间的绝缘介质层上淀积金属，制作栅极(8)；
7)分别在栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部淀积钝化层(9)；
8)在钝化层(9)上第四次制作掩膜，利用该掩膜在栅极与漏极之间的钝化层(9)内进行刻蚀，以制作深度s为0.14～8.6μm，宽度b为0.47～6.9μm的凹槽(10)，凹槽(10)底部与绝缘介质层(7)之间的距离d为0.063～0.36nm；该凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极
0.5
靠近漏极一侧边缘之间的距离a为s×(d+e×ε2/ε1) ，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度，ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数；
9)在钝化层(9)上第五次制作掩膜，利用该掩膜在凹槽内和源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，所淀积的金属要完全填充凹槽，以制作厚度为0.14～8.6μm的T形源场板(11)，并将T形源场板(11)与源极(4)电气连接，T形源场板靠近漏极一侧边缘与凹槽靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～8.3μm；
10)在T形源场板(11)上部与钝化层(9)的其它区域上部淀积绝缘介质材料，形成保护层(12)，完成整个器件的制作。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于在凹槽内和源极与漏极之间的钝化层上所淀积的金属采用三层金属组合Ti/Mo/Au，即下层为Ti、中层为Mo、上层为Au，其厚度为
0.06～6μm/0.06～1.8μm/0.02～0.8μm。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于在凹槽内和源极与漏极之间的钝化层上所淀积的金属，采用Ti/Ni/Au三层金属组合，即下层为Ti、中层为Ni、上层为Au，其厚度为
0.06～6μm/0.06～1.8μm/0.02～0.8μm。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于在凹槽内和源极与漏极之间的钝化层上所淀积的金属，采用Ti/Pt/Au三层金属组合，即下层为Ti、中层为Pt、上层为Au，其厚度为
0.06～6μm/0.06～1.8μm/0.02～0.8μm。
GaN基T形源场板功率器件及其制作方法
技术领域
[0002] 功率半导体器件是电力电子系统的重要元件，是进行电能处理的有效工具。近年来，随着能源和环境问题的日益突出，研发新型高性能、低损耗功率器件已成为提高电能利用率、节约能源、缓解能源危机的有效途径之一。然而，在功率器件研究中，高速、高压与低导通电阻之间存在着严重的制约关系，合理、有效地改进这种制约关系是提高器件整体性能的关键。随着市场不断对功率系统提出更高效率、更小体积、更高频率的要求，传统Si基半导体功率器件性能已逼近其理论极限。为了能进一步减少芯片面积、提高工作频率、提高工作温度、降低导通电阻、提高击穿电压、降低整机体积、提高整机效率，以氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，凭借其更大的禁带宽度、更高的临界击穿电场和更高的电子饱和漂移速度，且化学性能稳定、耐高温、抗辐射等突出优点，在制备高性能功率器件方面脱颖而出，应用潜力巨大。特别是采用GaN基异质结结构的高电子迁移率晶体管，即GaN基HEMT器件，更是因其低导通电阻、高工作频率等特性，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求，在经济和军事领域具有广阔和特殊的应用前景。
[0003] 然而，常规GaN基HEMT器件结构上存在固有缺陷，会导致器件沟道电场强度呈畸形分布，尤其是在器件栅极靠近漏极附近存在极高电场峰值。导致实际的GaN基HEMT器件的击穿电压往往远低于理论期望值，且存在电流崩塌、逆压电效应等可靠性问题，严重制约了在电力电子领域中的应用和发展。为了解决以上问题，国内外研究者们提出了众多方法，而场板结构是其中效果最为显著、应用最为广泛的一种。2000年美国UCSB的N.Q.Zhang等人首次将场板结构成功应用于GaN基HEMT功率器件中，研制出交叠栅器件，饱和输出电流为500mA/mm，关态击穿电压可达570V，这是当时所报道击穿电压最高的GaN器件，参见High breakdown GaN HEMT with overlapping gate structure,IEEE Electron Device Letters,Vol.21,No.9,pp.421-423,2000。随后，各国研究机构纷纷展开了相关的研究工作，而美国和日本是该领域中的主要领跑者。在美国，主要是UCSB、南卡大学、康奈尔大学以及著名的电力电子器件制造商IR公司等从事该项研究。日本相对起步较晚，但他们对这方面的工作非常重视，资金投入力度大，从事机构众多，包括：东芝、古河、松下、丰田和富士等大公司。