碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片
专利汇可以提供碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，包括：衬底，通过环 氧 胶与衬底牢固结合的碲镉汞片，与环氧胶 接触 的碲镉汞片表面有一下 钝化 层，碲镉汞片的中间为光敏元，二侧为 电极 区，其特征在于：在碲镉汞片裸露的侧面 覆盖 有一侧面 钝化层 。由于有了侧面钝化层，探测器的 电阻 、响应率、探测率、噪声等指标明显优于无侧面钝化层的探测器。，下面是碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片专利的具体信息内容。
1.一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，包括：衬底(1)，通过环 氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片(3)，与环氧胶接触的碲镉汞片表面有一下钝化 层(2)，碲镉汞片的中间为光敏元区，二侧为电极区，光敏元区上有一上钝化层 (4)，在电极区上有一铟金电极层(5)，其特征在于：在碲镉汞片(3)裸露的 侧面覆盖有一侧面钝化层(6)。
2.根据权利要求1的一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，其特征 在于：所说的侧面钝化层(6)的厚度与上、下钝化层(2、4)的厚度相等。
3.根据权利要求1的一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，其特征 在于：所说的侧面钝化层和上、下钝化层均为阳极氧化钝化层。
4.根据权利要求1的一种碲镉汞红外光电探测器微小光敏元芯片，其特征 在于：所说的碲镉汞片厚度为9-11μm，光敏元面积为≤0.07mm2。
技术领域
本实用新型涉及光电器件，钝化覆盖层。具体是指碲镉汞红外光电探测器 微小光敏元芯片的钝化覆盖层。
背景技术
发明内容
基于上述已有微小光敏元芯片存在的侧面裸露对器件性能影响的问题，本 实用新型的目的是提出一种侧面不裸露的微小光敏元芯片，使其免受外界环境的 影响而导致器件性能的下降。
为了达到上述目的，本实用新型的微小光敏元芯片，包括：衬底1，通过环 氧胶与衬底牢固结合的碲镉汞片3，与环氧胶接触的碲镉汞片表面有一下钝化层 2，碲镉汞片的中间为光敏元区，二侧为电极区，光敏元区上有一上钝化层4， 在电极区上有一铟金电极层5，其特征在于：在碲镉汞片3裸露的侧面覆盖有一 侧面钝化层6。所说的侧面钝化层的厚度与上、下钝化层的厚度相等。所说的侧 面钝化层和上、下钝化层均为阳极氧化钝化层。所说的碲镉汞片厚度为9-11μm， 光敏元面积为≤0.07mm2。
我们对上述结构的探测器做了加温烘烤对比试验，从探测器的电阻、响应 率、探测率、噪声等发生变化的情况来看，发现有侧面钝化的微小面积器件在 热稳定性，抗环境干扰与长期存放等可靠性指标有明显的优势，这一点就是本 发明的最大效果。
附图说明
图1为本实用新型的微小光敏元芯片的立体结构示意图。
图2为图1的A-A剖面立体结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的制备工艺区别在于：通常的表面钝化工艺是在芯片加工过程 中整片大面积集成完成的，工艺较简单。而芯片侧面增加钝化层，钝化工艺是要 在芯片成型后再集成进行的。其过程如下：
首先对碲镉汞片3的一表面去损伤处理，在其表面长上一层80纳米厚的下 阳极氧化钝化层2。
用低温环氧胶将碲镉汞片生长有钝化膜的一面与兰宝石衬底1粘贴在一起， 充分固化，保证粘贴强度。
对粘贴好的碲镉汞片的上表面减薄去损伤处理，碲镉汞片的厚度应控制在 10微米左右。
在上表面长上一层较薄的过度钝化膜，目的是在进行后面的工艺时不直接对 碲镉汞片表面引进损伤。
根据设计要求，采用光刻、氩离子刻蚀等工艺刻蚀出集成化的单元、双元或 多元的几何图形。
用盐酸等溶液去除防损伤的过度钝化膜，再用溴+乙醇去除工艺中可能引进 的损伤，如氩离子刻蚀带来的侧面损伤。
除电极区外，对碲镉汞片的表面与侧面进行氧极氧化钝化，生成一层80纳 米厚的阳极氧化层，此厚度的阳极氧化钝化层颜色为紫蓝色。
再进行光刻、漂腐、在电极区表面长铟金电极层5。然后切割分离形成侧面 也有钝化层的器件芯片。
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