随着研究的深入，研究者们发现相应地增加场板长度，可以提高器件击穿电压。但场板长度的增加会使场板效率，即击穿电压比场板长度，不断减小，也就是场板提高器件击穿电压的能力随着场板长度的增加逐渐趋于饱和，参见Enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a field plate,IEEE Transactions on Electron Devices,Vol.48,No.8,pp.1515-1521,2001，以及Development and characteristic analysis of a field-plated Al2O3/AlInN/GaN MOS HEMT,Chinese Physics B,Vol.20,No.1,pp.0172031-0172035,2011。因此，为了进一步提高器件击穿电压，同时兼顾场板效率，2004年UCSB的H.L.Xing等人提出了一种双层场板结构，他们研制的双层栅场板GaN基HEMT器件可获得高达900V的击穿电压，最大输出电流700mA/mm，参见High breakdown voltage AlGaN-GaN HEMTs achieved by multiple field plates,IEEE Electron Device Letters,Vol.25,No.4,pp.161-163,2004。这种双层场板结构已成为当前国际上用来改善GaN基功率器件击穿特性，提高器件整体性能的主流场板技术。然而，GaN基双层场板HEMT器件的工艺复杂，制造成本更高，每一层场板的制作都需要光刻、淀积金属、淀积钝化介质等工艺步骤。而且要优化各层场板下介质材料厚度以实现击穿电压最大化，必须进行繁琐的工艺调试和优化，因此大大增加了器件制造的难度，降低了器件的成品率。
发明内容
[0004] 本发明的目的在于针对上述已有技术的不足，提供一种制造工艺简单、击穿电压高、场板效率高和可靠性高的GaN基T形源场板功率器件及其制作方法，以减小器件的制作难度，改善器件的击穿特性和可靠性，提高器件的成品率。
[0005] 为实现上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
[0006] 一、器件结构
[0007] 本发明提供的器件结构采用GaN基宽禁带半导体材料构成的异质结结构，自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层、绝缘介质层、钝化层和保护层，势垒层的上面淀积有源极与漏极，势垒层的侧面刻有台面，且台面的深度大于势垒层的厚度，绝缘介质层上面淀积有栅极，其特征在于，钝化层内刻有凹槽，钝化层与保护层之间淀积有T形源场板，该T形源场板与源极电气连接，且下端完全填充在凹槽内。
[0008] 作为优选，所述的凹槽深度s为0.14～8.6μm，宽度b为0.47～6.9μm。
[0009] 作为优选，所述的凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.063～0.36μm。
[0010] 作为优选，所述的绝缘介质层的厚度e为1～100nm。
[0011] 作为优选，所述的T形源场板靠近漏极一侧边缘与凹槽靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～8.3μm。
[0012] 作为优选，所述的凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a0.5
为s×(d+e×ε2/ε1) ，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度,ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数。
为s×(d+e×ε2/ε1) ，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度,ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数。
[0013] 二、制作方法
[0014] 本发明制作GaN基T形源场板功率器件的方法，包括如下过程：
[0015] (1)在衬底上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成过渡层；
[0016] (2)在过渡层上外延GaN基宽禁带半导体材料，形成势垒层；
[0017] (3)在势垒层上第一次制作掩膜，利用该掩膜在势垒层的两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，分别制作源极和漏极；
[0019] (5)在源极上部、漏极上部及源极和漏极之间的势垒层上部淀积厚度为1～100nm的绝缘介质，制作绝缘介质层；
[0020] (6)在绝缘介质层上第三次制作掩膜，利用该掩膜在源极和漏极之间的绝缘介质层上淀积金属，制作栅极；
[0021] (7)分别在栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部淀积钝化层；
[0022] (8)在钝化层上第四次制作掩膜，利用该掩膜在栅极与漏极之间的钝化层内进行刻蚀，以制作深度s为0.14～8.6μm，宽度b为0.47～6.9μm的凹槽，凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.063～0.36μm；该凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边0.5
缘之间的距离a为s×(d+e×ε2/ε1) ，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度，ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数；
缘之间的距离a为s×(d+e×ε2/ε1) ，其中s为凹槽深度，d为凹槽底部与绝缘介质层之间的距离，e为绝缘介质层的厚度，ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数；
[0023] (9)在钝化层上第五次制作掩膜，利用该掩膜在凹槽内和源极与漏极之间的钝化层上淀积金属，所淀积的金属要完全填充凹槽，以制作厚度为0.14～8.6μm的T形源场板，并将T形源场板与源极电气连接，T形源场板靠近漏极一侧边缘与凹槽靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～8.3μm；
[0024] (10)在T形源场板上部与钝化层的其它区域上部淀积绝缘介质材料，形成保护层，完成整个器件的制作。
[0025] 本发明器件与采用传统源场板的GaN基功率器件比较具有以下优点：
[0026] 1.进一步提高了击穿电压。
[0027] 本发明由于采用T形源场板结构，使器件在处于工作状态尤其是处于关态的工作状态时，势垒层表面电势从栅极到漏极逐渐升高，从而增加了势垒层中耗尽区，即高阻区，的面积，改善了耗尽区的分布，促使栅极与漏极之间势垒层中的耗尽区承担更大的漏源电压，从而大大提高了器件的击穿电压。
[0028] 2.进一步减小了栅极泄漏电流，提高了器件的可靠性。
[0029] 本发明由于采用T形源场板结构，使器件势垒层耗尽区中电场线的分布得到了更有效的调制，器件中栅极靠近漏极一侧边缘、T形源场板靠近漏极一侧边缘以及凹槽靠近漏极一侧边缘都会产生一个电场峰值，而且通过调整T形源场板下方钝化层的厚度、凹槽深度和宽度、T形源场板靠近漏极一侧边缘与凹槽靠近漏极一侧边缘之间的距离以及凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离，可以使得上述各个电场峰值相等且小于GaN基宽禁带半导体材料的击穿电场，从而最大限度地减少了栅极靠近漏极一侧的边缘所收集的电场线，有效地降低了该处的电场，大大减小了栅极泄漏电流，使得器件的可靠性和击穿特性均得到了显著增强。
[0030] 3.工艺简单，易于实现，提高了成品率。
[0031] 本发明器件结构中T形源场板的制作只需一步工艺便可完成，避免了传统的堆层场板结构所带来的工艺复杂化问题，大大提高了器件的成品率。
[0032] 仿真结果表明，本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的GaN基功率器件的击穿电压。
附图说明
[0034] 图1是采用传统源场板的GaN基功率器件的结构图；
[0035] 图2是本发明GaN基T形源场板功率器件的结构图；
[0036] 图3是本发明制作GaN基T形源场板功率器件的流程图；
[0037] 图4是对传统器件及本发明器件仿真所得的势垒层中电场曲线图；
[0038] 图5是对传统器件及本发明器件仿真所得的击穿曲线图。
具体实施方式
[0039] 参照图2，本发明GaN基T形源场板功率器件是基于GaN基宽禁带半导体异质结结构，其包括：衬底1、过渡层2、势垒层3、源极4、漏极5、台面6、绝缘介质层7、栅极8、钝化层9、凹槽10、T形源场板11与保护层12。衬底1、过渡层2与势垒层3为自下而上分布，源极
4和漏极5淀积在势垒层3上，在源极左侧及漏极右侧制作有台面6，该台面深度大于势垒层厚度，绝缘介质层7分别覆盖源极上部、漏极上部以及源极与漏极之间的势垒层上部，绝缘介质层的厚度e为1～100nm，栅极8淀积在源极和漏极之间的绝缘介质层7上；钝化层
9位于栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部。凹槽10位于钝化层9内，该凹槽深度s为
0.14～8.6μm，宽度b为0.47～6.9μm，凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.063～
0.36μm；凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a、凹槽深度s、凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d以及绝缘介质层的厚度e满足关系a＝s×(d+e×ε2/
0.5
ε1) ，其中ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数。钝化层9与保护层12之间淀积有T形源场板11，该T形源场板与源极4电气连接，且下端完全填充凹槽10。T形源场板靠近漏极一侧边缘与凹槽靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～
8.3μm。保护层12位于T形源场板11上部以及钝化层的其它区域上部。
4和漏极5淀积在势垒层3上，在源极左侧及漏极右侧制作有台面6，该台面深度大于势垒层厚度，绝缘介质层7分别覆盖源极上部、漏极上部以及源极与漏极之间的势垒层上部，绝缘介质层的厚度e为1～100nm，栅极8淀积在源极和漏极之间的绝缘介质层7上；钝化层
9位于栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部。凹槽10位于钝化层9内，该凹槽深度s为
0.14～8.6μm，宽度b为0.47～6.9μm，凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.063～
0.36μm；凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a、凹槽深度s、凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d以及绝缘介质层的厚度e满足关系a＝s×(d+e×ε2/
0.5
ε1) ，其中ε2为钝化层的相对介电常数，ε1为绝缘介质层的相对介电常数。钝化层9与保护层12之间淀积有T形源场板11，该T形源场板与源极4电气连接，且下端完全填充凹槽10。T形源场板靠近漏极一侧边缘与凹槽靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66～
8.3μm。保护层12位于T形源场板11上部以及钝化层的其它区域上部。
[0040] 上述器件的衬底1采用蓝宝石或碳化硅或硅材料；过渡层2由若干层相同或不同的GaN基宽禁带半导体材料组成，其厚度为1～5μm；势垒层3由若干层相同或不同的GaN基宽禁带半导体材料组成，其厚度为5～50nm；绝缘介质层7、钝化层9与保护层12均可采用SiO2、SiN、Al2O3、Sc2O3、HfO2、TiO2中的任意一种或其它绝缘介质材料，钝化层9的厚度为凹槽深度s和凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d之和，即0.203～8.96μm；保护层12的厚度为0.16～4.6μm；T形源场板11采用三层不同金属的组合构成，其厚度为0.14～8.6μm。
[0041] 参照图3，本发明制作GaN基T形源场板功率器件的过程，给出如下三种实施例：
[0042] 实施例一：制作衬底为蓝宝石，绝缘介质层为Al2O3，钝化层为SiN，保护层为SiO2，T形源场板为Ti/Mo/Au金属组合的GaN基T形源场板功率器件。
[0043] 步骤1.在蓝宝石衬底1上自下而上外延GaN材料制作过渡层2，如图3a。
[0044] 使用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底1上外延厚度为1μm的未掺杂过渡层2，该过渡层自下而上由厚度分别为30nm和0.97μm的GaN材料构成。外延下层GaN材料采用的工艺条件为：温度为530℃，压强为45Torr，氢气流量为4400sccm，氨气流量为4400sccm，镓源流量为22μmol/min；外延上层GaN材料采用的工艺条件为：温度为960℃，压强为45Torr，氢气流量为4400sccm，氨气流量为4400sccm，镓源流量为120μmol/min。
[0045] 步骤2.在GaN过渡层2上淀积未掺杂的Al0.5Ga0.5N制作势垒层3，如图3b。
[0046] 使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为5nm，且铝组分为0.5的未掺杂Al0.5Ga0.5N势垒层3，其采用的工艺条件为：温度为980℃，压强为45Torr，氢气流量为4400sccm，氨气流量为4400sccm，镓源流量为35μmol/min，铝源流量为7μmol/min。
[0047] 步骤3.在势垒层3的两端淀积金属Ti/Al/Ni/Au制作源极4与漏极5，如图3c。
[0048] 在Al0.5Ga0.5N势垒层3上第一次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，再在N2气氛中进行快速热退火，制作源极4和漏极5，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ni/Au金属组合，即自下而上分别为Ti、Al、Ni与Au，其厚度为0.018μm/0.135μm/0.046μm/0.052μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于-3
1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 ；快速热退火采用的工艺条件为：
温度为850℃，时间为35s。
1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 ；快速热退火采用的工艺条件为：
温度为850℃，时间为35s。
[0049] 步骤4.在源极左边与漏极右边的势垒层上进行刻蚀制作台面6，如图3d。
[0050] 在Al0.5Ga0.5N势垒层3上第二次制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在源极左边与漏极右边的势垒层上进行刻蚀，形成台面6，刻蚀深度为10nm。刻蚀采用的工艺条件为：Cl2流量为15sccm，压强为10mTorr，功率为100W。
[0051] 步骤5.在源极4上部、漏极5上部以及源极与漏极之间的势垒层3上部淀积Al2O3制作绝缘介质层7，如图3e。
[0052] 使用原子层淀积技术在源极4上部、漏极5上部以及源极与漏极之间的势垒层3上部淀积厚度e为1nm的Al2O3，制作绝缘介质层7。淀积绝缘介质层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
[0053] 步骤6.在源极和漏极之间的绝缘介质层7上淀积金属Ni/Au制作栅极8，如图3f。
[0054] 在绝缘介质层7上第三次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极和漏极之间的绝缘介质层7上淀积金属制作栅极8，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，即下层为Ni、上层为Au，其厚度为0.026μm/0.11μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 。
[0055] 步骤7.在栅极上部与绝缘介质层7的其他区域上部淀积SiN制作钝化层9，如图3g。
[0056] 使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部，完成淀积厚度为0.203μm的SiN钝化层9。淀积钝化层采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、950sccm和250sccm，温度、RF功率和压强分别为300℃、25W和950mTorr。
[0057] 步骤8.在栅极8与漏极5之间的钝化层9内进行刻蚀制作凹槽10，如图3h。
[0058] 在钝化层9上第四次制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在栅极8与漏极5之间的钝化层内进行刻蚀，以制作凹槽10，其中凹槽深度s为0.14μm，宽度b为0.47μm，凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.063μm，凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a为0.035μm。刻蚀采用的工艺条件为：CF4流量为45sccm，O2流量为5sccm，压强为15mTorr，功率为250W。
[0059] 步骤9.在凹槽10内和源极4与漏极5之间的钝化层上淀积金属Ti/Mo/Au制作T形源场板11，如图3i。
[0060] 在钝化层9上第五次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在凹槽10内和源极4与漏极5之间的钝化层上淀积金属制作T形源场板11，所淀积的金属为Ti/Mo/Au金属组合，即下层为Ti、中层为Mo、上层为Au，其厚度为0.06/0.06/0.02μm。其中所淀积金属要完全填充凹槽10，并将T形源场板与源极电气连接，T形源场板11靠近漏极一侧边缘与凹槽10靠近漏极一侧边缘之间的距离c为0.66μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于-3
1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 。
1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 。
[0061] 步骤10.在T形源场板11上部以及钝化层9的其它区域上部淀积SiO2制作保护层12，如图3j。
[0062] 使用等离子体增强化学气相淀积技术在T形源场板11上部以及钝化层9的其它区域上部淀积SiO2制作保护层12，其厚度为0.16μm，从而完成整个器件的制作，淀积保护层采用的工艺条件为：N2O流量为850sccm，SiH4流量为200sccm，温度为250℃，RF功率为25W，压强为1100mTorr。
[0063] 实施例二：制作衬底为碳化硅，绝缘介质层为Al2O3，钝化层为SiO2，保护层为SiN，T形源场板为Ti/Ni/Au金属组合的GaN基T形源场板功率器件。
[0064] 步骤一.在碳化硅衬底1上自下而上外延AlN与GaN材料制作过渡层2，如图3a。
[0065] 1.1)使用金属有机物化学气相淀积技术在碳化硅衬底1上外延厚度为50nm的未掺杂的AlN材料；其外延的工艺条件为：温度为1000℃，压强为45Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，铝源流量为5μmol/min；
[0066] 1.2)使用金属有机物化学气相淀积技术在AlN材料上外延厚度为2.45μm的GaN材料，完成过渡层2的制作；其外延的工艺条件为：温度为1000℃，压强为45Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，镓源流量为120μmol/min。
[0067] 本步骤的外延不局限于金属有机物化学气相淀积技术，也可以采用分子束外延技术或氢化物气相外延技术。
[0068] 步骤二.在过渡层2上自下而上外延Al0.3Ga0.7N和GaN材料制作势垒层3，如图3b。
[0069] 2.1)使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN过渡层2上淀积厚度为27nm、铝组分为0.3的Al0.3Ga0.7N材料；其外延的工艺条件为：温度为1100℃，压强为45Torr，氢气流量为4600sccm，氨气流量为4600sccm，镓源流量为16μmol/min，铝源流量为8μmol/min；
[0070] 2.2)使用金属有机物化学气相淀积技术在Al0.3Ga0.7N材料上外延厚度为3nm的GaN材料，完成势垒层3的制作；其外延的工艺条件为：温度为1000℃，压强为42Torr，氢气流量为4100sccm，氨气流量为4100sccm，镓源流量为13μmol/min。
[0071] 本步骤的外延不局限于金属有机物化学气相淀积技术，也可以采用分子束外延技术或氢化物气相外延技术。
[0072] 步骤三.在势垒层3的两端淀积金属Ti/Al/Ni/Au制作源极4与漏极5，如图3c。
[0073] 3.1)在势垒层3上第一次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在其两端淀积金属，淀积的金属为Ti/Al/Ni/Au金属组合，即自下而上分别为Ti、Al、Ni与Au，其厚度为0.018μm/0.135μm/0.046μm/0.052μm，其淀积金属工艺条件为：真空度小于-31.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 ；
[0074] 3.2)在N2气氛中进行快速热退火，完成源极4和漏极5的制作，其快速热退火的工艺条件为：温度为850℃，时间为35s。
[0075] 本步骤的金属淀积不局限于电子束蒸发技术，也可以采用溅射技术。
[0076] 步骤四.在源极的左边与漏极的右边的势垒层3上进行刻蚀制作台面6，如图3d。
[0077] 在势垒层3上第二次制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在源极左边与漏极右边的势垒层3上进行刻蚀，形成台面6，其中刻蚀深度为100nm；反应离子刻蚀技术刻蚀台面6采用的工艺条件为：Cl2流量为15sccm，压强为10mTorr，功率为100W。
[0078] 本步骤的刻蚀不局限于反应离子刻蚀技术，也可以采用溅射技术或等离子体刻蚀技术。
[0079] 步骤五.在源极上部、漏极上部以及源极与漏极之间的势垒层上部淀积Al2O3制作绝缘介质层7，如图3e。
[0080] 使用原子层淀积技术在源极上部、漏极上部以及源极与漏极之间的势垒层上部淀积厚度e为50nm的Al2O3绝缘介质层7。淀积绝缘介质层采用的工艺条件为：以TMA和H2O为反应源，载气为N2，载气流量为200sccm，衬底温度为300℃，气压为700Pa。
[0081] 本步骤的绝缘介质层的淀积不局限于原子层淀积技术，也可以采用蒸发技术或等离子体增强化学气相淀积技术或溅射技术或分子束外延技术。
[0082] 步骤六.在源极和漏极之间的绝缘介质层7上淀积金属Ni/Au制作栅极8，如图3f。
[0083] 在绝缘介质层7上第三次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在源极和漏极之间的绝缘介质层7上淀积金属，制作栅极8，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，即下层为Ni、上层为Au，其厚度为0.026μm/0.11μm；电子束蒸发技术淀积Ni/Au采用的工艺条件为：真-3空度小于1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 。
[0084] 本步骤的金属淀积不局限于电子束蒸发技术，也可以采用溅射技术。
[0085] 步骤七.在栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部淀积SiO2制作钝化层9，如图3g。
[0086] 使用等离子体增强化学气相淀积技术分别覆盖栅极上部与绝缘介质层的其他区域上部，完成淀积厚度为5.2μm的SiO2钝化层9；其采用的工艺条件为：N2O流量为850sccm，SiH4流量为200sccm，温度为250℃，RF功率为25W，压强为1100mTorr。
[0087] 本步骤的钝化层的淀积不局限于等离子体增强化学气相淀积技术，也可以采用蒸发技术或原子层淀积技术或溅射技术或分子束外延技术。
[0088] 步骤八.在栅极8和漏极5之间的钝化层9内进行刻蚀制作凹槽10，如图3h。
[0089] 在钝化层9上第四次制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在栅极8与漏极5之间的钝化层内进行刻蚀，以制作凹槽10，其中凹槽深度s为5μm，宽度b为4μm，凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.2μm，凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a为2.354μm；反应离子刻蚀技术刻蚀凹槽采用的工艺条件为：CF4流量为45sccm，O2流量为5sccm，压强为15mTorr，功率为250W。
[0090] 本步骤的刻蚀不局限于反应离子刻蚀技术，也可以采用溅射技术或等离子体刻蚀技术。
[0091] 步骤九.在凹槽内和源极4与漏极5之间的钝化层9上淀积金属Ti/Ni/Au制作T形源场板11，如图3i。
[0092] 在钝化层9上第五次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在凹槽10内和源极4与漏极5之间的钝化层9上淀积金属制作T形源场板11，所淀积的金属为Ti/Ni/Au金属组合，即下层为Ti、中层为Ni、上层为Au，其厚度为3μm/1.6μm/0.4μm。其中所淀积的金属要完全填充凹槽10，并将T形源场板与源极电气连接，T形源场板11靠近漏极一侧边缘与凹槽
10靠近漏极一侧边缘之间的距离c为6.2μm；电子束蒸发技术淀积Ti/Ni/Au采用的工艺-3
条件为：真空度小于1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 。
10靠近漏极一侧边缘之间的距离c为6.2μm；电子束蒸发技术淀积Ti/Ni/Au采用的工艺-3
条件为：真空度小于1.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 。
[0093] 本步骤的金属淀积不局限于电子束蒸发技术，也可以采用溅射技术。
[0094] 步骤十.在T形源场板11上部以及钝化层9的其它区域上部淀积SiN制作保护层12，如图3j。
[0095] 使用等离子体增强化学气相淀积技术在T形源场板11上部以及钝化层9的其它区域上部淀积SiN制作保护层12，其厚度为2.5μm，从而完成整个器件的制作；其采用的工艺条件为：气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、950sccm和250sccm，温度、RF功率和压强分别为300℃、25W和950mTorr。
[0096] 本步骤的保护层的淀积不局限于等离子体增强化学气相淀积技术，也可以采用蒸发技术或原子层淀积技术或溅射技术或分子束外延技术。
[0097] 实施例三：制作衬底为硅，绝缘介质层为HfO2，钝化层为SiN，保护层为SiO2，T形源场板为Ti/Pt/Au金属组合的GaN基T形源场板功率器件。
[0098] 步骤A.在硅衬底1上自下而上外延AlN与GaN材料制作过渡层2，如图3a。
[0099] A1)使用金属有机物化学气相淀积技术在温度为800℃，压强为40Torr，氢气流量为4000sccm，氨气流量为4000sccm，铝源流量为25μmol/min的工艺条件下，在硅衬底1上外延厚度为200nm的AlN材料；
[0100] A2)使用金属有机物化学气相淀积技术在温度为980℃，压强为45Torr，氢气流量为4000sccm，氨气流量为4000sccm，镓源流量为120μmol/min的工艺条件下，在AlN材料上外延厚度为4.8μm的GaN材料，完成过渡层2的制作。
[0101] 步骤B.在过渡层2上自下而上淀积Al0.1Ga0.9N与GaN材料制作势垒层3，如图3b。
[0102] B1)使用金属有机物化学气相淀积技术在温度为1000℃，压强为40Torr，氢气流量为4000sccm，氨气流量为4000sccm，镓源流量为12μmol/min，铝源流量为12μmol/min的工艺条件下，在GaN过渡层2上外延厚度为46nm、铝组分为0.1的Al0.1Ga0.9N材料；
[0103] B2)使用金属有机物化学气相淀积技术在温度为1000℃，压强为40Torr，氢气流量为4000sccm，氨气流量为4000sccm，镓源流量为3μmol/min的工艺条件下，在Al0.1Ga0.9N材料上外延厚度为4nm的GaN材料，完成势垒层3的制作。
[0104] 步骤C.在势垒层3两端淀积金属Ti/Al/Ni/Au制作源极4与漏极5，如图3c。
[0105] C1)在势垒层3上第一次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在真空度小于-31.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 的工艺条件下，在其两端淀积金属，其中所淀积的金属为Ti/Al/Ni/Au金属组合，即自下而上分别为Ti、Al、Ni与Au，其厚度为0.018μm/0.135μm/0.046μm/0.052μm；
[0106] C2)在N2气氛，温度为850℃，时间为35s的工艺条件下进行快速热退火，完成源极4和漏极5的制作。
[0107] 步骤D.在源极左边与漏极右边的势垒层3上进行刻蚀制作台面6，如图3d。
[0108] 在势垒层3上第二次制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在Cl2流量为15sccm，压强为10mTorr，功率为100W的工艺条件下，在源极左边与漏极右边的势垒层3上进行刻蚀，形成台面6，其中刻蚀深度为200nm。
[0109] 步骤E.在源极上部、漏极上部以及源极与漏极之间的势垒层上部淀积HfO2制作绝缘介质层7，如图3e。
[0110] 使用射频磁控反应溅射技术在反应室溅射气压保持在0.1Pa左右，O2和Ar的流量分别为1sccm和8sccm，基片温度固定在200℃，Hf靶射频功率为150W的工艺条件下，在源极上部、漏极上部以及源极与漏极之间的势垒层上部淀积厚度e为100nm的HfO2，制作绝缘介质层7。
[0111] 步骤F.在源极和漏极之间的绝缘介质层7上淀积金属Ni/Au制作栅极8，如图3f。
[0112] 在绝缘介质层7上第三次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在真空度小于-31.8×10 Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 的工艺条件下，在源极和漏极之间的绝缘介质层7上淀积金属，制作栅极8，所淀积的金属为Ni/Au金属组合，即下层为Ni、上层为Au，其厚度为0.026μm/0.11μm。
[0113] 步骤G.在栅极8上部与绝缘介质层7的其他区域上部淀积SiN材料制作钝化层9，如图3g。
[0114] 使用等离子体增强化学气相淀积技术在气体为NH3、N2及SiH4，气体流量分别为2.5sccm、950sccm和250sccm，温度、RF功率和压强分别为300℃、25W和950mTorr的工艺条件下，在栅极8上部与绝缘介质层7的其他区域上部淀积8.96μm的SiN材料制作钝化层9。
[0115] 步骤H.在栅极8与漏极5之间的钝化层9内进行刻蚀制作凹槽10，如图3h。
[0116] 在钝化层9上第四次制作掩膜，使用反应离子刻蚀技术在CF4流量为45sccm，O2流量为5sccm，压强为10mTorr，功率为100W的工艺条件下，在栅极8与漏极5之间的钝化层内进行刻蚀，以制作凹槽10，其中凹槽深度s为8.6μm，宽度b为6.9μm，凹槽底部与绝缘介质层之间的距离d为0.36μm，凹槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近漏极一侧边缘之间的距离a为5.357μm。
[0117] 步骤I.在凹槽内和源极4与漏极5之间的钝化层上淀积金属Ti/Pt/Au，制作T形源场板11，如图3i。
[0118] 在钝化层9上第五次制作掩膜，使用电子束蒸发技术在真空度小于1.8×10-3Pa，功率范围为200～1000W，蒸发速率小于 的工艺条件下，在凹槽内和源极4与漏极5之间的钝化层上淀积金属制作T形源场板11，所淀积的金属为Ti/Pt/Au金属组合，即下层为Ti、中层为Pt、上层为Au，其厚度为6μm/1.8μm/0.8μm。其中所淀积的金属要完全填充凹槽10，并将T形源场板与源极电气连接，T形源场板11靠近漏极一侧边缘与凹槽10靠近漏极一侧边缘之间的距离c为8.3μm。
[0119] 步骤J.在T形源场板11上部以及钝化层9的其它区域上部淀积SiO2，制作保护层12，如图3j。
[0120] 使用等离子体增强化学气相淀积技术在气体为N2O及SiH4，气体流量分别为850sccm和200sccm，温度为250℃、RF功率为25W，压强为1100mTorr的工艺条件下，在T形源场板11上部以及钝化层9的其它区域上部淀积SiO2制作保护层12，其厚度为4.6μm，从而完成整个器件的制作。
[0121] 本发明的效果可通过以下仿真进一步说明。
[0122] 仿真1：对采用传统源场板的GaN基功率器件的势垒层与本发明器件的势垒层中的电场进行仿真，结果如图4，其中传统源场板有效长度L与本发明T形源场板有效总长度相等。
[0123] 由图4可以看出：采用传统源场板的GaN基功率器件在势垒层中的电场曲线只形成了2个近似相等的电场峰值，其在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积很小，而本发明器件在势垒层中的电场曲线形成了3个近似相等的电场峰值，使得本发明器件在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积大大增加，由于在势垒层中的电场曲线所覆盖的面积近似等于器件的击穿电压，说明本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的GaN基功率器件的击穿电压。
[0124] 仿真2：对采用传统源场板的GaN基功率器件与本发明器件的击穿特性进行仿真，结果如图5。
[0125] 由图5可以看出，采用传统源场板的GaN基功率器件发生击穿，即漏极电流迅速增加，时的漏源电压大约在687V，而本发明器件发生击穿时的漏源电压大约在1748V，证明本发明器件的击穿电压远远大于采用传统源场板的GaN基功率器件的击穿电压，该结论与附图4的结论相一致。
[0126] 对于本领域的专业人员来说，在了解了本发明内容和原理后，能够在不背离本发明的原理和范围的情况下，根据本发明的方法进行形式和细节上的各种修正和改变，但是这些基于本发明的修正和改变仍在本发明的权利要求保护范围之内。
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